KR900005485A - 중성자 흡수 펠릿의 생성 공정 및 그에 의해 얻어진 펠렛과 그 펠릿 사용방법 - Google Patents

중성자 흡수 펠릿의 생성 공정 및 그에 의해 얻어진 펠렛과 그 펠릿 사용방법 Download PDF

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부땡 쟝
라마즈 에리-삐에르
베스뜨렁 구나
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귀로랑-아딸린
꽁 빠니 유러피언 뒤 찌르꼬니엄 세취
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Abstract

내용 없음

Description

중성자 흡수 펠릿의 생성 공정 및 그에 의해 얻어진 펠릿과 그 펠릿 사용방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (16)

  1. 원자로 제어장치에 사용하기 위한 중성자 흡수펠릿의 생성방법에 있어서, a) HF+B4C의 총중량은 40 내지 100%이고, HF 대 HF+B4C의 비는 0.20 내지 1인 Hf 및 선택된 탄화분산분말의 전해결정 또는 칩과, 400℃ 이상에서 용해되는 선택된 다른 금속소자를 중량%로 합성하여 압축가능한 생성물을 제조하는 단계와; b) 펠릿이 고체 상태에서 그 평균일도중 80% 이상의 겉보기 밀도로 얻어질때까지 한번 이상의 충진 및 압축작용으로 모울드에서 상기 생성물을 혼합 및 압축하는 단계와; c) 소결처리를 상기 펠릿상에서 선택적으로 이행하는 단계와; d) 모울드로부터 상기 펠릿을 추출하는 단계와; e) 상기 펠릿을 선택적으로 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 흡수펠릿 생성방법
  2. 제1항에 있어서, 상기 압축가능한 Hf 생성물의 총 중량은 20%의 전해결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 흡수펠릿 생성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 Hf 전해결정의 중량은 총 Hf 중량의 0.5 내지 1배인 것을 특징으로 하는 중성자 흡수펠릿 생성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 하프늄은 전해결정의 형태인 것을 특징으로 하는 중성자 흡수펠릿 생성방법.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 사용된 상기 전해결정은 25 및 30ppm의 평균 H 및 Cl성분 이하를 각각 갖는 것을 특징으로 하는 중성자 흡수펠릿 생성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전해결정은 진공 또는 불활성 가스에서 150℃ 내지 300℃ 사이에서 사용된 전해결정의 사전처리를 특징으로 하는 중성자 흡수펠릿 생성방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 전해결정은 1000 내지 1250℃ 사이에서 8 내지 48시간, 1050 내지 1150℃ 사이에서 16 내지 32 시간동안 사전 처리된 후 20 및 10ppm 이하의 평균 H 및 Cl성분을 갖는 것을 특징으로 하는 중성자 흡수펠릿 생성방법.
  8. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 Hf 대 Hf+B4C 비율은 0.20 내지 0.80 사이인 것을 특징으로 하는 중성자 흡수펠릿 생섭방법.
  9. 제1항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 상기 압축 가능 생성물은 Hf와는 다른 60% 금속형 생산물(전체 중량%에 의하여)까지 포함하며, Zr 및/또는 Zr 합금=0 내지 60중량%, Ti 및/또는 Ti 합금=0 내지 60중량%, Zr 성분의 HF-Zr 〈합금〈55%=0 내지 60중량%, Ti 성분의 HF-Ti 합금〈55%=0 내지 60중량% 약 400℃에서 용융되는 중성자 흡수 금속형 요소 : 〉0.2중량% 약 400℃에서 용융되는 다른 금속형 요소 : 〈3중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 흡수펠릿의 생성방법.
  10. 상기 펠릿은 제어봉의 리세스에 위치하며 그들 개개의 위치함수에 따라 변화하는 Hf 및 B4C 성분을 갖는 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제9항중 어느 한 항의 생성방법에 의하여 얻어지는 펠릿의 사용방법.
  11. 상기 펠릿이 금속덮개에 도입되고 그 금속덮개가 밀봉됨으로써, 덮개로 덮여진 중성자 흡수체가 형성되는 것을 특징으로 하는 제1항에 내지 제9항중 어느 한 항의 생성방법에 의해 얻어지는 펠릿 이용방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 펠릿이 제어봉내의 흡수체의 위치의 함수로서 선택된 동일한 각각의 Hf 및 선택된 B4C 성분을 갖는 것을 특징으로 하는 펠릿 이용방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 펠릿이 상기 흡수체내에서의 그들의 위치의 함수로서 변화하는 개별적인 Hf와 선택된 B4C 성분을 갖는 것을 특징으로 하는 펠릿 이용방법.
  14. Hf20내지 100중량%(총 Hf 중량은 최소한 20%의 전해결정으로 구성됨) : B4C 0 내지 80중량% ; Hf+B4C 40 내지 100중량% ; Zr+Ti 0 내지 60중량%; 및 400℃ 이상에서 용해되는 다른 금속원소 6중량% 미만을 포함하는 것을 특징으로 하는 제 1 항 내지 제 9 항중 어느 한 항의 처리방법에 의해 얻어질 수 있는 압축 펠릿.
  15. 제14항에 있어서, Hf의 최소한 절반이 전해결정 형태로 된 것을 특징으로 하는 압축 펠릿.
  16. 제14항 또는 15항에 있어서, Hf/(Hf+B4C) =0.20 내지 0.80인 것을 특징으로 하는 압축 펠릿.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890013387A 1988-09-15 1989-09-12 중성자 흡수 펠릿의 생성 공정 및 그에 의해 얻어진 펠렛과 그 펠릿 사용방법 KR900005485A (ko)

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