JPH0210597B2

JPH0210597B2 -

Info

Publication number: JPH0210597B2
Application number: JP56162738A
Authority: JP
Inventors: Yukio Yamaguchi
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1981-10-14
Filing date: 1981-10-14
Publication date: 1990-03-08
Also published as: JPS5864094A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、多層配線基板に外部接続用ピンが取
付けられた接続用ピン付多層配線基板に関する。

集積回路技術の進歩によつて、基板上への素子
の塔載は、個別トランジスタの塔載から半導体集
積回路の塔載そして、複数個のLSIの塔載へと向
かつて来た。それに伴い、混成集積回路において
は、同一基板上に高密度に回路を構成する必要に
迫られ、一枚の基板上に実装できる回路密度は限
定されているので、より実装密度を向上させるた
めに、内部配線の多層化された多層配線基板が使
用されている。

従来、厚膜混成集積回路用多層配線基板とし
て、絶縁性、熱放散性、機械的強度に優れた多層
セラミツク基板が用いられている。

第１図は、この種の多層配線基板に外部接続用
ピンが取付けられた、接続用ピン付多層配線基板
の従来例の構成を示した正面断面図である。図に
おいて、１は第１の多層配線基板で、多層セラミ
ツク板１１と、MoやＷなどからなる第１の導電
体１２から構成され、２は接続用ピンである。図
に示されるように、第１の導電体１２は、複数の
セラミツク材が積層された多層セラミツク板１１
の内部及び表面に配線されている。このような構
造の接続用ピン付多層配線基板は、セラミツク材
が焼結前の状態、いわゆるグリーンシートの状態
のときに、そのグリーンシート上にMoやＷなど
の導体ペーストで配線をスクリーン印刷し、この
ようにして配線された複数のセラミツク材を位置
を合わせて積層し、それから焼結して第１の多層
配線基板１を形成し、その後接続用ピン２をロウ
付けして製造するものであつた。

上記の製造過程において、配線された複数のセ
ラミツク材の位置合せは機械的な精度できまるた
め、積層数を多くするにつれ配線の密度を小さく
せざるを得ず、積層数に限界があると共に、高温
焼結のため、個々のセラミツク材の板厚を薄くす
ることや配線の線幅を微細にすることにも限界が
あつた。更に、高温で焼結するため、その配線に
使用される第１の導電体１２は、セラミツク材の
焼結温度に耐えられる高融点金属、つまり前記の
MoやＷに限られてしまい、これら第１の導電体
１２の電気抵抗が大きいことも、基板の回路特性
として好ましいものではなかつた。

又、第１の多層配線基板１は、焼結時に収縮率
のばらつきを生じるので、この表面に接続用ピン
２を付けるためには、補正用のランド（端子領
域）が必要なことが知られている。第１の多層配
線基板１のサイズが小さい場合や接続用ピン２の
ピン数が少ない場合は、このランドを設けること
に何ら問題がない。しかしながら、第１の多層配
線基板１のサイズが大きくなると、必要なランド
径も大きくなる。逆に、接続用ピン２のピン数が
増大するとピン密度も大きくなり、単位面積当り
に多数の接続用ピン２を立てなければならないの
で、ランド径を小さくする必要がある。従つて、
このような場合、第１の多層配線基板１の表面に
ランドを設け、そこに多数の接続用ピン２を取付
けることは困難である。

本発明の目的は、高密度微細な多層配線基板を
形成した接続用ピン付多層配線基板を提供するこ
とにある。

本発明の他の目的は、配線用導電体として高温
焼結に適したMoやＷだけでなく電気抵抗の低い
通常の導体金属をも用いることを可能にした接続
用ピン付多層配線基板を提供することにある。

本発明によると、複数のセラミツク材が積層さ
れた多層セラミツク板および該多層セラミツク板
の内部と表面に配線された第１の導電体とから構
成される第１の多層配線基板と、複数の低温焼成
無機絶縁材が積層された多層無機絶縁板および該
多層無機絶縁板の内部と表面に配線された第２の
導電体とから構成される第２の多層配線基板と、
外部接続用ピンとを有し、前記第１及び前記第２
の多層配線基板は、互いに一方の表面において前
記第１及び第２の導電体が互いに電気的に接続す
るように結合され、かつ前記外部接続用ピンは前
記第２の多層配線基板の他方の表面で前記第２の
導電体に固着されていることを特徴とする接続用
ピン付多層配線基板が得られる。

以下、本発明の実施例につき図面を参照して説
明する。

第２図は、本発明の一実施例の構成を示した正
面断面図である。図において、１は第１の多層配
線基板、２は接続用ピン、２０は第２の多層配線
基板である。第１の多層配線基板１は、従来と同
様、複数のセラミツク材が積層された多層セラミ
ツク板１１と、多層セラミツク板１１の内部及び
表面に配線されたMoやＷからなる第１の導電体
１２とから構成され、その製造法も従来と同様で
ある。一方、第２の多層配線基板２０は、複数の
低温焼成無機絶縁材が積層された多層無機絶縁板
２１と、多層無機絶縁板２１の内部及び表面に配
線された第２の導電体２２とから構成される。図
に示されるように、第１の多層配線基板１と第２
の多層配線基板２０は、互いに一方の表面におい
て両導電体１２と２２が互いに電気的に接続する
ように結合され、且つ接続用ピン２は、第２の多
層配線基板２０の他方の表面で第２の導電体２２
に固着されている。ここに使用される低温焼成無
機絶縁材としては、例えば100℃焼成ができる住
友化学工業(株)製スミセラム（商品名）、150℃焼成
ができる東亜合成化学工業(株)製アロンセラミツク
（商品名）などがある。

このような構成により、従来の第１の多層配線
基板１の積層数を軽減できるので、位置合わせの
精度を余り考慮する必要がなく、それ自体従来よ
りは高密度化できる。一方、第２の多層配線基板
２０は、低温焼成の無機絶縁板２１で構成されて
いるため、個々の基板の板厚を薄くでき、配線の
線幅も微細にすることができる。従つて、２個の
基板１，２０のそれぞれの表面で両導電体１２と
２２が電気的に接続するように配置して構成され
た新しい基板は、従来の基板と外形はほとんど同
じであるにもかかわらず、非常に高密度微細な基
板を構成できた。

又、微細化高密度化に適した第２の多層配線基
板２０と、前述したように熱放散性、機械的強度
に優れた第１の多層配線基板１とを組合わせたこ
とにより、各々の基板の特長を生かした多層配線
基板が構成できた。

更に、接続用ピン２は、第２の多層配線基板２
０側へ取付けられるので、第１の多層配線基板１
からの熱放散を妨げず、又、収縮率のばらつきに
よる誤差が生じない。従つて、本発明による接続
用ピン付多層配線基板は、従来と同様絶縁性、熱
放射性、機械的強度においても申し分なく、又、
従来のような基板サイズやピン密度からくるラン
ド径の制約はない。

そして、第２の多層配線基板２０には、低温焼
成無機絶縁材の多層無機絶縁板２１が使用されて
いるので、多層無機絶縁板２１の内部及び表面に
配線される第２の導電体２２の材料には、従来の
MoやＷと較べてその電気抵抗が数分の１である
通常の導体金属Cuが使用でき且つ、第１の多層
配線基板１の積層数も少なくなつたので、基板の
回路特性も従来と較べ良くなつた。

以上の説明で明らかなように、本発明による
と、高密度微細な接続用ピン付多層配線基板を構
成できる。

また、外部接続用ピンを、低温焼成無機絶縁材
の多層無機絶縁板を使用した第２の多層配線基板
側に設けているので、従来のような収縮率からく
る制約を取除くことができる。これにより、大形
基板上に多数の外部接続用ピンを高密度に取付け
ることが可能になつた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来例の構成を示した正面断面図、
第２図は、本発明の一実施例の構成を示した正面
断面図である。記号の説明：１は第１の多層配線基板、２は接
続用ピン、１１は多層セラミツク板、１２は第１
の導電体、２０は第２の多層配線基板、２１は多
層無機絶縁板、２２は第２の導電体をそれぞれあ
らわしている。

Claims

【特許請求の範囲】

１複数のセラミツク材が積層された多層セラミ
ツク板および該多層セラミツク板の内部と表面に
配線された第１の導電体とから構成される第１の
多層配線基板と、複数の低温焼成無機絶縁材が積
層された多層無機絶縁板および該多層無機絶縁板
の内部と表面に配線された第２の導電体とから構
成される第２の多層配線基板と、外部接続用ピン
とを有し、前記第１及び前記第２の多層配線基板
は、互いに一方の表面において前記第１及び第２
の導電体が互いに電気的に接続するように結合さ
れ、かつ前記外部接続用ピンは前記第２の多層配
線基板の他方の表面で前記第２の導電体に固着さ
れていることを特徴とする接続用ピン付多層配線
基板。