JPS5939367A - 自動回転塗布機 - Google Patents
自動回転塗布機Info
- Publication number
- JPS5939367A JPS5939367A JP15037482A JP15037482A JPS5939367A JP S5939367 A JPS5939367 A JP S5939367A JP 15037482 A JP15037482 A JP 15037482A JP 15037482 A JP15037482 A JP 15037482A JP S5939367 A JPS5939367 A JP S5939367A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- nozzle
- coating
- sea
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は自動回転塗布機に係り、とくに液ぼてを起こさ
ない(塗布液が被塗布物に一旦塗布された後、塗布液が
被塗布物上に滴下しない)ように、可動塗布液ノズルを
有する自動回転塗布機に関するものである。
ない(塗布液が被塗布物に一旦塗布された後、塗布液が
被塗布物上に滴下しない)ように、可動塗布液ノズルを
有する自動回転塗布機に関するものである。
以下に半導体ウニノー−プロセス・フォトレジスト工程
のレジスト塗布を例として具体的に述べる。
のレジスト塗布を例として具体的に述べる。
半導体はそのウェノ1−プロセスにおいて、S1ウエハ
ーの片面あるいtま両面の所定位置に所定形状寸法のP
型あるいはN型不純物を拡散する工程を有し、これは通
常次のように行う。
ーの片面あるいtま両面の所定位置に所定形状寸法のP
型あるいはN型不純物を拡散する工程を有し、これは通
常次のように行う。
始めにウェハー全面に熱酸化等により所足厚のS i
O*膜を形成する。欠いでSiウェハーの不純物拡散面
金IIIjだレジストを塗布し、ソフトベーク露光、現
像、ハードベーク、5ift膜エツチ、レジスト除去の
フォトレジスト工程全行い、Siウェハーの不純物拡散
面の所定位置の75i定形状寸法のSiO*Nを除去す
る。その後このSiウェハー勿不純物拡散炉に挿入して
所定の不純物拡1Fir行い、Siウェハーの7オトレ
ジストエ程でstow膜の除去された箇75rにのみ不
純物を拡散する。。
O*膜を形成する。欠いでSiウェハーの不純物拡散面
金IIIjだレジストを塗布し、ソフトベーク露光、現
像、ハードベーク、5ift膜エツチ、レジスト除去の
フォトレジスト工程全行い、Siウェハーの不純物拡散
面の所定位置の75i定形状寸法のSiO*Nを除去す
る。その後このSiウェハー勿不純物拡散炉に挿入して
所定の不純物拡1Fir行い、Siウェハーの7オトレ
ジストエ程でstow膜の除去された箇75rにのみ不
純物を拡散する。。
このフォトレジスト工程の中のレジスト塗布は、第1図
に示すようなフォトレジスト自動塗布機を1吏用して次
のように行う。レジスト塗布面が上になるようにSiウ
ェノ’−1t−収納したキャリア2をローダ部3にセッ
トすると%S1ウェハー1がキャリア2中からスピンコ
ータ部4ヘゴムベルト5により搬出される。スピンコー
タ部4で、トランスフォームメカニズムアーム6(以下
TRMアームと称する)lCより、Siウェハー1はウ
ェハーチャック7上に載置され、吸着固定される。
に示すようなフォトレジスト自動塗布機を1吏用して次
のように行う。レジスト塗布面が上になるようにSiウ
ェノ’−1t−収納したキャリア2をローダ部3にセッ
トすると%S1ウェハー1がキャリア2中からスピンコ
ータ部4ヘゴムベルト5により搬出される。スピンコー
タ部4で、トランスフォームメカニズムアーム6(以下
TRMアームと称する)lCより、Siウェハー1はウ
ェハーチャック7上に載置され、吸着固定される。
次いでウェハーチャック7を回転することによりSlウ
ェハーl′ft回転しながら、ウェハーチャツク7上部
に位置するレジストノズル8かうSiウェハー1上にレ
ジストが所足量簡下され、そのff1siウエハーlが
所定の速度で回転し、レジストが81ウ工ハー1全面に
均一に塗布される。塗布後、S1ウエハー1はTRMア
ーム6により、ウェハーチャック7上からゴムベルト9
に載せられ、次いでゴムベルト9によりアンローダ部1
゜のキ、Yリアll中に搬入される。以上のレジスト塗
布において、従来の方法でに次のような欠点を有してい
た。tなわち、従来の7オトレジスト自動塗布機ではレ
ジストノズルが固定なので、Siウェハーにレジストが
一旦塗布された後レジスト液ぼてが起こると、液ぼて箇
所およびその近辺のレジスト厚が厚<fx、t>、この
箇所はソフトベーク工程でのソ7トベーク不足、および
露光工程での露光部露光不足ケきたし、後の現像工程で
の紅九部しジスト溶M=、Fe潤、あるいはパターン切
れ不良を引き起こす。
ェハーl′ft回転しながら、ウェハーチャツク7上部
に位置するレジストノズル8かうSiウェハー1上にレ
ジストが所足量簡下され、そのff1siウエハーlが
所定の速度で回転し、レジストが81ウ工ハー1全面に
均一に塗布される。塗布後、S1ウエハー1はTRMア
ーム6により、ウェハーチャック7上からゴムベルト9
に載せられ、次いでゴムベルト9によりアンローダ部1
゜のキ、Yリアll中に搬入される。以上のレジスト塗
布において、従来の方法でに次のような欠点を有してい
た。tなわち、従来の7オトレジスト自動塗布機ではレ
ジストノズルが固定なので、Siウェハーにレジストが
一旦塗布された後レジスト液ぼてが起こると、液ぼて箇
所およびその近辺のレジスト厚が厚<fx、t>、この
箇所はソフトベーク工程でのソ7トベーク不足、および
露光工程での露光部露光不足ケきたし、後の現像工程で
の紅九部しジスト溶M=、Fe潤、あるいはパターン切
れ不良を引き起こす。
以″FVcこれを詳述する。フォトレジスト自動塗布機
でのSiウェハーへのレジスト塗31iの概1IIi!
!は前述の通りであるが、その中で核心であるスピンナ
カップ都でのSiウェハーへのレジストγ丙下からレジ
スト塗41完了までのシーフェンスは辿常次のようにな
っている。第2図のように、siウェハーlがウェハー
チャ、り7上に吸着・固定された後、まず、Siウェハ
ーlを低速(数百rpm )で回転しながらレジストノ
ズル8よりレジストがハ[定量滴下される。(シーフェ
ンス1)次いテslウェハー1回転速度が中速(約2o
oOrpm)に上がり、l九足時曲回転してレジストが
Siウェハーl全面に広がる(シーフェンス2)。すG
yVcsiウェハー1回転速度が高速(3500〜40
00rpm)にな9、所定時間回転し、塗布レジスト厚
がSlウェハーl全面にわたって均一となる(シーフェ
ンス3)最後にSlウェハー1の回転が止まり、静止す
る(シーフェンス4)。以上のシークエ。
でのSiウェハーへのレジスト塗31iの概1IIi!
!は前述の通りであるが、その中で核心であるスピンナ
カップ都でのSiウェハーへのレジストγ丙下からレジ
スト塗41完了までのシーフェンスは辿常次のようにな
っている。第2図のように、siウェハーlがウェハー
チャ、り7上に吸着・固定された後、まず、Siウェハ
ーlを低速(数百rpm )で回転しながらレジストノ
ズル8よりレジストがハ[定量滴下される。(シーフェ
ンス1)次いテslウェハー1回転速度が中速(約2o
oOrpm)に上がり、l九足時曲回転してレジストが
Siウェハーl全面に広がる(シーフェンス2)。すG
yVcsiウェハー1回転速度が高速(3500〜40
00rpm)にな9、所定時間回転し、塗布レジスト厚
がSlウェハーl全面にわたって均一となる(シーフェ
ンス3)最後にSlウェハー1の回転が止まり、静止す
る(シーフェンス4)。以上のシークエ。
ス中とくにシーフェンス3、あるいはシーフェンス4で
、レジスト液ぼてが起ζると、第4図、第5図のよ5i
CjR下箇所およびその近辺のレジスト厚が非常に厚く
なる。そしてこのレジスト厚が厚くなった所にソフトベ
ーク工程でのソフトベーク不足、)露光工程での露光部
露光不足となるために、後の現像工程でw!元部レジス
トの溶解、膨閥、るるいはパターン切れ不良等が起仁る
。
、レジスト液ぼてが起ζると、第4図、第5図のよ5i
CjR下箇所およびその近辺のレジスト厚が非常に厚く
なる。そしてこのレジスト厚が厚くなった所にソフトベ
ーク工程でのソフトベーク不足、)露光工程での露光部
露光不足となるために、後の現像工程でw!元部レジス
トの溶解、膨閥、るるいはパターン切れ不良等が起仁る
。
不発明の目的は従来の欠点葡除去したg、はてのlいレ
ジスト塗布方法を提供することにあυ、その特徴は5J
動レジストノズルを廟する7第1・レジスト自動塗布機
を使用することIcある。
ジスト塗布方法を提供することにあυ、その特徴は5J
動レジストノズルを廟する7第1・レジスト自動塗布機
を使用することIcある。
以下図面によシ粁細に説明する。第6図は本発明の実施
例1に係るフォトレジスト自動塗布機1機・スピンナカ
ップ11部の略平面図でめり、レジストノズル8はウェ
ハーチャ、り7上とS1ウェノ1−1上外との間で可動
となっており、これはレジストが81ウエハー1上にr
M下される時(シーフェンス1)のみSiウェハーl上
に移動し、その他のシーフェンスではStウェノ′−−
1上外に位置する構造となっている0第7図のようにS
iウヱノS−1がスピンナカップ11部に搬送されてき
てウェハ−チャ、り7に吸着・固定され、レジストノズ
ル8がSiウェハー1上に移動した後、Slウェノ為−
1が低速(数百rpm)で回転しながら、レジストノズ
ル8よりレジストが所定!滴下される。レジスト滴下後
レジストノズル8は3iウエノS−1上外へ移動する0
以後前記シークエンス2〜シークエンス4と同様にシー
フェンスが進行し、Sllウニ−1にレジストが塗布さ
れる。レジストノズル8はレジスト誦下後Stウェハー
1上外へ移動するので、Slウェハー1上に液ぼてを起
こすことはなく、シたがって現像工程での露光部レジス
トの溶解、膨潤、あるいはパターン切れ不良等は発生し
ない。
例1に係るフォトレジスト自動塗布機1機・スピンナカ
ップ11部の略平面図でめり、レジストノズル8はウェ
ハーチャ、り7上とS1ウェノ1−1上外との間で可動
となっており、これはレジストが81ウエハー1上にr
M下される時(シーフェンス1)のみSiウェハーl上
に移動し、その他のシーフェンスではStウェノ′−−
1上外に位置する構造となっている0第7図のようにS
iウヱノS−1がスピンナカップ11部に搬送されてき
てウェハ−チャ、り7に吸着・固定され、レジストノズ
ル8がSiウェハー1上に移動した後、Slウェノ為−
1が低速(数百rpm)で回転しながら、レジストノズ
ル8よりレジストが所定!滴下される。レジスト滴下後
レジストノズル8は3iウエノS−1上外へ移動する0
以後前記シークエンス2〜シークエンス4と同様にシー
フェンスが進行し、Sllウニ−1にレジストが塗布さ
れる。レジストノズル8はレジスト誦下後Stウェハー
1上外へ移動するので、Slウェハー1上に液ぼてを起
こすことはなく、シたがって現像工程での露光部レジス
トの溶解、膨潤、あるいはパターン切れ不良等は発生し
ない。
本発明による可動塗布液ノズルを有するフォトレジスト
自動塗布機を使用することにより、半導、体を歩留よく
製造することができる。
自動塗布機を使用することにより、半導、体を歩留よく
製造することができる。
@1図はフォトレジスト自動塗布機の略平面図′である
。第2図は従来の7オトレジスト自動塗布機スピンナカ
ヴグ部略平面図である。第3図は同略断l1図である0
第4図は従来のレジストノズル使用によりレジスト塗布
を行った時に発生するレジスト液ぼて全示す略平面図で
ある。第5図は同略断面図である0第6図は不発明によ
る可動レジストノズルを有するフォトレジスト自動塗布
機スピンナ力、グ部の、可動レジストノズルがStウェ
ハー上外に位置しているのを示す略平面図である。第7
図は同じく可動レジストノズルがSlウェハー上に位置
しているのを示す略平面図である。
。第2図は従来の7オトレジスト自動塗布機スピンナカ
ヴグ部略平面図である。第3図は同略断l1図である0
第4図は従来のレジストノズル使用によりレジスト塗布
を行った時に発生するレジスト液ぼて全示す略平面図で
ある。第5図は同略断面図である0第6図は不発明によ
る可動レジストノズルを有するフォトレジスト自動塗布
機スピンナ力、グ部の、可動レジストノズルがStウェ
ハー上外に位置しているのを示す略平面図である。第7
図は同じく可動レジストノズルがSlウェハー上に位置
しているのを示す略平面図である。
Claims (1)
- 自動回転塗布機において、塗布液ノズルが塗布液滴下シ
ーフェンス時のみ被塗布物上にあり、その他のシーフェ
ンス時は被塗布物上外にあることを特徴と−する自動回
転塗布機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15037482A JPS5939367A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 自動回転塗布機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15037482A JPS5939367A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 自動回転塗布機 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5939367A true JPS5939367A (ja) | 1984-03-03 |
Family
ID=15495590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15037482A Pending JPS5939367A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 自動回転塗布機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5939367A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61141619A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | Dowa Mining Co Ltd | ジルコニア微粉体の製造法 |
JPS6283305A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | Okamura Seiyu Kk | 透明性金属酸化物の製造方法 |
JPS62197152A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-08-31 | Sumitomo Cement Co Ltd | 触媒関連材料の作成方法 |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP15037482A patent/JPS5939367A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61141619A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | Dowa Mining Co Ltd | ジルコニア微粉体の製造法 |
JPH0238527B2 (ja) * | 1984-12-13 | 1990-08-30 | Dowa Kogyo Kk | |
JPS6283305A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | Okamura Seiyu Kk | 透明性金属酸化物の製造方法 |
JPS62197152A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-08-31 | Sumitomo Cement Co Ltd | 触媒関連材料の作成方法 |
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