JPH06103352B2 - 中性子吸収ペレットの製造方法 - Google Patents
中性子吸収ペレットの製造方法Info
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- JPH06103352B2 JPH06103352B2 JP1239752A JP23975289A JPH06103352B2 JP H06103352 B2 JPH06103352 B2 JP H06103352B2 JP 1239752 A JP1239752 A JP 1239752A JP 23975289 A JP23975289 A JP 23975289A JP H06103352 B2 JPH06103352 B2 JP H06103352B2
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- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C21/00—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of reactors or parts thereof
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- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C21/00—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of reactors or parts thereof
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- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C7/00—Control of nuclear reaction
- G21C7/06—Control of nuclear reaction by application of neutron-absorbing material, i.e. material with absorption cross-section very much in excess of reflection cross-section
- G21C7/24—Selection of substances for use as neutron-absorbing material
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
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- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、中性子吸収ペレットの製造方法と、この方法
で製造したペレットと、例えばBWRのような水型原子炉
（ｒacteurs nuclaires eau）の制御棒における
該ペレットの使用とに係わる。
で製造したペレットと、例えばBWRのような水型原子炉
（ｒacteurs nuclaires eau）の制御棒における
該ペレットの使用とに係わる。
日本国特許出願JP−Ａ−60046486には、ハフニウム（H
f）からなる金属製吸収材と炭化ホウ素（B4C）からなる
吸収材とを含む十字形制御棒が開示されている。これら
の吸収材は、制御棒全体を通して同一の減損時間（dur
e puisement）が得られるように配置され、そのた
め高価で思いHf及びEuが少なくてすむ。
f）からなる金属製吸収材と炭化ホウ素（B4C）からなる
吸収材とを含む十字形制御棒が開示されている。これら
の吸収材は、制御棒全体を通して同一の減損時間（dur
e puisement）が得られるように配置され、そのた
め高価で思いHf及びEuが少なくてすむ。
また、日本国特許出願JP−Ａ−8460286には、セラミッ
ク（B4C、HfO2、Eu2O3）の粉末と金属（Hf、Eu、Ni、C
u）との混合物を鋳造又は焼結することによって形成し
た中性子吸収材が開示されている。これは、原子炉で核
毒物として使用されるものである。
ク（B4C、HfO2、Eu2O3）の粉末と金属（Hf、Eu、Ni、C
u）との混合物を鋳造又は焼結することによって形成し
た中性子吸収材が開示されている。これは、原子炉で核
毒物として使用されるものである。
吸収すべき中性子束及びこれら中性子のエネルギーは制
御棒内の吸収材の位置によって変化する。前出の特許明
細書では、吸収材の寿命と制御棒の吸収能力とを変える
方法が追及されている。
御棒内の吸収材の位置によって変化する。前出の特許明
細書では、吸収材の寿命と制御棒の吸収能力とを変える
方法が追及されている。
本出願人は、より簡単に調節でき且つより経済的に製造
できる吸収手段を研究した。本出願人はまた、中性子の
状況に更に正確に適合できるように、同一の中性子吸収
材の全体を通して吸収能力を変化させる方法も探求し
た。
できる吸収手段を研究した。本出願人はまた、中性子の
状況に更に正確に適合できるように、同一の中性子吸収
材の全体を通して吸収能力を変化させる方法も探求し
た。
発明の概要 本発明は第１に、例えばBWRの十字形制御棒のような原
子炉の制御装置で使用するための中性子吸収ペレットの
製造方法に係わる。この方法は下記のステップを含むこ
とを特徴とする： ａ）Hfの電解結晶又はチップと任意的な炭化ホウ素粉末
とを、総質量（Hf＋B4C）＝40〜100質量％、その比Hf/
（Hf＋B4Ｃ）＝0.20〜１で含み、更に400℃以上で溶融
する別の金属元素も任意に含む圧縮成形可能な物質を生
成し。
子炉の制御装置で使用するための中性子吸収ペレットの
製造方法に係わる。この方法は下記のステップを含むこ
とを特徴とする： ａ）Hfの電解結晶又はチップと任意的な炭化ホウ素粉末
とを、総質量（Hf＋B4C）＝40〜100質量％、その比Hf/
（Hf＋B4Ｃ）＝0.20〜１で含み、更に400℃以上で溶融
する別の金属元素も任意に含む圧縮成形可能な物質を生
成し。
ｂ）これらの物質を混合し、金型中で１回以上の充填及
び圧縮操作で圧縮成形し、固体状態（l'tat massif）
での平均密度の80％以上、通常は85〜95％に相当する見
掛け密度を有するペレットを形成し、 ｃ）このペレットを任意に焼結処理し、 ｄ）このペレントを型から取り出し、 ｅ）金属製シースもしくは制御棒の盲穴内への滑り込み
を容易にするためにペレットの直径を±0.02mmもしくは
それ以下の公差に調整すべく、ペレットを任意に研削す
る。この研削を行わない場合には、直径の公差が通常±
0.03mmになる。
び圧縮操作で圧縮成形し、固体状態（l'tat massif）
での平均密度の80％以上、通常は85〜95％に相当する見
掛け密度を有するペレットを形成し、 ｃ）このペレットを任意に焼結処理し、 ｄ）このペレントを型から取り出し、 ｅ）金属製シースもしくは制御棒の盲穴内への滑り込み
を容易にするためにペレットの直径を±0.02mmもしくは
それ以下の公差に調整すべく、ペレットを任意に研削す
る。この研削を行わない場合には、直径の公差が通常±
0.03mmになる。
本発明のペレントはこのように、Hf及び任意のＢを要求
に応じて選択した含量で含み、通常は原子炉制御装置内
で、実験及び／又は中性子吸収効率の計算値に基づいて
選択したペレットの組成Hf/B4Cより最適の減損速度（vi
tesse d'puisement）が得られるような位置に配置さ
れる。
に応じて選択した含量で含み、通常は原子炉制御装置内
で、実験及び／又は中性子吸収効率の計算値に基づいて
選択したペレットの組成Hf/B4Cより最適の減損速度（vi
tesse d'puisement）が得られるような位置に配置さ
れる。
本発明で使用する圧縮成形可能なHf生成物は、少なくと
も20質量％の電解結晶を含むのが好ましい。本発明では
この結晶を新規且つ驚くべき方法で使用する。これらの
結晶は極めて有利な性質を有するため、より好ましくは
Hfの総質量の0.5〜１倍、更に好ましくは0.8〜１倍の
量、特にHf全体を占めるような量で使用する。
も20質量％の電解結晶を含むのが好ましい。本発明では
この結晶を新規且つ驚くべき方法で使用する。これらの
結晶は極めて有利な性質を有するため、より好ましくは
Hfの総質量の0.5〜１倍、更に好ましくは0.8〜１倍の
量、特にHf全体を占めるような量で使用する。
実際、本出願人は、Hf電解結晶が圧縮成形に特に適して
おり、例えばKrollスポンジから得た微粉砕Hfに通常見
られる発火性を示さないことを発見した。
おり、例えばKrollスポンジから得た微粉砕Hfに通常見
られる発火性を示さないことを発見した。
これらの結晶は一般的に２〜6g/cm3の見掛け密度を有
し、個々の大きさが0.1mm〜３もしくは4mmであり、電解
条件に応じて塊状又は針状の様相を示す。これらの結晶
はしばしば集合体にまとまることがある。これらの集合
体は、複数の結晶軸に沿って樹枝状又は針状結晶が同時
に成長した時に生じ、通常は3mm〜2cmの大きさを有す
る。最大の集合体は、前記使用のためには除去するか、
又は例えば粉砕によって細かくし、通常は製造すべき圧
縮成形製品の直径又は厚みの0.5〜0.3倍以下の大きさに
戻す。
し、個々の大きさが0.1mm〜３もしくは4mmであり、電解
条件に応じて塊状又は針状の様相を示す。これらの結晶
はしばしば集合体にまとまることがある。これらの集合
体は、複数の結晶軸に沿って樹枝状又は針状結晶が同時
に成長した時に生じ、通常は3mm〜2cmの大きさを有す
る。最大の集合体は、前記使用のためには除去するか、
又は例えば粉砕によって細かくし、通常は製造すべき圧
縮成形製品の直径又は厚みの0.5〜0.3倍以下の大きさに
戻す。
電解は通常溶融塩化物浴中で行い、この処理によって得
られたHf電解結晶は洗浄し、乾燥するのが普通である。
これらの結晶のＨ及びCl含量はこの段階では通常夫々40
ppm以下及び50ppm以下であるが、電解条件を注意深く調
整し、また任意に乾燥を室温より効果的な条件、例えば
1.3Pa以下の真空下又は不活性ガス下150〜300℃の温度
で行えば、25〜30ppm以下に減らすことができる。
られたHf電解結晶は洗浄し、乾燥するのが普通である。
これらの結晶のＨ及びCl含量はこの段階では通常夫々40
ppm以下及び50ppm以下であるが、電解条件を注意深く調
整し、また任意に乾燥を室温より効果的な条件、例えば
1.3Pa以下の真空下又は不活性ガス下150〜300℃の温度
で行えば、25〜30ppm以下に減らすことができる。
Ｈ及びClの含量は、電解結晶を前述のごとく150〜300℃
で処理するのではなく、1mPa以下の真空下1000〜1250℃
で８〜48時間、通常は1050〜1150℃で16〜32時間処理す
れば、更に減らすことができる。その結果、Ｈ及びClの
残量は夫々20ppm以下及び10ppm以下になる。
で処理するのではなく、1mPa以下の真空下1000〜1250℃
で８〜48時間、通常は1050〜1150℃で16〜32時間処理す
れば、更に減らすことができる。その結果、Ｈ及びClの
残量は夫々20ppm以下及び10ppm以下になる。
Hf電解結晶を直接使用することは、工業的にも経済的に
も有利なことである。この結晶は廉価且つ高純度のHfで
あり、圧縮成形に極めて適している。この適性は、これ
らの結晶の密度（２〜6g/cm3）がHf塊の密度（13.29g/c
m3）より大幅に小さいことから明らかなように、これら
の結晶が大きな空隙率を有することに関連していると考
えられる。
も有利なことである。この結晶は廉価且つ高純度のHfで
あり、圧縮成形に極めて適している。この適性は、これ
らの結晶の密度（２〜6g/cm3）がHf塊の密度（13.29g/c
m3）より大幅に小さいことから明らかなように、これら
の結晶が大きな空隙率を有することに関連していると考
えられる。
本発明は、電解結晶形態のハフニウムを含むペレットの
製造だけでなく、Hf及びB4Cの両方を選択した割合で含
むペレットの製造にも係わる。この場合、Hf/（Hf＋B
4C）の比は0.20〜0.80にするのが好ましい。圧縮成形製
品の中性子吸収能力及び機械的強度は、特に焼結処理を
行わない場合には、圧縮成形すべき混合物に400℃以上
で溶融する下記のような別の金属元素を下記の用量（全
体に対する質量％）で導入することによっても調整する
ことができる： Zr及び／又はZr合金 :0〜60％ Ti及び／又はTi合金 :0〜60％、 Zr含量＜55％のHf−Zr合金 :0〜60％、 Ti含量＜55％のHf−Ti合金 :0〜60％、 400℃以上で溶融する中性子吸収金属元素 ：＜0.2％、 400℃以上で溶融する別の金属元素 ：＜３％ これらの金属物質は、調整した出発混合物中で圧縮成形
し得るものでなければならず、本質的に電解結晶及び／
又はチップ及び／又はスポンジの形態を有する。「チッ
プ」という用語は施削、フライス削り、穿孔のような処
理によって生じる金属片並びに、場合によっては、通常
１cm3以下の単位体積の小さい切屑部分を意味し、「ス
ポンジ」とHf、Zr及びTiの場合にはMgによる還元又はKr
oll還元によって得られる物質を意味する。これらの物
質は、Hf電解結晶以外に、Ｈ及びCl含量が夫々40ppm以
下、50ppm以下のZr及び／又はTi電解結晶も含み得る。
これらの電解結晶も、Hf電解結晶と同様の精製用熱処理
にかけることができる。
製造だけでなく、Hf及びB4Cの両方を選択した割合で含
むペレットの製造にも係わる。この場合、Hf/（Hf＋B
4C）の比は0.20〜0.80にするのが好ましい。圧縮成形製
品の中性子吸収能力及び機械的強度は、特に焼結処理を
行わない場合には、圧縮成形すべき混合物に400℃以上
で溶融する下記のような別の金属元素を下記の用量（全
体に対する質量％）で導入することによっても調整する
ことができる： Zr及び／又はZr合金 :0〜60％ Ti及び／又はTi合金 :0〜60％、 Zr含量＜55％のHf−Zr合金 :0〜60％、 Ti含量＜55％のHf−Ti合金 :0〜60％、 400℃以上で溶融する中性子吸収金属元素 ：＜0.2％、 400℃以上で溶融する別の金属元素 ：＜３％ これらの金属物質は、調整した出発混合物中で圧縮成形
し得るものでなければならず、本質的に電解結晶及び／
又はチップ及び／又はスポンジの形態を有する。「チッ
プ」という用語は施削、フライス削り、穿孔のような処
理によって生じる金属片並びに、場合によっては、通常
１cm3以下の単位体積の小さい切屑部分を意味し、「ス
ポンジ」とHf、Zr及びTiの場合にはMgによる還元又はKr
oll還元によって得られる物質を意味する。これらの物
質は、Hf電解結晶以外に、Ｈ及びCl含量が夫々40ppm以
下、50ppm以下のZr及び／又はTi電解結晶も含み得る。
これらの電解結晶も、Hf電解結晶と同様の精製用熱処理
にかけることができる。
ペレットは通常、前述のごとき充填及び圧縮処理を何回
か連続的に繰り返すことによって形成する。その場合は
焼結処理を行うのが望ましい。この焼結は通常は、研磨
砥石による研磨のような研削処理を行う前に、圧力下、
還元雰囲気中、通常1970〜2030℃の温度で行う。
か連続的に繰り返すことによって形成する。その場合は
焼結処理を行うのが望ましい。この焼結は通常は、研磨
砥石による研磨のような研削処理を行う前に、圧力下、
還元雰囲気中、通常1970〜2030℃の温度で行う。
本発明は、このようにして製造したペレットにも係わ
る。これらのペレットは通常下記の組成（質量％）を有
する： Hf 20〜100％ （Hf総質量の少なくとも20％は電解結晶である） B4C :0〜80％ Hf＋B4C :40〜100％ Zr＋Ti :0〜60％ 400℃以上で溶融する別の金属元素 ：＜６％。
る。これらのペレットは通常下記の組成（質量％）を有
する： Hf 20〜100％ （Hf総質量の少なくとも20％は電解結晶である） B4C :0〜80％ Hf＋B4C :40〜100％ Zr＋Ti :0〜60％ 400℃以上で溶融する別の金属元素 ：＜６％。
これらのペレットは、高温熱処理にかけなかった場合に
容易に検出できる特性を有する。これらのペレット中で
Hf電解結晶が検出され得るからである。通常は、Hfの質
量の少なくとも半分をHf電解結晶にする。
容易に検出できる特性を有する。これらのペレット中で
Hf電解結晶が検出され得るからである。通常は、Hfの質
量の少なくとも半分をHf電解結晶にする。
これらのペレットはしばしば、Hf及び炭化ホウ素の両方
を、Hf/（Hf＋B4C）＝0.20〜0.80で且つ総質量の全部又
は少なくとも40％を占めるように含む。
を、Hf/（Hf＋B4C）＝0.20〜0.80で且つ総質量の全部又
は少なくとも40％を占めるように含む。
本発明は更に、Hf及び任意的なＢの含量を連続的に調整
し得る本発明の方法で製造したペレットの、水型原子炉
の制御棒における種々の形態の使用にも係わる。即ち、
これらのペレットは、 −制御棒の収容部、例えば充填後に閉鎖される盲孔の中
に直接導入して使用するか、又は −制御棒に固定されることになるシース（鞘）で被覆さ
た中性子吸収剤の形態で使用することができる。
し得る本発明の方法で製造したペレットの、水型原子炉
の制御棒における種々の形態の使用にも係わる。即ち、
これらのペレットは、 −制御棒の収容部、例えば充填後に閉鎖される盲孔の中
に直接導入して使用するか、又は −制御棒に固定されることになるシース（鞘）で被覆さ
た中性子吸収剤の形態で使用することができる。
前者の場合は、ペレットのHf及びB4C含量がペレットの
個々の位置に応じて異なるようにする。後者の場合は、
例えば一端が閉鎖された金属管の中にペレットを導入
し、この管を密封する。この場合は、吸収材全体を通し
てペレットのHf及び任意的B4Cの含量が同じになるよう
にするか（これらの含量は制御棒内での吸収材の位置に
依存し得る）、あるいは個々のペレットのHf及び任意的
B4Cの含量が吸収材中でペレットの位置によって異なる
ようにする。
個々の位置に応じて異なるようにする。後者の場合は、
例えば一端が閉鎖された金属管の中にペレットを導入
し、この管を密封する。この場合は、吸収材全体を通し
てペレットのHf及び任意的B4Cの含量が同じになるよう
にするか（これらの含量は制御棒内での吸収材の位置に
依存し得る）、あるいは個々のペレットのHf及び任意的
B4Cの含量が吸収材中でペレットの位置によって異なる
ようにする。
発明の利点 本発明は経済的観点から重要な利点を多く有する。
−電解結晶形態の純粋なHfを使用するため、複雑でコス
トのかかる変換処理が不要である； −金属及び合金の源又は形態に関して柔軟性がある； −凸形又は部分的凹形の非円形輪郭をもつ断面を有する
圧縮ペレットを製造することができる； −Hf及びB4C含量の調整が容易であり、これらの含量を
シースで被覆された吸収材中で変化させるか又は直接制
御ロッド内で変化させることができる； −製造方法が簡単である。
トのかかる変換処理が不要である； −金属及び合金の源又は形態に関して柔軟性がある； −凸形又は部分的凹形の非円形輪郭をもつ断面を有する
圧縮ペレットを製造することができる； −Hf及びB4C含量の調整が容易であり、これらの含量を
シースで被覆された吸収材中で変化させるか又は直接制
御ロッド内で変化させることができる； −製造方法が簡単である。
実施例１ 同量のHf電解チップと平均粒度16μｍの炭化ホウ素粉末
との混合物を調整する。部分的充填及び圧縮操作を３回
行って、直径5.95mm、高さ100mmの円筒形圧縮体を５つ
製造する。得られる見掛け密度は0.88〜0.91である。次
いでこれらの圧縮体をセンタレスマシーンで研削処理し
て、望ましい研削面を得る。
との混合物を調整する。部分的充填及び圧縮操作を３回
行って、直径5.95mm、高さ100mmの円筒形圧縮体を５つ
製造する。得られる見掛け密度は0.88〜0.91である。次
いでこれらの圧縮体をセンタレスマシーンで研削処理し
て、望ましい研削面を得る。
実施例２ 直径5.95mm、高さ15mmの４つのペレットからなるバッチ
を、Hf及びB4C含量を下記のように変えて５組製造す
る： 含量（質量％） Hf B4C バッチNo.1 70 30 バッチNo.2 60 40 バッチNo.3 50 50 バッチNo.4 40 60 バッチNo.5 30 70 直径6.1mmの圧縮ペレットを、研削によって直径5.95±
0.01mmにする。５組のバッチから１つずつ選択した５つ
のペレットを内径6.0mm、厚さ0.8mm、長さ100mmのステ
ンレス鋼管内に導入し、一端に高さ12.5mmのプラグを溶
接して密封する。Hf含量が漸減するような順序で前記管
内に５つのペレットを導入したら、管内部を真空にして
第２のプラグを配置し、管の端部を横断する方向の側方
溶接により溶接する。
を、Hf及びB4C含量を下記のように変えて５組製造す
る： 含量（質量％） Hf B4C バッチNo.1 70 30 バッチNo.2 60 40 バッチNo.3 50 50 バッチNo.4 40 60 バッチNo.5 30 70 直径6.1mmの圧縮ペレットを、研削によって直径5.95±
0.01mmにする。５組のバッチから１つずつ選択した５つ
のペレットを内径6.0mm、厚さ0.8mm、長さ100mmのステ
ンレス鋼管内に導入し、一端に高さ12.5mmのプラグを溶
接して密封する。Hf含量が漸減するような順序で前記管
内に５つのペレットを導入したら、管内部を真空にして
第２のプラグを配置し、管の端部を横断する方向の側方
溶接により溶接する。
この充填及び密封操作を２回繰り返す。操作は容易に実
施できる。尚、ペレットは管（シース）に入れずに、Hf
及びB4C含量が漸減するような順序で制御棒の収容部内
に直接導入してもよい。
施できる。尚、ペレットは管（シース）に入れずに、Hf
及びB4C含量が漸減するような順序で制御棒の収容部内
に直接導入してもよい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ギユンナー・ベステルン スウエーデン国、バステラス、シユマル ト・フエルクストガータン・139 (56)参考文献 特開 昭58−214882（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−60286（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−50150（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】原子炉の制御装置で使用するための中性子
吸収ペレットの製造方法であって、 ａ）Hf総質量の少なくとも20％が電解結晶であるHfと任
意的な炭化ホウ素粉末とを、総質量（Hf＋B4C）＝40〜1
00質量％、その比Hf/（Hf＋B4C）＝0.20〜１で含み、更
に400℃以上で溶融する別の金属元素も任意に含む圧縮
成形可能な物質を生成し、 ｂ）これらの物質を混合し、金型中で１回以上の充填及
び圧縮操作により圧縮成形し、固体状態での平均密度の
80％以上に相当する見掛け密度を有するペレットを形成
し、 ｃ）このペレットを任意に焼結処理し、 ｄ）このペレットを型から取り出し、 ｅ）このペレットを任意に研削する ステップを含むことを特徴とする製造方法。 - 【請求項２】Hf電解結晶の質量がHfの総質量の0.5〜１
倍である請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】ハフニウムが総て電解結晶形態を有する請
求項１に記載の方法。 - 【請求項４】使用する電解結晶のＨ及びClの平均含量が
夫々25ppm以下及び30ppm以下である請求項１から３のい
ずれか一項に記載の方法。 - 【請求項５】使用する電解結晶を、真空下又は不活性ガ
ス中、150〜300℃で予め処理しておく請求項４に記載の
方法。 - 【請求項６】使用する電解結晶を予め1000〜1250℃で８
時間〜48時間、好ましくは1050〜1150℃で16時間〜32時
間処理し、これらの結晶のＨ及びClの平均含量を夫々20
ppm以下及び10ppm以下としたものを用いる請求項４に記
載の方法。 - 【請求項７】Hf/（Hf＋B4C）の比が0.20〜0.80である請
求項１から２のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項８】圧縮成形可能な物質がHf以外の金属物質を
60％まで含み、これらの金属物質が（全体に対する質量
％で）、 Zr及び／又はZr合金:0〜60％、 Ti及び／又はTi合金:0〜60％、 Zr含量＜55％のHf−Zr合金:0〜60％、 Ti含量＜55％のHf−Ti合金:0〜60％、 400℃以上で溶融する中性子吸収金属元素：＜0.2％、 400℃以上で溶融する別の金属元素：＜３％ を含む請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8812550 | 1988-09-15 | ||
| FR8812550A FR2636466B1 (fr) | 1988-09-15 | 1988-09-15 | Procede de fabrication d'une pastille absorbeuse de neutrons, pastille obtenue et utilisation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02108999A JPH02108999A (ja) | 1990-04-20 |
| JPH06103352B2 true JPH06103352B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=9370393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1239752A Expired - Lifetime JPH06103352B2 (ja) | 1988-09-15 | 1989-09-14 | 中性子吸収ペレットの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
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| EP (1) | EP0359683B1 (ja) |
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