JPH02106974A - 高耐圧半導体装置 - Google Patents

高耐圧半導体装置

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JPH02106974A
JPH02106974A JP26180688A JP26180688A JPH02106974A JP H02106974 A JPH02106974 A JP H02106974A JP 26180688 A JP26180688 A JP 26180688A JP 26180688 A JP26180688 A JP 26180688A JP H02106974 A JPH02106974 A JP H02106974A
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JP
Japan
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type
type impurity
impurity
concentration
diffused
Prior art date
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Pending
Application number
JP26180688A
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English (en)
Inventor
Kunio Sasaki
佐々木　邦男
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H01L29/7398—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with both emitter and collector contacts in the same substrate side

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高耐圧の２重拡散ＭＯＳトランジスタ（ＤＭＯ
３）に関し、チャネル部に低濃度のＮ型不純物を補償拡
散し、高耐圧で閾値電圧ｖＴを低くしたＤＭＯ８に関す
る。
〔従来の技術〕
従来、この種の縦型のＮ型ＤＭＯ８を形成する場合、ゲ
ートポリシリコン形成後、Ｐ型不純物とＮ型不純物を二
重拡散することにより、チャネル部とソースを形成して
いた。そのときの不純物濃度分布は第３図のようになっ
ていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の高耐圧縦型ＤＭＯ３は、高耐圧を確保す
るために空乏層の曲率が小さくならないように、Ｐ型不
純物（Ｐベース）の濃度を高くして深く拡散されるよう
にしている。Ｐベースの濃度が高いためｖＴが高くなり
、高耐圧と同時に大電流を得ることは難しいという問題
がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の縦型ＤＭＯ８は、Ｐベースを形成するＰ型不純
物をイオン注入した後短時間の押込みを行い、その後低
濃度のＮ型不純物をイオン注入し、さらに押込みを行う
ことによりＰ型不純物の補償を行い表面濃度を下げる。
その後にソースとなる高濃度のＮ型不純物を拡散する。
本発明においてはＰベースの濃度とＮ型不純物の濃度に
よりｖＴをコントロールする。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
第１図に示すように、Ｐ型半導体基板ｌの表面からＮ型
不純物を拡散しドレインとなる埋込層２を形成する。そ
の後Ｎ−型エピタキシャル層４とドレインの取り出し拡
散層３を形成する。次にゲートポリシリコンロを形成し
た後、Ｐベース９となるＰ型不純物をイオン注入し短時
間の押込みを行なう。さらにＶ、を下げるための低濃度
Ｎ型不純物をイオン注入した後、さらに押込みを行い、
ソース７となるＮ型拡散層、バックゲートの電位を取る
Ｐ型拡散層８を形成する。このときの不純物濃度は第２
図のようになる。
また、他の実施例としてＰベース層９の形成方法として
、まずＰ型不純物のイオン注入後法に低濃度のＮ型をイ
オン注入し、同時に押込みを行なった後ソース７を形成
することもできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、チャネル部に低濃度のＮ
型不純物が補償拡散されているため、Ｐベースとなる高
濃度のＰ型不純物を拡散しても、深く拡散されることに
より高耐圧を得ることが出来ると同時に、表面のＰ型濃
度が低くＶ？が低くなることにより電流特性も良くする
ことが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は本発明
の一実施例の不純物濃度と深さの関係を示す図、第３図
は従来の不純物濃度分布を示す図である。 １・・・・・・Ｐ型半導体基板、２・・・・・・Ｎ型埋
込層（ＤＭＯ３のドレイン）、３・・・・・・Ｎ型拡散
層、４・・・・・・Ｎ−型エピタキシャル層、５・・・
・・・低濃度Ｎ型拡散層、６・・・・・・ゲートポリシ
リ、７・・・・・・ＤＭＯ８用Ｎ１（ソース）、８・・
・・・・Ｐ型拡散層、９・・・・・・ＤＭＯ８用Ｐベー
ス。 代理人　弁理士　　内　原　　　音

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高耐圧の２重拡散ＭＯＳトランジスタにおいて、チャネ
    ル部に逆導電型の不純物を補償拡散したことを特徴とす
    る高耐圧半導体装置
JP26180688A 1988-10-17 1988-10-17 高耐圧半導体装置 Pending JPH02106974A (ja)

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JP26180688A JPH02106974A (ja) 1988-10-17 1988-10-17 高耐圧半導体装置

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JP26180688A JPH02106974A (ja) 1988-10-17 1988-10-17 高耐圧半導体装置

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JPH02106974A true JPH02106974A (ja) 1990-04-19

Family

ID=17366975

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JP26180688A Pending JPH02106974A (ja) 1988-10-17 1988-10-17 高耐圧半導体装置

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JP (1) JPH02106974A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7938414B2 (en) 2005-09-13 2011-05-10 Ksm Castings Gmbh Auxiliary frame, particularly for motor vehicles

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7938414B2 (en) 2005-09-13 2011-05-10 Ksm Castings Gmbh Auxiliary frame, particularly for motor vehicles
JP4856705B2 (ja) * 2005-09-13 2012-01-18 カーエスエム キャスティングス ゲーエムベーハー 補助フレーム、より好適には自動車に対する補助フレーム
US8393627B2 (en) 2005-09-13 2013-03-12 Ksm Castings Group Gmbh Longitudinal link for an auxiliary frame, particularly for motor vehicles

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