JPS5950150A - 中性子吸収材 - Google Patents
中性子吸収材Info
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- JPS5950150A JPS5950150A JP57160882A JP16088282A JPS5950150A JP S5950150 A JPS5950150 A JP S5950150A JP 57160882 A JP57160882 A JP 57160882A JP 16088282 A JP16088282 A JP 16088282A JP S5950150 A JPS5950150 A JP S5950150A
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- Japan
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- neutron
- absorbing material
- metal
- neutron absorbing
- ceramic particles
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は水冷却原子炉のポイズンチューブの中に充填す
る中性子吸収材に関する。更に詳しくは、ｙｌ？イズン
チューブ内の空洞発生を極小化でき・従って、原子炉の
均一な制御能力の維持を可能ならしめる中性子吸収材に
関する。
る中性子吸収材に関する。更に詳しくは、ｙｌ？イズン
チューブ内の空洞発生を極小化でき・従って、原子炉の
均一な制御能力の維持を可能ならしめる中性子吸収材に
関する。
原子炉においては、炉心に中性子をよく吸収する材料を
挿入することによ如、核分裂反応の抑制、あるいは停止
を行なわせ、また、それを引き抜くことによって反応を
盛んにするなどして、炉の出力を意のままに制御するこ
とができる。現在、中性子吸収材としては、中性子吸収
能の大きいホウ素を含む炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）の粉末が
用いられている。笛１図に示すようにＢ、Ｃ粉末１は被
覆管２の中に元てんしたポイズンチューブの形で一般に
使用されている。
挿入することによ如、核分裂反応の抑制、あるいは停止
を行なわせ、また、それを引き抜くことによって反応を
盛んにするなどして、炉の出力を意のままに制御するこ
とができる。現在、中性子吸収材としては、中性子吸収
能の大きいホウ素を含む炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）の粉末が
用いられている。笛１図に示すようにＢ、Ｃ粉末１は被
覆管２の中に元てんしたポイズンチューブの形で一般に
使用されている。
ところで、原子炉の運転中、Ｂ４Ｃのホウ素は中性子を
吸収すると（ｎ、α）反応を起してヘリウムを生成し、
リチウムに変化する。リチウム（融点１７９℃）は、通
常の炉の運転条件（２８９℃）では液体であるため、Ｂ
４Ｃ粉末相互の間隙を浸潤する。
吸収すると（ｎ、α）反応を起してヘリウムを生成し、
リチウムに変化する。リチウム（融点１７９℃）は、通
常の炉の運転条件（２８９℃）では液体であるため、Ｂ
４Ｃ粉末相互の間隙を浸潤する。
このためＢ、Ｃが消費されるにつれて、第２図に示す如
く被覆管内には均一な中性子吸収に有害な空洞４が発生
する。この空洞は更に、Ｂ、Ｃ粉末の焼しまシや炉内冷
却水による被覆管の振動に基づ＜ Ｂ、Ｃ粉末の沈降の
ため拡大成長していく。
く被覆管内には均一な中性子吸収に有害な空洞４が発生
する。この空洞は更に、Ｂ、Ｃ粉末の焼しまシや炉内冷
却水による被覆管の振動に基づ＜ Ｂ、Ｃ粉末の沈降の
ため拡大成長していく。
かかる空洞の発生と成長はポイズンチューブの軸方向に
おける不均一な中性子吸収能をもたらし、その結果、原
子炉出力の制御が困難となるという問題があった。
おける不均一な中性子吸収能をもたらし、その結果、原
子炉出力の制御が困難となるという問題があった。
このような問題を解決するため、従来は被覆管の中を、
複数個のステンレス製ポール３で分画し、形成された各
分画にＢ、Ｃ粉末を充填した構造のものが実用に供され
ている。
複数個のステンレス製ポール３で分画し、形成された各
分画にＢ、Ｃ粉末を充填した構造のものが実用に供され
ている。
しかしながら、かかる従来の構造のものにあっても、各
ボール直下では空洞の発生と成長を防ぎ得ないので、本
質的な解決手段とはならず、なお均一な制御効率を得る
ことができなかった。
ボール直下では空洞の発生と成長を防ぎ得ないので、本
質的な解決手段とはならず、なお均一な制御効率を得る
ことができなかった。
このような情況にあって、水冷却型原子炉のポイズンチ
ューブ型中性子吸収材として被覆管内に巨視的空洞の発
生がないかもしくは極めてその発生の少ないものの開発
が望まれていた。
ューブ型中性子吸収材として被覆管内に巨視的空洞の発
生がないかもしくは極めてその発生の少ないものの開発
が望まれていた。
本発明の目的はポイズンチューブ用中性子吸収材の使用
期間中、その被覆管内における巨視的孕洞の発生、成長
に基づく制御能力の不均一化を防止した中性子吸収材を
提供することにある。
期間中、その被覆管内における巨視的孕洞の発生、成長
に基づく制御能力の不均一化を防止した中性子吸収材を
提供することにある。
本発明の中性子吸収材はセラミック粒子と金属マトリッ
クスからなるセラミック粒子分散金属複合体の中性子吸
収材であることを特徴とする。すなわち１本発明の中性
子吸収材は、金属マトリックスの中にセラミック粒子を
均一に分散し、固足した構造のものである４、 これを被稜管の中に装荷してポイズンチューブｔＳ成し
た場合、中性子照射によってセラミック粒子（例えばＢ
４Ｃ）の消費が進んでもセラミック粒子は金属マトリッ
クス中に固別されているから、巨視的には空洞の発生は
ない。しかもセラミック粒子はマトリックス中に分散し
て存在するので焼きしまり現象も抑制される。
クスからなるセラミック粒子分散金属複合体の中性子吸
収材であることを特徴とする。すなわち１本発明の中性
子吸収材は、金属マトリックスの中にセラミック粒子を
均一に分散し、固足した構造のものである４、 これを被稜管の中に装荷してポイズンチューブｔＳ成し
た場合、中性子照射によってセラミック粒子（例えばＢ
４Ｃ）の消費が進んでもセラミック粒子は金属マトリッ
クス中に固別されているから、巨視的には空洞の発生は
ない。しかもセラミック粒子はマトリックス中に分散し
て存在するので焼きしまり現象も抑制される。
本発明に係るセラミック粒子は中性子吸収能が大きいセ
ラミック粒子であれば、いかなるものであってもよいが
、その巨視的熱中性子吸収断面積が３ｏｎ−”以上のも
のが好適である。本発明にあっては、具体的にはＢ４Ｃ
、ＨｆＯ２もしくはＥｕ、０．粒子１種又Ｕ ２ ｆ’
ｊＭ以上′ｆｆ：適宜に混合したものを挙げることがで
きる。これらのうち、Ｂ、Ｃは中性子断面積が大きく、
比較的安価に人手でき、しかも中性子吸収材として実績
も豊富であるという長所を有する反面、その使用寿命が
短かく、一方、ＨｆＯ□およびＥｕ２Ｏ３は使用中、壊
変に伴う中性吸収能の低下や、 Ｈｅの発生が起らない
という利点を有している。
ラミック粒子であれば、いかなるものであってもよいが
、その巨視的熱中性子吸収断面積が３ｏｎ−”以上のも
のが好適である。本発明にあっては、具体的にはＢ４Ｃ
、ＨｆＯ２もしくはＥｕ、０．粒子１種又Ｕ ２ ｆ’
ｊＭ以上′ｆｆ：適宜に混合したものを挙げることがで
きる。これらのうち、Ｂ、Ｃは中性子断面積が大きく、
比較的安価に人手でき、しかも中性子吸収材として実績
も豊富であるという長所を有する反面、その使用寿命が
短かく、一方、ＨｆＯ□およびＥｕ２Ｏ３は使用中、壊
変に伴う中性吸収能の低下や、 Ｈｅの発生が起らない
という利点を有している。
用いるセラミック粒子Ｑ粒径は５期以下であるのが好ま
しい。粒径が５Ｍより大きい場合には均一なセラミック
粒子分散金属複合材を得ることが困難で（・）９、粒径
音大きくしても箪洞の発生と成長の防止に何らのを与も
ないからである。
しい。粒径が５Ｍより大きい場合には均一なセラミック
粒子分散金属複合材を得ることが困難で（・）９、粒径
音大きくしても箪洞の発生と成長の防止に何らのを与も
ないからである。
本発明の中性子吸収拐の他の構成安素であるマトリック
ス金属としては、Ｈｆ ＩＥＩＪ 、Ｓｍ、 Ｉｎ 、
Ｇ（］ 、Ｃｄ 。
ス金属としては、Ｈｆ ＩＥＩＪ 、Ｓｍ、 Ｉｎ 、
Ｇ（］ 、Ｃｄ 。
Ｉｒ、Ａｕ、Ｎｉ 、Ｃｕのうち１種または２種以上を
適宜に組合セタ合金が用いられる。：Ｅ（ｆ、Ｅｕ、Ｓ
ｍ＋Ｉｎ、Ｇｄ、Ｃｄ。
適宜に組合セタ合金が用いられる。：Ｅ（ｆ、Ｅｕ、Ｓ
ｍ＋Ｉｎ、Ｇｄ、Ｃｄ。
Ｉ ｒ 、 Ａｕおよびそれらの合金はそれ自身の中性
子吸収能が太きいため本発明の中性子吸収拐の金属マト
リックスとして適する。寸た、Ｎｉは耐ヘリウム脆化が
優れるので中性子吸収材が（ｎ＋α）反応によってヘリ
ウムを発生しても、金属マトリックス強度の劣化を少な
くすることができるという利点がある。また、Ｃｕは熱
体４度が高く、核反応に伴う壊変熱を有効に除去するの
で本発明に係る金属マトリックスに適する。
子吸収能が太きいため本発明の中性子吸収拐の金属マト
リックスとして適する。寸た、Ｎｉは耐ヘリウム脆化が
優れるので中性子吸収材が（ｎ＋α）反応によってヘリ
ウムを発生しても、金属マトリックス強度の劣化を少な
くすることができるという利点がある。また、Ｃｕは熱
体４度が高く、核反応に伴う壊変熱を有効に除去するの
で本発明に係る金属マトリックスに適する。
本発明の中性子吸収材にあってはセラミック粒子が１０
体積係以上、好ましくは３０〜９８体積チ含んでいるこ
とが望ましく、体積含有率が１０チよシ小さい場合は、
Ｎｉなどのように吸収能の小さい金属と組み合わせて用
いると中性子吸収材の中性子吸収能が低くなる。
体積係以上、好ましくは３０〜９８体積チ含んでいるこ
とが望ましく、体積含有率が１０チよシ小さい場合は、
Ｎｉなどのように吸収能の小さい金属と組み合わせて用
いると中性子吸収材の中性子吸収能が低くなる。
本発明の中性子吸収材は次に示す３通りの方法で製造す
ることができる８ 第１の方法は、上述したセラミック粒子の表面をマ）
ＩＪラックス属で被覆して得られた金属被覆セラミック
粒子粉末をホットプレスする方法である。
ることができる８ 第１の方法は、上述したセラミック粒子の表面をマ）
ＩＪラックス属で被覆して得られた金属被覆セラミック
粒子粉末をホットプレスする方法である。
この場合、セラミック粒子表面に金属を被覆する方法と
しては、無電解鍍金法、プラズマ溶射法もしくはその他
の溶射法、金属化合物の熱分解を利用する化学蒸着法ま
たは金属の真空蒸着法等のセラミック粒子に対する金属
の密着性に優れる方法であれば、いかなる物理的もしく
は化学的金属被覆方法を用いてもよい。
しては、無電解鍍金法、プラズマ溶射法もしくはその他
の溶射法、金属化合物の熱分解を利用する化学蒸着法ま
たは金属の真空蒸着法等のセラミック粒子に対する金属
の密着性に優れる方法であれば、いかなる物理的もしく
は化学的金属被覆方法を用いてもよい。
この方法によれば、被覆されたマ） ＩＪラックス属が
ホットプレスの過程で結合材として機能してセラミック
粒子を結着し、あわせて自らはマトリックスとなる。こ
のとき、被覆金属層の厚みを変えることにより、任意の
セラミック粒子の含有割合にすることができ、金属層の
厚みを薄くすれば、セラミック粒子の含有割合が大きく
、その結果、中性子吸収能の大きな複合体となシうる。
ホットプレスの過程で結合材として機能してセラミック
粒子を結着し、あわせて自らはマトリックスとなる。こ
のとき、被覆金属層の厚みを変えることにより、任意の
セラミック粒子の含有割合にすることができ、金属層の
厚みを薄くすれば、セラミック粒子の含有割合が大きく
、その結果、中性子吸収能の大きな複合体となシうる。
第２の方法は、第１の方法で調製した金属被覆セラミッ
ク粒子に、更に結合材用金属粉末を添加混合したのち、
それをホットプレスする方法である。この方法は金属マ
） ＩＪラックス体積含有率を高めたい場合には、第１
の方法よシ生産性、経済性の面で優れる。セラミック粒
子に被覆する金属と結合材用金属とは同−金妬であるこ
とを要しないが、両者の密着性の観点から同一金属組成
であることが望ましい。
ク粒子に、更に結合材用金属粉末を添加混合したのち、
それをホットプレスする方法である。この方法は金属マ
） ＩＪラックス体積含有率を高めたい場合には、第１
の方法よシ生産性、経済性の面で優れる。セラミック粒
子に被覆する金属と結合材用金属とは同−金妬であるこ
とを要しないが、両者の密着性の観点から同一金属組成
であることが望ましい。
第１．第２の方法におけるホンドグレス法は尚業者に周
知の方法であってよい。ホットプレスは金属被覆セラミ
ック粒子粉末またはこれに結合材用金属粉末を添加した
混合粉末を直接金型に装荷して行うことができる。また
、ホットプレスの前処理として、上記被処理粉末を冷間
プレスして圧粉体を成形し、しかる後にホットプレスし
てもよい。
知の方法であってよい。ホットプレスは金属被覆セラミ
ック粒子粉末またはこれに結合材用金属粉末を添加した
混合粉末を直接金型に装荷して行うことができる。また
、ホットプレスの前処理として、上記被処理粉末を冷間
プレスして圧粉体を成形し、しかる後にホットプレスし
てもよい。
第３の方法は、上記被処理粉末を冷間プレスした圧粉体
をホットプレスすることなく、そのまま高温で焼結する
方法である。
をホットプレスすることなく、そのまま高温で焼結する
方法である。
このように、本発明の中性子吸収材の製造方法では、原
料としてマトリックス金属を被覆したセラミック粒子を
用いるので、セラミック粒子分散金属複合体中のセラミ
ック粒子の体積含有率を容易に高めることができ、また
その均一な分散性を得ることができる。
料としてマトリックス金属を被覆したセラミック粒子を
用いるので、セラミック粒子分散金属複合体中のセラミ
ック粒子の体積含有率を容易に高めることができ、また
その均一な分散性を得ることができる。
次に、第２図を参照して本発明の中性子吸収材を説明す
る。第２図は本発明の中性子吸収材の一態様を含むポイ
ズ／チューブの一部を拡大して示す概念的断面図である
。本発明の中性子吸収材５はベレットもしくは棒状であ
シ、これを被覆管２の中に装荷して使用される。その際
、第１図に示されるような中性子吸収能の低いステンレ
ス製ボール３による被覆管内の分画を必要としないので
、ポイズンチューブの軸方向に一層良好な中性子吸収能
の均一性がもたらされる。また本発明の中性子吸収材は
従来のＢ４Ｃ粉末と異なシ被覆管２の中へ容易に装荷で
きるという利点がある。
る。第２図は本発明の中性子吸収材の一態様を含むポイ
ズ／チューブの一部を拡大して示す概念的断面図である
。本発明の中性子吸収材５はベレットもしくは棒状であ
シ、これを被覆管２の中に装荷して使用される。その際
、第１図に示されるような中性子吸収能の低いステンレ
ス製ボール３による被覆管内の分画を必要としないので
、ポイズンチューブの軸方向に一層良好な中性子吸収能
の均一性がもたらされる。また本発明の中性子吸収材は
従来のＢ４Ｃ粉末と異なシ被覆管２の中へ容易に装荷で
きるという利点がある。
以下、本発明の中性子吸収材およびその製造方法を実施
例に従って詳説する。
例に従って詳説する。
実施例１
粒径約ｌ覇のＢ、Ｃ粉末１．３ｆを無電解ニッケル鍍金
液に浸漬して得られた棟被覆粉末１．５２を、真空中、
１４００℃で４ ｔｏｎ ／ ｃｔｄの圧力を加えなが
ら３０分間保持することによシ、Ｂ４Ｃ粒子の体積含有
率９６％、直径約４ｍｎ、厚み約４５順の円柱状中性子
吸収材を得た。
液に浸漬して得られた棟被覆粉末１．５２を、真空中、
１４００℃で４ ｔｏｎ ／ ｃｔｄの圧力を加えなが
ら３０分間保持することによシ、Ｂ４Ｃ粒子の体積含有
率９６％、直径約４ｍｎ、厚み約４５順の円柱状中性子
吸収材を得た。
これを、ＳＵＳ ３０４製被覆管に収納してポイズンチ
ューブを構成し、２８９℃で１０” ｎ／ ｔｄの中性
子を照射した後、中性子吸収材の形態を調べたところ、
空洞の発生はほとんど観察されなかった。
ューブを構成し、２８９℃で１０” ｎ／ ｔｄの中性
子を照射した後、中性子吸収材の形態を調べたところ、
空洞の発生はほとんど観察されなかった。
実施例２
粒径約１ｗ＋ＩのＢ４Ｃ粉末０．７９の外表面にプラズ
マ溶射によシ、Ｈｆヲ被シした。得られたＨｆ被覆粉末
１２と粒径約０．０２ｍのＨｆ粉末１７とを均一に混合
したのち、真空中、１８００℃で３ ｔｏｎ／ｉの圧力
を加えて２０分間保持することによシ、Ｂ４Ｃ粒子の体
積含有率７４チ、直径約４閣、厚み約３０ｍの円柱状中
性子吸収材を？また。
マ溶射によシ、Ｈｆヲ被シした。得られたＨｆ被覆粉末
１２と粒径約０．０２ｍのＨｆ粉末１７とを均一に混合
したのち、真空中、１８００℃で３ ｔｏｎ／ｉの圧力
を加えて２０分間保持することによシ、Ｂ４Ｃ粒子の体
積含有率７４チ、直径約４閣、厚み約３０ｍの円柱状中
性子吸収材を？また。
これを、実施例１と同様にして、中性子照射後、中性子
吸収材の形態を調べたところ、空洞の発生はほとんど観
察されなかった。
吸収材の形態を調べたところ、空洞の発生はほとんど観
察されなかった。
実施例３
粒径的Ｏ０１咽のＥｕ２Ｏ３粉末１．１グを無電解ニッ
ケル鍍金液に浸漬して得られたＮｉ被覆粉末１．５２を
、真空中、１４００℃で４ ｔ、ｏｎ ／ ｃｒｌの圧
力を加えながら３０分間保持することにより、Ｅｕ２Ｏ
，、粒子の体積含有率７７％、直径約４ｒＭｎ、厚み約
１６叫の円柱状中性子吸収材を得た。
ケル鍍金液に浸漬して得られたＮｉ被覆粉末１．５２を
、真空中、１４００℃で４ ｔ、ｏｎ ／ ｃｒｌの圧
力を加えながら３０分間保持することにより、Ｅｕ２Ｏ
，、粒子の体積含有率７７％、直径約４ｒＭｎ、厚み約
１６叫の円柱状中性子吸収材を得た。
これを、実施例１と同様にして、中性子照射後、中性子
吸収材の形態を調べたところ、空洞の発生は全く観察さ
れなかった。
吸収材の形態を調べたところ、空洞の発生は全く観察さ
れなかった。
実施例４
粒径約０．１＋ｍのＨｆＯ２粉末０．６１の外表面にプ
ラズマ溶射により、Ｈｆを被覆した。得られた）Ｉｆ被
覆粉末１２と粒径約０．０２ｗ１のＨｆ粉末１ｆとを均
一に混合したのち、真空中、１８００℃で３ｔｏｎ／ｄ
の圧力を加えて２０分間保持することにょυ、Ｈｆ Ｏ
，の体積含有率３６％、直径約４ｍ＋ｎ、厚み約１４朝
の円柱状中性子吸収材を得た。
ラズマ溶射により、Ｈｆを被覆した。得られた）Ｉｆ被
覆粉末１２と粒径約０．０２ｗ１のＨｆ粉末１ｆとを均
一に混合したのち、真空中、１８００℃で３ｔｏｎ／ｄ
の圧力を加えて２０分間保持することにょυ、Ｈｆ Ｏ
，の体積含有率３６％、直径約４ｍ＋ｎ、厚み約１４朝
の円柱状中性子吸収材を得た。
これを実施例１と同様にして、中性子照射後、中性子吸
収材の形態を調べたところ、空洞の発生は観察されなか
った。
収材の形態を調べたところ、空洞の発生は観察されなか
った。
本発明の中性子吸収材は以上のように構成されてりるの
で、■使用期間中に中性子吸収材を収納するポイズンチ
ューブ内には空洞がほとんど発生せず、したがって長期
に亘シ均一な中性子吸収能を発揮する、■金属がマトリ
ックスであるため熱伝導が良好で、中性子吸収材の壊変
熱は被覆管外部を通流する冷却材によって容易に除去さ
れ、その結果、中性子吸収材への熱蓄積が防止されてそ
の材質劣化が抑制される、■ポイズンチューブ内には中
性子吸収能の低いステンレス鋼のゾールを配設すること
が不要となるので、ポイズンチューブの軸方向における
中性子吸収能の均一性が得られる、■また、被覆管への
中性子吸収材の充填に際して、従来は粉末充填のため充
填作業性が悪かったが、本発明の場合には被レットまた
は棒状材の充填なのでその作業性が向上する、■更には
、金属マトリックスとしてＨｆ ＋ １）＋ｔ＋等を用
いた」Ｊ）１合には、これらは（ｎ ＋γ）反応を起し
Ｉ−Ｉｅを発生しないので、ガス・スウェリングや管内
圧上昇を防止 ムできる、などの効果を奏する。
で、■使用期間中に中性子吸収材を収納するポイズンチ
ューブ内には空洞がほとんど発生せず、したがって長期
に亘シ均一な中性子吸収能を発揮する、■金属がマトリ
ックスであるため熱伝導が良好で、中性子吸収材の壊変
熱は被覆管外部を通流する冷却材によって容易に除去さ
れ、その結果、中性子吸収材への熱蓄積が防止されてそ
の材質劣化が抑制される、■ポイズンチューブ内には中
性子吸収能の低いステンレス鋼のゾールを配設すること
が不要となるので、ポイズンチューブの軸方向における
中性子吸収能の均一性が得られる、■また、被覆管への
中性子吸収材の充填に際して、従来は粉末充填のため充
填作業性が悪かったが、本発明の場合には被レットまた
は棒状材の充填なのでその作業性が向上する、■更には
、金属マトリックスとしてＨｆ ＋ １）＋ｔ＋等を用
いた」Ｊ）１合には、これらは（ｎ ＋γ）反応を起し
Ｉ−Ｉｅを発生しないので、ガス・スウェリングや管内
圧上昇を防止 ムできる、などの効果を奏する。
２５４
Claims (4)
- （１） セラミック粒子と金属マトリックスからなる
セラミック粒子分散金属複合体の中性子吸収材。 - （２） セラミック粒子がＢ４Ｃ、ＨｆＯ，およびＥ
ｕ、０６粒子の群から選ばれる少なくとも１種よシ成る
ｌｒを許請求の範囲第１項記載の中性子吸収材。 - （３） 金属マトリックスがＨｆ 、Ｅｕ、Ｓｍ＋
Ｉｎ、Ｇｄ、Ｃｄ。 Ｉｒ、Ａｕ、Ｎｉ 、Ｃｕの群から選ばれる少なくとも
１種よシ成る特許請求の範囲第１項記載の中性子吸収材
。 - （４） セラミック粒子の体積含有率が１０％以上で
ある特許ＨＹＩ求の範囲第１項記載の中性子吸収材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160882A JPS5950150A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 中性子吸収材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160882A JPS5950150A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 中性子吸収材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950150A true JPS5950150A (ja) | 1984-03-23 |
| JPH0559186B2 JPH0559186B2 (ja) | 1993-08-30 |
Family
ID=15724405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57160882A Granted JPS5950150A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 中性子吸収材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950150A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02108999A (ja) * | 1988-09-15 | 1990-04-20 | Europ De Zirconium Cezus:Co | 中性子吸収ペレットの製造方法 |
| JP2002538472A (ja) * | 1999-03-03 | 2002-11-12 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | ボロンカーバイドとハフニウムとを含有した中性子吸収材料およびその製造方法 |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP57160882A patent/JPS5950150A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02108999A (ja) * | 1988-09-15 | 1990-04-20 | Europ De Zirconium Cezus:Co | 中性子吸収ペレットの製造方法 |
| JP2002538472A (ja) * | 1999-03-03 | 2002-11-12 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | ボロンカーバイドとハフニウムとを含有した中性子吸収材料およびその製造方法 |
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| JPH0559186B2 (ja) | 1993-08-30 |
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