JPH0199220A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH0199220A JPH0199220A JP25810587A JP25810587A JPH0199220A JP H0199220 A JPH0199220 A JP H0199220A JP 25810587 A JP25810587 A JP 25810587A JP 25810587 A JP25810587 A JP 25810587A JP H0199220 A JPH0199220 A JP H0199220A
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- JP
- Japan
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- etching
- ionizer
- ions
- plasma etching
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Pending
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
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Landscapes
- Electrostatic Separation (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置、特にＡｆｉプラズマエ
ツチング装置に関するものである。
ツチング装置に関するものである。
従来、この種のプラズマエツチング装置では、エッチ処
理を終わった半導体基板はそのまま収納側キャリアに収
納され、次の工程に送られる構造となっていた。
理を終わった半導体基板はそのまま収納側キャリアに収
納され、次の工程に送られる構造となっていた。
最近は半導体基板上の配線構造として、Ａｌ配線下にＴ
ｉＷ等の金属を使用することが多くなった。
ｉＷ等の金属を使用することが多くなった。
一方、フォトレジストをマスクとしてプラズマエッチに
よりＡｌ配線を形成する場合、プラズマエッチ中にフォ
トレジスト等が帯電してしまうという問題がある。
よりＡｌ配線を形成する場合、プラズマエッチ中にフォ
トレジスト等が帯電してしまうという問題がある。
上述した従来のＡｌプラズマエツチング装置では、この
電荷を取り除くことができないため、エツチングを終了
した半導体基板が次工程のウェット装置等で処理される
際、ＡｌとＴｉＷ等の間で電池作用が起り、Ａｌの一部
が溶ける°という欠点があった。
電荷を取り除くことができないため、エツチングを終了
した半導体基板が次工程のウェット装置等で処理される
際、ＡｌとＴｉＷ等の間で電池作用が起り、Ａｌの一部
が溶ける°という欠点があった。
本発明の目的は前記問題点を解消した半導体装置の製造
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
上述した従来のＡｌプラズマエツチング装置に対し、本
発明はプラズマエッチ中に帯電した電荷を除電する機能
を有し、次工程のウェット処理等で電池作用によりＡｌ
が溶けることを防止できるという相違点を有する。
発明はプラズマエッチ中に帯電した電荷を除電する機能
を有し、次工程のウェット処理等で電池作用によりＡｌ
が溶けることを防止できるという相違点を有する。
本発明は半導体基板表面に付着したＡｌをフォトレジス
トをマスクとしてプラズマエッチする装置において、プ
ラズマエッチ中に半導体表面に帯電した電荷を除去する
除電機構を有することを特徴とする半導体装置の製造装
置である。
トをマスクとしてプラズマエッチする装置において、プ
ラズマエッチ中に半導体表面に帯電した電荷を除去する
除電機構を有することを特徴とする半導体装置の製造装
置である。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明をバッチ式Ａｌプラズマエツチング装置
に適用した実施例を示すものである。
に適用した実施例を示すものである。
第１図において、１０１はエツチングチャンバ、１０３
はエツチングチャンバ１０１ヘエツチング前の基板１０
６を供給するローダ側キャリア室、１０２はエツチング
チャンバ１０１からのエツチング済の基板１０７を収納
する収納側キャリア室である。
はエツチングチャンバ１０１ヘエツチング前の基板１０
６を供給するローダ側キャリア室、１０２はエツチング
チャンバ１０１からのエツチング済の基板１０７を収納
する収納側キャリア室である。
本発明はエツチングチャンバ１０１にＮ２配管１０５を
介して電離させたＮｏおよびＮ″″イオンを発生するイ
オナイザ１０４を接続したものである。
介して電離させたＮｏおよびＮ″″イオンを発生するイ
オナイザ１０４を接続したものである。
実施例において、１バツチのエツチングが終了した後、
Ｎ２配管１０５を通して、イオナイザ１０４により電離
させたＮ＋およびＮ−イオンをエツチングチャンバ１０
１内に送り込む。これにより、エツチング中に帯電した
半導体基板表面のΦイオンはＮ−イオンで中和される。
Ｎ２配管１０５を通して、イオナイザ１０４により電離
させたＮ＋およびＮ−イオンをエツチングチャンバ１０
１内に送り込む。これにより、エツチング中に帯電した
半導体基板表面のΦイオンはＮ−イオンで中和される。
（実施例２）
第２図は本発明を枚葉式のＡｌプラズマエツチング装置
に適用した実施例を示すものである。枚葉式の場合、エ
ッチを終了した半導体基板は１枚ずつ常圧にもどされ、
ベルト等で収納側キャリア２゜２に収納される。そこで
、この収納側キャリア２０２の直前にイオナイザ２０４
を設置し、エツチング済基板表面にイｉＦ電している電
荷を除去する。この実施例では、常圧で空気を電離させ
るため、実施例１に比べ、電離したイオンが非常に多く
発生し。
に適用した実施例を示すものである。枚葉式の場合、エ
ッチを終了した半導体基板は１枚ずつ常圧にもどされ、
ベルト等で収納側キャリア２゜２に収納される。そこで
、この収納側キャリア２０２の直前にイオナイザ２０４
を設置し、エツチング済基板表面にイｉＦ電している電
荷を除去する。この実施例では、常圧で空気を電離させ
るため、実施例１に比べ、電離したイオンが非常に多く
発生し。
効果的に中和させることができる利点がある。
以上説明したように本発明はＡｆｌプラズマエッチ後に
半導体基板上に帯電した電荷をイオナイザで除電するこ
とにより、次工程のウェット処理等で電池作用によりＡ
ｌが溶けることを防止できる効果がある。
半導体基板上に帯電した電荷をイオナイザで除電するこ
とにより、次工程のウェット処理等で電池作用によりＡ
ｌが溶けることを防止できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す平面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す側面図である。 １０１．２０１・・・エツチングチャンバ１０４．２０
４・・・イオナイザ 特許出願人 日本電気株式会社 第１図
本発明の第２の実施例を示す側面図である。 １０１．２０１・・・エツチングチャンバ１０４．２０
４・・・イオナイザ 特許出願人 日本電気株式会社 第１図
Claims (1)
- （１）半導体基板表面に付着したＡｌをフォトレジスト
をマスクとしてプラズマエッチする装置において、プラ
ズマエッチ中に半導体表面に帯電した電荷を除去する除
電機構を有することを特徴とする半導体装置の製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25810587A JPH0199220A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25810587A JPH0199220A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0199220A true JPH0199220A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17315569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25810587A Pending JPH0199220A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0199220A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116076A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-11 | Hitachi Ltd | Plasma processing method and its unit |
| JPS55140231A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-01 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor element |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP25810587A patent/JPH0199220A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116076A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-11 | Hitachi Ltd | Plasma processing method and its unit |
| JPS55140231A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-01 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor element |
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