JPH02113503A - マイクロ波用フェリ磁性ガーネット材料 - Google Patents
マイクロ波用フェリ磁性ガーネット材料Info
- Publication number
- JPH02113503A JPH02113503A JP63266847A JP26684788A JPH02113503A JP H02113503 A JPH02113503 A JP H02113503A JP 63266847 A JP63266847 A JP 63266847A JP 26684788 A JP26684788 A JP 26684788A JP H02113503 A JPH02113503 A JP H02113503A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- saturation magnetization
- composition
- temperature coefficient
- 4πms
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002223 garnet Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 title claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 28
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
- H01F10/245—Modifications for enhancing interaction with electromagnetic wave energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はマイクロ波帯域で使用するサーキュレータやア
イソレータ等の材料に関し、更に詳しくは、Ｇｄ−Ｙ−
Ｃａ−Ｉｎ−Ｖ系フェリ磁性ガーネットの組成の一部を
ＡＩ及びＭｎで置換したマイクロ波用フェリ磁性ガーネ
ット材料に関するものである。
イソレータ等の材料に関し、更に詳しくは、Ｇｄ−Ｙ−
Ｃａ−Ｉｎ−Ｖ系フェリ磁性ガーネットの組成の一部を
ＡＩ及びＭｎで置換したマイクロ波用フェリ磁性ガーネ
ット材料に関するものである。
を従来の技術］
マイクロ波帯域用のサーキュレータやアイソレータ等で
用いる磁性材料としては、ＹＩＧ（イツトリウム鉄ガー
ネット） Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍ ｎ −Ｍ
ｇ系フェライト、Ｌｉ系フェライト、Ｃａ−Ｖ系ガー
ネット等がある。
用いる磁性材料としては、ＹＩＧ（イツトリウム鉄ガー
ネット） Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍ ｎ −Ｍ
ｇ系フェライト、Ｌｉ系フェライト、Ｃａ−Ｖ系ガー
ネット等がある。
これらのうちＹＩＧは適当な飽和磁化（４πＭｓ ）を
選択でき、磁気共鳴半値幅（ΔＨ）及び誘電損失（ｔａ
ｎδ）が比較的小さい特徴を有するが、飽和磁化の温度
係数は０．２〜０．４％／℃とかなり大きな値となる。
選択でき、磁気共鳴半値幅（ΔＨ）及び誘電損失（ｔａ
ｎδ）が比較的小さい特徴を有するが、飽和磁化の温度
係数は０．２〜０．４％／℃とかなり大きな値となる。
それらに対してＧｄを含むＣａ−Ｖ系ガーネットは、飽
和磁化（４πＭｓ）の温度係数が小さい特徴がある。
和磁化（４πＭｓ）の温度係数が小さい特徴がある。
［発明が解決しようとする課題１
Ｃｄを含むＣａ−Ｖ系ガーネットに関しては、Ａ、、Ｓ
、ＨＵＤＳＯＮ等による（ Ｙ ｓ−ｇ＊−ａ Ｃａ
ｚｘ Ｇ ｄ ａ １（Ｆ ｅｘ−ｓ Ｉ ｎｔ ）
（Ｆ ｅ３−＋＋−ｙ ｖ、 Ａ ’Ｆ ）０１□
で、且つ０．５≦ｘ≦０．９．Ｏ≦ａ≦１．１．Ｏ≦ｙ
≦０．８．及びｚ＝０．０．５なる組成のガーネットに
ついての報告がある（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯ
ＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣ３，ＶＯＬ、？１ＡＧ５
、Ｎｏ、３．ｐ６１０−６１３．１９６９） Ｌか
しここでの飽和磁化（４πＭｓ）の温度係数は０．２４
％／℃程度である。
、ＨＵＤＳＯＮ等による（ Ｙ ｓ−ｇ＊−ａ Ｃａ
ｚｘ Ｇ ｄ ａ １（Ｆ ｅｘ−ｓ Ｉ ｎｔ ）
（Ｆ ｅ３−＋＋−ｙ ｖ、 Ａ ’Ｆ ）０１□
で、且つ０．５≦ｘ≦０．９．Ｏ≦ａ≦１．１．Ｏ≦ｙ
≦０．８．及びｚ＝０．０．５なる組成のガーネットに
ついての報告がある（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯ
ＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣ３，ＶＯＬ、？１ＡＧ５
、Ｎｏ、３．ｐ６１０−６１３．１９６９） Ｌか
しここでの飽和磁化（４πＭｓ）の温度係数は０．２４
％／℃程度である。
ところで周知のように磁気共鳴周波数ωは次式で示され
る。
る。
ω＝ ｒ （（Ｈ＋ （Ｎｖ Ｎｚ ） ４πＭ
ｓ）（Ｈ＋ （ＮＸ −ＮＺ ）４πＭｓ ） ｌ ”
”ここでＨは外部磁場、Ｔは磁気回転比、ＮＸＮｖ、Ｎ
ｚ はそれぞれＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の反磁場係数である。
ｓ）（Ｈ＋ （ＮＸ −ＮＺ ）４πＭｓ ） ｌ ”
”ここでＨは外部磁場、Ｔは磁気回転比、ＮＸＮｖ、Ｎ
ｚ はそれぞれＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の反磁場係数である。
このため素子が球形である場合はＮ Ｘ ＝ Ｎ ｙ”
Ｎ ｚ となり、ωは飽和磁化（４πＭｓ ）に依存
しないが、他の形状では４πＭｓの変化がωの変化とし
て現れ、実際にサーキュレータやアイソレータに使用し
た場合、その特性が温度変化に伴い変化することになる
。
Ｎ ｚ となり、ωは飽和磁化（４πＭｓ ）に依存
しないが、他の形状では４πＭｓの変化がωの変化とし
て現れ、実際にサーキュレータやアイソレータに使用し
た場合、その特性が温度変化に伴い変化することになる
。
このため飽和磁化（４πＭｓ）の温度係数が非常に小さ
い材料が強く望まれ、その開発が進められてきた。その
例は特開昭５１−７６５９５号、特開昭５６−７８１０
２号にみられる。
い材料が強く望まれ、その開発が進められてきた。その
例は特開昭５１−７６５９５号、特開昭５６−７８１０
２号にみられる。
本発明の目的は、従来技術における磁気特性を改善し、
比較的小さい磁気共鳴半値幅（ΔＨ）を有し、飽和磁化
（４πＭｓ）の温度係数が０．０８％／℃以下と極めて
小さく、且つ誘電損失（ｔａｎδ）も十分小さいマイク
ロ波用フェリ磁性ガーネット材料を提供することにある
。
比較的小さい磁気共鳴半値幅（ΔＨ）を有し、飽和磁化
（４πＭｓ）の温度係数が０．０８％／℃以下と極めて
小さく、且つ誘電損失（ｔａｎδ）も十分小さいマイク
ロ波用フェリ磁性ガーネット材料を提供することにある
。
［課題を解決するための手段］
上記のような技術的課題を解決できる本発明は、Ｇ ｄ
＊ Ｙｓ−ｘ−ｔｍｃ ａ ｔｚＦ ｅ ５−ｕ−ｖ
−ｙ−ｓ Ｉ ｎｙＶ ｍ Ａ ｌ ｕ Ｍ ｎ ｙ
Ｏ＋ ２なる組成式で表され、且つ１．０≦ｘ≦３．
０ Ｑ＜ｙ≦０．５ Ｑ＜ｚ≦０．５ Ｑ＜ｕ≦１．０ Ｑ＜ｖ≦０． １ を満たす組成からなるマイクロ波用フェリ磁性ガーネッ
ト材料である。
＊ Ｙｓ−ｘ−ｔｍｃ ａ ｔｚＦ ｅ ５−ｕ−ｖ
−ｙ−ｓ Ｉ ｎｙＶ ｍ Ａ ｌ ｕ Ｍ ｎ ｙ
Ｏ＋ ２なる組成式で表され、且つ１．０≦ｘ≦３．
０ Ｑ＜ｙ≦０．５ Ｑ＜ｚ≦０．５ Ｑ＜ｕ≦１．０ Ｑ＜ｖ≦０． １ を満たす組成からなるマイクロ波用フェリ磁性ガーネッ
ト材料である。
本発明者等は、Ｇｄ−Ｙ−Ｃａ−１ｎ−Ｖ系フェリ磁性
ガーネットについて種々実験検討を加えた結果、その組
成の一部をＡＩ及びＭｎで適量置換することによって飽
和磁化（４πＭｓ ）の温度係数が０．０８％／℃以下
と非常に小さくできることを見出し、本発明を完成させ
たものである。
ガーネットについて種々実験検討を加えた結果、その組
成の一部をＡＩ及びＭｎで適量置換することによって飽
和磁化（４πＭｓ ）の温度係数が０．０８％／℃以下
と非常に小さくできることを見出し、本発明を完成させ
たものである。
本発明において構成元素の種類並びにそれらの存在割合
は上記の通りであるが、それらは以下に述べるような実
験結果から求められたものである。それについて簡単に
述べると次の通りである。
は上記の通りであるが、それらは以下に述べるような実
験結果から求められたものである。それについて簡単に
述べると次の通りである。
先ず第１図から、Ｇ ｄ ｉｌ ｘはｌ、Ｑ≦ｘ≦３．
０が適当である。Ｑ＜ｙ≦０．５としたのは、第２図か
らＩ ｎｉｙが多いとキュリー温度Ｔｃが低くなり実用
困難となるためである。０く、２≦０．５としたのは、
第３図にあるように適当な飽和磁化（４πＭｓ ）が得
られ、また温度特性も良好なためである。０＜ｕ≦１．
０としたのは、第５図にあるように、ＡＩ量Ｕが多いと
飽和磁化（４πＭｓ）が小さくなってしまうためである
。Ｍｎ１ＶをＱ＜ｖ≦０．１としたのは、Ｍｎはガーネ
ット構造においてａサイト及びｄサイトに入ることが可
能であり、少量の場合はａサイトに入るが多量になると
ｄサイトにも入り第６図に示すように飽和磁化（４πＭ
ｓ ）を下げてしまうし、また第７図のように０．１を
超えると誘電損失（ｔａｎδ）が増大するからである。
０が適当である。Ｑ＜ｙ≦０．５としたのは、第２図か
らＩ ｎｉｙが多いとキュリー温度Ｔｃが低くなり実用
困難となるためである。０く、２≦０．５としたのは、
第３図にあるように適当な飽和磁化（４πＭｓ ）が得
られ、また温度特性も良好なためである。０＜ｕ≦１．
０としたのは、第５図にあるように、ＡＩ量Ｕが多いと
飽和磁化（４πＭｓ）が小さくなってしまうためである
。Ｍｎ１ＶをＱ＜ｖ≦０．１としたのは、Ｍｎはガーネ
ット構造においてａサイト及びｄサイトに入ることが可
能であり、少量の場合はａサイトに入るが多量になると
ｄサイトにも入り第６図に示すように飽和磁化（４πＭ
ｓ ）を下げてしまうし、また第７図のように０．１を
超えると誘電損失（ｔａｎδ）が増大するからである。
［実施例］
Ｇ ｄｌｌＹ３−Ｘ−ｔｌｌｃ ａ ｚｔＦ ｅ ５−
ｕ−ｖ−ｙ−＊ Ｉ ｎ。
ｕ−ｖ−ｙ−＊ Ｉ ｎ。
Ｖ、Ａ Ｉ、 Ｍ ｎｖ ０＋！なる組成になるように
各原料粉体を秤量し、ボールミルにより２４時間混合し
た。次に１１００〜１２００℃で５時間の仮焼成を行い
、得られた仮焼粉体をボールミルで２４時間粉砕した。
各原料粉体を秤量し、ボールミルにより２４時間混合し
た。次に１１００〜１２００℃で５時間の仮焼成を行い
、得られた仮焼粉体をボールミルで２４時間粉砕した。
それを乾燥した後、バインダーを用いて造粒し、メツシ
ュを通した粉体を用いて所定形状に成形した。この成形
体を加熱してバインダーを飛散させた後、１３００〜１
４５０℃で５時間の焼成を行った。
ュを通した粉体を用いて所定形状に成形した。この成形
体を加熱してバインダーを飛散させた後、１３００〜１
４５０℃で５時間の焼成を行った。
第１図はＧ ｄ ｘ Ｙｔ、ａ−ｘ Ｃａ ｏ、ｈ Ｆ
ｅ ａ。
ｅ ａ。
ｒ ｎｏ、５ｓＶｏ、ｚ Ａ Ｉ ｏ、＋ｔＭ ｎｏ、
ｅｚｏｓｘなる基本組成でＧ ｄ ｌ ｘを変化させて
温度変化に対する飽和磁化（４ｔＭｓ ）の変化を測定
したものである。使用温度範囲一２０〜８０℃で飽和磁
化（４ｔＭｓ ）の温度係数を小さくするためには前述
のように１．０≦ｘ≦３．０の範囲が適当である。
ｅｚｏｓｘなる基本組成でＧ ｄ ｌ ｘを変化させて
温度変化に対する飽和磁化（４ｔＭｓ ）の変化を測定
したものである。使用温度範囲一２０〜８０℃で飽和磁
化（４ｔＭｓ ）の温度係数を小さくするためには前述
のように１．０≦ｘ≦３．０の範囲が適当である。
第２図はＧ ｄ １．６ Ｙｏ、＊ Ｃａ ｏ、ｂ Ｆ
＠ ａ、５−ｙＩ ｎ、 Ｖ＋＋、３ Ａ １ ｏ、
＋ｑＭ ｎ＠、＠１０１１なる基本組成でＩｎｎｖを変
化させてキュリー温度Ｔｃを測定したものである。Ｉｎ
量が多くなりすぎるとキュリー温度Ｔｃが低くなり実用
困難となる。
＠ ａ、５−ｙＩ ｎ、 Ｖ＋＋、３ Ａ １ ｏ、
＋ｑＭ ｎ＠、＠１０１１なる基本組成でＩｎｎｖを変
化させてキュリー温度Ｔｃを測定したものである。Ｉｎ
量が多くなりすぎるとキュリー温度Ｔｃが低くなり実用
困難となる。
このことからＩｎｎｖはＱ＜ｙ≦０．５の範囲とする必
要がある。
要がある。
第３図はＣｒ ｄ １．＆ Ｙ＋、ａ−１ｚｃ ａ ＊
ｍＦ ｅ ａ、ａｓ−ｗＩ ｎ６．２ｓＶｓ Ａ Ｉ
Ｏ，１７Ｍ ｎｏ、ｏｚｏ＋ｘなる組成で■量２を変
化させて飽和磁化（４ｔＭｓ）を測定したものである。
ｍＦ ｅ ａ、ａｓ−ｗＩ ｎ６．２ｓＶｓ Ａ Ｉ
Ｏ，１７Ｍ ｎｏ、ｏｚｏ＋ｘなる組成で■量２を変
化させて飽和磁化（４ｔＭｓ）を測定したものである。
ＶｌｚがＱ＜ｚ≦０．５の範囲で適当な飽和磁化（４ｔ
Ｍｓ）が得られる。
Ｍｓ）が得られる。
第４図はＧ ｄ ＋、ｂ Ｙｏ、＋＋ Ｃａ ａ、ｂ
Ｆ ｅ ａ。
Ｆ ｅ ａ。
ｒ ｎ ｏ、５ｓＶｏ、ｓ Ａ １ ｏ、＋ｔＭ ｎ、
、ｏ３０＋＝の組成についての飽和磁化（４ｔＭｓ ）
の温度特性を測定したものである。−２０〜８０℃の温
度範囲で０．０８％／℃以下の極めて小さな温度係数と
なることが判る。
、ｏ３０＋＝の組成についての飽和磁化（４ｔＭｓ ）
の温度特性を測定したものである。−２０〜８０℃の温
度範囲で０．０８％／℃以下の極めて小さな温度係数と
なることが判る。
第５図はＧ ｄ ＋、ｂ Ｙｏ、ｅ Ｃａ １１．４
Ｆ ｅ ａ、５ｔ−ｕＴ ｎ＠、２Ｓｖ０．３ Ａ
ｌ ｕ Ｍ ｎｏ、ｏｓｏ＋ｔなる組成でＡ Ｉ Ｎｕ
を変化させて飽和磁化（４ｔＭｓ ）を測定した結果で
ある。ＡＩ量Ｕの増加に伴い飽和磁化（４ｔＭｇ）は減
少する。Ａ１添加の場合、飽和磁化（４ｔＭ ｓ ）と
して４００以上は′必要なためＵ≦１．０とする。
Ｆ ｅ ａ、５ｔ−ｕＴ ｎ＠、２Ｓｖ０．３ Ａ
ｌ ｕ Ｍ ｎｏ、ｏｓｏ＋ｔなる組成でＡ Ｉ Ｎｕ
を変化させて飽和磁化（４ｔＭｓ ）を測定した結果で
ある。ＡＩ量Ｕの増加に伴い飽和磁化（４ｔＭｇ）は減
少する。Ａ１添加の場合、飽和磁化（４ｔＭ ｓ ）と
して４００以上は′必要なためＵ≦１．０とする。
第６図はＧ ｄ １．ｂ Ｙｏ、＊ Ｃａ ｏ、ｈ Ｆ
ｅ ４１１１−ｖＩ ｎｏ、５ｓＶｏ、ｚ Ａ Ｉ
ｏ、＋ｑＭ ｎｖ Ｏ＋ｚなる基本組成でＭ ｎ ！！
ｋｖを変化させて飽和磁化（４ｔＭｓ）を測定した結果
である。最初Ｍｎ量■の増加に伴い飽和磁化（４ｔＭｓ
）が上昇するのはＭｎがａサイトに入ったためで、その
後Ｍｎ量Ｖの増加に伴って下降するのはｄサイトにも入
ってきたためである。
ｅ ４１１１−ｖＩ ｎｏ、５ｓＶｏ、ｚ Ａ Ｉ
ｏ、＋ｑＭ ｎｖ Ｏ＋ｚなる基本組成でＭ ｎ ！！
ｋｖを変化させて飽和磁化（４ｔＭｓ）を測定した結果
である。最初Ｍｎ量■の増加に伴い飽和磁化（４ｔＭｓ
）が上昇するのはＭｎがａサイトに入ったためで、その
後Ｍｎ量Ｖの増加に伴って下降するのはｄサイトにも入
ってきたためである。
第７図は第６図の場合と同じ組成でＭ ｎ ｌ ｖを変
化させて誘電損失（ｔａｎδ）を測定した結果である。
化させて誘電損失（ｔａｎδ）を測定した結果である。
最初Ｖ ｎ ＠ ｖの増加に伴い誘電損失（ｔａｎδ）
は減少し、その後Ｍｎ１ｌｖの増加に伴って増大する。
は減少し、その後Ｍｎ１ｌｖの増加に伴って増大する。
マイクロ波用材料としては誘電を賢夫（ｔａｎδ）がｌ
Ｘｌ０−’以上になるのは好ましくなく、従ってＯ＜Ｖ
Ｓ２．１とする必要がある。
Ｘｌ０−’以上になるのは好ましくなく、従ってＯ＜Ｖ
Ｓ２．１とする必要がある。
更に第６図および第７図の場合と同じ組成でＭｎｎｖの
値を変えて誘電損失（ｔａｎδ）、磁気共鳴半値幅（Δ
■（）、及び温度係数αを測定した結果を第１表に示す
。
値を変えて誘電損失（ｔａｎδ）、磁気共鳴半値幅（Δ
■（）、及び温度係数αを測定した結果を第１表に示す
。
第１表
ＡＩ及びＭｎによる一部置換によってこのように誘電損
失（ｔａｎδ）及び温度係数αの低減を図ることができ
る。そのときＡ Ｉ ｌ１ｌｕ及びＭｎ１ｖをそれぞれ
０＜ｕ≦ １．０．Ｑ＜ｖ≦０．１としたのは上記のよ
うな実験に基づいている。
失（ｔａｎδ）及び温度係数αの低減を図ることができ
る。そのときＡ Ｉ ｌ１ｌｕ及びＭｎ１ｖをそれぞれ
０＜ｕ≦ １．０．Ｑ＜ｖ≦０．１としたのは上記のよ
うな実験に基づいている。
［発明の効果］
本発明は上記のようにＧｄ−Ｙ−Ｃａ−ＩｎＶ系ガーネ
ットの組成の一部を適量のＡＩ及びＭｎで置換したフェ
リ磁性ガーネット材料であるから、飽和磁化（４ｔＭｓ
）の温度係数を０．０８％／℃以下という掻めて小さな
値に抑えることができ、且つ誘電損失（ｔａｎδ）を約
２Ｘ１０−’まで小さくできる。またこの組成は磁気共
鳴半値幅（ΔＨ）の値が比較的小さい特性を呈する。
ットの組成の一部を適量のＡＩ及びＭｎで置換したフェ
リ磁性ガーネット材料であるから、飽和磁化（４ｔＭｓ
）の温度係数を０．０８％／℃以下という掻めて小さな
値に抑えることができ、且つ誘電損失（ｔａｎδ）を約
２Ｘ１０−’まで小さくできる。またこの組成は磁気共
鳴半値幅（ΔＨ）の値が比較的小さい特性を呈する。
従ってこの材料はマイクロ波用サーキュレータやアイソ
レータ等に使用した場合に、素子の使用温度変化に対し
て安定した特性を示し、実用温度範囲では特に温度補償
等の問題は生じない。
レータ等に使用した場合に、素子の使用温度変化に対し
て安定した特性を示し、実用温度範囲では特に温度補償
等の問題は生じない。
第１図はＧ ｉ Ｙ！、４−１１ Ｃａｏ、ｈ Ｆ ｅ
ａ、ｒｓＩ ｎ１１．２ｓｖ１１．ｆｆ Ａ ｌ ｏ、
＋ｑＭ ｎｅ、ｏｓｏ＋ｚの基本組成においてＧ ｄ
Ｉｘを変化させたときの飽和磁化（４πＭｓ）の温度特
性を示すグラフ、第２図はＧ ｄ ＋、ｂ Ｙｏ、ｓ
Ｃａ ６．６ Ｆ ６４．５−ｙＩ ｎｙ Ｖｏ、３Ａ
ｌＯ，１７Ｍ ｎｏ、ｏｘｏ＋ｔにおいて［ｎ ｌ
ｙに対するキュリー温度Ｔｃの関係を示すグラフ、 第３図はＧ ｄ 、、、 Ｙ、８．、、Ｃａ 、、Ｆ
ｅ ａ、ａｓ−ｚＩ ｎｏ、ｓｓＶｇ Ａ Ｉｏ、＋ｙ
Ｍｎｏ、ｏｓＯ＋ｇにおいて■量２に対する飽和磁化（
４πＭｓ）の関係を示すグラフ、 第４図はＧ ｄ ＋、ｂ Ｙｏ、＊ Ｃａ ｏ、ｂ Ｆ
ｅ ａ、＋ｑＩ ｎ ｏ、ｓｓＶ ｏ、ｓ Ａ Ｉ
６．１？Ｍ ｎ １１．１１３０ ＋ｚの組成における
飽和磁化（４πＭｇ ）の温度特性を示すグラフ、 第５図はＧ ｄ ＋、ｂ Ｙｏ、＊ Ｃａ ｏ、ｂ Ｆ
ｅ ａ、ｓｔ−ｍＩ ｎｏ、、ｓＶｅ、ｓ Ａ ｌｕ
Ｍ ｎａ、ｏｓｏ＋ｘにおいてＡＩ量Ｕに対する飽和
磁化（４πＭｓ）の関係を示すグラフ、 第６図はＧ ｄ ＋、ｂ Ｙｏ、ｓ Ｃａ ＠、４ Ｆ
８４．１ｌ−ＶＩ ｎａ、１ｓｖ１１．ｓ Ａ ｌ
Ｏ，１７Ｍ ｎｖ Ｏ＋ｚにおいてＭ ｎ ＠ ｖに対
する飽和磁化（４πＭｓ）の関係を示すグラフ、 第７図はＧ ｄ ＋、ｈ Ｙｏ、ｍ Ｃａ ｏ、ｈ Ｆ
ｅ ａ、＋ｓ−ｗＩ ｎｏ、５ｓＶｓ、ｓ Ａ ｌ
ｏ、＋ｔＭ ｎｖ ０１！においてＭｎｎ量定対する誘
電損失（ｔａｎδ）の関係を示すグラフである。 特許出願人 富士電気化学株式会社 代 理 人 茂 見 穣第１図 第３図 度 （０Ｃ） 第２図 第４１！！！！ ｎ１ｉＹ 度（６Ｃ） 手続補正書 補正の内容 Ｉ；為 昭和６３年１１月２８白２．Ａ （１） 明細書第９頁の第１表を次の通り補正いたし
ます。
ａ、ｒｓＩ ｎ１１．２ｓｖ１１．ｆｆ Ａ ｌ ｏ、
＋ｑＭ ｎｅ、ｏｓｏ＋ｚの基本組成においてＧ ｄ
Ｉｘを変化させたときの飽和磁化（４πＭｓ）の温度特
性を示すグラフ、第２図はＧ ｄ ＋、ｂ Ｙｏ、ｓ
Ｃａ ６．６ Ｆ ６４．５−ｙＩ ｎｙ Ｖｏ、３Ａ
ｌＯ，１７Ｍ ｎｏ、ｏｘｏ＋ｔにおいて［ｎ ｌ
ｙに対するキュリー温度Ｔｃの関係を示すグラフ、 第３図はＧ ｄ 、、、 Ｙ、８．、、Ｃａ 、、Ｆ
ｅ ａ、ａｓ−ｚＩ ｎｏ、ｓｓＶｇ Ａ Ｉｏ、＋ｙ
Ｍｎｏ、ｏｓＯ＋ｇにおいて■量２に対する飽和磁化（
４πＭｓ）の関係を示すグラフ、 第４図はＧ ｄ ＋、ｂ Ｙｏ、＊ Ｃａ ｏ、ｂ Ｆ
ｅ ａ、＋ｑＩ ｎ ｏ、ｓｓＶ ｏ、ｓ Ａ Ｉ
６．１？Ｍ ｎ １１．１１３０ ＋ｚの組成における
飽和磁化（４πＭｇ ）の温度特性を示すグラフ、 第５図はＧ ｄ ＋、ｂ Ｙｏ、＊ Ｃａ ｏ、ｂ Ｆ
ｅ ａ、ｓｔ−ｍＩ ｎｏ、、ｓＶｅ、ｓ Ａ ｌｕ
Ｍ ｎａ、ｏｓｏ＋ｘにおいてＡＩ量Ｕに対する飽和
磁化（４πＭｓ）の関係を示すグラフ、 第６図はＧ ｄ ＋、ｂ Ｙｏ、ｓ Ｃａ ＠、４ Ｆ
８４．１ｌ−ＶＩ ｎａ、１ｓｖ１１．ｓ Ａ ｌ
Ｏ，１７Ｍ ｎｖ Ｏ＋ｚにおいてＭ ｎ ＠ ｖに対
する飽和磁化（４πＭｓ）の関係を示すグラフ、 第７図はＧ ｄ ＋、ｈ Ｙｏ、ｍ Ｃａ ｏ、ｈ Ｆ
ｅ ａ、＋ｓ−ｗＩ ｎｏ、５ｓＶｓ、ｓ Ａ ｌ
ｏ、＋ｔＭ ｎｖ ０１！においてＭｎｎ量定対する誘
電損失（ｔａｎδ）の関係を示すグラフである。 特許出願人 富士電気化学株式会社 代 理 人 茂 見 穣第１図 第３図 度 （０Ｃ） 第２図 第４１！！！！ ｎ１ｉＹ 度（６Ｃ） 手続補正書 補正の内容 Ｉ；為 昭和６３年１１月２８白２．Ａ （１） 明細書第９頁の第１表を次の通り補正いたし
ます。
Claims (1)
- １．Ｇｄ＿ｘＹ＿３＿−＿ｘ＿−＿２＿ｚＣａ＿２＿ｚ
Ｆｅ＿５＿ｕ＿−＿ｖ＿−＿ｙ＿−＿ｚＶ＿ｚＡｌ＿ｕ
Ｍｎ＿ｖＯ＿１＿２なる組成式で表され、且つ１．０≦
ｘ≦３．００ ０＜ｙ≦０．５ ０＜ｚ≦０．５ ０＜ｕ≦１．０ ０＜ｖ≦０．１ を満たす組成からなるマイクロ波用フェリ磁性ガーネッ
ト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266847A JPH02113503A (ja) | 1988-10-22 | 1988-10-22 | マイクロ波用フェリ磁性ガーネット材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266847A JPH02113503A (ja) | 1988-10-22 | 1988-10-22 | マイクロ波用フェリ磁性ガーネット材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02113503A true JPH02113503A (ja) | 1990-04-25 |
| JPH0474842B2 JPH0474842B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=17436489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63266847A Granted JPH02113503A (ja) | 1988-10-22 | 1988-10-22 | マイクロ波用フェリ磁性ガーネット材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02113503A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7286025B2 (en) | 2004-07-06 | 2007-10-23 | Tdk Corporation | Circulator element |
-
1988
- 1988-10-22 JP JP63266847A patent/JPH02113503A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7286025B2 (en) | 2004-07-06 | 2007-10-23 | Tdk Corporation | Circulator element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0474842B2 (ja) | 1992-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02113503A (ja) | マイクロ波用フェリ磁性ガーネット材料 | |
| JP3396957B2 (ja) | 高周波用磁性体組成物 | |
| JP3396958B2 (ja) | 高周波用磁性体組成物 | |
| JP2958800B2 (ja) | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 | |
| JPH03288406A (ja) | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 | |
| JP2504192B2 (ja) | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 | |
| US5028348A (en) | Magnetic material for high frequencies | |
| JP2760052B2 (ja) | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 | |
| JPH03215907A (ja) | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 | |
| JPS5942443B2 (ja) | Ｇｄ，Ｃａ，Ｚｒ置換イツトリウム鉄ガ−ネツト | |
| JP2000191368A (ja) | 高周波用磁性体及びこれを用いた高周波非可逆回路素子 | |
| US5874020A (en) | Ni-Zn base ferrite | |
| JPH03215908A (ja) | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 | |
| JP2958809B2 (ja) | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 | |
| JPH03167805A (ja) | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 | |
| JP2001058831A (ja) | マイクロ波用フェリ磁性ガーネット材料 | |
| JPH11273928A (ja) | 磁性材料 | |
| JPH081843B2 (ja) | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 | |
| JPH0319204A (ja) | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 | |
| JPH04186601A (ja) | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 | |
| JPS5815923B2 (ja) | マイクロハ ミリハヨウフエライト | |
| JPH0680614B2 (ja) | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 | |
| JPH0848523A (ja) | 高周波用磁性材料 | |
| JPS62256729A (ja) | リチウム系フエライト | |
| JPS6151405B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |