KR930700687A - 고 표면적 저 금속 불순물의 탄탈륨 분말의 제조방법 - Google Patents

고 표면적 저 금속 불순물의 탄탈륨 분말의 제조방법

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KR930700687A
KR930700687A KR1019920702862A KR920702862A KR930700687A KR 930700687 A KR930700687 A KR 930700687A KR 1019920702862 A KR1019920702862 A KR 1019920702862A KR 920702862 A KR920702862 A KR 920702862A KR 930700687 A KR930700687 A KR 930700687A
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Abstract

내용 없음.

Description

고 표면적 저 금속 불순물의 탄탈륨 분말의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (12)

  1. 반응기에 반응 용기 보다 큰 열역학적 퍼텐셜 및 화학적 활성을 갖는 활성 성분을 반응기 내의 수분 및 공기의 일부를 제거하기에 충분한 양으로 첨가하고, 반응기에서 탄탈륨 화합물을 환원제로 환원시켜 탄탈륨 분말을 형성하는 것으로 이루어진 반응 용기에서 탄탈륨 분말을 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성 성분이 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및 기타 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 탄탈륨 화합물을 환원시키는 공정이 상기 환원 반응중에 연속식 또는 중량식으로 상기 탄탈륨 및 상기 환원제를 반응기에 도입시키는 것으로 이루어진 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 탄탈륨 화합물이 칼륨 플루오로탄탈레이트, 나트륨 플루오로탄탈레이트, 탄탈륨 클로라이드 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것인 방법.
  5. 반응이 보다 큰 열역학적 피텐셜 및 화학적 활성을 갖는 활성 성분을 반응기 내의 수분 및 공기의 일부를 제거하기에 충분한 양으로 반응기에 첨가하고, 중량식으로 칼륨 플루오로탄탈레이트를 반응기에 첨가하고, 계속해서 나트륨 화합물을 첨가하여 칼륨 플루오로탄탈레이트를 나트륨 화합물로 환원시켜 순도가 개선된 탄탈륨 분말을 형성하는 것으로 이루어진, 반응 용기에서 탄탈륨 분말을 제조하는 방법.
  6. a. 반응기 보다 큰 열역학적 퍼텐셜 및 화학적 활성을 갖는 활성 성분을 반응기 내의 수분 및 공기의 일부를 제거하기에 충분한 양으로 반응기에 첨가하는 단계, 및 b. 중량식으로 칼륨 플루오로탄탈레이트를 첨가하고, 계속해서 나트륨 화합물을 첨가하여 칼륨 플루오로탄탈레이트를 나트륨으로 환원시켜 순도가 개선된 탄탈륨 분말을 형성하는 단계로 이루어진, 반응 용기에서 탄탈륨 분말을 제조하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 활성 성분이 알칼리 금속 및 알칼리 토금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 활성 성분의 양이 약 1g이상인 방법.
  9. 반응 옹기 보다 큰 열역학적 퍼텐셜 및 화학적 활성을 갖는 나트륨을 반응기 내의 모든 수분 및 공기를 제거하기에 충분한 양으로 반응기에 첨가하고, 중량식으로 반응기에 첨가된 칼륨 플루오로탄탈레이트를 연속식으로 반응기에 첨가된 나트륨 화합물로 환원시킴으로서 순도가 개선된 탄탈륨 분말을 형성하는 것으로 이루어진, 반응 용기에서 탄탈륨 분말을 제조하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 나트륨의 충분량이 약 1g이상인 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 탄탈륨 분말이 15ppm 미만의 니켈 및 철 분순물을 함유하는 것인 방법.
  12. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920702862A 1990-05-17 1991-05-17 고 표면적 저 금속 불순물의 탄탈륨 분말의 제조 방법 KR100220881B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6348113B1 (en) * 1998-11-25 2002-02-19 Cabot Corporation High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same
JP2004339567A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Cabot Supermetal Kk タンタルおよび/またはニオブの製造方法
WO2007130483A2 (en) * 2006-05-05 2007-11-15 Cabot Corporation Tantalum powder with smooth surface and methods of manufacturing same
KR101616559B1 (ko) * 2016-01-25 2016-04-28 에이치알엠알(주) 탄탈륨 분말의 제조방법
KR102376746B1 (ko) * 2019-11-05 2022-03-21 한국생산기술연구원 금속열환원법을 이용한 탄탈륨의 제련 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2517180C3 (de) * 1975-04-18 1979-04-19 Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von feinem hochkapazitiven Erdsäuremetallpulver für Elektrolytkondensatoren
JPS60145304A (ja) * 1984-01-09 1985-07-31 Showa Kiyabotsuto Suupaa Metal Kk タンタル粉末の製造法
JPS61281831A (ja) * 1985-06-07 1986-12-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高純度タンタルの精製法

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KR100220881B1 (ko) 1999-09-15
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