JPH0199281A - プリント基板の製造方法 - Google Patents
プリント基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
プリント基板の製造方法に関し、
電子部品をプリント基板の回路パターンにマウントする
ための半田デイツプの工程で、レジスト膜とプリント基
板の密着不良の箇所よりレジスト膜が剥がれて半田が入
り込みその半田で導体層間がショートする現象を防止し
たプリント基板の製造方法の提供を目的とし、 樹脂基材にレーザビームを用いて所定パターンの溝を形
成し、該形成された溝以外の基材表面に所定パターンの
レジスト膜を選択的に形成した後、該基材上に導体層を
形成後、前記レジスト膜を除去することでその上の導体
層を除去して選択的に］）１記溝内に導体層を埋設形成
する工程を含むことで構成する。
ための半田デイツプの工程で、レジスト膜とプリント基
板の密着不良の箇所よりレジスト膜が剥がれて半田が入
り込みその半田で導体層間がショートする現象を防止し
たプリント基板の製造方法の提供を目的とし、 樹脂基材にレーザビームを用いて所定パターンの溝を形
成し、該形成された溝以外の基材表面に所定パターンの
レジスト膜を選択的に形成した後、該基材上に導体層を
形成後、前記レジスト膜を除去することでその上の導体
層を除去して選択的に］）１記溝内に導体層を埋設形成
する工程を含むことで構成する。
［産業上の利用分野］
本発明はプリント基板の製造方法に係り、特に半田デイ
ツプ作業の際の導体層回路パターン間に於けるショート
の事故の防止およびプリント基板取り扱い時のパターン
に傷が発生しないようにしたプリント基板の製造方法に
関する。
ツプ作業の際の導体層回路パターン間に於けるショート
の事故の防止およびプリント基板取り扱い時のパターン
に傷が発生しないようにしたプリント基板の製造方法に
関する。
半導体素子や抵抗のような電子部品を搭載し、電子装置
を形成するために樹脂基材のような絶縁性基板に銅およ
び半田メッキ層を二層構造に所定のパターンに形成した
回路パターンを有するプリント基板が用いられている。
を形成するために樹脂基材のような絶縁性基板に銅およ
び半田メッキ層を二層構造に所定のパターンに形成した
回路パターンを有するプリント基板が用いられている。
このようなプリント基板の一般的な構造に付いて第３図
および第４図を用いて述べると、エポキシ樹脂、或いは
ポリイミド樹脂のような基材１の表面に銅メッキ層およ
び半田メッキ層より二層構造の導体層パターン２が形成
されており、また基材１に設けたスルーホール３にも前
記した銅メッキ層、および半田メッキ層よりなる導体層
のランド４が形成されている。
および第４図を用いて述べると、エポキシ樹脂、或いは
ポリイミド樹脂のような基材１の表面に銅メッキ層およ
び半田メッキ層より二層構造の導体層パターン２が形成
されており、また基材１に設けたスルーホール３にも前
記した銅メッキ層、および半田メッキ層よりなる導体層
のランド４が形成されている。
またこの導体層パターン２の表面には、該プリント基板
の取扱時に、導体層パターン２の表面に傷が発生しない
ように、またこのプリント基板に抵抗、或いは半導体素
子のような電子部品を搭載するために、所定の導体層パ
ターンに半田デイツプを行う際に、隣接する他の導体層
パターンに半［Ｕが付着するのを防止するのを目的とし
てレジスト膜５が被着形成されている。
の取扱時に、導体層パターン２の表面に傷が発生しない
ように、またこのプリント基板に抵抗、或いは半導体素
子のような電子部品を搭載するために、所定の導体層パ
ターンに半田デイツプを行う際に、隣接する他の導体層
パターンに半［Ｕが付着するのを防止するのを目的とし
てレジスト膜５が被着形成されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで上記したレジスト膜は、導体層パターン２のピ
ッチや、高さ（メッキ厚さ）が均一でない等の理由によ
り均一な厚さに被着形成することが困難で、第３図に示
すように該レジスト膜５の一部が、例えば矢印Ａに示す
位置で欠落した状態に成っている。
ッチや、高さ（メッキ厚さ）が均一でない等の理由によ
り均一な厚さに被着形成することが困難で、第３図に示
すように該レジスト膜５の一部が、例えば矢印Ａに示す
位置で欠落した状態に成っている。
このような状態で半田デイツプを行うと、該半田デイツ
プ槽内の加熱された半田の熱に依って、レジスト膜が欠
落した箇所の銅メッキ層および半田メッキ層の二層構造
の導体層パターン２の上層の半田メッキ層が溶融しミ第
４図に示すように導体層パターン２Ａ、２Ｂどうしがシ
ョートする問題点がある。
プ槽内の加熱された半田の熱に依って、レジスト膜が欠
落した箇所の銅メッキ層および半田メッキ層の二層構造
の導体層パターン２の上層の半田メッキ層が溶融しミ第
４図に示すように導体層パターン２Ａ、２Ｂどうしがシ
ョートする問題点がある。
またこのようにレジスト膜５が欠落した状態であると、
導体層パターン２の表面の半田層に傷が生じたり、一部
が欠落して断線等の現象が発生する等の問題がある。
導体層パターン２の表面の半田層に傷が生じたり、一部
が欠落して断線等の現象が発生する等の問題がある。
またこのレジスト膜が、フィルム状のレジスト膜をプリ
ント基板に加圧してラミネートした後、焼付露光法を用
いて形成したソルダーレジスト膜である場合、レジスト
膜をプリント基板にラミネートする際の基板に対する加
圧力の不均等の理由によって、レジスト膜が基板より浮
き上がる現象が発生し、この浮き上がった箇所が破れて
溶融半田が入りこんで導体層パターン間がショートする
問題がある。
ント基板に加圧してラミネートした後、焼付露光法を用
いて形成したソルダーレジスト膜である場合、レジスト
膜をプリント基板にラミネートする際の基板に対する加
圧力の不均等の理由によって、レジスト膜が基板より浮
き上がる現象が発生し、この浮き上がった箇所が破れて
溶融半田が入りこんで導体層パターン間がショートする
問題がある。
本発明は上記した問題点を除去し、半田デイツプ時に、
導体層の半田メッキ層が溶融して隣接する導体層パター
ンどうしがシ＝！−１〜するような事故が発生しないよ
うに、またプリント基板の取扱い時に導体層パターンに
傷が発生しないようにしたプリント基板の製造方法の提
供を目的とする。
導体層の半田メッキ層が溶融して隣接する導体層パター
ンどうしがシ＝！−１〜するような事故が発生しないよ
うに、またプリント基板の取扱い時に導体層パターンに
傷が発生しないようにしたプリント基板の製造方法の提
供を目的とする。
上記目的を達成するための本発明のプリントｇ板の製造
方法は、樹脂基材にレーザビームを用いて所定パターン
の溝を形成し、該形成された溝以外の基材表面に所定パ
ターンのレジスト膜を選択的に形成した後、該基材上に
導体層を形成後、前記レジスト膜を除去することでその
上の導体層を除去して選択的に前記溝内に導体層を埋設
形成後、該溝内の導体層を含む基材上に選択的にレジス
ト膜を形成することで構成する。
方法は、樹脂基材にレーザビームを用いて所定パターン
の溝を形成し、該形成された溝以外の基材表面に所定パ
ターンのレジスト膜を選択的に形成した後、該基材上に
導体層を形成後、前記レジスト膜を除去することでその
上の導体層を除去して選択的に前記溝内に導体層を埋設
形成後、該溝内の導体層を含む基材上に選択的にレジス
ト膜を形成することで構成する。
［作 用］
本発明のプリント基板の製造方法は、レーザビームで形
成した溝内に埋設するようにして銅メッキおよび半田メ
ッキの二層構造の導体層パターンを形成後、該パターン
を含む基材上にホトレジスト膜を塗布することで、基材
と密着度を高めた状態で、均一な厚さでホトレジストが
基板上に被着形成できる。
成した溝内に埋設するようにして銅メッキおよび半田メ
ッキの二層構造の導体層パターンを形成後、該パターン
を含む基材上にホトレジスト膜を塗布することで、基材
と密着度を高めた状態で、均一な厚さでホトレジストが
基板上に被着形成できる。
そのため、導体層パターンが確実にレジスト膜で保護さ
れ、導体層が基材上より突出していないため、パターン
の表面に傷が入ったり、また半田デイツプ時に、半田デ
イツプを行っているパターンに隣接しているパターンが
溶融して導体層パターン同士がショートする現象が除去
できる。
れ、導体層が基材上より突出していないため、パターン
の表面に傷が入ったり、また半田デイツプ時に、半田デ
イツプを行っているパターンに隣接しているパターンが
溶融して導体層パターン同士がショートする現象が除去
できる。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第１図に示すように４層のプリント基板を製造する場合
について述べる。
について述べる。
所定の導体層パターン１１を設けた内層材形成用プリン
ト基板１２上にポリイミド樹脂、或いはエポキシ樹脂よ
りなる基材１３を加圧積層する。
ト基板１２上にポリイミド樹脂、或いはエポキシ樹脂よ
りなる基材１３を加圧積層する。
その後、基材１３上に形成すべき溝１４のパターンメモ
リを内蔵した記憶装置１５により制御装置１６を動作さ
せ、この制御装置１６を用いて例えば出力が６０Ｗで、
発振周波数が１０００Ｈｚの炭酸ガスレーザを光源とす
るレーザ装置１７より出力されるレーザビーム１８を所
定の出力値、および所定の描画パターンとなるように制
御する。そしてこのレーザビーム１８を基材１３上に照
射し、該基材１３上に深さが１００μｍで、幅が１００
μｍの寸法の溝１４を形成し、第２図（ａ）に示ず基材
１３を形成する。
リを内蔵した記憶装置１５により制御装置１６を動作さ
せ、この制御装置１６を用いて例えば出力が６０Ｗで、
発振周波数が１０００Ｈｚの炭酸ガスレーザを光源とす
るレーザ装置１７より出力されるレーザビーム１８を所
定の出力値、および所定の描画パターンとなるように制
御する。そしてこのレーザビーム１８を基材１３上に照
射し、該基材１３上に深さが１００μｍで、幅が１００
μｍの寸法の溝１４を形成し、第２図（ａ）に示ず基材
１３を形成する。
次いで溝を形成した基材１３を超音波洗浄し、第２図（
ｂ）に示すように該溝１４を形成した基材１３の表面に
無電解銅メッキ層１９を形成する。
ｂ）に示すように該溝１４を形成した基材１３の表面に
無電解銅メッキ層１９を形成する。
次いで第２図（Ｃ）に示すように、該溝１４以外の領域
に選択的にレジスト膜２１をホトリソグラフィ法を用い
て形成する。
に選択的にレジスト膜２１をホトリソグラフィ法を用い
て形成する。
次いで第２図（ｄ）に示すように、該レジスト膜２１を
マスクとして用いて溝１４内に硫酸銅と銅との電解液を
用いて電解銅メッキ層２２を形成する。更に半田を陽極
とし、基材を陰極とし、硼弗化錫、および硼弗化鉛の混
合液の電解液を用いて電解半田メッキ層２３を積層形成
する。
マスクとして用いて溝１４内に硫酸銅と銅との電解液を
用いて電解銅メッキ層２２を形成する。更に半田を陽極
とし、基材を陰極とし、硼弗化錫、および硼弗化鉛の混
合液の電解液を用いて電解半田メッキ層２３を積層形成
する。
次いで第２図（ｅ）に示すようにレジスト膜除去液を用
いて基材１３上のレジスト膜２１を剥離した後、半田メ
ッキ層２３はエツチングしないが、銅メッキ層はエツチ
ングするエンチンダ液により基材１３表面の無電解銅メ
ッキ層１９をエツチング除去する。
いて基材１３上のレジスト膜２１を剥離した後、半田メ
ッキ層２３はエツチングしないが、銅メッキ層はエツチ
ングするエンチンダ液により基材１３表面の無電解銅メ
ッキ層１９をエツチング除去する。
次いで第２図（ｆ）に示すように、該基材１３の全面に
レジスト膜２４を被着し、該レジス１−膜２４を加熱溶
融してプリント基板を形成する。
レジスト膜２４を被着し、該レジス１−膜２４を加熱溶
融してプリント基板を形成する。
更に図示していないが、このプリント基板に半田デイツ
プ作業を行う際には、該レジスト膜の一部を除去して銅
メッキ層２２と半田メッキ層２３より成る導体層を露出
させる。
プ作業を行う際には、該レジスト膜の一部を除去して銅
メッキ層２２と半田メッキ層２３より成る導体層を露出
させる。
このようにすれば、レジスト膜２４が確実に導体層パタ
ーンの表面を覆うようになり、従来のようにレジスト膜
の欠落によって半田デイツプ作業の際に他の導体層パタ
ーンとショートする不都合が除去できる。
ーンの表面を覆うようになり、従来のようにレジスト膜
の欠落によって半田デイツプ作業の際に他の導体層パタ
ーンとショートする不都合が除去できる。
またプリント基板の取扱時に導体層パターンが基材表面
より突出していないため、この突出した部分よりレジス
ト膜が剥離するような事故が防止でき、パターン表面が
確実にレジスト膜で被覆されているので、傷や欠落の発
生する不都合な現象が除去できる。
より突出していないため、この突出した部分よりレジス
ト膜が剥離するような事故が防止でき、パターン表面が
確実にレジスト膜で被覆されているので、傷や欠落の発
生する不都合な現象が除去できる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、半田デ
イツプ時に他の導体層パターンとショートしない、かつ
導体層パターンの表面に傷が発生しない高信頼度のプリ
ント基板が得られる効果がある。
イツプ時に他の導体層パターンとショートしない、かつ
導体層パターンの表面に傷が発生しない高信頼度のプリ
ント基板が得られる効果がある。
第１図は本発明のプリント、ＩＨ仮の製造方法の説明図
、 第２図（ａ）より第２図（ｒ）までは、本発明のプリン
ト基板の製造方法を示す断面図、 第３図、および第４図は従来のプリント基板の不都合な
状態図である。 図において、 １１は導体層パターン、１２は内層材形成用プリント基
板、１３は基材、１４は溝、１５は記憶装置、１６は制
御装置、１７はレーザ装置、１８はレーザビーム、１９
は無電解銅メッキ層、２１ 、２４はレジスト膜、２２
は銅メッキ層、２３は半田メッキ層を示す。 、杢ｉこ９Ｌ＋ｒじｌ−伍一剋遣ジ１３にのｆＬロ月Ｄ
ゴり１図 °ｂン ２．仁１．２□繰 （Ｃン ＋にぢ９月５７・す〉ト耘、ｌ咋ζｊ！各立江と示す２
咋６ｂ出第２図 け） 、杢４さ旦Ｈの゛アリ＞ｔ４ｗ：ｔｒｑＢ辷カシ夫座丞
ヂ鮪づｈυコ第２図
、 第２図（ａ）より第２図（ｒ）までは、本発明のプリン
ト基板の製造方法を示す断面図、 第３図、および第４図は従来のプリント基板の不都合な
状態図である。 図において、 １１は導体層パターン、１２は内層材形成用プリント基
板、１３は基材、１４は溝、１５は記憶装置、１６は制
御装置、１７はレーザ装置、１８はレーザビーム、１９
は無電解銅メッキ層、２１ 、２４はレジスト膜、２２
は銅メッキ層、２３は半田メッキ層を示す。 、杢ｉこ９Ｌ＋ｒじｌ−伍一剋遣ジ１３にのｆＬロ月Ｄ
ゴり１図 °ｂン ２．仁１．２□繰 （Ｃン ＋にぢ９月５７・す〉ト耘、ｌ咋ζｊ！各立江と示す２
咋６ｂ出第２図 け） 、杢４さ旦Ｈの゛アリ＞ｔ４ｗ：ｔｒｑＢ辷カシ夫座丞
ヂ鮪づｈυコ第２図
Claims (1)
- 樹脂基材（１３）にレーザビームを用いて所定パター
ンの溝（１４）を形成し、該基材上に無電解金属メッキ
層（１９）を形成後、前記溝（１４）以外の基材表面に
所定パターンのレジスト膜（２１）を選択的に形成した
後、該基材上に回路パターン形成用の導体層（２２，２
３）を形成後、前記レジスト膜（２１）、および無電解
金属メッキ層（１９）を除去することで選択的に前記溝
（１４）内に導体層（２２，２３）を埋設形成する工程
を含むことを特徴とするプリント基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25813887A JPH0199281A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | プリント基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25813887A JPH0199281A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | プリント基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0199281A true JPH0199281A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17316043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25813887A Pending JPH0199281A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | プリント基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0199281A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120015397A (ko) * | 2010-08-03 | 2012-02-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로기판의 제조 방법 |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP25813887A patent/JPH0199281A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120015397A (ko) * | 2010-08-03 | 2012-02-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로기판의 제조 방법 |
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