JPH03215907A - マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 - Google Patents

マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物

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JPH03215907A
JPH03215907A JP2011604A JP1160490A JPH03215907A JP H03215907 A JPH03215907 A JP H03215907A JP 2011604 A JP2011604 A JP 2011604A JP 1160490 A JP1160490 A JP 1160490A JP H03215907 A JPH03215907 A JP H03215907A
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JP
Japan
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microwave
millimeter wave
4pims
magnetic
lithium ferrite
Prior art date
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Pending
Application number
JP2011604A
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English (en)
Inventor
Takehiro Konoike
健弘 鴻池
Hiroshi Tamura
博 田村
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 この発明は、マイクロ波やミリ波などの高周波領域にお
いて使用される磁性体組成物に関するものである。
く従来の技術〉 従来、高周波用磁性体材料としては、Mn−Mgフエラ
イト、Ni−Znフエライト、YIGフエライト、リチ
ウムフエライトなどが用いられている。
これらは、飽和磁化( 4 TcMs)の値が500〜
4000ガウスを有する優れた材料である。
これらの中でも特にリチウムフェライトは4πMsが3
700ガウス程度と大きく、かつキュリー点( Tc)
が650℃付近の高い温度にあるため、4πMsの室温
付近における温度変化率が小さいので、高安定なアイソ
レータやサーキュレークなどの回路素子に応用可能な材
料である。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、リチウムフエライトは、強磁性共鳴吸収
半値幅(ΔH)や誘電損失( tanδe)等の損失が
他のマイクロ波・ミリ波用フエライトに比べて大きいと
いう欠点を有している。
例えば、純粋なリチウムフエライトLio. sFe2
. sO4はΔHと tanδeが周波数10GHzで
、それぞれ500エルステッド以上、0,01以上と太
き《、実際のマイクロ波・ミリ波用回路素子には使用で
きない場合が多い。
この発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもので
、■、io. gFe2. 60 4の一部をZnで置
換して4πMsを高めて、高い周波数帯で使用できるよ
うにし、かつZnの量を適宜変化させることにより、4
πMsを任意の値に設定できるようにし、さらにそのZ
nをMnで置換することにより tanδeを改善する
と共に、PbOを添加含有させてΔHとtanδeにつ
いて改善されたマイクロ波・ミリ波用磁性体材料を提供
することを目的とするものである。
く課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために、この発明のマイクロ波・ミ
リ波用磁性体組成物はLixFeyZnzO。sayや
0,2(但し、8。y.2.1)で表わされる組成にお
いて、x.y,zがそれぞれ0.10≦X≦0.21、
0.77≦y≦0.88、0.02≦z≦0.13の範
囲にあり、かつZnがMnによりO原子%を含まず、1
00原子%以下置換されたものを主成分とし、これにP
bOの形で表わした酸化鉛を0.01モル%以上、0.
5モル%以下添加したことを特徴としている。
〈作用〉 この発明によれば、4πMsを3600〜4900ガウ
スの範囲で任意に設定でき、従って、その使用する周波
数に最も適した4πMsの値を有する利料を選択できる
この発明によると、4πMsの値が他のマイクロ波・ミ
リ波用磁性体に比べて高い材料が得られるので、特に3
0GHz以上の超高周波帯で使用するのに好適である。
また、この発明によると、Tcが高いゆえに室温付近で
の47!:MSの温度変化率が小さく、更に、△1{お
よびtanδeが十分に小さい、マイクロ波・ミリ波特
性の良好な磁性体を得ることができる。
上述したこの発明の目的、特徴および利点について、以
下図面を参照して実施例により説明する。
〈実施例〉 先ず、原料として、高純度のLi2COa、Fe203
、ZnO . MnCOsおよびPbOを準備した。こ
れらの原料を第1表に示す組成が得られるように秤量し
、エチルアルコールを分散媒に用いてボールミルで16
時間湿式混合した。この混合物を乾燥した後、850℃
で2時間仮焼し、仮焼物を得た。この仮焼物をエチルア
ルコールおよび有機バインダと共に、ボールミルに入れ
、16時間湿式粉砕した。この粉砕物を乾燥した後、5
0メッシュの網を通して造粒し、得られた粉末を200
0kg/cm”の圧力で3 mmX 3 mmX 20
mmの角柱に成形した。この成形物を1050〜120
0℃で2時間焼成した後、機械加工により直径1.3m
mの球および直径1.3mm,長さ16mmの円柱のサ
ンプルを得た。
得られた球形サンプルについて、振動形磁力計を用いて
4πMsおよびTcを測定し、TE106空胴共振器中
で10GHzにおけるΔHを測定した。
また、円柱形サンプルについて、TMOIO空胴共振器
中で擺動法を用いて1 0GHzにおけるε、tanδ
eを測定した。それらの結果を第1表に示す。
尚、第1表中※印はこの発明の範囲外であり、それ以外
はすべてこの発明の範囲内のものである。
更に、第1表に示した実験例の結果を、LiXFeyZ
nz O。say+。62の組成比を表わす3成分組成
図中に示した。この図面中の番号は、各試料番号を表わ
す。尚、この図面において、発明の範囲内にある組成比
を示す領域は、頂点A,BおよびCを有する三角形で示
されている。
次に、この発明の組成範囲を限定した理由について説明
する。
試料番号1はZnをMnにより置換していない例であり
、この発明の範囲から除外される。
試料番号2、9、16、23、30および37のように
、PbOの添加量が0.01モル%以下のものは、△H
およびtanδeが大きくなり、実用に適さない。
また、試料番号8、15、22、29、36および43
のようにPbOの添加量が0.5モル%をを越えるもの
はtanδeが大きくなり好まし《ない。
試料番号44のように、Zが0.02以下のものは、Z
nによる4πMsの向上の効果がなく、この発明の範囲
から除外される。
試料番号45および46のように、Xが0.10以下の
ものは、ΔHが太き《、かつTcが低くなり、従って4
πMsの温度変化率が太き《なり好ましくない。
試料番号47、および48のように、yが0.77以下
のものは、ΔHおよびtanδeが大きくなり好ましく
ない。
これに対して、この発明の磁性体組成物では十分に小さ
いΔHと tanδeを有し、かつ高いTcを有してい
る。又、この発明の磁性体組成物は4πMsの値が他の
マイクロ波・ミリ波用磁性体に比べて大きいため、それ
らの磁性体よりも高い周波数帯で使用することが可能で
ある。
更に、LixFeyZnz O o. s+y+o5z
で表わされるZnをMnで置換することにより tan
δを小さ《し、かつx.yおよびZをこの発明の範囲内
で適宜変化させることによって、4πMsの値を360
0〜4900ガウスの間で自由に選択することができ、
従って、使用する周波数に最も適した4πMsの値を得
ることができるのである。
第 1 表
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明に係るマイクロ波・ミリ波用磁性体組成
物のL1xFeyZnz O o5+y+。5■の組成
比を表わす3成分組成図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  Li_xFe_yZn_zO_0_._5_+_y_
    +_0_._5_z(但し、x+y+z=1)で表わさ
    れる組成において、x、y、zがそれぞれ0.10≦x
    ≦0.21、0.77≦y≦0.88、0.02≦z≦
    0.13の範囲にあり、かつZnがMnにより0原子%
    を含まず、100原子%以下置換されたものを主成分と
    し、これにPbOの形で表わした酸化鉛を0.01モル
    %以上、0.5モル%以下添加含有してなるマイクロ波
    ・ミリ波用磁性体組成物。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007145658A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Tdk Corp Li系フェライト焼結体の製造方法及びLi系フェライト焼結体
CN109437879A (zh) * 2018-12-06 2019-03-08 西南应用磁学研究所 x波段至毫米波波段锁式移相器用尖晶石Li系铁氧体材料

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JP2007145658A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Tdk Corp Li系フェライト焼結体の製造方法及びLi系フェライト焼結体
JP4706837B2 (ja) * 2005-11-29 2011-06-22 Tdk株式会社 Li系フェライト焼結体の製造方法及びLi系フェライト焼結体
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