JPH02114234A - 液晶電気光学装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶電気光学装置及びその製造方法

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JPH02114234A
JPH02114234A JP63268503A JP26850388A JPH02114234A JP H02114234 A JPH02114234 A JP H02114234A JP 63268503 A JP63268503 A JP 63268503A JP 26850388 A JP26850388 A JP 26850388A JP H02114234 A JPH02114234 A JP H02114234A
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JP
Japan
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liquid crystal
optical device
crystal layer
electro
base plate
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Application number
JP63268503A
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English (en)
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Yuzuru Sato
譲 佐藤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1341Filling or closing of cells
    • G02F1/13415Drop filling process

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶電気光学装置に関し、特に大型液晶電気光
学装置とその製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来の液晶電気光学装置は、電極を設けた2枚のガラス
基板をスペーサーを介して張り合わせた後、その間隙に
真空封入法などによって液晶を注入することによって製
造されている。また、軽量化するため、あるいは液晶電
気光学装置に可撓性を与えるために、ガラス基板の代わ
りに可撓性のプラスチック基板が用いられることもある
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、従来の方法によって強誘電性液晶を用いた大型
液晶電気光学、装置を作成しようとした場合、次に挙げ
るような問題点がある。
2枚の基板とも剛直なガラスを用いた場合、(】)約2
μmの液晶層厚が要求されるが、ガラスのうねりや凹凸
が存在すれば大面積にわたって液晶層の厚さを均一にす
ることは困難である。
(2)大型の液晶電気光学装置においては、ガラス基板
の自重でガラス基板が撓み、液晶層厚が不均一になるこ
とがある。
(3)強誘電性液晶は機械的な変形に弱いため、基板が
撓むと液晶の配向が乱れて電気光学特性が失われてしま
い、特殊な処置を施さなければ修復することができない
。2枚の基板ともガラス基板を用いればかなりの重量に
なるため、衝撃や自重による撓み量が強誘電性液晶の耐
え得る限界を越える可能性が亮く、運搬や設置に困難を
七もなう。
次に、2枚の基板とも可撓性のプラスチックを用いた場
合、 (4)前記第(3)項目と同様な理由によって2枚の基
板とも可撓性のプラスチックを用いる事は不適当である
また、その製造方法については、 (5)例えば、液晶層厚2μm、対角14インチの液晶
電気光学装置に液晶を真空封入法で注入する場合、真空
装置の中に空の液晶電気光学装置と液晶材料をセットし
て、液晶電気光学装置の内部の真空度を上げるためには
約1時間、そして真空装置の内部を常圧に戻して液晶電
気光学装置の中に液晶を注入するために更に約15時間
必要である。
(6)真空封入法で大型の液晶電気光学装置に液晶を注
入する場合、全体に液晶が入りきらずに最後に気泡が残
ってしまうことがある。
そこで本発明は、これらの問題点を解決して、製造が容
易な大型液晶電気光学装置とその製造方法を掃供するこ
とを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の液晶電気光学装置は、 電極を設けた2枚の基板間に、液晶層と前記液晶層の厚
さを制御するためのスペーサーを挟持した液晶電気光学
装置において、 前記2枚の基板のうち一方は可撓性基板を用いたもので
あり、更に前記スペーサーを前記基板の周辺部だけでは
なくほぼ全面にわたって分散して設置したものであり、
又、前記液晶層は強誘電性液晶相を持つものである。
加えて、前記液晶電気光学装置の製造方法において、前
記2枚の基板を重ね合わせる前に、前記液晶層を前記2
枚の基板のうち少なくとも一方に塗布する工程と、その
後前記可撓性基板をもつ一方の基板に前記液晶層を介し
て圧着させる第二工程とを持つものである。
前記2枚の基板を重ね合わせる前に、前記液晶層を前記
2枚の基板のうち少なくとも一方に塗布し、その後前記
可撓性基板をもう一方の基板に前記液晶層を介して圧着
させることを特徴とする。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
〔実施例1〕 第1図に本発明による液晶電気光学装置の例を示す、第
1図(a)は略平面図、第2図(b)はAA″に於ける
断面図である。101はガラス基板、102は可撓性の
プラスチック基板、103は透明電極、104は絶縁層
、105は液晶配向膜、106はスペーサー 107は
シール材、108は偏光板、109は液晶層である。液
晶層の厚さは2μmであり、大きさは対角14インチで
ある。
本実施例では、液晶層としてチッソ社製C81015を
用いた。この液晶の液晶相−等方相転移点は78°Cで
ある。プラスチック基板としては溶融押し出し法によっ
て作成した厚さ100μmのポリプロピレンを用いた。
ポリプロピレンの耐熱温度は約95°Cである。プラス
チック基板としては、延伸処理をすればその強度は高く
なるが、配向度が高くなると複屈折が大きくなって液晶
電気光学装置としての特性が低下してしまう。そのため
、液晶電気光学装置の基板としては配向度の低いプラス
チックフィルムを用いることが望ましいが、強度の点に
問題がある。しかし、本発明に於いては他方の基板とし
て剛直なガラス基板を用いているため、ガラス基板と重
ね合わせてしまえばその強度は問題にならない。
次に、第2図を用いて本発明による製造方法について説
明する。
■ まず第2図(a)に示したように、ガラス基板上に
酸化インジウム−酸化スズ系の透明電極と、その透明電
極間とガラス基板の周辺部にSiO□等から成るスペー
サーを形成し、さらにその上に必要に応じてSing等
から成る絶縁層とポリイミド等から成る液晶配向膜を形
成してラビング処理を施しておく。
■ その上に印刷法によって液晶層を塗布する。
この時、厚さ2μmの液晶層を形成するために必要な量
よりも若干多めの液晶層を塗布しておく。
■ 第2図(b)に示したように、液晶層の上に可撓性
のプラスチック基板を重ね合わせる。このプラスチック
基板の上には、透明電極を形成し、さらに必要に応じて
絶縁膜と液晶配向膜を形成してラビング処理を施しであ
る。
■ 重ね合わせた2枚の基板を、例えば第2図(C)に
示したように、2本の弾性挟圧体201を用いて一方向
に順次加圧して、2枚の基板間に存在する気泡202と
過剰の液晶を排出する。但し、ここで例に挙げた加圧方
法は、特開昭59−79222で述べられた方法である
■ 最後、第1図[有])に示したように周辺部をシー
ル材を用いて封止する。
このような方法で作成された大型強誘電性液晶電気光学
装置は、従来の方法で作成されたものよりも自重による
変形が小さく、信頼性が大きく向上した。また、液晶層
厚の分布や変動が小さくなり、気泡による不良発生率も
下がり、歩留まりは従来の約2倍になった。
〔実施例2〕 本実施例で製造した液晶電気光学装置を第3図に示す、
第1の実施例と異なる点は、プラスチック基板として厚
さ100μmのポリエチレンを用い、画素間にSiO□
スペーサーを設置する代わりに、球状のスペーサー30
1を散布しである点である。
第4図を用いてこの製造方法を説明する。
■ まず第4図(a)に示したように、ガラス基板上に
酸化インジウム−酸化スズ系の透明電極を形成し、Si
n、等から成るスペーサーをガラス基板の周辺部に形成
し、さらに必要に応じてSiO□等から成る絶縁層とポ
リイミド等から成る液晶配向膜を形成してラビング処理
を施しておく。
■ 第4図Φ)に示したように、プラスチック基板の上
に透明電極を形成し、さらに必要に応じて絶縁膜と液晶
配向膜を形成してラビング処理を施しておく。そして、
そのプラスチック基板上に印刷法によって液晶層を塗布
する。この時、厚さ2μmの液晶層を形成するために必
要な量よりも若干多めの液晶層を塗布しておく。
■ 第4図(C)に示したように、プラスチック基板上
に塗布された液晶層の上に直径2μmの球状スペーサー
301を散布する。ただし、ガラス基板とプラスチック
基板を重ね合わせたときに、ガラス基板上に形成された
スペーサーと重なる部分には球状スペーサーが散布され
ないようにマスク302によってマスキングしておく。
■ 上記2枚の基板を重ね合わせて、以下筒1の実施例
と同様な方法で気泡と過剰の液晶を排出し、封止する。
このような方法によっても、第1の実施例と同様に従来
の方法で作成されたものよりも自重による変形が小さ(
、信頼性が大きく向上した。また、液晶層厚の分布や変
動が小さくなり、気泡による不良発生率も下がり、歩留
まりは従来の約2倍になった。
以上実施例を述べたが、本発明は以上の実施例のみなら
ず他のプラスチック基板を用いてもよく、液晶材料とし
ては、その液晶相−等吉相転移点が用いたプラスチック
基板の耐熱温度よりも低ければ何を用いてもよい。また
、配向方法もラビング処理に限定されない。本発明は、
大型表示装置や空間光変調器などに応用できる。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によって製造した大型強誘電性
液晶電気光学装置は、液晶層厚の制御が容易であり、そ
の分布や変動が小さくなり、また、残留気泡による不良
発生率も下がり、歩留まりが従来の約2倍になった。ま
た、真空封入法を使用しないため製造に必要な時間が大
幅に短縮された。
さらに、従来の方法で作成されたものよりも自重による
変形が小さく、信頼性が大きく向上するという効果を有
する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による液晶電気光学装置の一例を示す図
、第2図は本発明による液晶電気光学装置の製造方法の
一例を示す図、第3図は本発明による液晶電気光学装置
の別の一例を示す図、第4図は本発明による液晶電気光
学装置の製造方法の別の一例を示す図である。 101・・ガラス基板 102・・可撓性プラスチック基板 103・・透明電極 104・・絶縁膜 105・・液晶配向膜 106・・スペーサー 107・・シール材 108・・偏光板 109・・液晶層 201・・弾性挟圧体 302 ・ 気泡 球状スペーサー マスク 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 鈴木喜三部 他1名 (菊 (二【ン (b) 鷲2苗 第1扇 蔦 2回(C) (い (ζ)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電極を設けた2枚の基板間に、液晶層と前記液晶
    層の厚さを制御するためのスペーサーを挟持した液晶電
    気光学装置において、前記2枚の基板のうち一方に可撓
    性基板を用いたことを特徴とする液晶電気光学装置。
  2. (2)前記スペーサーは前記基板のほぼ全面にわたって
    分散して設置されていることを特徴とする請求項1記載
    の液晶電気光学装置。
  3. (3)前記2枚の基板を重ね合わせる前に、前記液晶層
    を前記2枚の基板のうち少なくとも一方の塗布する第一
    工程と、その後前記可撓性基板をもう一方の基板に前記
    液晶層を介して圧着させる第二工程とを持つことを特徴
    とする請求項1記載の液晶電気光学装置の製造方法。
  4. (4)前記液晶層は強誘電性液晶相を持つことを特徴と
    する請求項1記載の液晶電気光学装置。
JP63268503A 1988-10-25 1988-10-25 液晶電気光学装置及びその製造方法 Pending JPH02114234A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0990942A1 (en) * 1998-03-19 2000-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
EP1081536A2 (en) * 1999-08-03 2001-03-07 Minolta Co., Ltd. Method of manufacturing a liquid crystal display

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0990942A1 (en) * 1998-03-19 2000-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
EP0990942A4 (en) * 1998-03-19 2005-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display and method for the production thereof
EP1081536A2 (en) * 1999-08-03 2001-03-07 Minolta Co., Ltd. Method of manufacturing a liquid crystal display
EP1081536A3 (en) * 1999-08-03 2002-07-10 Minolta Co., Ltd. Method of manufacturing a liquid crystal display

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