JPH02101467A - レジスト現像方法 - Google Patents
レジスト現像方法Info
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- JPH02101467A JPH02101467A JP25614388A JP25614388A JPH02101467A JP H02101467 A JPH02101467 A JP H02101467A JP 25614388 A JP25614388 A JP 25614388A JP 25614388 A JP25614388 A JP 25614388A JP H02101467 A JPH02101467 A JP H02101467A
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- Japan
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- wafer
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板上に塗布されたレジストを現像液に
よってパターン形成を行なうレジスト現像方法に関する
。
よってパターン形成を行なうレジスト現像方法に関する
。
近年、半導体集積回路の製造に於いて、この半導体集積
回路を低価格に大量生産し、かつ高性能なものとすべく
、高集積化、微細化が推進され、超ＬＳＩなどと呼ばれ
ている高密度記憶回路装置が開発されている。超ＬＳＩ
回路パターンを半導体基板上に形成するためには微細パ
ターンを正確に形成する必要があり、レジスト現象工程
は重要なものとなっている。
回路を低価格に大量生産し、かつ高性能なものとすべく
、高集積化、微細化が推進され、超ＬＳＩなどと呼ばれ
ている高密度記憶回路装置が開発されている。超ＬＳＩ
回路パターンを半導体基板上に形成するためには微細パ
ターンを正確に形成する必要があり、レジスト現象工程
は重要なものとなっている。
第３図は従来のレジスト現像方法を説明するための縦断
面図である。ウェハー１０１は現像装置のウェハーチャ
ック２０１上に真空吸着されている。ウェハー１０１上
には被加工材１０２及びレジスト１０３が被着されてい
る。現像工程はまずレジスト１０３上に現像装置のノズ
ル２０３から水を滴下した後、ウェハーチャック支持棒
２０２を高速回転することにより、水を飛散させ、レジ
ス）１０３表面のゴミを除去すると同時に、現像液に対
するなじみを良くする。その後ノズル２０３から現像液
１０４Ｂをレジスト１０３上に適量滴下し、現像液１０
４Ｂがレジスト表面を被った状態にすると同時に支持棒
２０２をゆっくりと回転し、一定時間現像を行なう。次
に支持棒２０２を高速回転し、現像液を飛散させる。次
に再びノズル２０３より水を滴下、支持棒２０２を高速
回転と行ない、現像処理を終了する。
面図である。ウェハー１０１は現像装置のウェハーチャ
ック２０１上に真空吸着されている。ウェハー１０１上
には被加工材１０２及びレジスト１０３が被着されてい
る。現像工程はまずレジスト１０３上に現像装置のノズ
ル２０３から水を滴下した後、ウェハーチャック支持棒
２０２を高速回転することにより、水を飛散させ、レジ
ス）１０３表面のゴミを除去すると同時に、現像液に対
するなじみを良くする。その後ノズル２０３から現像液
１０４Ｂをレジスト１０３上に適量滴下し、現像液１０
４Ｂがレジスト表面を被った状態にすると同時に支持棒
２０２をゆっくりと回転し、一定時間現像を行なう。次
に支持棒２０２を高速回転し、現像液を飛散させる。次
に再びノズル２０３より水を滴下、支持棒２０２を高速
回転と行ない、現像処理を終了する。
上述した従来のレジスト現像方法はウェハー１０１上に
現像液１０４Ｂを表面張力でほぼ静止状態にして行なう
ため、ウェノＳ−１０１の中央部と周辺部とで現像液１
０４Ｂとレジスト１０３との反応速度が異なる。即ち中
央部では比較的現像液１０４Ｂが多量にあるのに対し、
周辺部では現像液１０４Ｂが少なく現像反応によって現
像液の性能が劣化しても新たな現像液が供給される中央
部よりも現像が遅くなってしまう。そのため、中央部と
周辺部とで形成されるパターンの寸法が異なり、集積回
路装置の性能が劣化する、歩留まりが低下する等の影響
があり、高品質の集積回路装置を低価格で大量に安定供
給できないという欠点がある。また、この現像方法によ
る問題点を回避するため現像中、現像液１０４Ｂをノズ
ル２０３から供給し続けると、現像液を大量に消費し、
集積回路装置は高価になってしまうという欠点がある。
現像液１０４Ｂを表面張力でほぼ静止状態にして行なう
ため、ウェノＳ−１０１の中央部と周辺部とで現像液１
０４Ｂとレジスト１０３との反応速度が異なる。即ち中
央部では比較的現像液１０４Ｂが多量にあるのに対し、
周辺部では現像液１０４Ｂが少なく現像反応によって現
像液の性能が劣化しても新たな現像液が供給される中央
部よりも現像が遅くなってしまう。そのため、中央部と
周辺部とで形成されるパターンの寸法が異なり、集積回
路装置の性能が劣化する、歩留まりが低下する等の影響
があり、高品質の集積回路装置を低価格で大量に安定供
給できないという欠点がある。また、この現像方法によ
る問題点を回避するため現像中、現像液１０４Ｂをノズ
ル２０３から供給し続けると、現像液を大量に消費し、
集積回路装置は高価になってしまうという欠点がある。
本発明のレジスト現像方法は半導体基板上に塗布された
光感光性有機膜を露光後、現像液を用いてパターン形成
を行なうレジスト現像方法に於いて、半導体基板の光感
光性有機膜の塗布された面を下面とし、現像液表面に平
行に接触し、現像を行なうことにより構成される。
光感光性有機膜を露光後、現像液を用いてパターン形成
を行なうレジスト現像方法に於いて、半導体基板の光感
光性有機膜の塗布された面を下面とし、現像液表面に平
行に接触し、現像を行なうことにより構成される。
本発明においてはウェハーのレジスト面を下面とし現像
液表面に平行に接触し常に現像液とレジストとの反応部
に現像液が供給されるため、ウェハー全面で現像速度が
同じに即ち、形成されるパターンの寸法が一定となる。
液表面に平行に接触し常に現像液とレジストとの反応部
に現像液が供給されるため、ウェハー全面で現像速度が
同じに即ち、形成されるパターンの寸法が一定となる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための縦断面図で
ある。被加工材１０２の被着されたウェハー１０１はレ
ジスト１０３の塗布された面の裏側の面で現像装置の真
空チャック部３０１に真空チャックされ、レジスト１０
３の塗布されている面を下面として、水１０４Ａの表面
に平行に接触される。水１０４Ａは現像液・水供給ノズ
ル３０４Ａより、カップ３０２Ａの中に供給されている
。
ある。被加工材１０２の被着されたウェハー１０１はレ
ジスト１０３の塗布された面の裏側の面で現像装置の真
空チャック部３０１に真空チャックされ、レジスト１０
３の塗布されている面を下面として、水１０４Ａの表面
に平行に接触される。水１０４Ａは現像液・水供給ノズ
ル３０４Ａより、カップ３０２Ａの中に供給されている
。
カップ３０２Ａは支持棒３０３が回転するにつれて、同
じく回転し、それによってカップ３０２Ａ中の水１０４
・Ａはカップ中を移動しレジスト１０３の表面を水洗し
、また現像液に対するなじみを良くする。
じく回転し、それによってカップ３０２Ａ中の水１０４
・Ａはカップ中を移動しレジスト１０３の表面を水洗し
、また現像液に対するなじみを良くする。
次にウェハー１０１を吸着したままチャック３０１が上
昇すると同時にカップ下の弁３０６が開き、排口３０５
より水１０４Ａが排出される。
昇すると同時にカップ下の弁３０６が開き、排口３０５
より水１０４Ａが排出される。
水１０４Ａの排出後、再び弁３０６が閉じ、ノズル３０
４Ａより、現像液がカップ３０２Ａ内に適量滴下される
。その後、ウェハーチャック３０１が降下し、レジスト
面が現像液１０４Ｂに平行に接触する。カップ３０２Ａ
は支持棒３０３によって回転し、ウェハー中心部と周辺
部とで現像速度が同じになるように制御される。また、
この回転により、レジスト表面と現像液界面との気泡１
０５は液流により、外側へ流され削減する。こうして、
一定時間現像が行なわれた後、現像液は排日３０５より
排出され、ノズル３０４Ａよりカップ３０２Ａに供給さ
れる水により、パターンの形成されたレジストは水洗さ
れ現像プロセスは終了する。
４Ａより、現像液がカップ３０２Ａ内に適量滴下される
。その後、ウェハーチャック３０１が降下し、レジスト
面が現像液１０４Ｂに平行に接触する。カップ３０２Ａ
は支持棒３０３によって回転し、ウェハー中心部と周辺
部とで現像速度が同じになるように制御される。また、
この回転により、レジスト表面と現像液界面との気泡１
０５は液流により、外側へ流され削減する。こうして、
一定時間現像が行なわれた後、現像液は排日３０５より
排出され、ノズル３０４Ａよりカップ３０２Ａに供給さ
れる水により、パターンの形成されたレジストは水洗さ
れ現像プロセスは終了する。
第２図は本発明の他の実施例を説明するための縦断面図
である。基本的には一実施例とほとんど同じであるが、
一実施例のノズル３０４Ａを、第２図の如くカップ３０
２Ｂの横に供給口３０４Ｂとし、またカップ３０２Ｂは
支持棒３０３で回転すると同時に、カップ３０２Ｂの中
に回転フィン３０７を取り付けこれをさらに回転するこ
とにより、現像液のカップ中での流れをより細かく制御
し、現像の均一性を向上したものである。カップ３０２
Ｂ及びフィン３０７の回転方向は自由に選択でき、また
、どちらか一方だけを回転しても良い ウェハーチャックは真空吸着ばかりでなく、ウェハーの
横側を機械的に固定する方式でも良い。
である。基本的には一実施例とほとんど同じであるが、
一実施例のノズル３０４Ａを、第２図の如くカップ３０
２Ｂの横に供給口３０４Ｂとし、またカップ３０２Ｂは
支持棒３０３で回転すると同時に、カップ３０２Ｂの中
に回転フィン３０７を取り付けこれをさらに回転するこ
とにより、現像液のカップ中での流れをより細かく制御
し、現像の均一性を向上したものである。カップ３０２
Ｂ及びフィン３０７の回転方向は自由に選択でき、また
、どちらか一方だけを回転しても良い ウェハーチャックは真空吸着ばかりでなく、ウェハーの
横側を機械的に固定する方式でも良い。
以上説明したように本発明はウェハーのレジスト塗布面
を下面とし、現像液表面に接触させることにより、ウェ
ハー中心部も周辺部も現像速度が同じになり、パターン
寸法が一定に形成されまた、現像液の消費量も少なく高
性能・低価格の集積回路が多量に安定供給できるという
効果がある。
を下面とし、現像液表面に接触させることにより、ウェ
ハー中心部も周辺部も現像速度が同じになり、パターン
寸法が一定に形成されまた、現像液の消費量も少なく高
性能・低価格の集積回路が多量に安定供給できるという
効果がある。
排日、
３０６・・・・・・弁、
Claims (1)
- 半導体基板上に塗布された光感光性有機膜を露光後、現
像液を用いてパターン形成を行なうレジスト現像方法に
於いて、前記半導体基板の前記光感光性有機膜の塗布さ
れた面を下面とし前記現像液表面に平行に接触し、現像
を行なうことを特徴とするレジスト現像方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25614388A JP2712392B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | レジスト現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25614388A JP2712392B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | レジスト現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101467A true JPH02101467A (ja) | 1990-04-13 |
| JP2712392B2 JP2712392B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=17288500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25614388A Expired - Lifetime JP2712392B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | レジスト現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712392B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6632476B2 (en) | 2000-03-15 | 2003-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| FR2971065A1 (fr) * | 2011-01-28 | 2012-08-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de developpement de motifs a haut rapport de forme |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5275385B2 (ja) * | 2011-02-22 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機現像処理方法及び有機現像処理装置 |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP25614388A patent/JP2712392B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6632476B2 (en) | 2000-03-15 | 2003-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| FR2971065A1 (fr) * | 2011-01-28 | 2012-08-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de developpement de motifs a haut rapport de forme |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2712392B2 (ja) | 1998-02-10 |
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