JPH0196894A - ダイナミック形記憶装置 - Google Patents

ダイナミック形記憶装置

Info

Publication number
JPH0196894A
JPH0196894A JP62252867A JP25286787A JPH0196894A JP H0196894 A JPH0196894 A JP H0196894A JP 62252867 A JP62252867 A JP 62252867A JP 25286787 A JP25286787 A JP 25286787A JP H0196894 A JPH0196894 A JP H0196894A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
control clock
address decoder
control
bit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62252867A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Yamazaki
裕之 山崎
Hideki Kawai
秀樹 河合
Kiyoto Ota
清人 大田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP62252867A priority Critical patent/JPH0196894A/ja
Publication of JPH0196894A publication Critical patent/JPH0196894A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ダイナミック形記憶装置に関するものである
従来の技術 近年、ダイナミック形記憶装置は、ますます高集積化さ
れ、同時に低消費電流という課題においても様々な工夫
がなされている。
以下に従来のダイナミック形記憶装置の基本概念につい
て説明する。
第4図は、従来のダイナミック形記憶装置の基本的構成
図であり、1はメモリセルマトリクス、2はワード線、
3はビット線、4はセンスアンプ群、5.6はそれぞれ
X、Yアドレスデコーダ、Aφ〜An−Iはアドレス入
力、φは制御クロック信号、11〜16は論理積(AN
D)回路である。
以上のように構成されたダイナミック形記憶装置につい
て、その動作を簡単に説明する。
制御クロック信号φをアクティブにすることによって、
X、Yアドレス信号がとり込まれ、それぞれX、Yアド
レスデコーダによってデコードされる。これによってX
方向のワードライン2が選択され、同一ワードライン上
のメモリセルのデータが、それぞれに属するビットライ
ン3を伝わり、センスアンプ群4によって増幅され、こ
のうちの特定のビットラインを選択し、データの入出力
を行うしくみになっている。
ところで、ダイナミック形記憶装置は、一般に記憶情報
の保持のために周期的にリフレッシュ動作が必要である
。通常のリフレッシュの方法としては、第2図のダイナ
ミック形記憶装置において、ビットラインを選択するた
めのYアドレス信号は固定しておき、ワード線を選択す
るXアドレス信号を順次変化してゆき、それぞれのXア
ドレス信号に対応する特定行のメモリセルについて、セ
ンスアンプによる増幅および再書込みを行っていた。つ
まり、アドレス信号はXアドレス信号のみ変化させれば
よく、Yアドレス信号は変化させる必要はない。アドレ
スデコーダも、Xアドレスデコーダのみ動作すればよ<
、Yアドレスデコーダの動作は必要ない。
発明が解決しようとする問題点 ところが、第4図のような従来の構成では、制御クロッ
ク信号φによってX、Yアドレスデコーダを同時に動作
させていたので、リフレッシュ時においてもYアドレス
デコーダが動作し、それに伴って余分な消費電流が流れ
るという問題点を有している。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、リフレ
ッシュ動作時には、不必要なYアドレスデコーダの動作
を禁止させ、デコード動作における余分な消費電流をな
くすことのできるダイナミック形記憶装置を提供するこ
とを目的とする。
問題点を解決するための手段 この目的を達成するために本発明のダイナミック形記憶
装置は、N個−のアドレス入力中に1個のコントロール
ビットを設け、1つの制御クロックと前記コントロール
ビットによって第1のAND回路を構成し、前記コント
ロールビット以外の残りのアドレス入力はそれぞれ前記
制御クロックとで第2〜第NのAND回路を構成し、前
記第2〜第NのAND回路の出力を2つのグループに分
割し、第1のグループの出力は第1のアドレスデコーダ
に接続し、第2のグループの出力はそれぞれ前記第1の
AND回路の出力とでさらにAND回路を構成し、その
出力を第2のアドレスデコーダに接続した構成を有して
いる。
作用 この構成によって、コントロールビットの設定でYアド
レスデコーダの動作を制御することができ、リフレッシ
ュ時にはYアドレスデコーダの動作を禁止させ、余分な
消費電流をなくすことができる。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
第1図は、本発明の方式により構成されるダイナミック
形記憶装置の回路例である。
第1図において、φは制御クロック、Aφ〜An−1は
アドレス人力(Aφはコントロールピッ))、11〜2
0は2人力のAND回路、61〜65は内部アドレス信
号、51〜S2はアドレスデコーダである。
以上のように構成された本実施例のダイナミック形記憶
装置について以下その動作を説明する。
まず、制御り凸ツクφがアクティブになることにより、
Aφ〜An−Iのアドレス入力が、制御クロックφとの
ANDをとって内部にとり込まれる。
このうちAφはコントロールビットとして働き、他のア
ドレス入力のうちA1〜Akは制御クロックφとのAN
Dによって内部アドレス信号61〜63を発生し、これ
によってアドレスデコーダ51が起動される。残りのア
ドレス入力Ak+1〜An−Iは制御クロックφとのA
NDをとり、さらに、コントロールビットAφと制御ク
ロックφとのANDによる出力とANDをとって、その
出力を内部アドレス信号64〜66を発生させ、アドレ
スデコーダ52を起動する。
以上のように本実施例によれば、制御クロック信号φに
よってアドレス入力A1〜Anを同時にとり込むが、コ
ントロールビットA1の論理をOにすることによって片
方のアドレスデコーダを起動させないようにすることが
でき、リフレッシュ時のように、一部のアドレスデコー
ダの動作しか必要ない場合には、リフレッシュに必要な
アドレスデコーダと不必要なアドレスデコーダを第1図
のようにふり分ければ、不必要なアドレスデコーダの動
作をコントロールビットによって容易に禁止することが
でき、これによる余分な消費電流をなくすことができる
以下、本発明の他の具体的実施例について、図面を参照
しながら説明する。
第2図は、本発明の方式を応用したダイナミック形記憶
装置の回路例を示すものである。
第2図において、1はメモリセルマトリクス、2はワー
ド線、3はビット線、4はセンスアンプ群、5,6はX
、Yアドレスデコーダ、Aφ〜An−1はアドレス入力
、11〜20はAND回路、21は内部制御クロック発
生回路、φは内部制御クロック、CEはチップ活性化信
号である。
以上のように構成された本実施例のダイナミック形記憶
装置において、以下その動作を説明する。
まずチップ活性化信号CEがアクティブになると、内部
制御信号発生回路21によって、内部制御クロックφが
発生される。この制御クロックφとANDをとって、各
アドレス人力Aφ〜A n −lが内部にとり込まれる
。チップ活性化信号CE、内部制御クロックφ、アドレ
ス人力Aφ〜An−1のタイミングは第3図のようにな
る。
次に、内部制御クロックφによって内部にとり込まれた
アドレス入力のうちAφはコントロールビットとして働
き、A1〜AkはAND回路によって内部アドレス信号
を発生し、Xアドレスデコーダを起動する。残りのアド
レス入力Ak+1〜An−Iは、内部制御クロックφと
のANDをとり、さらに、コントロールビットAφと内
部制御クロックφとのAND回路の出力とANDをとっ
て、その出力を内部アドレス信号としてYアドレスデコ
ーダを起動する。Xアドレスデコーダが起動されると、
メモリセルマトリクス中の特定のワード線の選択および
、センスアンプによるメモリセルデータの増幅を行い、
Yアドレスデコーダが起動されると、前記センスアンプ
による増幅の後、特定のビット線の選択を行い、データ
の入出力を行う。
以上のように本実施例によれば、Yアドレスデコーダの
動作を、コントロールビットAφで制御することにより
、リフレッシュ時の不必要なYアドレスデコーダの動作
をとめることができ、これによる余分な消費電流をなく
すことができる。
発明の効果 本発明は、アドレス入力中にコントロールビットを1個
設けることにより、リフレッシュ時の余分なアドレスデ
コーダの動作を禁止することができ、これに伴う余分な
消費電流をなくすことができ、リフレッシュ電流の小さ
いダイナミック形記憶装置を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例におけるダイナミック形記
憶装置の回路図、第2図は、本発明の構成を応用した第
2の実施例におけるダイナミック形記憶装置の概略図、
第3図は、第2図の構成基本回路図である。 11〜20・・・・・・AND回路、51.52・・・
・・・アドレスデコーダ、61〜65・・・・・・内部
アドレス信号。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名1− メモ
リセルマトソグス 2− ワード線 3− ビット線− 11〜PO−A N D回路 汀−チップ活性化信号 (A耐コントロールビット) j−・−メモリビルマトワクス 2− ワード線 −−vI帥クロヅクイg予

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. N個のアドレス入力中に1個のコントロールビットを設
    け、1つの制御クロックと前記コントロールビットとに
    よって第1の論理積(AND)回路を構成し、前記コン
    トロールビット以外の残りのアドレス入力はそれぞれ前
    記制御クロックとで第2〜第Nの論理積(AND)回路
    を構成し、前記第2〜第NのAND回路の出力を第1、
    第2の2つのグループに分割し、前記第1のグループの
    出力は第1のアドレスデコーダに接続し、前記第2のグ
    ループの出力はそれぞれ前記第1のAND回路の出力と
    でさらに論理積(AND)回路を構成し、その出力を第
    2のアドレスデコーダに接続したことを特徴とするダイ
    ナミック形記憶装置。
JP62252867A 1987-10-07 1987-10-07 ダイナミック形記憶装置 Pending JPH0196894A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62252867A JPH0196894A (ja) 1987-10-07 1987-10-07 ダイナミック形記憶装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62252867A JPH0196894A (ja) 1987-10-07 1987-10-07 ダイナミック形記憶装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0196894A true JPH0196894A (ja) 1989-04-14

Family

ID=17243269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62252867A Pending JPH0196894A (ja) 1987-10-07 1987-10-07 ダイナミック形記憶装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0196894A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS581890A (ja) * 1981-06-29 1983-01-07 Fujitsu Ltd ダイナミツク半導体記憶装置の駆動方式

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS581890A (ja) * 1981-06-29 1983-01-07 Fujitsu Ltd ダイナミツク半導体記憶装置の駆動方式

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6577553B2 (en) Semiconductor memory device
JPH1031886A (ja) ランダムアクセスメモリ
JPH09231740A (ja) 半導体記憶装置
JPH07312085A (ja) メモリ装置
JPH05250867A (ja) ランダムアクセスメモリ
JPS62287499A (ja) 半導体メモリ装置
KR950014901B1 (ko) 다중 로우 및/또는 컬럼을 가변적으로 선택하는 어드레스 디코더 및 이 디코더를 사용한 반도체 기억 장치
JPH0799619B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH0196894A (ja) ダイナミック形記憶装置
JPH07121430A (ja) デジタル映像信号処理用メモリシステム
US5392241A (en) Semiconductor memory circuit with block overwrite
JP2001243764A (ja) 半導体記憶装置
JPH05314763A (ja) 半導体記憶装置
JPH0468714B2 (ja)
US6028815A (en) Integrated memory
JPH05217366A (ja) ダイナミック型半導体メモリ
JP2004047017A (ja) 救済回路付き半導体記憶装置
JPH10255468A (ja) Dramのリフレッシュ装置
JPS6386191A (ja) ダイナミツクメモリ
JPH05159571A (ja) 半導体記憶装置
JPH081745B2 (ja) シリアルアクセスメモリ
JPH04369265A (ja) 半導体記憶装置
KR100535072B1 (ko) 복수개의 뱅크를 동시에 인에이블시키는 싱크로노스 디램
JPS59162691A (ja) ダイナミツクram
JPH0729378A (ja) メモリおよびその制御回路