JPH02109207A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
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- JPH02109207A JPH02109207A JP26372688A JP26372688A JPH02109207A JP H02109207 A JPH02109207 A JP H02109207A JP 26372688 A JP26372688 A JP 26372688A JP 26372688 A JP26372688 A JP 26372688A JP H02109207 A JPH02109207 A JP H02109207A
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Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器の端末入力装置である透明タッチパ
ネルや、液晶、ＥＬなとの各種表示装置の透明電極に使
用するための透明導電膜の形成方法に関する。
ネルや、液晶、ＥＬなとの各種表示装置の透明電極に使
用するための透明導電膜の形成方法に関する。
従来の技術
従来、この種の透明導電膜の形成方法は二通りある。一
つは、印刷−焼成型の透明導電塗料を用いてスクリーン
印刷などの印刷、そして印刷膜の焼成を行ないパターン
状に透明導電膜を形成させる方法、もう一つは、蒸着、
スパッタリング、塗布−焼成などにより得られた透明導
電膜にフォトレジストを印刷し露光、硬化後、王水など
の強酸を用いたエツチングによってパターンニングした
透明導電膜を形成させる方法である。これらの方法によ
りパターンニングされた透明導電膜を形成することがで
きる。
つは、印刷−焼成型の透明導電塗料を用いてスクリーン
印刷などの印刷、そして印刷膜の焼成を行ないパターン
状に透明導電膜を形成させる方法、もう一つは、蒸着、
スパッタリング、塗布−焼成などにより得られた透明導
電膜にフォトレジストを印刷し露光、硬化後、王水など
の強酸を用いたエツチングによってパターンニングした
透明導電膜を形成させる方法である。これらの方法によ
りパターンニングされた透明導電膜を形成することがで
きる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の三方法には次のような問題が
あった。すなわち、印刷−焼成型透明導電塗料を用いて
直接パターンを印刷する方法では、液状のペーストを用
いるなめ印刷後のベース１−のレベリングやにじみなど
により、１００μｍ以下の微細なパターン形成が困難な
こと、透明導電膜をエツチングする方法では、エツチン
グ液として強酸類を使用するので作業安全面に注意を要
すること、また排液の処理などで多くの設備を必要とす
ることからコストアップになるといった問題があった。
あった。すなわち、印刷−焼成型透明導電塗料を用いて
直接パターンを印刷する方法では、液状のペーストを用
いるなめ印刷後のベース１−のレベリングやにじみなど
により、１００μｍ以下の微細なパターン形成が困難な
こと、透明導電膜をエツチングする方法では、エツチン
グ液として強酸類を使用するので作業安全面に注意を要
すること、また排液の処理などで多くの設備を必要とす
ることからコストアップになるといった問題があった。
本発明はこのような従来の問題を解決するものであり、
安全で低コスト、かつ微細なパターンを有する透明導電
膜の形成方法を提供することを目的とするものである。
安全で低コスト、かつ微細なパターンを有する透明導電
膜の形成方法を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
−Ｆ記の課題を解決するために本発明の透明導電膜の形
成方法は、インジウム化合物とスズ化合物と放射線硬化
樹脂と有機溶剤とからなる透明導電膜形成用塗布液をカ
ラス基板上に塗布して乾燥する工程と、前記ガラス基板
上に形成した透明導電膜形成用塗布液乾燥膜の上にフォ
トマスクを載置して放射線照射し現像して透明導電膜形
成用塗布液乾燥膜をパターンニングする］Ｌｆｕと、パ
ターンニングした透明導電膜形成用塗布液乾燥膜を焼成
して透明導電膜とする工程とからなるものである。
成方法は、インジウム化合物とスズ化合物と放射線硬化
樹脂と有機溶剤とからなる透明導電膜形成用塗布液をカ
ラス基板上に塗布して乾燥する工程と、前記ガラス基板
上に形成した透明導電膜形成用塗布液乾燥膜の上にフォ
トマスクを載置して放射線照射し現像して透明導電膜形
成用塗布液乾燥膜をパターンニングする］Ｌｆｕと、パ
ターンニングした透明導電膜形成用塗布液乾燥膜を焼成
して透明導電膜とする工程とからなるものである。
作用
上記の構成において、基板上に形成した透明導電膜形成
用塗布液乾燥膜はインジウム化合物とスズ化合物および
放射線硬化樹脂を含有しているので、所定のパターンを
有するフォトマスクを載置して放射線を照射することに
より、所定パターン部分における放射線硬化樹脂か砂化
し、現像して放射線未照射部分の透明導電膜形成用塗布
液乾燥膜を除去すれば、極めて微細かつ精緻にパターン
ニングした透明導電膜形成用塗布液乾燥膜を形成でき、
これを焼成することによりＪｌ ｍオーダの微細なパタ
ーンの透明導電膜を形成することができる。
用塗布液乾燥膜はインジウム化合物とスズ化合物および
放射線硬化樹脂を含有しているので、所定のパターンを
有するフォトマスクを載置して放射線を照射することに
より、所定パターン部分における放射線硬化樹脂か砂化
し、現像して放射線未照射部分の透明導電膜形成用塗布
液乾燥膜を除去すれば、極めて微細かつ精緻にパターン
ニングした透明導電膜形成用塗布液乾燥膜を形成でき、
これを焼成することによりＪｌ ｍオーダの微細なパタ
ーンの透明導電膜を形成することができる。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
透明導電膜形成用塗布液として、オクチル酸インジウム
９５重量部、オクチル酸スズ０．５重量部をキシレン４
０重量部に溶かした溶液と、放射線硬化１ｆｉｌ脂とし
てエステルアクリレートオリゴマーであるアロニックス
Ｍ８０３０Ｃ束亜合成化学Ｔ業■製）４．９重量部、放
射線（紫外線）重合開始剤とじてベンゾインイソプロピ
ルエーテル０１部をキシレン５重量部に溶かした溶液と
を混合しなものを作製する。この塗布液をガラス基板−
Ｌにスピンコード法によって均一に塗布し、溶剤を蒸発
させ乾燥して透明導電膜形成用塗布液乾燥膜を形成する
。
９５重量部、オクチル酸スズ０．５重量部をキシレン４
０重量部に溶かした溶液と、放射線硬化１ｆｉｌ脂とし
てエステルアクリレートオリゴマーであるアロニックス
Ｍ８０３０Ｃ束亜合成化学Ｔ業■製）４．９重量部、放
射線（紫外線）重合開始剤とじてベンゾインイソプロピ
ルエーテル０１部をキシレン５重量部に溶かした溶液と
を混合しなものを作製する。この塗布液をガラス基板−
Ｌにスピンコード法によって均一に塗布し、溶剤を蒸発
させ乾燥して透明導電膜形成用塗布液乾燥膜を形成する
。
次にフォトマスクを上に載置し、紫外線（８０ｍＷ”ｃ
ＩＡ）を照射した後、カラス基板をキシレンに浸漬して
現像する。現像し、て紫外線未照射部分の透明導電膜形
成用塗布液乾燥膜を溶解除去し、バターンニングされた
透明導電膜形成用塗布液乾燥膜を保持したカラス基板を
５００°Ｃ６０分間空気中で焼１戊することにより、透
明導電膜の微細パターンを保持したカラス基板を得るこ
とかできた。膜特性は、２０００人膜厚で１に９７口以
下のシート抵抗値を示し７た。
ＩＡ）を照射した後、カラス基板をキシレンに浸漬して
現像する。現像し、て紫外線未照射部分の透明導電膜形
成用塗布液乾燥膜を溶解除去し、バターンニングされた
透明導電膜形成用塗布液乾燥膜を保持したカラス基板を
５００°Ｃ６０分間空気中で焼１戊することにより、透
明導電膜の微細パターンを保持したカラス基板を得るこ
とかできた。膜特性は、２０００人膜厚で１に９７口以
下のシート抵抗値を示し７た。
なお本発明において、インジウム化合物としてオクチル
酸インジウムのほか、種々の有ｉｔインジウム、インジ
ウムアセチルアセトネートなどら同様に用いることがで
き、スズ化合物として、オクチル酸スズのほか、種々の
有機酸スズ、ススアセチルアセ１−ネートなども同様に
用いることかできる。また放射線硬化樹脂として、エス
テルアクリレートオリゴマーのほか、ウレタンアクリレ
ート、エポキシアクリレート、エポキシグレボリマーや
ゴム系やジアゾ系などのフオｌ−レジスＩ〜も同様に用
いることができ、この放射線硬化樹脂用の放射線（紫外
線）重合開始剤としては、ベンゾインイソプロピルエー
テルのほか、ベンゾフェノン、ベンジルなどのラジカル
発生剤、オニウム塩などのエポキシ系光重合開始剤も同
様に用いることができる。
酸インジウムのほか、種々の有ｉｔインジウム、インジ
ウムアセチルアセトネートなどら同様に用いることがで
き、スズ化合物として、オクチル酸スズのほか、種々の
有機酸スズ、ススアセチルアセ１−ネートなども同様に
用いることかできる。また放射線硬化樹脂として、エス
テルアクリレートオリゴマーのほか、ウレタンアクリレ
ート、エポキシアクリレート、エポキシグレボリマーや
ゴム系やジアゾ系などのフオｌ−レジスＩ〜も同様に用
いることができ、この放射線硬化樹脂用の放射線（紫外
線）重合開始剤としては、ベンゾインイソプロピルエー
テルのほか、ベンゾフェノン、ベンジルなどのラジカル
発生剤、オニウム塩などのエポキシ系光重合開始剤も同
様に用いることができる。
また本発明において用いる透明導電膜形成用塗布液は、
上記のインジウム化合物とスズ化合物と放射線硬化樹脂
と溶剤とからなるが、これはインジウム化合物とスズ化
合物と放射線硬化樹脂とを有機溶剤に溶解または分散さ
せるか、インジウム化合物とスズ化合物との有機溶剤溶
液に放射線硬化樹脂を溶解するか混練して調整すること
ができる。
上記のインジウム化合物とスズ化合物と放射線硬化樹脂
と溶剤とからなるが、これはインジウム化合物とスズ化
合物と放射線硬化樹脂とを有機溶剤に溶解または分散さ
せるか、インジウム化合物とスズ化合物との有機溶剤溶
液に放射線硬化樹脂を溶解するか混練して調整すること
ができる。
−Ｆ記の実施例を含めて（Ｎｏ、１） 、上記の各イン
ジウム化合物、スズ化合物、放射線硬化樹脂および放射
線（紫外線）重合開始剤を組合わせた透明導電膜形成用
塗布液の組成とその焼成物のシート抵抗値とファインパ
ターン性を示した。なお放射線（紫外線）照射は８（１
＋ｒｉｔ・■、−のランプを用い、現像液はＮｏ、
３．４． ５．７．１０．１１ではＯＭ Ｒ８３の専用
現１ｔ、Ｒを用い、そのほかではキシレンを用いた。ま
た焼成は５００℃、６０分の条件で行なった。いずれも
すぐれたシート抵抗値とファインパターン性を示しな。
ジウム化合物、スズ化合物、放射線硬化樹脂および放射
線（紫外線）重合開始剤を組合わせた透明導電膜形成用
塗布液の組成とその焼成物のシート抵抗値とファインパ
ターン性を示した。なお放射線（紫外線）照射は８（１
＋ｒｉｔ・■、−のランプを用い、現像液はＮｏ、
３．４． ５．７．１０．１１ではＯＭ Ｒ８３の専用
現１ｔ、Ｒを用い、そのほかではキシレンを用いた。ま
た焼成は５００℃、６０分の条件で行なった。いずれも
すぐれたシート抵抗値とファインパターン性を示しな。
く以１・゛余白〉
発明の効果
以」二のように本発明の透明導電膜の形成方法において
は、インジウム化合物とスズ化合物と放射線硬化樹脂と
の有機溶剤溶液からなる透明導電膜形成用塗布液を、ガ
ラス基板上に塗布し乾燥して透明導電膜形成用塗布液乾
燥膜を形成し、これにフォＩ〜マスクを載置し放射線を
照射して現像することにより、放射線硬化樹脂を硬化し
て不溶化し、かつ放射線未照射部分の透明導電膜形成用
塗布液乾燥膜を溶解除去して、極めて微細かつ精緻にバ
ターンニンクした透明導電膜形成用塗布液乾燥膜を形成
でき、これを焼成することにより従来の直接パターンを
印刷する方法などに比べてはるかに微細なμｍオーダー
のパターンの透明導電膜を形成でき、しかも従来の透明
導電膜をエツチングする方法などに比べて工程数が少な
く、強酸なども用いる必要がなく、作業安全や排液処理
などの点でも極めてすぐれており、コスト低減を実現で
きるなどの格別の効果を奏する。
は、インジウム化合物とスズ化合物と放射線硬化樹脂と
の有機溶剤溶液からなる透明導電膜形成用塗布液を、ガ
ラス基板上に塗布し乾燥して透明導電膜形成用塗布液乾
燥膜を形成し、これにフォＩ〜マスクを載置し放射線を
照射して現像することにより、放射線硬化樹脂を硬化し
て不溶化し、かつ放射線未照射部分の透明導電膜形成用
塗布液乾燥膜を溶解除去して、極めて微細かつ精緻にバ
ターンニンクした透明導電膜形成用塗布液乾燥膜を形成
でき、これを焼成することにより従来の直接パターンを
印刷する方法などに比べてはるかに微細なμｍオーダー
のパターンの透明導電膜を形成でき、しかも従来の透明
導電膜をエツチングする方法などに比べて工程数が少な
く、強酸なども用いる必要がなく、作業安全や排液処理
などの点でも極めてすぐれており、コスト低減を実現で
きるなどの格別の効果を奏する。
代理人 森 本 義 弘
Claims (1)
- １、インジウム化合物とスズ化合物と放射線硬化樹脂と
有機溶剤とからなる透明導電膜形成用塗布液をガラス基
板上に塗布して乾燥する工程と、前記ガラス基板上に形
成した透明導電膜形成用塗布液乾燥膜の上にフォトマス
クを載置して放射線照射し現像して透明導電膜形成用塗
布液乾燥膜をパターンニングする工程と、パターンニン
グした透明導電膜形成用塗布液乾燥膜を焼成して透明導
電膜とする工程とからなる透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26372688A JPH02109207A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26372688A JPH02109207A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02109207A true JPH02109207A (ja) | 1990-04-20 |
Family
ID=17393452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26372688A Pending JPH02109207A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02109207A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012008204A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | セイコーインスツル株式会社 | 導電膜パターンの形成方法 |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP26372688A patent/JPH02109207A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012008204A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | セイコーインスツル株式会社 | 導電膜パターンの形成方法 |
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