JPH02116755A - 加速度計及びその較正方法 - Google Patents

加速度計及びその較正方法

Info

Publication number
JPH02116755A
JPH02116755A JP1245408A JP24540889A JPH02116755A JP H02116755 A JPH02116755 A JP H02116755A JP 1245408 A JP1245408 A JP 1245408A JP 24540889 A JP24540889 A JP 24540889A JP H02116755 A JPH02116755 A JP H02116755A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistor
accelerometer
frame
wheatstone bridge
output terminals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1245408A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0766010B2 (ja
Inventor
Craig W White
クレイグ　ダブリュ．ホワイト
Leonard W Behr
レオナード　ダブリュ．ベアー
Kevin E Musser
ケビン　イー．マッサー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Automotive Systems Laboratory Inc
Original Assignee
Automotive Systems Laboratory Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Automotive Systems Laboratory Inc filed Critical Automotive Systems Laboratory Inc
Publication of JPH02116755A publication Critical patent/JPH02116755A/ja
Publication of JPH0766010B2 publication Critical patent/JPH0766010B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P21/00—Testing or calibrating of apparatus or devices covered by the preceding groups
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
    • G01P15/123—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、自動車のような物体の速度の変化を検知する
ための装置、ならびに、そのために、製造許容範囲、及
び動作環境の変化に起因するセンサの応答の変化にも係
わらず、較正された出力信号を発生ずるようにマイクロ
プロセッサにより制御される回路に関する。
［従来の技術］ 従来の技術は、加速度により全体として梁の伸長方向へ
垂直に配置された支持東上にカンチレバー式の検知質量
を右するセンサを教示している。
当該分野で習熟している者に良く知られた方法により、
梁に接着又はその表面にドープさせた複数の歪みゲージ
をボイートストン・ブリッジに接続して、これら検知質
量の変位量に比例した出力が得られる。残念なことに、
歪みゲージの出力はクリープ及びヒステリシス損により
好ましくない影響を受ける。更に、歪みゲージの抵抗値
、従ってこれに接続されているホイートストン・ブリツ
ジの出力は、温度によっても大きく変動する。例えば、
検知質量及びその支持梁がシリコンからミクｏ１械加工
されている場合に、検知質量の変位と温度との間の関係
は既知ではないので、温度によるホイートストン・ブリ
ツジの変動は、更に複雑となる。更に、このようなセン
サは、典型的なものとして高温で製造され、次いで冷却
されるので、熱的なプレストレスが発生し、センサの動
作温度が変動する際にこのプレストレスが放出されたり
又は現われたりする。その結果、センサを継続的な形式
で再較正しなければならない。更に、製造工程における
ばらつきは、センサ抵抗のトリミングのような付加的な
製造工程が必要となり、単体のコストを増加させ、かつ
製造量を低下させるものとなる。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、加速度セン１すと、動作環境において温度変
化に影！！！されない出力が得られる電気的な制御回路
とを提供することを目的とする。
更に、本発明は、製造■稈での変動を原因としたセンサ
出力の変動を自動的に補正して、センサの製造工程にお
ける極端な許容範囲の制御を不必要にさせ、その後セン
サと制御回路とを正しく整合させるために従来必要であ
った特定のセンナ特性のためにセンナ制御回路について
作業を不必要にした加速度センサ用の制御回路を提供す
ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段及びその作用］本発明に
よる加速度センサは、複数の共平面の梁を有し、検知質
量を支持するように伸延する剛性の絶縁フレームを備え
ている。検知質量は、このフレームの加速に従って前記
加速により、その質量の中心をフレームに対する初１１
１の位置からこれに相対する第２の位置に向かって梁の
而にほぼ垂直な方向に変位する。支持している名乗は、
これと一体の複数の抵抗を有し、その抵抗値が支持して
いる梁の変位に従って、即ち検知質量の置換に従って変
化する。所望により、梁は検知質量の直径方向の支持と
なる。
更に、前記加速度センサは、それぞれ検知質量及びフレ
ームの反対表面にある非磁性体の導体層のように、その
初期位置から第２の位置と離れた第３の位置に検知質量
を電気的に変位させる手段を備えている。各前記層に同
一・でない電荷を送出すると、既知の加速電界により変
位されるものと同じような方法で、検知質量が合成電界
により第３の位置に変位される。
前記加速度セン（尤の較正出力信号を発生する゛電気回
路は、４つの脚を定める一対の入力端子及び出力端子を
イイするホイートストン・ブリツジと、前記ホイートス
トン・ブリツジの入力端子に電圧を印加するｌｉ源とを
備えている。ホイートストン・ブリツジの脚の少なくと
も一つは複数の梁抵抗を備え−Ｃいる。更に、ホイート
ストン・ブリツジの脚の少なくとも−・つは可変抵抗を
備えており、その抵抗値をマイク１コブｌコセツザのよ
うな適当な１ＩＩＩ　Ｈ手段により制御し、ホイートス
トン・ブリツジの出力端子に発生する電圧の範囲を調整
することによりセンサ“の動作温度の変化を補償し、か
つ製造許容範囲に適応させる。
更に、前記電気回路は、例えば差動増幅器によりホイー
トストン・ブリツジの出力端子に接続されたマイクロプ
ロセッサのアナログ・デイジタル変換器ポートのように
、ホイートストン・ブリツジの出力端子に発生する電圧
を決定する手段と、例えば前記複数の層に電源電圧を印
加するためにマイクロプロセッサにより動作可能なスイ
ッチのように前記センサの静電変位手段を付勢させる手
段と、 前記ホイートストン・ブリツジの出力から得ると共に、
絶縁フレームの加速によるホイートストン・ブリツジの
出力にお（する瞬時変化と、絶縁フレームに対する前記
検知質量の静電変位によるホイートストン・ブリツジの
出力における瞬時変化とを比較することにより、前記セ
ンサの動作温度にお（」る変化を原因とした前記センサ
の応答の変化を反映させるように調整した較正済み出力
信号を発生する手段とを備えている。
［実施＠］ 第１図及び第２図を参照すると、本発明の第１の実施例
の加速度センサ１０はフレーム１２を備えている。この
フレーム１２は、パイレックスのような絶縁体からなる
下部即ちベース１４と、接着によりフレーム１２の上面
１８に固定されたシリコンのような絶縁体からなる上部
１６とを有する。間口２０が上面２２からフレーム１２
の上部１６を介して伸延して、ベース１４の上面２４を
露出させている。シリ」ンのような半導体材料からなる
薄い平面部２６を上部１６の上面２２に接着し、全体と
してベース１４のＥ面２４に間口２０を平行に伸延する
〜・対の梁２８を設けている。
また、検知’Ｊｔａ３０は、シリコンのような絶縁体を
ミクロ機械加工したものであり、接着により梁２８の自
由端３２に固定される。これによって、梁２８はカブレ
バー形式で検知質量３０をフレーム１２に支持している
。これとは別に、平面部２６及び検知質量３０はシリコ
ンのような一つの半導体をミクロ機械加工したものであ
る。
従って、検知質量３０は、上部１６に対する初１ｇ！位
置からこれに対する第２の位置に向かって、梁２８の面
にほぼ垂直な方向と逆方向へフレーム１２の加速に従っ
て自由に変位することができる。
複数の突起即ちストッパ３４及び３５は、それぞれベー
ス１４及び上部１６から突起してフレーム１２に対する
検知質量３０の変位＋Ｕを制限している。従って、ベー
ス１４のストッパ３４は、フレーム１２に対して与えら
れたフレーム１２の加速により、検知！ｆ１ω３０を変
位させることが可能な第２の位置を定める。検知質ｆｆ
１３０とフレーム１２との間に適当に空隙３６を設けて
検知質ｔｆｉ　３０について所望レベルのガス・ダンピ
ングを得ている。
更に、この加速度センサ１０はベース１４の露出した上
面２４にＣＶＤ処理により例えばアルミニウムをドープ
した非磁性体の導体層４０を備えている。従って、ベー
ス１４上の導体層４０は、検知″’ｉｔ　Ｆｆｉ　３０
がフレーム１２に対して初Ｉ’ｌｌ　（◇置にあるとき
は、支持している梁２８の面に対し、全体として平行に
伸延している。史に、ＣＶＤ処理によりアルミニウムの
ような非磁性体の導体層４２を検知質量３０の下側４４
に堆積して、導体層４０に対向してベース１４上に配置
させている。
以下で説明するが、導体層４０及び４２にそれぞれ同一
でない電荷を送出し、導体層４０及び４２が加速電界な
しに、検知質＠３０をフレーム１２に対して静電変位さ
せる。
一対の抵抗４６は、８梁２８の上面４８から選択した部
分をそれぞれドープすることにより、それぞれ８梁２８
と一体に形成されている。この梁は、例えばＣＶＤ処理
又はイオン打ち込み技術を用いて、梁２８をボロン又は
ヒ素イオンによりドープしたものでよい。抵抗４６の抵
抗値はフレーム１２に対する検知質ｆｆ１３０の変位を
原因とした梁２８の変位に従って変動する。
電気回路５０は、第３図にブロック図により、加速度セ
ンサ１０の抵抗４６の瞬時抵抗値から導出し、その温度
の影響について調整した較正済み出力信号ＯＵ　Ｔ　Ｐ
　Ｕ　Ｔを発生するものとして示されている。電気回路
５０は、ホイートストン・ブリツジ５２と、ホイートス
トン・ブリツジ５２の入力端子５６及び５８に電源電圧
■、を印加するｆｆ１Ｋ、例えばバッテリ５４と、ホイ
ートストン・ブリツジ５２の出力端子６２及び６４に接
続されてこれに発生する出力電圧Ｖ。ｔｌＴを増幅する
差動増幅器６０と、差動増幅′ａ６０の出力及び電源電
圧Ｖ、の瞬時振幅を読み出づ一対の７ノーログ・ディジ
タル変換鼎ポート６８を有するマイクロプロセツサ６６
と、ホイートストン・ブリツジ５２の出力端子６２及び
６４に発生する電１ｆ範囲を制御する複数の出力ポード
ア０とを備えている。
特に、加速度センサ１０の梁２８と一体の各抵抗４６は
、ホイートストン・ブリツジ５２の４つの入力端子５６
．５８、出力端子６２及び６３間に接続され、その４つ
の脚７４，７６．７８及び８０を形成している。ホイー
トストン・ブリツジ５２の各抵抗４６の位置は、当該技
術分野において習熟する者に知られた方法により、フレ
ーム１２に対する検知質量３０が変位した際に、ホイー
トストン・ブリツジ５２の出力？＋５　Ｊ、ｔ、　Ｖ　
Ｏ旧の変化が最大となるように定められる。
更に、ホイートストン・ブリツジ５２の下側の２つの脚
７８及び８０において８梁２８の抵抗４６と直列に可変
抵抗８２が配置される。本発明の好ましい実施例におい
て、可変抵抗８２は脚７８及び８ｏの抵抗４６とそれぞ
れ直列に配置された固定抵抗値の抵抗８４と、マイクロ
プロセッサ制御によりそれぞれ並列接続に切り換えられ
る固定値の複数の付加的な抵抗８６とを備えている。マ
イクロプロセッサ６６により動作可能なスイッチは、直
列の抵抗８４のうちの一つと並列にそれぞれ付加的な抵
抗８６を切り換えるものであり、トランジスタ８８を備
えている。トランジスタ８８のエミッタはホイートスト
ン・ブリツジ５２０入力端子５８に接続され、そのコレ
クタは付加的な抵抗８６に接続されている。マイクロプ
ロセッサ６６は、出力ポードア０からこれに接続されて
いるトランジスタ８８のベースへ電流を供給することに
より、付加的な抵抗８６を直列の抵抗８４のうちの一つ
と並列接続する。
従って、゛マイクロプロセッサす６６はホイートストン
・ブリツジ５２の脚７８及び８ｏの抵抗値を段階的に変
化させて加速度センサ１０の動作中に出力端子６２及び
６３４に発生する電圧範囲を制御することができる。こ
の方法では、電気回路５０は加速度センサ１０の動作潟
麿の変化を原因とした出力電圧Ｖ。Ｕｏの変化を補償し
、史に抵抗４６の通常の抵抗値における製造許容範囲に
適合させる。
更に、電気回路５０は、フレーム１２の加速により検知
質ｆｆ１３０が第２の位置へ最大の変位をしても、即ち
ベース１４のストッパ３４と係合しても、差動増幅器６
０を飽和させない電圧範囲にホイートストン・ブリツジ
５２の出力ｔｒ＋：ｖｏＵ、を制限させることができる
。例えば、マイクロプロセッサ６６は、ホイートストン
・ブリツジ５２の出力電圧Ｖ。ｔｌＴが差動増幅器６ｏ
を飽和させないために必要な工）容範囲値外となったと
判断したときは、ホイートストン・ブリツジ５２の出力
電圧ＶＯＵＴが再び許容範囲値内となるまで、付加的な
抵抗８６を脚７８及び８０の４列の抵抗８４と並列に逐
次接続し始める。第３図は各脚７８及び８０に切り換え
可能な２つの付加的な抵抗８６のみを示しているが、実
施例の付加的な抵抗８６の数、及びその抵抗値を最適な
柔軟性及びパフォーマンスを得るように選択されている
ことに注意すべきである。
ホイートストン・ブリツジ５２の出力電圧ｖＯＩＩＴを
厳密に制御する目的は、電気回路５０がフレーム１２に
対する加速入力がしきい値を超えた時点を正確に判断で
きるようにさせて、電気回路５０の較正澄み出力信号Ｏ
ＬＪ　Ｔ　Ｐ　ＬＩ　Ｔが車両の乗客制止装置にＪ３け
るエア・バッグのような装置（図示なし）をトリガする
ことに注意１べきである。従って、ボイーｉ〜ストン・
ブリッジ５２の出力値の範囲が、例えばしきい値に近い
出力電圧Ｖｏ１１１のように、特定の意味を有するとき
は、第１の差動増幅器６０と責なるゲインを有する第２
の差動増幅器（図示なし）をホイートストン・ブリツジ
５２の出力端子６２及び６４に接続してその出力範囲の
分解能を高めてもよい。これについては、２つの差動増
幅器が有する冗長性により所望の分解能が得られるので
、２つの差動増幅器のうちの一方が高ゲインのために♀
く飽和するにも係わらず、各脚７８及び８０に必要とす
る切り換え「４能な付加的な抵抗８６が史に少なくでよ
いことに注意すべきである。
マイクロプロセッサにより調整され、かつ増幅されたブ
リッジ出力電圧の移動平均（以下、明確にするために平
均ブリッジ出力電圧Ｖ　　といＯＵＴ う。）は、その後、ホイートストン・ブリツジ５２の瞬
時ブリッジ出力電圧Ｖ　　　と比較するとＯＵＴ　＋ きの林準線として用いられる。従って、加速度センサ１
０を車両の乗客制止装置の加速度センサとして利用する
ときは、平均ブリッジ出力電圧ｖＯＩＩＴにおける瞬時
変化は車両の加速度のために検知質ｔｆ１３０の変位に
対応する。可能車両衝突条件は、ホイートストン・ブリ
ツジ５２の瞬時ブリッジ出力電圧■　　・がしきい値を
平均ブリッジ０Ｌｌｒ　＋ 出力電圧Ｖ。Ｕｌを超えるときを表わしており、これに
よりマイクロプロセッサ６６は衝突条件を仮定し、それ
以上、平均ブリッジ出力電圧Ｖ。Ｕｌを計ｎすることは
ない。その後、更に車両加速度カーブを評価するために
、可能な衝突条件を表示覆る直前の平均ブリッジ出力電
圧■。ｏｌが瞬時ブリツジ出力電圧Ｖ　　・と比較する
ときの桔準線と０ＬＩＴ、　ｔ して用いられる。瞬時ブリッジ出力電圧Ｖ。ＵＴ　ｉが
しきい値を超えなくなると、マイクロプロセッサ６６内
のカウンタが減少される。瞬時ブリッジ出力電圧Ｖ　　
・が連続する多数の読みでしきいＯＵＴ　＋ 値を超えないときは、マイクロプロセッサ６６は全ての
カウンタをＯにすることにより、衝突条件をクリアし、
通常のブリッジ出力電圧■。ｔｌＴの平均化を再開する
。
更に、マイクロブ０セツサ６６はｊｉｌ−でない電荷を
加速度センサ１０の導体層４０及び４２にそれぞれ転送
する制御をし、かつ較正済み出力信号０ＵｒＰＵＴを供
給する複数の出力ポードア０を備えている。
マイクロブ０セツサ６６は、スイッチ７２を作動させ、
導体層４０を電′ｔＡ電圧Ｖ、に接続する（ただし、検
知質ｆｆ１３０上の導体層４２については既に常時接地
されている）ことにより、同一でない１１ｉ荷を加速度
センサ１０の導体層４０及び４２に転送する。第４図に
は、導体層４ｏを電源電［Ｅ　Ｖ　、に接続させると共
に、マイクロプロセッサ６６の一対のアナログ・デイジ
タル変換器ポート６８に２つの異なる電圧を印加するこ
とにより動作可能なスイッチ７２の実施例が示されてい
る。
較正流み出力信号０１Ｊ　Ｔ　Ｐ　Ｕ−ｒを発生するこ
とに関連して、本発明の電気回路５０はフレーム１２に
対して制御された検知質量３０の静電変位を利用して較
正済み出力信号０１ＪＴＰｔＪ”Ｉ−を周期的に再較正
し、車両の真の加速度曲線を反映させる。
特に、加速度センサ１０及びＩＩＪＭする電気回路５０
を初期較正する際は、加速度センサ１０を一時的に方向
付けて梁２８を地球の重力の場に対してほぼ垂直に伸延
させることにより、既知の加速度の場に曇づく平均ブリ
ッジ出力電圧。Ｕｌの瞬時変化と、一定の較正温度ＴＣ
で、既知の較正変位電圧Ｖ。Ｃによる検知質量３０の静
電変位に基づく平均ブリッジ出力電圧Ｖ。ＩＪＴの瞬時
変化とを比較する。従って、検知質ｆｆ１３０を変位さ
せる電界は既知の加速電界即ち単位重力の場に関連して
実質的に較正される。その後、検知質量３０が既知の加
速電界により変位されるに従って加速度センサ１０の導
体層４０及び４２に同じような較正静電変位電圧■。Ｃ
を印加し、その結果の平均ブリッジ出力電圧Ｖ。１１、
の変化と初期値とを比較することにより、ホイートスト
ン・ブリツジ５２の瞬時ブリッジ出力電圧Ｖ　　・を任
意の温度Ｔ、でＯＵＴ、　＋　　　　　　　　　ｒ 周期的に較正可能である。
更に、フレーム１２に対する検知質ｆｆ１３０の静電変
位を原因としたブリッジ出力電圧Ｖ　　、の０旧１ 瞬時変化は、較正静電変位電圧■、か、又は一定のセン
サ・パラメータの関数として現われる。従って、ｓ１１
時静電変位電圧Ｖ。は、ホイートストン・ブリツジ５２
の瞬時ブリッジ出力型ｒｔ、　Ｖ　ｏ　ｕ　ｒを較正す
る場合に、もどの較正静電変位電圧Ｖ　　に等しい必要
はない。このため、本発明は、ｃ 史に、較正静電変位電圧Ｖ、を厳密にｉ、１Ｉｔｌｔｌ
！ｉるときに必要となるようなコストをなくすものであ
る。
従って、本発明は、第４図に示すようなトランジスタ／
抵抗回路のような簡単なスイッチング手段を用いて電Ｉ
Ｑ電圧■、又はその何割かに等しい変位電圧Ｖ。を１５
１ている。特に、電源電Ｉｆ　Ｖ　、に等しい変位゛電
圧■、は、ストッパ３４に対りる第２の位置に検知質量
３０を完全に変位させて、検知質量３０とベース１４の
１面２４との間の空隙３６に存在する異物、例えば塵埃
（図示なし〉の存在を調べるために用いられる。較正機
み出力信号０ＵＴＰＵＴを較正するために、電源電圧Ｖ
、の何割かに等しい変位型Ｉ″ＥＶｏを用いて検知質量
３０を部分的にフレーム１２に対する初１１１Ｊ位置か
らこれに関連する第２の位置に向かって変位させる。
静電瞬時変位電圧Ｖ。１がもとの較正変位電圧Ｖ　　と
異なる場合は、マイクロプロ廿ツリー６６Ｃ が静電瞬時変位電圧ｖ、ｉを読み込み、萌配静電変佼の
際に検知質量３０が受ける等価加速電界を計鋒するのに
用いる。
加速度センサ１０の較正及び較正渋み出力信号ＯｔＪ　
Ｔ　Ｐ　Ｕ　Ｔの発生を、以下のように説明することが
できる。即ち、センサ製造中に、加速度センサ１０及び
電気回路５０を備えている回路基板（図示４【シ）は、
−船釣に「爪のベツド」と呼ばれる垂直に伸延する多数
のプローブ上に平らに配置されて電気回路５０について
の種々の電圧を測定し、回路の完全性を確認する。従っ
て、検知質量３０はＩＧの重力の場に位置するように方
向付番ブられ、フレーム１２に対するその初期位置から
これに関連する第２の位置に向かって変位される。
回路基板に最初の電力が供給されると、マイクロプロし
ツサ６６は不揮発性メモリ・ユニット、例えばこれに接
続されているＥＥＰＲＯＭ（図示なし）の種々の位置を
読み出す。これらの罐がＯのときは、セン１ノは未だ較
１１−されておらず、マイクロプロセッサ６６は較正温
度Ｔｃで１Ｇの加速の場に対応するホイートストン・ブ
リツジ５２の第１の較正電圧Ｖ。ＵＴ　Ｃ１を読み出し
、その後にマイクロプロセッサ６６はＥＥＰＲＯＭに較
正電圧ＶｏＵ１の値を記１する。
その後、回路Ｒ板はハウジング（図示なし）にアッセン
ブリされ、これに組み込まれる。これによって回路括板
は再び較正温度１゜で試験されてセンサ及び回路の完全
性を確認する。このハウジングは、車両に搭載されたと
きに占有することになる位置で、検知質ｆｆ１３０を支
持している梁２８の面がほぼ重力の場と平行に伸延する
ように方向付けられる。これによって、検知賀援３０は
フレーム１２に対する初期位置に復帰する。マイクロプ
ロセッサ６６は、ＥＥＰＲＯＭに記憶している第１の較
正電圧■。Ｕｏの存在についてＥＥＰＲＯＭを調べ、全
ての定数が未だ較正されていないこを判断する。次いで
、マイクロプロセッサ６６は、加速電界のない状態かつ
較正温度Ｔ　でホイートストン・ブリツジ５２の第２の
ブリッジ出力電圧Ｖ　　　を読み込む。ｖＯＬＩＴ、Ｃ
ＩとＱｔｌＴ、Ｃ２ ＶＯＵＴＣ２との間の差は、較正された加速度センサー
０の「感度Ｓ　」即ち較正温度１ｃで１Ｇの加速度によ
る較正済み出力信号０ｔＪＴＰＵＴの変化である。
ｌＪｌ′！速度センザ１セン較正温ｒ！ＬＴＣに保持し
、マイクロプロセッサ６６はスイッチ７２を作動させて
第１の較正変位電圧Ｖ。、を加速度センサー０の導体層
４０及び４２に印加して、検知質ｆｆ１３０を静電的に
変位させる。マイクロプロセッサ６６は第１の較正変位
電圧Ｖ　　の振幅を読み出し、Ｃ 記憶し、その結果のブリッジ出力電圧Ｖ。ＵＴ　Ｄ　ｃ
を読み出すことによりブリッジ出力′償圧■。Ｕｌにお
ける変化を判断し、これよ′リホイートストン・ブリツ
ジ５２の平均ブリッジ出力電圧ｖｏＵＩから引篩した後
、その結末の値をＥＥＰＲＯＭに記憶する。
次いで、第１の較正電界に等価の加速電界を計算して、
ブリッジ出力電圧。ｏｌの瞬時変化を解釈するときに用
いる。特に、等価フィールドＦＣ（Ｇ　におけるもの）
は、マイクロプロセッサ６６が次式を用いて計口される
。
ただし、瞬時較正静電変位電圧■　・は加速磨け０．１ ンサ１０の感度Ｓ　、即ｔ５１　Ｇの加速度に対応すす るブリッジ出力電圧Ｖ　　における瞬時変化に等ＵＴ しく、以下のように計算することができる。
ただし、瞬時較正静電変位電圧■　　は第１の較ロー 正変位電圧Ｖ。、０に等しくはないが、瞬時感度Ｓ、は
ブリッジ出力電圧■。ＵＴ　Ｄ　ｉにおける静電的に導
入した瞬時変化の関数のままであり、かつその間の正確
な関係は適当な手段により確立される。
第１の較正静電変位電圧Ｖ。Ｃ及び瞬時較正静電変位電
圧■　・　（優者は前者とＳ！なる。）は、Ｉ 好ましいものとして、フレーム１２に対して第２の位置
に向かって検知質！１３０を充分に、１１らベース１４
の上面２４から突起しているストッパ３４と接触するま
で大ぎく変位しないように選択されることに注意すべき
である。更に、本発明においては、ベース１４上の導体
層４０、及びこれに対向する検知質量３０上の導体層４
２を、同じような電位、即ち公称電圧の＋５ｖにバイア
スしてもよいことに注意すべきである。その模、検知質
酢３０は導体層４０か又は導体層４２の電位を増加又は
減少させることにより、静電的に変位される。
第５図及び第６図は本発明による第２の実施例の加速度
センサ９０を示す。第２の実施例の加速度センサ９０に
おいて、梁２８は検知質量３０の直径方向の支持となる
。名乗２８はこれと一体の少なくとも一つの抵抗４６を
備えている。第６図は検知質ｆｆ１３０を支持する総計
４つの！９２８を示すが、本発明は２つだ番プの梁２８
を用いて検知質１３０を直径方向に支持するものとした
ことに注意すべきである。同じように、本発明は半導体
の「膜」を用いて検知質量３０を支持すると共に、複数
の抵抗４６を得るようにその複数部分がドープされてい
る。第２の実施例の抵抗４６は、当該技術分野に習熟す
る者にとって公知の方法によりホイートストン・ブリツ
ジ５２の入力端子５６゜５８．６２及び６４間に接続さ
れ、これによってフレーム１２に対する検知ｆｆ１ｆｆ
ｉ３０が変位したとぎの出力の変化を最小化させること
に注意１べきである。
本発明の好ましい実施例を開示したが、本発明は、その
精神又は請求項に記載の範囲を逸＋＋１２ｉすることな
り、ｖｉ飾可能なことを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の加速度センサの第１の実施例の断面図
、 第２図はベースを取り外した本発明の加速Ｉｆｆ　セン
サの第１の実施例の底面図、 第３図は本発明の加速度センサの較正演み出力信号を発
生する電気回路のブト１ツク図、第４図は加速度センサ
の検知質量をフレームに対して電気的に変位するように
、加速度センサの反対側のアルミニウム層」−に同一で
ない電荷を配置させるマイクロプロセッサ制御のスイッ
チの１０ツク図、 第５図は本発明の加速度センサの第２の実施例の断面図
、 第６図はベースを除去した本発明の加速度セン＋ｉの第
２の実施例の底面図である。 （符号の説明） １０．９０・・・加速度センサ、 １２・・・フレーム、 １４・・・フレームのベース、 １６−・・フレームの上部、 ２８・・・梁、 ３０・・・検知Ｉｌｌ、 ３４．３５・・・ストッパ、 ５０・・・電気回路、 ４０．４２・・・導体層、 ４６．８４．８６・・・抵抗体、 ５２・・・ホイートストン・ブリツジ、５４・・・バッ
テリ、 ６０・・・差動増幅器、 ６６・・・マイクロブ０セツリ−１ ７２・・・スイッチ、 ７４．７６．７８．８０・・・脚、 ８２・・・可変抵抗、 ８８・・・トランジスタ。

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）剛性のフレームと、 　前記フレームから延伸する弾性の梁と、 前記梁により前記フレームに支持されると共に、前記フ
    レームの加速度に応答して、前記フレームに対する初期
    位置から前記フレームに対する第２の位置に向かつて変
    位することにより、前記梁を変位させる検知質量と、 　前記梁の変位に応答してその抵抗値が変化する前記梁
    上の梁抵抗体と、 　加速度に関係なく前記フレームに対する第２の位置の
    手前の第３の位置に前記検知質量を静電的に変位させる
    静電変位手段と、 　前記梁抵抗体の抵抗値に応答して出力信号を発生し、
    かつ、前記静電変位手段により前記検知質量を前記第３
    の位置へ変位させることにより前記出力信号を較正され
    るようにされた電気回路とを包含することを特徴とする
    加速度計。
  2. （２）請求項１記載の加速度計において、前記梁は半導
    体材料により形成され、かつ、前記梁上の抵抗体は前記
    半導体材料のドープされた部分を含むことを特徴とする
    加速度計。
  3. （３）請求項１記載の加速度計において、前記静電変位
    手段は、 　前記フレーム上に位置する非磁性体の導電材料の第１
    の層と、 　前記フレーム上の前記第１層に対向して前記検知質最
    上に位置する非磁性体の導電材料の第２層と、 　前記第１層及び第２のそれぞれの上に異なつた電荷を
    発生させる手段と を含むことを特徴とする加速度計。
  4. （４）請求項３記載の加速度計において、前記第１層及
    び第２層のそれぞれの上に異なつた電荷を発生させる前
    記手段は、前記第１層及び第２層にまたがつて切換可能
    に接続された電源を備えていることを特徴とする加速度
    計。
  5. （５）請求項１記載の加速度計において、前記フレーム
    に対する前記検知質量の変位の大きさを制限するための
    ストツパ手段を有する ことを特徴とする加速度計。
  6. （６）請求項５記載の加速度計において、前記ストツパ
    手段は、前記検知質量と係合可能なように前記フレーム
    から突出した複数の突起を含むことを特徴とする加速度
    計。
  7. （７）請求項１記載の加速度計において、前記フレーム
    から延伸して前記検知質量を支持する第２の弾性梁を含
    み、前記２つの弾性梁は前記検知質量に対し直径方向の
    支持を与えるように構成されたことを特徴とする加速度
    計。
  8. （８）請求項１記載の加速度計において、前記検知質量
    の前記変位を制動するためのガス・ダンピング手段を含
    むことを特徴とする加速度計。
  9. （９）請求項１記載の加速度計において、前記電気回路
    は、 　４つの脚を構成する一対の入力端子及び一対の出力端
    子を有し、かつ、前記脚のうちの少なくとも一つは梁抵
    抗体を含むホイートストン・ブリツジと、 　前記ホイートストン・ブリツジの両入力端子間に電圧
    を印加するための手段と、 　前記ホイートストン・ブリツジの両出力端子間に発生
    した電圧を決定するための手段と を包含することを特徴とする加速度計。
  10. （１０）請求項９記載の加速度計において、前記ホイー
    トストン・ブリツジの両出力端子間に発生した電圧を決
    定するための前記手段は、前記出力端子のおのおのに接
    続され、それぞれ、前記両出力端子間に発生した電圧を
    読み取る手段を有するマイクロプロセツサを含むことを
    特徴とする加速度計。
  11. （１１）請求項１０記載の加速度計において、前記ホイ
    ートストン・ブリツジの両出力端子間に発生した電圧を
    読み取るための前記マイクロプロセツサの前記手段は、
    微分増幅器を介して前記両出力端子に接続された前記マ
    イクロプロセツサのアナログ・デイジタル変換器ポート
    を含むことを特徴とする加速度計。
  12. （１２）請求項１０記載の加速度計において、前記ホイ
    ートストン・ブリツジの脚のうちの少なくとも一つは、
    更に、可変抵抗値の第１の抵抗体を含み、該第１の抵抗
    体の抵抗値は前記マイクロプロセツサにより制御される
    ように構成されたことを特徴とする加速度計。
  13. （１３）請求項１０記載の加速度計において、前記第１
    の抵抗体は、前記ホイートストン・ブリツジの前記脚を
    形成する複数の端子間の梁抵抗体と直列に配置されてい
    ることを特徴とする加速度計。
  14. （１４）請求項１２記載の加速度計において、可変抵抗
    値の前記第１の抵抗体は、固定抵抗値の第２の抵抗体と
    、固定抵抗値の少なくとも一つの付加的抵抗体とを含み
    、前記付加的抵抗体のおのおのは、前記マイクロプロセ
    ツサにより駆動される同一の数のスイツチ手段によつて
    前記第２の抵抗体と並列に切り換えられることを特徴と
    する加速度計。
  15. （１５）請求項１４記載の加速度計において、前記第２
    の抵抗体と並列に前記付加的抵抗体のうちの一つを切り
    換えるように前記マイクロプロセツサにより駆動される
    前記スイツチ手段のおのおのは、１つのトランジスタを
    含み、該トランジスタのエミツタは前記ホイートストン
    ・ブリツジの１つの端子に接続され、前記トランジスタ
    のコレクタは前記付加的抵抗体に接続され、前記トラン
    ジスタのベースは前記マイクロプロセツサに接続されて
    おり、それにより前記付加的抵抗体は、前記マイクロプ
    ロセツサにより前記トランジスタのベースに電流を供給
    することにより前記第２の抵抗体と並列に切り換えられ
    るように接続されていることを特徴とする加速度計。
  16. （１６）請求項９記載の加速度計において、前記電気回
    路は、更に、 　前記静電変位手段を駆動するための手段と、　前記ホ
    イートストン・ブリツジの両出力端子間に発生する電圧
    の変化の結果を決定するための手段と、 　前記ホイートストン・ブリツジの両出力端子間に発生
    した瞬時的電圧から導出した較正された出力信号を発生
    するための手段と を含むことを特徴とする加速度計。
  17. （１７）請求項１０記載の加速度計において、前記の較
    正された出力信号を発生する手段は、前記フレームに対
    する前記検知質量の加速度に起因して前記ホイートスト
    ン・ブリツジの両出力端子間に発生した電圧の変化と、
    前記フレームに対する前記検知質量の静電変位に起因し
    て前記ホイートストン・ブリツジの両出力端子間に発生
    した電圧の変化とを比較するための手段を含むことを特
    徴とする加速度計。
  18. （１８）請求項１６記載の加速度計において、前記の較
    正された出力信号を発生する手段は、 　前記フレームに対する前記検知質量の加速度に起因し
    て前記ホイートストン・ブリツジの両出力端子間に発生
    した電圧の変化と、前記フレームに対する前記検知質量
    の静電変位に起因して前記ホイートストン・ブリツジの
    両出力端子間に発生した電圧の変化とを比較するための
    手段と、 　前記ホイ−トストン・ブリツジの両出力端子間に発生
    した瞬時電圧を瞬時的感度により較正するための手段と を含むことを特徴とする加速度計。
  19. （１９）剛性のフレームと、 　前記フレームから延伸する弾性の梁と、 　前記梁により前記フレームに支持されると共に、前記
    フレームの加速度に応答して、前記フレームに対する初
    期位置から前記フレームに対する第２の位置に向かつて
    変位することにより、前記梁を変位させる検知質量と、 　前記梁の変位に応答してその抵抗値が変化する前記梁
    上の抵抗体と、 　前記梁抵抗体の抵抗値に応答して出力信号を発生する
    ための手段と、 　既知の電界を用いて、前記初期位置から前記第２の位
    置の手前の第３の位置へ前記検知質量を変位させること
    により前記出力信号を較正するための手段と を有することを特徴とする加速度計。
  20. （２０）請求項１９記載の加速度計において、前記梁抵
    抗体の抵抗値に応答して前記出力信号を発生するための
    手段は、 　４つの脚を構成する一対の入力端子及び一対の出力端
    子を有し、かつ、前記脚のうちの少なくともーつは前記
    梁抵抗体を含むホイートストン・ブリツジと、 　前記ホイートストン・ブリツジの両入力端子間に電圧
    を印加するための手段と、 　前記ホイートストン・ブリツジの両出力端子間に発生
    した電圧を決定するための手段と を含んでおり、また、 　前記出力信号を較正するための手段は、 　静電界を発生するように動作する手段と、　前記フレ
    ームに対する前記検知質量の加速度に起因して前記ホイ
    ートストン・ブリツジの両出力端子間に発生した電圧の
    変化と、前記フレームに対する前記検知質量の静電変位
    に起因して前記ホイートストン・ブリツジの両出力端子
    間に発生した電圧の変化とを比較するための手段とを含
    んでいる ことを特徴とする加速度計。
  21. （２１）請求項２０記載の加速度計において、前記静電
    界は、単位として用いる重力の場を基準として較正され
    ることを特徴とする加速度計。
  22. （２２）請求項２０記載の加速度計において、前記ホイ
    ートストン・ブリツジの両出力端子間に発生した電圧に
    応答し前記ホイートストン・ブリツジの脚のうちの一つ
    の抵抗値を変化させることにより、前記ホイートストン
    ・ブリツジの両出力端子間に発生する電圧を所望の範囲
    内に保持するための手段を含むことを特徴とする加速度
    計。
  23. （２３）剛性のフレームと、 　前記フレームから延仲する弾性の梁と、 　前記梁により前記フレームに支持されると共に、前記
    フレームの加速度に応答して、前記フレームに対する初
    期位置から前記フレームに対する第２の位置に向かつて
    変位することにより、前記梁を変位させる検知質量と、 　前記梁の変位に応答してその抵抗値が変化する前記梁
    上の梁抵抗体と、 　出力信号を発生するための電気回路と を有する加速度計であつて、 　前記電気回路は、 　４つの脚を構成するための一対の入力端子及び一対の
    出力端子を有し、かつ、前記脚のうちの一つは前記梁抵
    抗体を含んでいるホイートストン・ブリツジと、 　前記ホイートストン・ブリツジの両入力端子間に電圧
    を印加するための手段と、 　前記ホイートストン・ブリツジの両出力端子間に発生
    した電圧を決定するための手段と、 　前記ホイートストン・ブリツジの両出力端子間に発生
    した電圧に応答して前記ホイートストン・ブリツジの脚
    のうちの一つの抵抗値を変化させることにより、前記ホ
    イートストン・ブリツジの両出力端子間に発生する電圧
    を所望の範囲内に保持するための手段とを含んでいる ことを特徴とする加速度計。
  24. （２４）請求項２３記載の加速度計において、前記ホイ
    ートストン・ブリツジの脚のうちの一つの抵抗値を変化
    させるための手段は、 　前記ホイートストン・ブリツジの両出力端子間に発生
    した電圧を読み取るための手段を有するマイクロプロセ
    ツサと、 　前記ホイートストン・ブリツジの脚のうちの一つに設
    けられた可変抵抗値の第１の抵抗体であつて、該第１の
    抵抗体の抵抗値は前記マイクロプロセツサにより制御さ
    れる前記第１の抵抗体とを含むことを特徴とする加速度
    計。
  25. （２５）請求項２４記載の加速度計において、前記第１
    の抵抗体は、前記ホイートストン・ブリツジの脚を構成
    する端子間の１つの梁抵抗体に対し直列に配設されてい
    ることを特徴とする加速度計。
  26. （２６）請求項２４記載の加速度計において、可変抵抗
    値を有する前記第１の抵抗体は、固定抵抗値を有する第
    ２の抵抗体と、固定抵抗値を有する少なくとも一つの付
    加的抵抗体とを含んでおり、また、前記付加的抵抗体の
    おのおのは、前記マイクロプロセツサにより駆動される
    同一数のスイツチ手段により、前記第２の抵抗体と並列
    に切り換えられることを特徴とする加速度計。
  27. （２７）請求項２６記載の加速度計において、前記第２
    の抵抗体と並列に前記付加的抵抗体のうちの一つを切り
    換えるように前記マイクロプロセツサにより駆動される
    前記スイツチ手段のおのおのは、１つのトランジスタを
    含み、該トランジスタのエミツタは前記ホイートストン
    ・ブリツジの１つの端子に接続され、前記トランジスタ
    のコレクタは前記付加的抵抗体に接続され、前記トラン
    ジスタのベースは前記マイクロプロセツサに接続されて
    おり、それにより前記付加的抵抗体は、前記マイクロプ
    ロセツサにより前記トランジスタのベースに電流を供給
    することにより前記第２の抵抗体と並列に切り換えられ
    るように接続されていることを特徴とする加速度計。
JP1245408A 1988-09-23 1989-09-22 加速度計及びその較正方法 Expired - Lifetime JPH0766010B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24836288A 1988-09-23 1988-09-23
US248362 1988-09-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02116755A true JPH02116755A (ja) 1990-05-01
JPH0766010B2 JPH0766010B2 (ja) 1995-07-19

Family

ID=22938766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1245408A Expired - Lifetime JPH0766010B2 (ja) 1988-09-23 1989-09-22 加速度計及びその較正方法

Country Status (6)

Country Link
EP (2) EP0542719A3 (ja)
JP (1) JPH0766010B2 (ja)
KR (1) KR940008199B1 (ja)
AU (2) AU624172B2 (ja)
CA (1) CA1330265C (ja)
DE (1) DE68910641T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05142249A (ja) * 1991-11-18 1993-06-08 Hitachi Ltd 三次元加速度センサ
DE4414952A1 (de) * 1993-04-28 1994-11-03 Hitachi Ltd Beschleunigungsmesser und Airbagsystem, das diesen verwendet
JP2017026387A (ja) * 2015-07-17 2017-02-02 株式会社日立製作所 物理量センサ

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2681215B2 (ja) * 1989-05-29 1997-11-26 株式会社ワコー 積層基板を用いたセンサの製造方法
JPH03134552A (ja) * 1989-10-20 1991-06-07 Hitachi Ltd 自己較正機能付検出装置
US6864677B1 (en) 1993-12-15 2005-03-08 Kazuhiro Okada Method of testing a sensor
DE69019343T2 (de) * 1989-12-28 1996-02-15 Wako Kk Beschleunigungssensoren.
US5412986A (en) * 1990-12-21 1995-05-09 Texas Instruments Incorporated Accelerometer with improved strain gauge sensing means
JPH04258175A (ja) * 1991-02-12 1992-09-14 Mitsubishi Electric Corp シリコン半導体加速度センサの製造方法
DE69124377T2 (de) * 1991-03-30 1997-06-12 Kazuhiro Okada Beschleunigungssensor mit Selbsttest
US5345822A (en) * 1991-06-28 1994-09-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Vibratory gyroscope having a support member
JP2737481B2 (ja) * 1991-10-02 1998-04-08 日本電気株式会社 半導体加速度センサー
JPH05215769A (ja) * 1992-02-06 1993-08-24 Nec Corp 半導体加速度センサ
US5665915A (en) * 1992-03-25 1997-09-09 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor capacitive acceleration sensor
GB2266151B (en) * 1992-03-25 1996-09-11 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor acceleration sensor
JP2831195B2 (ja) * 1992-03-25 1998-12-02 富士電機株式会社 半導体加速度センサ
FR2694403B1 (fr) * 1992-07-31 1994-10-07 Sagem Accéléromètre pendulaire électrostatique à électrode de test et procédé de fabrication d'un tel accéléromètre.
JP2549815B2 (ja) * 1993-06-03 1996-10-30 富士通テン株式会社 半導体加速度センサおよびその試験方法
IT1267374B1 (it) * 1994-01-28 1997-02-05 Marelli Autronica Dispositivo di autotaratura di un sensore a ponte.
JPH08122359A (ja) * 1994-10-21 1996-05-17 Fuji Electric Co Ltd 半導体加速度センサとその製造方法および試験方法
US6084257A (en) * 1995-05-24 2000-07-04 Lucas Novasensor Single crystal silicon sensor with high aspect ratio and curvilinear structures
US6316796B1 (en) 1995-05-24 2001-11-13 Lucas Novasensor Single crystal silicon sensor with high aspect ratio and curvilinear structures
FR2736723B1 (fr) * 1995-07-12 1997-09-19 Sagem Accelerometre pendulaire a actionneur capacitif de test
US5596144A (en) * 1995-08-04 1997-01-21 Delco Electronics Corporation Piezoresistive force rebalance accelerometer
US5721162A (en) * 1995-11-03 1998-02-24 Delco Electronics Corporation All-silicon monolithic motion sensor with integrated conditioning circuit
US5665899A (en) * 1996-02-23 1997-09-09 Rosemount Inc. Pressure sensor diagnostics in a process transmitter
US6347541B1 (en) * 1998-06-29 2002-02-19 Continental Teves, Inc. Two-point calibration of a longitudinal acceleration sensor
JP4367165B2 (ja) * 2004-02-13 2009-11-18 株式会社デンソー 半導体力学量センサの検査方法
DE102004030380B4 (de) * 2004-06-23 2010-07-29 Eads Deutschland Gmbh Mikromechanischer Drucksensor und Verfahren zum Selbsttest eines solchen
ITTO20070335A1 (it) 2007-05-15 2008-11-16 Sequoia It S R L Accelerometro ad ampia banda con autoriconoscimento della calibrazione
DE102007057136A1 (de) * 2007-11-28 2009-06-04 Robert Bosch Gmbh Schaltung für einen mikromechanischen Körperschallsensor und Verfahren zum Betrieb eines mikromechanischen Körperschallsensors
WO2015032092A1 (en) * 2013-09-09 2015-03-12 Robert Bosch Gmbh Shock sensor and method for adjusting sensitivity thereof
US11525941B2 (en) 2018-03-28 2022-12-13 Halliburton Energy Services, Inc. In-situ calibration of borehole gravimeters
CN112014596B (zh) * 2019-05-30 2022-10-28 武汉杰开科技有限公司 加速度计及其制作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6385461A (ja) * 1986-09-30 1988-04-15 Aisin Seiki Co Ltd 加速度センサの校正方法と加速度センサ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3120622A (en) * 1960-03-29 1964-02-04 Gulton Ind Inc Self-calibrating accelerometer
FR2421385A1 (fr) * 1978-03-29 1979-10-26 Singer Co Accelerometre electrostatique
CH642573A5 (de) * 1979-09-24 1984-04-30 Gw Maschinen Ag Verfahren und vorrichtung zum ueberpruefen von banderolierten koerpern.
US4611304A (en) * 1983-07-27 1986-09-09 Sundstrand Data Control, Inc. Transducer memory circuit
EP0454190A3 (en) * 1986-09-22 1992-01-08 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor accelerometer
DE3717677C1 (en) * 1987-05-26 1988-12-22 Bayerische Motoren Werke Ag Method for calibrating acceleration pick-ups (sensors), and device for carrying out the method
US4827091A (en) * 1988-09-23 1989-05-02 Automotive Systems Laboratory, Inc. Magnetically-damped, testable accelerometer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6385461A (ja) * 1986-09-30 1988-04-15 Aisin Seiki Co Ltd 加速度センサの校正方法と加速度センサ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05142249A (ja) * 1991-11-18 1993-06-08 Hitachi Ltd 三次元加速度センサ
DE4414952A1 (de) * 1993-04-28 1994-11-03 Hitachi Ltd Beschleunigungsmesser und Airbagsystem, das diesen verwendet
DE4414952C2 (de) * 1993-04-28 1998-05-07 Hitachi Ltd Beschleunigungsmesser u.a. zur Verwendung in einem Airbagsystem
JP2017026387A (ja) * 2015-07-17 2017-02-02 株式会社日立製作所 物理量センサ

Also Published As

Publication number Publication date
AU644547B2 (en) 1993-12-09
DE68910641D1 (de) 1993-12-16
KR900005178A (ko) 1990-04-13
KR940008199B1 (ko) 1994-09-08
CA1330265C (en) 1994-06-21
AU2977492A (en) 1993-02-18
AU4017189A (en) 1990-03-29
EP0368446A2 (en) 1990-05-16
JPH0766010B2 (ja) 1995-07-19
EP0368446B1 (en) 1993-11-10
EP0368446A3 (en) 1990-10-31
AU624172B2 (en) 1992-06-04
EP0542719A2 (en) 1993-05-19
DE68910641T2 (de) 1994-04-28
EP0542719A3 (en) 1993-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02116755A (ja) 加速度計及びその較正方法
US5060504A (en) Self-calibrating accelerometer
US5465604A (en) Method for adjusting sensitivity of a sensor
KR0175300B1 (ko) 자기교정 기능을 가진 검출장치
US5163325A (en) Self-compensating accelerometer
WO1990005289A1 (en) Self-zeroing pressure signal generator
US5241850A (en) Sensor with programmable temperature compensation
KR20020000768A (ko) 센서 드리프트 교정 장치 및 방법
JPH07311100A (ja) トランスデューサ回路
JPH0719807A (ja) 歪量検出装置並びにその駆動回路及び増幅回路
US5612488A (en) Semiconductor acceleration detecting device
US5287724A (en) Method for calibrating an accelerometer
JP2582160B2 (ja) センサ装置
JPH0972805A (ja) 半導体センサ
KR100239843B1 (ko) 반도체 센서 및 그 출력방법
US5903855A (en) Acceleration sensor
JP3145040B2 (ja) 静電容量式加速度センサ
JP2004510984A (ja) マイクロメカニカル構成部材のために電気的ゼロ点調整するための方法および装置
JP3136888B2 (ja) 加速度センサの感度調整装置
JPH0830716B2 (ja) 半導体加速度検出装置
JP3173504B2 (ja) 加速度検出装置および静電容量式加速度検出装置
JP3287244B2 (ja) 加速度検出装置
JPH0682844B2 (ja) 半導体歪変換装置
JP2608637B2 (ja) 静電容量式ロードセル
JPH09189717A (ja) ピエゾ抵抗ブリッジ型センサの温度補償方式