JPS5815923B2 - マイクロハ ミリハヨウフエライト - Google Patents
マイクロハ ミリハヨウフエライトInfo
- Publication number
- JPS5815923B2 JPS5815923B2 JP49114409A JP11440974A JPS5815923B2 JP S5815923 B2 JPS5815923 B2 JP S5815923B2 JP 49114409 A JP49114409 A JP 49114409A JP 11440974 A JP11440974 A JP 11440974A JP S5815923 B2 JPS5815923 B2 JP S5815923B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite
- 4πms
- loss
- small
- millihayo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波、準ミリ波、ミリ波回路素子に用い
られる４πＭｓの太きいりチウム−亜鉛（Ｌｉ−Ｚｎ）
系１イクロ波・ミリ波用フェライトに関するものである
。
られる４πＭｓの太きいりチウム−亜鉛（Ｌｉ−Ｚｎ）
系１イクロ波・ミリ波用フェライトに関するものである
。
これらマイクロ波・ミリ波回路素子に要求される特性と
しては希望する飽和磁束密度（４πＭｓ）と記す）を持
ち磁気損失および誘電損失が小さく４πＭｓの温度変化
が小さいことが望まれる。
しては希望する飽和磁束密度（４πＭｓ）と記す）を持
ち磁気損失および誘電損失が小さく４πＭｓの温度変化
が小さいことが望まれる。
現在、４πＭｓめ大きい材料として４πＭｓｚ３０００
ガウス以上の材料としては、Ｎｉ−ＺｎフェライトやＭ
ｎ−Ｍｇ系フェライトが用いられている。
ガウス以上の材料としては、Ｎｉ−ＺｎフェライトやＭ
ｎ−Ｍｇ系フェライトが用いられている。
Ｎｉ−Ｚｎフェライトは４πＭｓ二５３００ガウス程度
得られるが、キュリ一点は３５０℃以下であり、特に室
温附近で高安定性を要求される場合、４πＭｓの温度変
化が大きい欠点が生じる。
得られるが、キュリ一点は３５０℃以下であり、特に室
温附近で高安定性を要求される場合、４πＭｓの温度変
化が大きい欠点が生じる。
Ｍｎ−Ｍｇ系フェライトは４０００ガウス以上の４πＭ
ｓは得難く、またキュリ一点も低く４πＭｓの温度変化
が大きベミリ波用フェライトとしては実用困難である。
ｓは得難く、またキュリ一点も低く４πＭｓの温度変化
が大きベミリ波用フェライトとしては実用困難である。
特に、将来、通信ｉの増加と共に通信の多量化を
必要とし、これに伴いミリ波による通信網の増加が予想
される。
必要とし、これに伴いミリ波による通信網の増加が予想
される。
こめ場合、サーキュレータ、アイシレータなどの非可逆
回路素子には高安定で広帯域でかつ損失の少ない４性が
要求されるが、これら素子の４πＭｓと周一数とはＰ＝
ｌγ１（４ｇＭｓ）／Ｇ）＝０．６〜０．８の関係があ
り（ω＝周波数（ＭＨｚ）、γ＝磁気回転比でほぼ２．
８の値）、ｐ＞ｏ、ｓでは磁区の回転共鳴によ、る低磁
界損失が生じるため、この低磁界損失をさけ、かつでき
るだけ広帯域にしたいということから、お４πＭｓが最
適値とされている。
回路素子には高安定で広帯域でかつ損失の少ない４性が
要求されるが、これら素子の４πＭｓと周一数とはＰ＝
ｌγ１（４ｇＭｓ）／Ｇ）＝０．６〜０．８の関係があ
り（ω＝周波数（ＭＨｚ）、γ＝磁気回転比でほぼ２．
８の値）、ｐ＞ｏ、ｓでは磁区の回転共鳴によ、る低磁
界損失が生じるため、この低磁界損失をさけ、かつでき
るだけ広帯域にしたいということから、お４πＭｓが最
適値とされている。
例えば４πＭｓ＝５０００ガウスとするとＰ＝０．８を
満足する周波数ωは約１７．５ＧＨｚとなり、この周波
数以上ではより大きな４πＭｓを必要として、この周波
数以下では低磁界損失をさけるため、より小さな４πＭ
ｓの値が必要となる。
満足する周波数ωは約１７．５ＧＨｚとなり、この周波
数以上ではより大きな４πＭｓを必要として、この周波
数以下では低磁界損失をさけるため、より小さな４πＭ
ｓの値が必要となる。
また温度変化も考慮すると帯域はよりせま（なるため温
度変化の小さいことが必要である。
度変化の小さいことが必要である。
温度変化はバイアス磁界に用いる磁石、フェライトの４
πＭｓの温度変化に関係するが、４πＭｓの温度変化は
小さい方が好ましい。
πＭｓの温度変化に関係するが、４πＭｓの温度変化は
小さい方が好ましい。
このように準ミリ波・ミリ波通信に用いられる広帯域サ
ーキュレータ等の非可逆素子は４πＭｓが大きく温度変
化が小さいことが必要である。
ーキュレータ等の非可逆素子は４πＭｓが大きく温度変
化が小さいことが必要である。
一方損失を小さくするためには誘電損失、磁気損失を小
さくする必要がある。
さくする必要がある。
誘電損失は直接には焼結体の電気抵抗に影響されこの値
が大きい程、誘電損失（ｔａｎｄε）が小さい。
が大きい程、誘電損失（ｔａｎｄε）が小さい。
マイクロ波フェライトの磁気損失は強磁性共鳴吸収半値
幅、△Ｈが小さい程小さい。
幅、△Ｈが小さい程小さい。
これらの要請から、本発明ＵＬｉ”ａＦｅ＋”ｂＺｎ＋
２ｃＩｎ＋３ｄＡｅ＋ｎｏ４であられされるＺｎ、Ｉｎ
置換Ｌｉ系フェライトを提供するものである。
２ｃＩｎ＋３ｄＡｅ＋ｎｏ４であられされるＺｎ、Ｉｎ
置換Ｌｉ系フェライトを提供するものである。
ただしＡは、Ｍｎ＋２．Ｍｎ＋３゜Ｃｏ＋３．Ｇａ＋３
から選ばれた１種類あるいはＭｎ＋２．Ｓｉ＋３．Ｇｅ
＋４．Ｓｉ＋４゜Ｓｎ十４ｅＺｎ＋４ｓＮｔ＋２ｓＣｏ
＋３ｍＣａ＋２．Ｍｎ＋３の中から選ばれた複数種類の
組合せである。
から選ばれた１種類あるいはＭｎ＋２．Ｓｉ＋３．Ｇｅ
＋４．Ｓｉ＋４゜Ｓｎ十４ｅＺｎ＋４ｓＮｔ＋２ｓＣｏ
＋３ｍＣａ＋２．Ｍｎ＋３の中から選ばれた複数種類の
組合せである。
Ｌｉフェライトはキュリ一温度が６５０℃附近にあり、
室温附近で非常に温度変化が小さいという優れた特徴を
もち、４πＭｓも約３７８０ガウスと大きい値をもつ材
料夕ある。
室温附近で非常に温度変化が小さいという優れた特徴を
もち、４πＭｓも約３７８０ガウスと大きい値をもつ材
料夕ある。
しかしＬｉフェライトをつくる焼成段階でＬｉ２Ｏの蒸
発等によりＦｅ＋２ができやすく電気抵抗が小さく誘電
損失が大きくなる欠点を有する。
発等によりＦｅ＋２ができやすく電気抵抗が小さく誘電
損失が大きくなる欠点を有する。
また△Ｈも４０００ｅ以上と大きく磁気損失の大きい欠
点がある。
点がある。
これらの欠点を除き４πＭｓの大きい材料を得るため、
ＬｉフェライトにＺｎ、Ｉｎを置換することにより４π
Ｍｓを大きくし、Ｍｎ＋２゜Ｍｎ＋３．Ｃｏ十ｓ、Ｇａ
＋３のうちから選ばれた１種類あるいはＮｉ十”、Ｚｒ
＋’、Ｓｎ＋４゜Ｓｉ十＋、Ｇｅ十’、Ｓｉ＋３．Ｍｎ
＋２゜Ｍｎ＋’、Ｃｏ＋３．Ｃｏ＋２．のうちから選ば
れた複数種類を置換することにより誘電損失を小さくす
るため電気抵抗を大きくし、かつ△Ｈを小さくすること
が可能である。
ＬｉフェライトにＺｎ、Ｉｎを置換することにより４π
Ｍｓを大きくし、Ｍｎ＋２゜Ｍｎ＋３．Ｃｏ十ｓ、Ｇａ
＋３のうちから選ばれた１種類あるいはＮｉ十”、Ｚｒ
＋’、Ｓｎ＋４゜Ｓｉ十＋、Ｇｅ十’、Ｓｉ＋３．Ｍｎ
＋２゜Ｍｎ＋’、Ｃｏ＋３．Ｃｏ＋２．のうちから選ば
れた複数種類を置換することにより誘電損失を小さくす
るため電気抵抗を大きくし、かつ△Ｈを小さくすること
が可能である。
以上のように本発明はマイクロ波・準ミリ波・ミリ波回
路素子として４πＭｓの温度変化が小さく損失の小さい
４πＭｓの大きい値を有するＬｉ−Ｚｎ系フェライトを
提供するものである。
路素子として４πＭｓの温度変化が小さく損失の小さい
４πＭｓの大きい値を有するＬｉ−Ｚｎ系フェライトを
提供するものである。
以下実施例にもとづいて説明する。
試料は組成式にもとづき各原料を秤量後鋼製ボールミル
、でアルコール分散媒として混合後８００℃−４ｈｒ仮
焼し粉砕、バインダー混入後酸素中で焼成を行ないその
後８５０℃−１ｈｒ熱処理して得たものである。
、でアルコール分散媒として混合後８００℃−４ｈｒ仮
焼し粉砕、バインダー混入後酸素中で焼成を行ないその
後８５０℃−１ｈｒ熱処理して得たものである。
４πＭｓキュリ一点を磁気天秤で測定し、△Ｈは１．０
ｍｍｆの球で９．３ＧＨ２で測定し、電気抵抗は直流で
測定し比抵抗値ξＤ、Ｃを求めた。
ｍｍｆの球で９．３ＧＨ２で測定し、電気抵抗は直流で
測定し比抵抗値ξＤ、Ｃを求めた。
実施例１
Ｌｉ＋１０．５−０．５ｃＦｅ＋３２．５−０．５ｃｍ
ｄＺｎ十２ｃＩｎ＋３ｄ０４の組成でＺｎ、Ｉｎをかえ
た場合の室温における各特性を第１表に示す。
ｄＺｎ十２ｃＩｎ＋３ｄ０４の組成でＺｎ、Ｉｎをかえ
た場合の室温における各特性を第１表に示す。
第１表に示すこと＜Ｚｎ、Ｉｎ置換したＬｉフェライト
は４πＭｓの大きな値を得ることが可能である。
は４πＭｓの大きな値を得ることが可能である。
Ｉｎ、Ｚｎ各々単独では４πＭｓは５０００ガウス以下
であるが、同時に含有するとき４πＭｓが５０００ガウ
ス以上の値を得ることができ、さらにＺｎ、Ｉｎ単独置
換の場合より△Ｈが小さく、ζＤ、Ｃの大きい値が得ら
れる。
であるが、同時に含有するとき４πＭｓが５０００ガウ
ス以上の値を得ることができ、さらにＺｎ、Ｉｎ単独置
換の場合より△Ｈが小さく、ζＤ、Ｃの大きい値が得ら
れる。
Ｚｎ置換、Ｃは０．６をこえると４πＭｓが小さくＴｃ
が低くなり温度変化が大きくなるためＣの有効範囲はｏ
＜ｃ＜０．６の範囲である。
が低くなり温度変化が大きくなるためＣの有効範囲はｏ
＜ｃ＜０．６の範囲である。
同じ＜Ｉｎｎ置換上０．３をこえると４πＭｓが急激に
小さくなり有効でなく、また０、００１より少ない場合
はほとんど効果がないためｄの有効範囲はｏ、ｏｏｌ＜
ａ＜ｏ、３である。
小さくなり有効でなく、また０、００１より少ない場合
はほとんど効果がないためｄの有効範囲はｏ、ｏｏｌ＜
ａ＜ｏ、３である。
なお、本発明組成物にスピネル型フェリ磁性体への添加
、あるいは置換元素として有効の公知の各元素なＦｅあ
るいはＬｉの一部と置き換えても有効であり、第１表に
示したＺｎ５Ｉｎ含有では得られない特性を示す。
、あるいは置換元素として有効の公知の各元素なＦｅあ
るいはＬｉの一部と置き換えても有効であり、第１表に
示したＺｎ５Ｉｎ含有では得られない特性を示す。
それらの実施例を次に示す。実施例 ２
本発明組成物でＭｎ＋２．Ｍｎ＋３．Ｓｎ十４゜Ｂｉ＋
３．Ｓｉ＋’を含有した場合の特性を第２表に示す。
３．Ｓｉ＋’を含有した場合の特性を第２表に示す。
第２表に示すとと＜ Ｍｎ＋２ｓＭｎ＋３ｓＭｎ＋２−
８ｎ十４ｓＭｎ＋３−Ｂｉ十３をＺｎ。
８ｎ十４ｓＭｎ＋３−Ｂｉ十３をＺｎ。
Ｉｎと同時に含有した場合第１表に示したＺｎ。
Ｉｎのみを含有した組成に比べ比抵抗ζＤ、Ｃが大きく
なる。
なる。
ことがわかる。第２表に示した実施例以外のＳｎ＋４−
Ｃａ＋２．Ｓｎ＋４−Ｃｕ＋２゜Ｔｉ＋４−Ｍｎ＋２．
Ｔｉ＋４−Ｃａ＋２゜ＴＩ＋４−Ｃｕ＋２．Ｓｉ＋４−
Ｃａ＋２゜Ｓｉ＋４−Ｃｕ＋２およびＺｒ＋４とのＣａ
＋２゜Ｍｎ＋２．Ｃｕ＋２の各元素組合せをＺｎ十”。
Ｃａ＋２．Ｓｎ＋４−Ｃｕ＋２゜Ｔｉ＋４−Ｍｎ＋２．
Ｔｉ＋４−Ｃａ＋２゜ＴＩ＋４−Ｃｕ＋２．Ｓｉ＋４−
Ｃａ＋２゜Ｓｉ＋４−Ｃｕ＋２およびＺｒ＋４とのＣａ
＋２゜Ｍｎ＋２．Ｃｕ＋２の各元素組合せをＺｎ十”。
Ｉｎ＋３置換Ｌｉフエライトに同時に含有しても第２表
と同じようにζＤ、Ｃの改良効果があることを確認した
。
と同じようにζＤ、Ｃの改良効果があることを確認した
。
実施例 ３
本発明の組成物でＣ□＋ｓ、Ｂｉ＋ｓ、Ｇａ＋３゜Ｇｅ
＋３等を同時に含有した場合の特性を第３表に示す。
＋３等を同時に含有した場合の特性を第３表に示す。
以上Ｉｎ、Ｚｎと同時に第３表に示す組合せの元素を含
有した場合、第１表に示したＺｎｍＩｎのみを含有した
組成に比べ比抵抗ζＤ、Ｃが大きく、かつ△Ｈが小さく
なる様な効果を示すことがわかる。
有した場合、第１表に示したＺｎｍＩｎのみを含有した
組成に比べ比抵抗ζＤ、Ｃが大きく、かつ△Ｈが小さく
なる様な効果を示すことがわかる。
Ｌｉ＋１ａＦｅ＋３ｂｚｎ＋２ｃＩｎ＋５ｄＡｅ十ｎｏ
４であられされる組成でＡの有効範囲はｏくｅ＜ｏ、２
である。
４であられされる組成でＡの有効範囲はｏくｅ＜ｏ、２
である。
ｅ）０．２では４πＭｓ、Ｔｃが下り有効でなくなる。
このように本発明の組成物はマイクロ波・ミリ波用フェ
ライトとして４πＭｓが大きく、かつキュリ一点が高い
ため４πＭｓの温度変化の小さい特性を示すことがわか
る。
ライトとして４πＭｓが大きく、かつキュリ一点が高い
ため４πＭｓの温度変化の小さい特性を示すことがわか
る。
また同時に第３元素類としてＭｎ＋２．Ｃｏ＋２．Ｎｉ
＋”、Ｃａ＋２゜Ｃｕ＋２．Ｍｎ＋３．Ｃｏ＋３ｓＡＩ
＋３ｍＢ１十ｓ、Ｇａ＋ａ、Ｔ：＋４．Ｓｉ＋４゜Ｓｎ
＋４．Ｇｅ＋４．Ｚｒ十４の元素を単独、あるいは複数
に含有した場合ζＤ、Ｃが大きく、△Ｈが小さくなり誘
電損失、磁気損失の小さい材料が得られる。
＋”、Ｃａ＋２゜Ｃｕ＋２．Ｍｎ＋３．Ｃｏ＋３ｓＡＩ
＋３ｍＢ１十ｓ、Ｇａ＋ａ、Ｔ：＋４．Ｓｉ＋４゜Ｓｎ
＋４．Ｇｅ＋４．Ｚｒ十４の元素を単独、あるいは複数
に含有した場合ζＤ、Ｃが大きく、△Ｈが小さくなり誘
電損失、磁気損失の小さい材料が得られる。
以上のようにＬｉ＋１ａＦｅ＋３ｂＺｎ＋２ｃＩｎ＋３
ｄＡｅ＋ｎ０４のＬｉ−Ｚｎ系フェライトにおいて（式
中人はＭｎ＋２．Ｃｏ＋２゜Ｎｉ＋２．Ｃｕ＋２ｓＣａ
十２ｐＭｎ＋３゜ＣＯ＋３ｓＡｌ＋８ｐＢ１＋３．Ｇａ
＋３゜Ｔｉ＋４．Ｓｉ＋４．Ｓｎ＋４．ｚｒ＋４Ｇｅ十
’の単独あるいは複数に選ばれたもの）ａ＋ｂ＋ｃ十ｄ
十ｅ＝３、ａ＋３ｄ＋２ｃ＋３ｄ＋ｎｊ＝ｓの条件でｏ
＜、ｃ＜、ｏ、６．ｏ、ｏｏｔ＜ａ＜ｏ、３゜ｏ＜ｅ＜
ｏ、ｚの範囲で作られる組成をもつことを特徴とするり
チウム−亜鉛系フェライトは４πＭＳが大きく４πＭｓ
の温度変化が小さいフェライトとしてマイクロ波・ミリ
波領域の回路部品としてきわめて有用である。
ｄＡｅ＋ｎ０４のＬｉ−Ｚｎ系フェライトにおいて（式
中人はＭｎ＋２．Ｃｏ＋２゜Ｎｉ＋２．Ｃｕ＋２ｓＣａ
十２ｐＭｎ＋３゜ＣＯ＋３ｓＡｌ＋８ｐＢ１＋３．Ｇａ
＋３゜Ｔｉ＋４．Ｓｉ＋４．Ｓｎ＋４．ｚｒ＋４Ｇｅ十
’の単独あるいは複数に選ばれたもの）ａ＋ｂ＋ｃ十ｄ
十ｅ＝３、ａ＋３ｄ＋２ｃ＋３ｄ＋ｎｊ＝ｓの条件でｏ
＜、ｃ＜、ｏ、６．ｏ、ｏｏｔ＜ａ＜ｏ、３゜ｏ＜ｅ＜
ｏ、ｚの範囲で作られる組成をもつことを特徴とするり
チウム−亜鉛系フェライトは４πＭＳが大きく４πＭｓ
の温度変化が小さいフェライトとしてマイクロ波・ミリ
波領域の回路部品としてきわめて有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ Ｌｉ＋１ａＦｅ＋３ｂＺｎ＋”ｃＩｎ＋３ｄＡｅ”
０で表わされる化学組成式（ただしＡはＭｎ＋２ 。 Ｍｎ＋３．Ｃｏ＋３Ｇａ＋３から選ばれた１種類あるい
はＭｎ＋２．Ｂｉ＋３．Ｃａ＋４゜５ｉ−ｈ、Ｓｎ十’
、Ｚｒ十’、Ｎｉ＋ｚ。 Ｃｏ＋３．Ｃａ＋２．Ｍｎ＋３の中から選ばれた複数種
類である。 ）において ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝３ ３＋３ｂ＋２ｃ＋３ｄ＋ｎｅ＝８ の条件で、ｏ＜、ｃ＜０．６ ｏ、ｏｏｔ＜ｄ＜ｏ、３ ｏ＜ｅ＜ｏ、２ の範囲で作られた組成をもつことを特徴とするマイクロ
波・ミリ波用フェライト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49114409A JPS5815923B2 (ja) | 1974-10-04 | 1974-10-04 | マイクロハ ミリハヨウフエライト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49114409A JPS5815923B2 (ja) | 1974-10-04 | 1974-10-04 | マイクロハ ミリハヨウフエライト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5141897A JPS5141897A (en) | 1976-04-08 |
| JPS5815923B2 true JPS5815923B2 (ja) | 1983-03-28 |
Family
ID=14636952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49114409A Expired JPS5815923B2 (ja) | 1974-10-04 | 1974-10-04 | マイクロハ ミリハヨウフエライト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815923B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2226024B (en) * | 1988-12-16 | 1992-06-10 | Tioxide Group Plc | Organo-metallic compounds |
| JPH081843B2 (ja) * | 1989-06-15 | 1996-01-10 | 株式会社村田製作所 | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 |
-
1974
- 1974-10-04 JP JP49114409A patent/JPS5815923B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5141897A (en) | 1976-04-08 |
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