JPH02118937U - - Google Patents
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- JPH02118937U JPH02118937U JP2683889U JP2683889U JPH02118937U JP H02118937 U JPH02118937 U JP H02118937U JP 2683889 U JP2683889 U JP 2683889U JP 2683889 U JP2683889 U JP 2683889U JP H02118937 U JPH02118937 U JP H02118937U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laminated
- oxide film
- field oxide
- voltage wiring
- parasitic mos
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
第１図は本考案による半導体装置の一実施例の
要部を示す断面図、第２図〜第５図は第１図例を
製造する工程を示す断面図である。 ２，３……フイールド酸化膜、４，５……チヤ
ネルストツパ注入領域、６……低電圧用の配線、
７……高電圧用の配線、１９，２０……寄生ＭＯ
Ｓトランジスタ。
要部を示す断面図、第２図〜第５図は第１図例を
製造する工程を示す断面図である。 ２，３……フイールド酸化膜、４，５……チヤ
ネルストツパ注入領域、６……低電圧用の配線、
７……高電圧用の配線、１９，２０……寄生ＭＯ
Ｓトランジスタ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 高電圧用の配線が積層されたフイールド酸化膜
下方の半導体領域表面をチヤネル領域とする寄生
ＭＯＳトランジスタと、 低電圧用の配線が積層されたフイールド酸化膜
下方の半導体領域表面をチヤネル領域とする寄生
ＭＯＳトランジスタとを有する半導体装置におい
て、 上記高電圧用の配線が積層されたフイールド酸
化膜の膜厚を、上記低電圧用の配線が積層された
フイールド酸化膜の膜厚よりも厚くし、それぞれ
上記寄生ＭＯＳトランジスタのチヤネル領域に反
転層ができない厚みとされていることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2683889U JPH02118937U (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2683889U JPH02118937U (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02118937U true JPH02118937U (ja) | 1990-09-25 |
Family
ID=31248824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2683889U Pending JPH02118937U (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02118937U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017123481A (ja) * | 2017-03-09 | 2017-07-13 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP2683889U patent/JPH02118937U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017123481A (ja) * | 2017-03-09 | 2017-07-13 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
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