JPH02105404A - セラミックコンデンサ - Google Patents
セラミックコンデンサInfo
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- JPH02105404A JPH02105404A JP25862288A JP25862288A JPH02105404A JP H02105404 A JPH02105404 A JP H02105404A JP 25862288 A JP25862288 A JP 25862288A JP 25862288 A JP25862288 A JP 25862288A JP H02105404 A JPH02105404 A JP H02105404A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミックコンデンサに関し、特に温度に対す
る静電容量の変化の少ないセラミックコンデンサに関す
るものである。
る静電容量の変化の少ないセラミックコンデンサに関す
るものである。
従来のセラミックコンデンサについて、図面を参照して
説明する。第６図は従来のセラミックコンデンサの１例
の斜視図である。１ａはＰｂ（Ｍｇ１／３ Ｎｂ
２／３ ）Ｏ，？ Ｔ ｉｏ、ｚ （Ｎ ｉ
１／２ Ｗｌ／２ ）０．１０３の化学組成を持つ
誘電体層である。２は銀・パラジウム合金から成る内部
電極、３は銀・パラジウム合金から成る外部電極である
。
説明する。第６図は従来のセラミックコンデンサの１例
の斜視図である。１ａはＰｂ（Ｍｇ１／３ Ｎｂ
２／３ ）Ｏ，？ Ｔ ｉｏ、ｚ （Ｎ ｉ
１／２ Ｗｌ／２ ）０．１０３の化学組成を持つ
誘電体層である。２は銀・パラジウム合金から成る内部
電極、３は銀・パラジウム合金から成る外部電極である
。
本セラミックコンデンサにおける内部電極２間の誘電体
層の化学組成はいずれも同一で、上述した化学組成から
成る。
層の化学組成はいずれも同一で、上述した化学組成から
成る。
本セラミックコンデンサの２０℃における比誘電率ｔｒ
は約２１０００である。また電圧印加の無い場合の温度
に対する静電容ｉｔ（以下容量と略称）の変化、すなわ
ち容量の温度特性（ΔＣ／Ｃ）は第７図となる。すなわ
ち−２５〜＋８５℃の温度範囲で０〜−６０−の容量変
化を示す。これはＪＩ８のＹＦ特性を満たす（−２５〜
＋８５℃で＋３０〜−８０％）。
は約２１０００である。また電圧印加の無い場合の温度
に対する静電容ｉｔ（以下容量と略称）の変化、すなわ
ち容量の温度特性（ΔＣ／Ｃ）は第７図となる。すなわ
ち−２５〜＋８５℃の温度範囲で０〜−６０−の容量変
化を示す。これはＪＩ８のＹＦ特性を満たす（−２５〜
＋８５℃で＋３０〜−８０％）。
上述した従来のセラミックコンデンサは、２０℃におけ
る比誘電率ｔｒは茫２１０００であるが、−２５℃で一
６０％もの容量の変化を示す。すなわち、−２５℃では
８ｒは８４００に低下する。一般に従来用いられている
比誘電率ｅｒが２０℃で５，０００以上であるセラミッ
クコンデンサの容量の温度特性は通常−２５〜＋８５℃
で＋２０〜−８０チ程度の大きな変化を示す。たとえば
Ｐｂ （Ｆｅ ２／３ Ｗ １／３）０．３１１（Ｆｅ
ｌ／２ Ｎｂ １／２）ｏ、４ｓ（Ｚｎ １／３ Ｎｂ
２／３）０．１６０３の化学組成を持つセラミックコ
ンデンサの２０℃での容量は約１８０００であるが、−
２５〜＋８５℃での容量の温度特性は＋０〜−７０％で
ある。よって高い比誘電率を持ち、かつ容量の温度特性
の良いコンデンサが必要な場合、たとえば発振器など容
量の絶対値が動作に影響を与えるような回路にはこの梅
のセラミックコンデンサは使用できないという欠点があ
る。
る比誘電率ｔｒは茫２１０００であるが、−２５℃で一
６０％もの容量の変化を示す。すなわち、−２５℃では
８ｒは８４００に低下する。一般に従来用いられている
比誘電率ｅｒが２０℃で５，０００以上であるセラミッ
クコンデンサの容量の温度特性は通常−２５〜＋８５℃
で＋２０〜−８０チ程度の大きな変化を示す。たとえば
Ｐｂ （Ｆｅ ２／３ Ｗ １／３）０．３１１（Ｆｅ
ｌ／２ Ｎｂ １／２）ｏ、４ｓ（Ｚｎ １／３ Ｎｂ
２／３）０．１６０３の化学組成を持つセラミックコ
ンデンサの２０℃での容量は約１８０００であるが、−
２５〜＋８５℃での容量の温度特性は＋０〜−７０％で
ある。よって高い比誘電率を持ち、かつ容量の温度特性
の良いコンデンサが必要な場合、たとえば発振器など容
量の絶対値が動作に影響を与えるような回路にはこの梅
のセラミックコンデンサは使用できないという欠点があ
る。
本発明の目的は、従来の欠点を除去し、高い比誘電率を
もち、かつ温度に対する容量の変化が少ないセラミック
コンデンサを提供することにある。
もち、かつ温度に対する容量の変化が少ないセラミック
コンデンサを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のセラミックコンデンサは、静電容量が最大値を
示す温度の異なる誘電体層を少なくとも二層有している
。
示す温度の異なる誘電体層を少なくとも二層有している
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第１の実施例の分
解斜視図、第２図は容量の温度特性を示したグラフであ
（Ｎｉ １／２ Ｗｌ／２）ｏ、１ｓｏａ 、Ｐｂ（Ｍ
ｇｌ／３ Ｎｂ２／３）ｏ、７Ｔｉ０．２２５（Ｎｉ
１／２ Ｗｌ／２）ｏ、ｏ７ｓｏａからなるセラミック
コンデンサである。第２図中、ａ、ｂのグラフは、それ
ぞれセラミックコンデンサ４，５の容量の温度特性を示
すものである。すなわち、セラミックコンデンサ４．５
はそれぞれ容量の温度特性の異なる誘電体層で構成され
る。セラミックコンデンサ５の上端面の、外部電極３の
上部には銀粉末を主成分とする接着用導体６を、また誘
電体層ＩＣの上部にはホウ硅酸鉛ガラスを主成分とした
接層用絶縁体７をスクリーン印刷した後に、セラミック
コンデンサ４．５を積層し、約６００℃で焼成して接着
することによシ、容量の温度特性の異なる誘電体層を２
ｎ４持つセラミックコンデンサが得られる。真空中の誘
電率を’Ｏｒセラミックコンデンサ４．５のそれぞれの
Ｔ℃における比誘電率をεｒＡ＋εｒＢ＋電極間隔をｄ
＾ｔｄｌｌ＋電極面積をＳＡ、５Ｂ−Ｔ”（３における
容量をＣ人＋”Ｂとすると、ＣＡ＊ ＣＢは式（１）
、 ＋２）で表わされる。
解斜視図、第２図は容量の温度特性を示したグラフであ
（Ｎｉ １／２ Ｗｌ／２）ｏ、１ｓｏａ 、Ｐｂ（Ｍ
ｇｌ／３ Ｎｂ２／３）ｏ、７Ｔｉ０．２２５（Ｎｉ
１／２ Ｗｌ／２）ｏ、ｏ７ｓｏａからなるセラミック
コンデンサである。第２図中、ａ、ｂのグラフは、それ
ぞれセラミックコンデンサ４，５の容量の温度特性を示
すものである。すなわち、セラミックコンデンサ４．５
はそれぞれ容量の温度特性の異なる誘電体層で構成され
る。セラミックコンデンサ５の上端面の、外部電極３の
上部には銀粉末を主成分とする接着用導体６を、また誘
電体層ＩＣの上部にはホウ硅酸鉛ガラスを主成分とした
接層用絶縁体７をスクリーン印刷した後に、セラミック
コンデンサ４．５を積層し、約６００℃で焼成して接着
することによシ、容量の温度特性の異なる誘電体層を２
ｎ４持つセラミックコンデンサが得られる。真空中の誘
電率を’Ｏｒセラミックコンデンサ４．５のそれぞれの
Ｔ℃における比誘電率をεｒＡ＋εｒＢ＋電極間隔をｄ
＾ｔｄｌｌ＋電極面積をＳＡ、５Ｂ−Ｔ”（３における
容量をＣ人＋”Ｂとすると、ＣＡ＊ ＣＢは式（１）
、 ＋２）で表わされる。
本実施例の合成されたセラミックコンデンサの容量をＣ
とすると、Ｃは式（３）で表わされる。
とすると、Ｃは式（３）で表わされる。
本実施例では、セラミックコンデンサ４．５のセラミッ
クコンデンサ４．５の比誘電４６１人、 ｇｒＢはそれ
ぞれ７７００と１１６００である。本実施例の合成され
たセラミックコンデンサの２０°Ｃにおける見掛けの比
誘電率Ｃ４は９３００、容量の温度特性は第２図中のＣ
のグラフとなる。すなわち、−２５〜＋８５℃において
＋１５〜−２５％と容量の変化の少ないセラミックコン
デンサが得られる。これはＪＩ８のＹＤ特性（−２５〜
＋８５℃で＋２０〜−３０Ｓ）を満足する。
クコンデンサ４．５の比誘電４６１人、 ｇｒＢはそれ
ぞれ７７００と１１６００である。本実施例の合成され
たセラミックコンデンサの２０°Ｃにおける見掛けの比
誘電率Ｃ４は９３００、容量の温度特性は第２図中のＣ
のグラフとなる。すなわち、−２５〜＋８５℃において
＋１５〜−２５％と容量の変化の少ないセラミックコン
デンサが得られる。これはＪＩ８のＹＤ特性（−２５〜
＋８５℃で＋２０〜−３０Ｓ）を満足する。
第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２の実施例の分解斜
視図、第４図は容量の温度特性を示したグラフである。
視図、第４図は容量の温度特性を示したグラフである。
８，９．１０はそれぞれ誘電体〜ｌｄ、ｌｅ。
１ｆの化学組成が
Ｐｂ（Ｍｇｌ／３ Ｎｂ２／３）ｏ、ｙ Ｔｉｏ、ｘｓ
（Ｎｉ １／２ Ｗｌ／２）ｏＪｓｏａ。
（Ｎｉ １／２ Ｗｌ／２）ｏＪｓｏａ。
Ｐｂ （Ｍｇｌ／３ Ｎｂ２／３ ） ｏ、ｔＴ ｉ
ｏ、２（Ｎｉ １／２ Ｗ １／２ ）０．１０ ｓ
。
ｏ、２（Ｎｉ １／２ Ｗ １／２ ）０．１０ ｓ
。
Ｐｂ （Ｍｇ １／３ Ｎｂ２／３ ）０．７ Ｔ ｉ
ｏ、ｚｓ （Ｎｉ １／２ Ｗｌ／２ ） ｏ、ｏｓ
Ｏ３からなるセラミックコンデンサである。第４図中、
ａ、ｂ、ｃのグラフは、それぞれセラミックコンデンサ
８，９．１０の容量の温度特性を示すものである。上述
した第１の実施例と同様の方法でセラミックコンデンサ
８，９．１０を接着することにより、容量の温度特性の
異なる誘電体層を３層持つセラミンクコンデンサが得ら
れる。
ｏ、ｚｓ （Ｎｉ １／２ Ｗｌ／２ ） ｏ、ｏｓ
Ｏ３からなるセラミックコンデンサである。第４図中、
ａ、ｂ、ｃのグラフは、それぞれセラミックコンデンサ
８，９．１０の容量の温度特性を示すものである。上述
した第１の実施例と同様の方法でセラミックコンデンサ
８，９．１０を接着することにより、容量の温度特性の
異なる誘電体層を３層持つセラミンクコンデンサが得ら
れる。
本実施例におけるセラミックコンデンサ８，９゜１０の
（電極面積）／（電極間隔）の比は、５：３：５とした
。２０℃における上述の各セラミックコンデンサ８，９
．１０の比誘電率はそれぞれ７７００．２１０００．５
３００である。本実施例のセラミックコンデンサの２０
℃における見掛けの比誘電率Ｅｒは９７００ 、容量の
温度特性は第４図中のｄのグラフとなる。すなわち、−
２５〜８５℃において、＋８〜−９％と、非常に容量の
変化の少ないセラミックコンデンサが得られる。これは
ＪＩＳのＹＢ特性（−２５〜＋８５℃で±１０チ以内）
を満足する。
（電極面積）／（電極間隔）の比は、５：３：５とした
。２０℃における上述の各セラミックコンデンサ８，９
．１０の比誘電率はそれぞれ７７００．２１０００．５
３００である。本実施例のセラミックコンデンサの２０
℃における見掛けの比誘電率Ｅｒは９７００ 、容量の
温度特性は第４図中のｄのグラフとなる。すなわち、−
２５〜８５℃において、＋８〜−９％と、非常に容量の
変化の少ないセラミックコンデンサが得られる。これは
ＪＩＳのＹＢ特性（−２５〜＋８５℃で±１０チ以内）
を満足する。
第５図（ａ）〜は）は本発明の第３の実施例の分解斜視
図である。ｌｌａ〜ｌｌｆは第１および第２の実施例で
述べたセラミックコンデンサと同様の構造のものの外部
電極３上に銅メツシユをハンダ付けしたメツシュ・リー
ドである。１２，１３．１４は、メツシュ・リードｌｌ
ａ〜ｌｌｆを付けた後、メツシュ・リードｌｌａ〜ｌｌ
ｆがはがれないようにエポキシ樹脂１６でモールドして
形成した樹脂外装セラミックコンデンサであう、内部の
構造および化学組成はそれぞれ第２の実施例の８．９．
１０と同じである。樹脂外装セラミックコンデンサ１２
゜１３．１４を積層し、各メツシュ・リード１１ ａ
ｙ １１ ｂ ＋１１Ｃとｌｉｄ、ｌｉｅ、ｌｌｆとを
それぞれハンダ付けすることによシ、第２の実施例と同
様の電気特性を持つセラミックコンデンサが得られる。
図である。ｌｌａ〜ｌｌｆは第１および第２の実施例で
述べたセラミックコンデンサと同様の構造のものの外部
電極３上に銅メツシユをハンダ付けしたメツシュ・リー
ドである。１２，１３．１４は、メツシュ・リードｌｌ
ａ〜ｌｌｆを付けた後、メツシュ・リードｌｌａ〜ｌｌ
ｆがはがれないようにエポキシ樹脂１６でモールドして
形成した樹脂外装セラミックコンデンサであう、内部の
構造および化学組成はそれぞれ第２の実施例の８．９．
１０と同じである。樹脂外装セラミックコンデンサ１２
゜１３．１４を積層し、各メツシュ・リード１１ ａ
ｙ １１ ｂ ＋１１Ｃとｌｉｄ、ｌｉｅ、ｌｌｆとを
それぞれハンダ付けすることによシ、第２の実施例と同
様の電気特性を持つセラミックコンデンサが得られる。
この実施例では各セラミックコンデンサ１２゜１３．１
４を個々に分けられるために、部品交換が容易であると
いうオリ点がある。
４を個々に分けられるために、部品交換が容易であると
いうオリ点がある。
以上説明したように本発明は、温度に対する静電容量の
変化率の異なる誘電体層を少なくとも２層形成すること
によシ、高い比誘電率を持ち、かつ温度に対する容量の
変化が少ないセラミックコンデンサが得られる効果があ
る。
変化率の異なる誘電体層を少なくとも２層形成すること
によシ、高い比誘電率を持ち、かつ温度に対する容量の
変化が少ないセラミックコンデンサが得られる効果があ
る。
第１話本発明の第１の実施例の分解斜視図、第２図は第
１の実施例の温度に対する容量変化を示すグラフ、第３
厘π未発明の第２の実施例の分解斜視図、第４図は本発
明の第２の実施例の温度に対する容量の変化を示すグラ
フ、第５図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第３の実施例の分
解斜視図、第６図は従来のセラミックコンデンサの一例
の斜視図、第７図は従来のセラミックコンデンサの温度
に対する容量の変化を示すグラフである。
１の実施例の温度に対する容量変化を示すグラフ、第３
厘π未発明の第２の実施例の分解斜視図、第４図は本発
明の第２の実施例の温度に対する容量の変化を示すグラ
フ、第５図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第３の実施例の分
解斜視図、第６図は従来のセラミックコンデンサの一例
の斜視図、第７図は従来のセラミックコンデンサの温度
に対する容量の変化を示すグラフである。
１ａ−１ｆ・・・・・・誘電体層、２・・・・・・内部
電極、３・・・・・・外部電極、４，５，８，９，１０
・・・・・・セラミックコンデンサ、６・・・・・・接
着用導体、７・・・・・・接着用絶縁体、１１ａ〜ｌｌ
ｆ・・・・・・メツシュ・リード、１２゜１３．１４・
・・・・・樹脂外装セラミックコンデンサ、１５・・・
・・・ハンダ、１６・・・・・・エポキシ樹脂。
電極、３・・・・・・外部電極、４，５，８，９，１０
・・・・・・セラミックコンデンサ、６・・・・・・接
着用導体、７・・・・・・接着用絶縁体、１１ａ〜ｌｌ
ｆ・・・・・・メツシュ・リード、１２゜１３．１４・
・・・・・樹脂外装セラミックコンデンサ、１５・・・
・・・ハンダ、１６・・・・・・エポキシ樹脂。
代理人 弁理士 内 原 晋
Ｉｂ、 ／Ｃ
４，６
誘電ａ層
外装ｉう
亡プ：、、クコシデンブ
層重用１４本
４Ｅ看坪排ｅ寿みＡ不
万 １ 図
ΔＣ／Ｃ
［％Ｊ
八Ｃ／（”
〔％〕
く才 噂
ｅ （
ガ
父
月
図
／ｄ：誘電体層
ｚ：Ｉｔｌ予謁
、３ ： タトｆＰｔオ！し
兜
図
△Ｃ／Ｇ
Ｅ％］
Claims (1)
- 静電容量が最大値を示す温度の異なる誘電体層を少な
くとも二層有することを特徴とするセラミックコンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25862288A JPH02105404A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25862288A JPH02105404A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105404A true JPH02105404A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17322837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25862288A Pending JPH02105404A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02105404A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998021731A1 (en) * | 1996-11-11 | 1998-05-22 | Zivic Zoran | Multifunctional protective component |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25862288A patent/JPH02105404A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998021731A1 (en) * | 1996-11-11 | 1998-05-22 | Zivic Zoran | Multifunctional protective component |
| US6395605B1 (en) | 1996-11-11 | 2002-05-28 | Keko-Varicon | Multifunctional protective component |
| EP1632959A2 (en) * | 1996-11-11 | 2006-03-08 | Keko-Varicon d.o.o. | Multifunctional protective component |
| EP1632959A3 (en) * | 1996-11-11 | 2006-09-20 | Keko-Varicon d.o.o. | Multifunctional protective component |
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