JPH02117160A - 円筒形半導体装置の製造方法 - Google Patents
円筒形半導体装置の製造方法Info
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- JPH02117160A JPH02117160A JP27132588A JP27132588A JPH02117160A JP H02117160 A JPH02117160 A JP H02117160A JP 27132588 A JP27132588 A JP 27132588A JP 27132588 A JP27132588 A JP 27132588A JP H02117160 A JPH02117160 A JP H02117160A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 9
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract description 4
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子部品のうち樹脂封止型半導体装置の特
に円筒形半導体装置の製造方法に関するものである。
に円筒形半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の円筒形半導体装置の製造方法のうち、先願である
特願昭62−300673号に示し7’j3[極の素子
の例を第3−6図において説明する。第3図は従来の円
筒形半導体装置のフレームの斜視図、第4図は第3図の
フレームに半導体チップを組み立て友状況を示す斜視図
、第5図は第4図の状態から樹脂封止を行った状況を示
す斜視図、第6図は第5図の状態からリードを切断しt
状況を示す斜視図である。図において、+21dフレー
ム、111Fiリード、(3)はダイパッド、(4)は
内部リード、(51#i半導体チップ、(6)はワイヤ
、(7)はIai脂封止部、(8)はり−ドlrlの切
断部、(旬は素子である。
特願昭62−300673号に示し7’j3[極の素子
の例を第3−6図において説明する。第3図は従来の円
筒形半導体装置のフレームの斜視図、第4図は第3図の
フレームに半導体チップを組み立て友状況を示す斜視図
、第5図は第4図の状態から樹脂封止を行った状況を示
す斜視図、第6図は第5図の状態からリードを切断しt
状況を示す斜視図である。図において、+21dフレー
ム、111Fiリード、(3)はダイパッド、(4)は
内部リード、(51#i半導体チップ、(6)はワイヤ
、(7)はIai脂封止部、(8)はり−ドlrlの切
断部、(旬は素子である。
次に製造方法について説明する。まず、第4図に示すご
とく半導体チップ(5)をダイパッド(3)に接着し、
ワイヤ(6)にエフ半導体テッ1(5)とリード(11
の間を接続する。次に第5図に示すごとく樹脂で封止し
、樹脂封止部(7)を形成する。更に第6図に示すごと
く切断部(8)を切り離すことによってフレーム+2)
より分離する。しかる後にリードtill樹脂封止部(
2)の周囲を囲むように曲げ加工を行う。最後にリード
11)上にリング状電極及びキャップ状電極(図示せず
)を装着することにより円筒形半導体装置が完成する。
とく半導体チップ(5)をダイパッド(3)に接着し、
ワイヤ(6)にエフ半導体テッ1(5)とリード(11
の間を接続する。次に第5図に示すごとく樹脂で封止し
、樹脂封止部(7)を形成する。更に第6図に示すごと
く切断部(8)を切り離すことによってフレーム+2)
より分離する。しかる後にリードtill樹脂封止部(
2)の周囲を囲むように曲げ加工を行う。最後にリード
11)上にリング状電極及びキャップ状電極(図示せず
)を装着することにより円筒形半導体装置が完成する。
先願の特願昭62−300673号に示す円筒形半導体
装置の製造方法では、リードの切断後1円筒形半導体装
置が傭々に分割されるため、次工程のリード加工工程に
おいて、個々に位置決めを行なわなければならず、整列
工程が必要となる問題点があつ几。
装置の製造方法では、リードの切断後1円筒形半導体装
置が傭々に分割されるため、次工程のリード加工工程に
おいて、個々に位置決めを行なわなければならず、整列
工程が必要となる問題点があつ几。
この発明は上記のような問題点を解消するtめになされ
tもので、円筒形半導体装置の製造方法において、整列
工程を大幅に簡略にし、高精度で低コストなリード加工
工程を得ることを目的とする口 〔課題を解決する之めの手段〕 この発明に係る円筒形半導体装置の製造方法は。
tもので、円筒形半導体装置の製造方法において、整列
工程を大幅に簡略にし、高精度で低コストなリード加工
工程を得ることを目的とする口 〔課題を解決する之めの手段〕 この発明に係る円筒形半導体装置の製造方法は。
素子とフレームの接合部をリード以外に設けることに工
9、リードの切断後も素子とフレームの連続性を保ち、
次工程であるリード加工工程を素子がフレームにりなか
つt状態で実施するようにしtものである。
9、リードの切断後も素子とフレームの連続性を保ち、
次工程であるリード加工工程を素子がフレームにりなか
つt状態で実施するようにしtものである。
この発明に2ける円筒形半導体装置製造方法のリード加
工工程は、素子とフレームの連続性を保つt状態で実施
することにエリ、素子がフレーム上で高精度に位置決め
されて2す、フレームを位置決めすることでフレーム上
の複数個の素子が容易に位置決めされる。
工工程は、素子とフレームの連続性を保つt状態で実施
することにエリ、素子がフレーム上で高精度に位置決め
されて2す、フレームを位置決めすることでフレーム上
の複数個の素子が容易に位置決めされる。
以下、この発明の円筒形半導体装置の製造方法の一実施
例を第1図及び第2図にエリ説明する。
例を第1図及び第2図にエリ説明する。
第1図は円筒形半導体装置のフレームに半導体チップを
組み立てt状況を示す斜視図、第2図は第1図の状態か
ら樹脂封止全行つ死後、切断部を切り離し九状況を示す
斜視図である。図において[1,1〜(9)は第3図な
いし第6図の従来例に示したものと同等であるので説明
を省略する。αOはつりリードである。
組み立てt状況を示す斜視図、第2図は第1図の状態か
ら樹脂封止全行つ死後、切断部を切り離し九状況を示す
斜視図である。図において[1,1〜(9)は第3図な
いし第6図の従来例に示したものと同等であるので説明
を省略する。αOはつりリードである。
次に製造方法について説明する。第1図に示すごとくフ
レーム(2)に半導体チップ(51?組み立て、次に第
2図に示すごとく樹脂封止部(7)で封止し、後にリー
ドIllの切断部(8)を切断するまでの工程は従来例
と同様である0この時、素子(9)はフレーム(21上
の等ピンチ配列のま\整列している。なぜなら、フレー
ム【2)と素子(9)はつりリードσ0によってつなか
つt状態を保っているからである。
レーム(2)に半導体チップ(51?組み立て、次に第
2図に示すごとく樹脂封止部(7)で封止し、後にリー
ドIllの切断部(8)を切断するまでの工程は従来例
と同様である0この時、素子(9)はフレーム(21上
の等ピンチ配列のま\整列している。なぜなら、フレー
ム【2)と素子(9)はつりリードσ0によってつなか
つt状態を保っているからである。
しかる後にリード+11を樹脂封止部(7)の周囲を囲
むように曲げ加工を行なう。次につジリードαQを切断
し、素子(9)にリング状電極及びギヤツブ状電Wを装
着することにより円筒形半導体装置が完成する0 なお、上記実施例ではトランジスタなどの3電極の場合
について説明しtが、ダイオードなどの2電極の場合、
あるいはサイリスタなどの4電極の場合にも、この発明
は適用できる。
むように曲げ加工を行なう。次につジリードαQを切断
し、素子(9)にリング状電極及びギヤツブ状電Wを装
着することにより円筒形半導体装置が完成する0 なお、上記実施例ではトランジスタなどの3電極の場合
について説明しtが、ダイオードなどの2電極の場合、
あるいはサイリスタなどの4電極の場合にも、この発明
は適用できる。
この発明によれば、円筒形半導体装置のリード加工工程
に2ける整列、位置決め作業が大幅に合理化されるので
精度の高い、低コストの製造方法を得られる効果がある
。
に2ける整列、位置決め作業が大幅に合理化されるので
精度の高い、低コストの製造方法を得られる効果がある
。
vJ1図はこの発明の一実施例による円筒形半導体装置
のフレームに半導体チップを組み立て九状況を示す斜視
図、第2図は第1図の状況から切断部切り離しまでの状
況を示す斜視図、第3図は従来の円筒形半導体装置のフ
レームの斜視図、第4図は第3図のフレームに半導体チ
ップを組み立て之状況を示す斜視図、第5図は第4図の
状態から樹脂封止全行なった状況を示す斜視図、第6図
は第5図の状況からリードを切断し之状況を示す斜視図
である。 図に3いて、illはリード、(2)はフレーム2(3
)はダイパッド、(4)は内部リード、(5)は半導体
チップ、(6)はワイヤ、(7)は樹脂封止部、(8)
は切断部、(9)に素子、αcIはつりリードである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
のフレームに半導体チップを組み立て九状況を示す斜視
図、第2図は第1図の状況から切断部切り離しまでの状
況を示す斜視図、第3図は従来の円筒形半導体装置のフ
レームの斜視図、第4図は第3図のフレームに半導体チ
ップを組み立て之状況を示す斜視図、第5図は第4図の
状態から樹脂封止全行なった状況を示す斜視図、第6図
は第5図の状況からリードを切断し之状況を示す斜視図
である。 図に3いて、illはリード、(2)はフレーム2(3
)はダイパッド、(4)は内部リード、(5)は半導体
チップ、(6)はワイヤ、(7)は樹脂封止部、(8)
は切断部、(9)に素子、αcIはつりリードである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 円筒形状の絶縁物と、上記円筒形状の絶縁物の側面より
、その側面の概ね法線方向に突出した金属リードを曲げ
ることにより上記円筒形状の絶縁物の周囲を取りまく形
状とした輪状の金属リードを少なくとも2本以上有する
円筒形半導体装置の製造方法において、フレームと半導
体装置が連続した状態でリード加工を実施するようにし
たことを特徴とする円筒形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27132588A JPH02117160A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 円筒形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27132588A JPH02117160A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 円筒形半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02117160A true JPH02117160A (ja) | 1990-05-01 |
Family
ID=17498480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27132588A Pending JPH02117160A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 円筒形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02117160A (ja) |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP27132588A patent/JPH02117160A/ja active Pending
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