JPH02108999A - 中性子吸収ペレットの製造方法 - Google Patents
中性子吸収ペレットの製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C21/00—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of reactors or parts thereof
- G21C21/02—Manufacture of fuel elements or breeder elements contained in non-active casings
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C21/00—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of reactors or parts thereof
- G21C21/18—Manufacture of control elements covered by group G21C7/00
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C7/00—Control of nuclear reaction
- G21C7/06—Control of nuclear reaction by application of neutron-absorbing material, i.e. material with absorption cross-section very much in excess of reflection cross-section
- G21C7/24—Selection of substances for use as neutron-absorbing material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、中性子吸収ペレットの製造方法と、この方法
で製造したペレットと、例えばBWHのような水型原子
炉(r6acteurs nucll!aires A
eau)の制御棒における該ペレットの使用とに係わ
る。
で製造したペレットと、例えばBWHのような水型原子
炉(r6acteurs nucll!aires A
eau)の制御棒における該ペレットの使用とに係わ
る。
日本国特許出願JP−^−60046486には、ハフ
ニウム(Hff)からなる金属製吸収材と炭化ホウ素(
B4C)からなる吸収材とを含む十字形制御棒が開示さ
れている。これらの吸収材は、制御棒全体を通して同一
の減損時間(dure!e d’!!puisemen
t)が得られるように配置され、そのため高価で重いH
「及びEuが少なくてすむ。
ニウム(Hff)からなる金属製吸収材と炭化ホウ素(
B4C)からなる吸収材とを含む十字形制御棒が開示さ
れている。これらの吸収材は、制御棒全体を通して同一
の減損時間(dure!e d’!!puisemen
t)が得られるように配置され、そのため高価で重いH
「及びEuが少なくてすむ。
また、日本国特許出願JP−^−8460286には、
セラミック(B4C,HrO□、Eu20i)の粉末と
金属(Hff、Eu、Ni、 Cu)との混合物を鋳造
又は焼結することによって形成した中性子吸収材が開示
されている。これは、原子炉で核毒物として使用される
ものである。
セラミック(B4C,HrO□、Eu20i)の粉末と
金属(Hff、Eu、Ni、 Cu)との混合物を鋳造
又は焼結することによって形成した中性子吸収材が開示
されている。これは、原子炉で核毒物として使用される
ものである。
吸収すべき中性子束及びこれら中性子のエネルギーは制
御棒内の吸収材の位置によって変化する。
御棒内の吸収材の位置によって変化する。
前出の特許明細書では、吸収材の寿命と制御棒の吸収能
力とを変える方法が追及されている。
力とを変える方法が追及されている。
本出願人は、より簡単に調節でき且つより経済的に製造
できる吸収手段を研究した0本出願人はまた、中性子の
状況に更に正確に適合できるように、同一の中性子吸収
材の全体を通して吸収能力を変化させる方法も探求した
。
できる吸収手段を研究した0本出願人はまた、中性子の
状況に更に正確に適合できるように、同一の中性子吸収
材の全体を通して吸収能力を変化させる方法も探求した
。
l吐Δ11
本発明は第1に、例えばBIIIRの十字形M御棒のよ
うな原子炉の制御装置で使用するための中性子吸収ペレ
ットの製造方法に係わる。この方法は下記のステップを
含むことを特徴とする:a ) Hfの電解結晶又はチ
ップと任意的な炭化ホウ素粉末とを、総質量(Hff
B4C) = 40〜100質量%、その比Hf/(H
f+B4C) = 0.20〜1で含み、更に400℃
以上で溶融する別の金属元素も任意に含む圧縮成形可能
な物質を生成し、 b)これらの物質を混合し、金型中で1回以上の充填及
び圧縮操作ふ圧縮成形し、固体状態(ピロtaL ma
ssif)での平均密度の80%以上、通常は85〜9
5%に相当する見掛は密度を有するペレットを形成し、 C)このペレットを任意に焼結処理し、d)このペレッ
トを型から収り出し、 e)金属製シースもしくは制御棒の盲穴内への滑り込み
を容易にするためにペレットの直径を±0.021Mm
もしくはそれ以下の公差に調整すべく、ペレットを任急
に研削する。この研削を行わない場合には、直径の公差
が通常±0.03mmになる。
うな原子炉の制御装置で使用するための中性子吸収ペレ
ットの製造方法に係わる。この方法は下記のステップを
含むことを特徴とする:a ) Hfの電解結晶又はチ
ップと任意的な炭化ホウ素粉末とを、総質量(Hff
B4C) = 40〜100質量%、その比Hf/(H
f+B4C) = 0.20〜1で含み、更に400℃
以上で溶融する別の金属元素も任意に含む圧縮成形可能
な物質を生成し、 b)これらの物質を混合し、金型中で1回以上の充填及
び圧縮操作ふ圧縮成形し、固体状態(ピロtaL ma
ssif)での平均密度の80%以上、通常は85〜9
5%に相当する見掛は密度を有するペレットを形成し、 C)このペレットを任意に焼結処理し、d)このペレッ
トを型から収り出し、 e)金属製シースもしくは制御棒の盲穴内への滑り込み
を容易にするためにペレットの直径を±0.021Mm
もしくはそれ以下の公差に調整すべく、ペレットを任急
に研削する。この研削を行わない場合には、直径の公差
が通常±0.03mmになる。
本発明のペレットはこのように、I(f及び任意のBを
要求に応じて選択した含量で含み、通常は原子炉制御装
置内で、実験及び/又は中性子吸収効率の計算値に基づ
いて選択したペレットの組成Hf/B4Cにより最適の
減損速度(vitesse d’6puisemen
t )が得られるような位置に配置される。
要求に応じて選択した含量で含み、通常は原子炉制御装
置内で、実験及び/又は中性子吸収効率の計算値に基づ
いて選択したペレットの組成Hf/B4Cにより最適の
減損速度(vitesse d’6puisemen
t )が得られるような位置に配置される。
本発明で使用する圧縮成形可能なIlf生成物は、少な
くと620質量%の電解結晶を含むのが好ましい0本発
明ではこの結晶を新規且つ驚くべき方法で使用する。こ
れらの結晶は極めて有利な性質を有するため、より好ま
しくはH「の総質量の0.5〜1倍、更に好ましくは0
.8〜1倍の量、特にHf全体を占めるような量で使用
する。
くと620質量%の電解結晶を含むのが好ましい0本発
明ではこの結晶を新規且つ驚くべき方法で使用する。こ
れらの結晶は極めて有利な性質を有するため、より好ま
しくはH「の総質量の0.5〜1倍、更に好ましくは0
.8〜1倍の量、特にHf全体を占めるような量で使用
する。
実際、本出願人は、Hf電解結晶が圧縮成形に特に適し
ており、例えばKrollスポンジから得た微粉砕Hf
に通常見られる発火性を示さないことを発見した。
ており、例えばKrollスポンジから得た微粉砕Hf
に通常見られる発火性を示さないことを発見した。
これらの結晶は一般的に2〜6g/cIa″の見掛は密
度を有し、個々の大きさが0.1+nm〜3もしくは4
mmであり、電解条件に応じて塊状又は針状の様相を示
す。これらの結晶はしばしば集合体にまとまることがあ
る。これらの集合体は、複数の結晶軸に沿って樹枝状又
は針状結晶が同時に成長した時に生じ、通常は3IIH
fl〜2cmの大きさを有する。最大の集合体は、前記
使用のためには除去するが、又は例えば粉砕によって細
かくし、通常は製造すべき圧縮成形製品の直径又は厚み
の0.5〜0.3倍以下の大きさに戻す。
度を有し、個々の大きさが0.1+nm〜3もしくは4
mmであり、電解条件に応じて塊状又は針状の様相を示
す。これらの結晶はしばしば集合体にまとまることがあ
る。これらの集合体は、複数の結晶軸に沿って樹枝状又
は針状結晶が同時に成長した時に生じ、通常は3IIH
fl〜2cmの大きさを有する。最大の集合体は、前記
使用のためには除去するが、又は例えば粉砕によって細
かくし、通常は製造すべき圧縮成形製品の直径又は厚み
の0.5〜0.3倍以下の大きさに戻す。
電解は通常溶融塩化物洛中で行い、この処理によって得
られたHf電解結晶は洗浄し、乾燥するのが普通である
。これらの結晶のH及び01含量はこの段階では通常夫
々40ppm以下及び50ppm以下であるが、電解条
件を注意深く調整し、また任意に乾燥を室温より効果的
な条件、例えば1.3Pa以下の真空下又は不活性ガス
下150〜300℃の温度で行えば、25〜30ppm
以下に減らすことができる。
られたHf電解結晶は洗浄し、乾燥するのが普通である
。これらの結晶のH及び01含量はこの段階では通常夫
々40ppm以下及び50ppm以下であるが、電解条
件を注意深く調整し、また任意に乾燥を室温より効果的
な条件、例えば1.3Pa以下の真空下又は不活性ガス
下150〜300℃の温度で行えば、25〜30ppm
以下に減らすことができる。
H及びC1の含量は、電解結晶を前述のごとく150〜
300℃で処理するのではな(,1mPa以下の真空下
1000〜1250℃で8〜48時間、通常は1050
〜1150℃で16〜32時間処理すれば、更に減らす
ことができる。その結果、H及びC1の残量は夫々20
ppts以下及び10ppm以下になる。
300℃で処理するのではな(,1mPa以下の真空下
1000〜1250℃で8〜48時間、通常は1050
〜1150℃で16〜32時間処理すれば、更に減らす
ことができる。その結果、H及びC1の残量は夫々20
ppts以下及び10ppm以下になる。
Hf電解結晶を直接使用することは、工業的にも経済的
にも有利なことである。この結晶は廉価且つ高純度のH
fであり、圧縮成形に極めて適している。この適性は、
これらの結晶の密度(2〜6g/c+u’)がHf塊の
密度(13,29g/am’ )より大幅に小さいこと
から明らかなように、これらの結晶が大きな空隙率を有
することに関連していると考えられる。
にも有利なことである。この結晶は廉価且つ高純度のH
fであり、圧縮成形に極めて適している。この適性は、
これらの結晶の密度(2〜6g/c+u’)がHf塊の
密度(13,29g/am’ )より大幅に小さいこと
から明らかなように、これらの結晶が大きな空隙率を有
することに関連していると考えられる。
本発明は、電解結晶形態のハフニウムを含むペレットの
製造だけではな(、Hff及びB4Cの両方を選択した
割合で含むペレットの製造にも係わる。
製造だけではな(、Hff及びB4Cの両方を選択した
割合で含むペレットの製造にも係わる。
コノ場合、Hf/(Hff B4C)ノ比ハ0.20〜
0.80ニスルのが好ましい。圧縮成形製品の中性子吸
収能力及び機械的強度は、特に焼結処理を行わない場合
には、圧縮成形すべき混合物に400℃以上で溶融する
下記のような別の金属元素を下記の用量(全体に対する
質量%)で導入することによっても調整することができ
る: Zr及び/又はZr合金 :0〜60%
Ti及び/又はTi合金 :0〜60%
Zr含量<55%のHf−Zr合金 :0〜6
0%Ti含量<55%のHf−Ti合金 :0
〜60%400℃以上で溶融する中性子吸収金属元素:
<0.2% 400℃以上で溶融する別の金属元素:く3%。
0.80ニスルのが好ましい。圧縮成形製品の中性子吸
収能力及び機械的強度は、特に焼結処理を行わない場合
には、圧縮成形すべき混合物に400℃以上で溶融する
下記のような別の金属元素を下記の用量(全体に対する
質量%)で導入することによっても調整することができ
る: Zr及び/又はZr合金 :0〜60%
Ti及び/又はTi合金 :0〜60%
Zr含量<55%のHf−Zr合金 :0〜6
0%Ti含量<55%のHf−Ti合金 :0
〜60%400℃以上で溶融する中性子吸収金属元素:
<0.2% 400℃以上で溶融する別の金属元素:く3%。
これらの金属物質は、調製した出発混合物中で圧縮成形
し得るものでなければならず、本質的に電解結晶及び/
又はチップ及び/又はスポンジの形態を有する。「チッ
プ」という用語は旋削、フライス削り、穿孔のような処
理によって生じる金属片並びに、場合によっては、通常
1cm3以下の単位体積の小さい切屑部分を意味し、「
スポンジ」はHf、2「及びTiの場合にはMgによる
還元又はKroll還元によって得られる物質を意味す
る。これらの物質は、Hf電解結晶以外に、H及びCl
含量が夫々40ppT6以下、50ppm以下のZr及
び/又はTi電解結晶も含み得る。これらの電解結晶も
、Hf電解結晶と同様の精製用熱処理にかけることがで
きる。
し得るものでなければならず、本質的に電解結晶及び/
又はチップ及び/又はスポンジの形態を有する。「チッ
プ」という用語は旋削、フライス削り、穿孔のような処
理によって生じる金属片並びに、場合によっては、通常
1cm3以下の単位体積の小さい切屑部分を意味し、「
スポンジ」はHf、2「及びTiの場合にはMgによる
還元又はKroll還元によって得られる物質を意味す
る。これらの物質は、Hf電解結晶以外に、H及びCl
含量が夫々40ppT6以下、50ppm以下のZr及
び/又はTi電解結晶も含み得る。これらの電解結晶も
、Hf電解結晶と同様の精製用熱処理にかけることがで
きる。
ペレットは通常、前述のごとき充填及び圧縮処理を何回
か連続的に繰り返すことによって形成する。その場合は
焼結処理を行うのが望ましい。この焼結は通常は、研磨
砥石による研磨のような研削処理を行う前に、圧力下、
還元雰囲気中、通常1970〜2030℃の温度で行う
。
か連続的に繰り返すことによって形成する。その場合は
焼結処理を行うのが望ましい。この焼結は通常は、研磨
砥石による研磨のような研削処理を行う前に、圧力下、
還元雰囲気中、通常1970〜2030℃の温度で行う
。
本発明は、このようにして製造したペレットにも係わる
。これらのペレットは通常下記の組成(質量%)を有す
る: 11f
:20〜100%(Hf総質量の少なくとも20%は電
解結晶である)a、c
:0〜80%11f +〇4C:40〜100
% Zr十Ti
:0−60%400℃以上
で溶融する別の金属元素:〈6%。
。これらのペレットは通常下記の組成(質量%)を有す
る: 11f
:20〜100%(Hf総質量の少なくとも20%は電
解結晶である)a、c
:0〜80%11f +〇4C:40〜100
% Zr十Ti
:0−60%400℃以上
で溶融する別の金属元素:〈6%。
これらのペレットは、高温熱処理にかけなかった場合に
容易に検出できる特性を有する。これらのペレット中で
Hf電解結晶が検出され得るからである。通常は、Hf
fの質量の少なくとも半分をHf電解結晶にする。
容易に検出できる特性を有する。これらのペレット中で
Hf電解結晶が検出され得るからである。通常は、Hf
fの質量の少なくとも半分をHf電解結晶にする。
これらのペレットはしばしば、Hf及び炭化ホウ素の両
方を、Hf/(Hf+B4C)=0.20〜o、8oテ
且ツig質量の全部又は少なくとも40%を占めるよう
に含む。
方を、Hf/(Hf+B4C)=0.20〜o、8oテ
且ツig質量の全部又は少なくとも40%を占めるよう
に含む。
本発明は更に、Hf及び任意的なりの含量を連続的に調
整し得る本発明の方法で製造したペレットの、木型原子
炉の制御棒における種々の形態の使用にも係わる。即ち
、これらのペレットは、制御棒の収容部、例えば充填後
に閉鎖される盲孔の中に直接導入して使用するか、又は
制御棒に固定されることになるシース(鞘)で被覆され
た中性子吸収剤の形態で使用することができる。
整し得る本発明の方法で製造したペレットの、木型原子
炉の制御棒における種々の形態の使用にも係わる。即ち
、これらのペレットは、制御棒の収容部、例えば充填後
に閉鎖される盲孔の中に直接導入して使用するか、又は
制御棒に固定されることになるシース(鞘)で被覆され
た中性子吸収剤の形態で使用することができる。
前者の場合は、ペレットのHff及びB4C含量がペレ
ットの個々の位置に応じて異なるようにする。
ットの個々の位置に応じて異なるようにする。
後者の場合は、例えば一端が閉鎖された金属管の中にペ
レットを導入し、この管を密封する。この場合は、吸収
材全体を通してペレットのIII及び任意的B4Cの含
量が同じになるようにするかくこれらの含量は制御棒内
での吸収材の位置に依存し得る)、あるいは個々のペレ
ットのIlf及び任意的[1,Cの含量が吸収材中での
ペレットの位置によって異なるようにする。
レットを導入し、この管を密封する。この場合は、吸収
材全体を通してペレットのIII及び任意的B4Cの含
量が同じになるようにするかくこれらの含量は制御棒内
での吸収材の位置に依存し得る)、あるいは個々のペレ
ットのIlf及び任意的[1,Cの含量が吸収材中での
ペレットの位置によって異なるようにする。
及1と捗濾−
本発明は経済的観点から重要な利点を多く有する。
電解結晶形態の純粋なHffを使用するため、複雑でコ
ストのかかる変換処理が不要である;金属及び合金の源
又は形態に関して柔軟性がある; 凸形又は部分的凹形の非円形輪郭をもつ断面を有する圧
縮ペレットを製造することができる・ Hf及びB 4C含量の調整が容易であり、これらの含
量をシースで被覆された吸収材中で変化させるか又は直
接制御ロッド内で変化させることができる; 製造方法が簡単である。
ストのかかる変換処理が不要である;金属及び合金の源
又は形態に関して柔軟性がある; 凸形又は部分的凹形の非円形輪郭をもつ断面を有する圧
縮ペレットを製造することができる・ Hf及びB 4C含量の調整が容易であり、これらの含
量をシースで被覆された吸収材中で変化させるか又は直
接制御ロッド内で変化させることができる; 製造方法が簡単である。
支l良し
同量のHr電解チップと平均粒度16μIの炭化ホウ素
粉末との混合物を調製する。部分的充填及び圧縮操作を
3回行って、直径5.95a++n、高さ100 +n
mの円筒形圧縮体を5つ製造する。得られる見掛は密
度は0.88〜0.91である。次いでこれらの圧縮体
をセンタレスマシーンで研削処理して、望ましい研削面
を得る。
粉末との混合物を調製する。部分的充填及び圧縮操作を
3回行って、直径5.95a++n、高さ100 +n
mの円筒形圧縮体を5つ製造する。得られる見掛は密
度は0.88〜0.91である。次いでこれらの圧縮体
をセンタレスマシーンで研削処理して、望ましい研削面
を得る。
夾111z
直径5.95mm、高さ15in+の4つのペレットか
らなるバッチを、Hf及び84C含量を下記のように変
えて5組製造する: 金」ΔliK上 Hff 84C バッチNo、1 −70 30バッ
チNo、2 .60 40バッチN
o、3 50 50バッチNo’、
4 40 60バッチNo、5
30 70直径6 、1mmの圧縮ペ
レットを、研削によって直径5.95±0.01mmに
する。5組のバッチから1つずつ選択した5つのペレッ
トを内径6.0mn+、厚さ0.8m+n、長さ110
0IIIIのステンレス鋼管内に導入し、一端に高さ1
2.5mmのプラグを溶接して密封する。Hf含量が漸
減するような順序で前記管内に5つのペレットを導入し
たら、管内部を真空にして第2のプラグを配置し、管の
端部を横断する方向の側方溶接により溶接する。
らなるバッチを、Hf及び84C含量を下記のように変
えて5組製造する: 金」ΔliK上 Hff 84C バッチNo、1 −70 30バッ
チNo、2 .60 40バッチN
o、3 50 50バッチNo’、
4 40 60バッチNo、5
30 70直径6 、1mmの圧縮ペ
レットを、研削によって直径5.95±0.01mmに
する。5組のバッチから1つずつ選択した5つのペレッ
トを内径6.0mn+、厚さ0.8m+n、長さ110
0IIIIのステンレス鋼管内に導入し、一端に高さ1
2.5mmのプラグを溶接して密封する。Hf含量が漸
減するような順序で前記管内に5つのペレットを導入し
たら、管内部を真空にして第2のプラグを配置し、管の
端部を横断する方向の側方溶接により溶接する。
この充填及び密封操作を2回繰り返す。操作は容易に実
施できる。尚、ペレットは管(シース)に入れずに、H
r及びB4C含量が漸減するような順序で制御棒の収容
部内に直接導入してもよい。
施できる。尚、ペレットは管(シース)に入れずに、H
r及びB4C含量が漸減するような順序で制御棒の収容
部内に直接導入してもよい。
Claims (16)
- (1)原子炉の制御装置で使用するための中性子吸収ペ
レットの製造方法であって、 a)Hfの電解結晶又はチップと任意的な炭化ホウ素粉
末とを、総質量(Hf+B_4C)=40〜100質量
%、その比Hr/(Hf+B_4C)=0.20〜1で
含み、更に400℃以上で溶融する別の金属元素も任意
に含む圧縮成形可能な物質を生成し、 b)これらの物質を混合し、金型中で1回以上の充填及
び圧縮操作により圧縮成形し、固体状態での平均密度の
80%以上に相当する見掛け密度を有するペレットを形
成し、 c)このペレットを任意に焼結処理し、 d)このペレットを型から取り出し、 e)このペレットを任意に研削する ステップを含むことを特徴とする製造方法。 - (2)圧縮成形可能な物質のHf総質量の少なくとも2
0%が電解結晶である請求項1に記載の方法。 - (3)Hf電解結晶の質量がHfの総質量の0.5〜1
倍である請求項2に記載の方法。 - (4)ハフニウムが総て電解結晶形態を有する請求項1
に記載の方法。 - (5)使用する電解結晶のH及びClの平均含量が夫々
25ppm以下及び30ppm以下である請求項1から
4のいずれか一項に記載の方法。 - (6)使用する電解結晶を、真空下又は不活性ガス中、
150〜300℃で予め処理しておく請求項5に記載の
方法。 - (7)使用する電解結晶を予め1000〜1250℃で
8時間〜48時間、好ましくは1050〜1150℃で
16時間〜32時間処理し、これらの結晶のH及びCl
の平均含量を夫々20ppm以下及び10ppm以下と
したものを用いる請求項5に記載の方法。 - (8)Hf/(Hf+B_4C)の比が0.20〜0.
80である請求項1から3のいずれか一項に記載の方法
。 - (9)圧縮成形可能な物質がHf以外の金属物質を60
%まで含み、これらの金属物質が(全体に対する質量%
で)、 Zr及び/又はZr合金:0〜60%、 Ti及び/又はTi合金:0〜60%、 Zr含量<55%のHf−Zr合金:0〜60%、Ti
含量<55%のHf−Ti合金:0〜60%、400℃
以上で溶融する中性子吸収金属元素:<0.2%、 400℃以上で溶融する別の金属元素:<3%を含む請
求項1から8のいずれか一項に記載の方法。 - (10)ペレットを、Hf及びB_4Cの含量が個々の
ペレットの位置によって異なるように制御棒の収容部内
に配置することからなる、請求項1から9のいずれか一
項に記載の方法で製造したペレットの使用。 - (11)ペレットを金属製シース内に導入し、このシー
スを密封して、シースで被覆された中性子吸収材を形成
することからなる、請求項1から9のいずれか一項に記
載の方法で製造したペレットの使用。 - (12)制御棒内の吸収材の位置に応じて選択されるH
f及び任意的なB_4Cの含量が夫々のペレットに関し
て同じである請求項11に記載の使用。 - (13)Hf及び任意的なB_4Cの含量が吸収材中の
ペレットの位置によって個々に異なる請求項11に記載
の使用。 - (14)Hf総質量の少なくとも20%が電解結晶であ
るHfを20〜100%、 B_4Cを0〜80質量%、但し(Hf+B_4C)=
40〜100質量%、 Zr+Tiを0〜60質量%、 400℃以上で溶融する別の金属元素を6質量%より少
ない量含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の方
法で製造されるペレット。 - (15)Hfの少なくとも半分が電解結晶の形態を有す
る請求項14に記載のペレット。 - (16)Hf/(Hf+B_4C)=0.20〜0.8
0である請求項14又は15に記載のペレット。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8812550 | 1988-09-15 | ||
FR8812550A FR2636466B1 (fr) | 1988-09-15 | 1988-09-15 | Procede de fabrication d'une pastille absorbeuse de neutrons, pastille obtenue et utilisation |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02108999A true JPH02108999A (ja) | 1990-04-20 |
JPH06103352B2 JPH06103352B2 (ja) | 1994-12-14 |
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---|---|---|---|
JP1239752A Expired - Lifetime JPH06103352B2 (ja) | 1988-09-15 | 1989-09-14 | 中性子吸収ペレットの製造方法 |
Country Status (6)
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---|---|
EP (1) | EP0359683B1 (ja) |
JP (1) | JPH06103352B2 (ja) |
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DE (1) | DE68908308T2 (ja) |
ES (1) | ES2043076T3 (ja) |
FR (1) | FR2636466B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013167586A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Hitachi Chemical Co Ltd | 中性子吸収材およびその製造方法ならびに溶融燃料の処理方法 |
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---|---|---|---|---|
FR2705823B1 (fr) * | 1993-05-26 | 1995-06-30 | Commissariat Energie Atomique | Matériau absorbant les neutrons et son procédé de fabrication. |
FR2790587B1 (fr) * | 1999-03-03 | 2004-02-13 | Commissariat Energie Atomique | Materiau absorbant neutronique a base de carbure de bore et de hafnium et procede de fabrication de ce materiau |
EP3562058B1 (en) | 2004-03-15 | 2022-04-27 | Apple Inc. | Pilot design for ofdm systems with four transmit antennas |
EP3528575B1 (en) | 2004-06-22 | 2020-12-16 | Apple Inc. | Enabling feedback in wireless communication networks |
US8014377B2 (en) | 2004-06-24 | 2011-09-06 | Nortel Networks Limited | Efficient location updates, paging and short bursts |
EP2427011B1 (en) | 2004-10-15 | 2014-08-27 | Apple Inc. | Communication Resource Allocation Methods |
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JPS5950150A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Toshiba Corp | 中性子吸収材 |
JPS5960286A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-06 | 株式会社東芝 | 中性子吸収材 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1222596B (de) * | 1962-08-23 | 1966-08-11 | Max Planck Inst Metallforsch | Absorbermaterialien fuer Kernreaktoren |
US3505064A (en) * | 1965-10-21 | 1970-04-07 | Atomic Energy Commission | Hafnium alloy |
FR1574399A (ja) * | 1967-07-12 | 1969-07-11 |
-
1988
- 1988-09-15 FR FR8812550A patent/FR2636466B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-09-12 KR KR1019890013387A patent/KR900005485A/ko not_active Application Discontinuation
- 1989-09-12 ES ES89420341T patent/ES2043076T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-12 EP EP89420341A patent/EP0359683B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-12 DE DE89420341T patent/DE68908308T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-14 JP JP1239752A patent/JPH06103352B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06103352B2 (ja) | 1994-12-14 |
ES2043076T3 (es) | 1993-12-16 |
EP0359683B1 (fr) | 1993-08-11 |
DE68908308T2 (de) | 1994-02-24 |
EP0359683A1 (fr) | 1990-03-21 |
FR2636466B1 (fr) | 1992-01-17 |
DE68908308D1 (de) | 1993-09-16 |
KR900005485A (ko) | 1990-04-14 |
FR2636466A1 (fr) | 1990-03-16 |
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