JPH01950A - 光パターン転写可能なシリコーンポリアミック酸、その製造方法及び利用法 - Google Patents

光パターン転写可能なシリコーンポリアミック酸、その製造方法及び利用法

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JPH01950A
JPH01950A JP63-81471A JP8147188A JPH01950A JP H01950 A JPH01950 A JP H01950A JP 8147188 A JP8147188 A JP 8147188A JP H01950 A JPH01950 A JP H01950A
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silicone
dianhydride
silicone polyamic
mole percent
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ドナルド・アレン・ボロン
ビクトリア・ジーン・エディ
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マイクロシィ・インコーポレーテッド
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、例えばガラス、シリコン又はアルミニウム等
の種々の基体上で光パターン転写可能なシリコーンポリ
アミック酸に関する。更に詳しくは、本発明は光レジス
トのパターン化のための反射防止コーティングとして使
用され得るか、あるいは色フィルターの製造用に例えば
シリコン又はガラス等の透明基体上に光パターン転写さ
れ、そしてその後イミド化され得る光パターン転写可能
なシリコーンポリアミック酸に係わる。
本発明の前に、例えばビラリン（Ｐｙｒａｌｌｎ　）ポ
リアミック酸等のポリアミック酸溶液が標準的なスピン
技法によって約２．５ミクロンの厚みで種々の基体を被
覆するために使用されていた。塗布されたポリアミック
酸、即ちＮ−メチルピロリドン中でのピロメリト酸二無
水物と４，４′−オキシジアニリンの共重合体は、貯蔵
の間に最高４℃で冷蔵される必要があり、そうしないと
容易に不溶性のイミド化状態に転化した。そのため、ビ
ラリンポリアミック酸を、その表面上にポジ型光レジス
トを塗布し、その後に嚢パターン転写及び現像を行なう
のに先立って、不粘着状態にスピン乾燥するのが困難で
あった。
ベンゾフエノンニ無水物とケイ素−炭素結合によってケ
イ素原子と結合した末端アミノアルキル基を有するポリ
ジオルガノシロキサンとの相互縮合により得られるシリ
コーンポリアミック酸を使用することにより、改良され
たポリアミグク酸光パターン転写が達成される。上記シ
リコーンポリアミック酸の使用によってビラリンポリア
ミック酸と比べてシリコンやガラスへの接着の改良が達
成されるが、光レジストのスピンコートの前に塗布され
たシリコーンポリアミック酸を乾燥させる間に早期イミ
ド化の問題も生ずることが見い出された。シリコーンポ
リアミック酸の使用寿命及び塗布された光レジストの現
像の間の有用性も不満足であった。
本発明は、ペンゾフェノンニ無水物（ＢＴＡＤＡ　）及
びアリールジアミンと組合せて、本発明と同一の譲受人
に論渡されたリャン（Ｒｙａｎｇ　）の米国特許第４．
３８１．３９６号明細書（Ｕ、Ｓ、Ｐａｔｏｎｔ　４．
３８１．３９６）に示されたノルボルナンビスアンヒド
リドを含むシロキサン（ＤＩＳＩＡｎ）を使用すること
により得られるある種のシリコーンポリアミック酸が、
基体へ塗布された後のシリコーンポリアミック酸の最初
の乾燥工程の間に過剰のイミド化に抵抗するという知見
に基礎を置いている。光パターン転写された光レジスト
の現像の間に容易にパターン化され得る不粘着シリコー
ンポリアミック酸を製造するために、１２５℃までの温
度が６０分間にわたり使用され得る。驚くべきことに、
反射防止コーティングとして使用された場合にパターン
化されたシリコーンポリアミック酸はその後容易に除去
され得る。このほか、色フィルターの製造に使用された
場合、パターン化されたシリコーンポリアミック酸は完
全にイミド化され得、例えばＮ−メチルピロリドン等の
従来からの有機溶媒に実質的に不溶になる。
発明の説明 本発明によって、基体の少なくとも一部分の表面上で接
着性のシリコーンポリアミック酸をパターン化する方法
であって、前記シリコーンポリアミック酸が、 （１）シリコーンポリアミック酸を基体表面上にスピン
コートし、 （ｉｉ　）前記シリコーンポリアミック酸を１００℃以
上の温度で乾燥させ、 （市）前記シリコーンポリアミック酸の表面上にポジ型
光レジストをスピンコートして、シリコーンポリアミッ
ク酸−レジスト複合体を形成し、（ｉｖ）前記の塗布さ
れたポジ型光レジストをパターン化された紫外光に露光
させ、そして（ｖ）得られたパターン化されたシリコー
ンポリアミック酸−光レジスト複合体を現像することに
よりパターン化され、そして前記シリコーンポリアミッ
ク酸が化学量論量より約り％少ない量乃至ほぼ化学量論
量のアリールジアミンと、有機二無水物の総モル二を基
準として約２０乃至８０モルパーセントのノルボルナン
オルガノシロキサン二無水物及び約８０モルパーセント
乃至約２０モルパーセントの芳香族有機二無水物、そし
て好ましくは約３０乃至約７０モルパーセントのノルボ
ルナンオルガノシロキサン二無水物及び約７０モルパー
セント乃至３０モルパーセントの芳香族有機二無水物の
混合物から成る有機二無水物との反応の相互縮合生成物
である方法が提供される。
本発明のそのほかの観点において、 （１）シリコーンポリアミック酸を透明基体の表面上に
スピンコートし、 （ｉｉ　）前記シリコーンポリアミック酸を１００℃以
」−の温度で乾燥させ、 （ｉｉ　）前記シリコーンポリアミック酸を表面上にポ
ジ型光レジストをスピンコートして、シリコーンポリア
ミック酸−光レジスト複合体を形成し、（ｉｖ）前記の
塗布されたポジ型光レジストをパターン化された紫外光
に露光させ、 （ｖ）得られたパターン化されたシリコーンポリアミッ
ク酸−光レジスト複合体を現像し、（ｖｉ）前記光レジ
ストを前記シリコーンポリアミック酸の表面から除去し
、そして （ｖｉｌ）得られたパターン化されたシリコーンポリア
ミック酸をイミド化するまで加熱することを含み、前記
シリコーンポリアミック酸が前記定義したとおりである
、透明基体の表面上に接着性のシリコーンポリアミック
酸をパターン化する方法が提供される。
本発明のもう１つの観点において、 （１）存効量の２００乃至４５０ナノメートルの範囲に
最大吸収係数を有する有機染料を含むシリコーンポリア
ミック酸をスピンコートし、（ｉｉ　）前記シリコーン
ポリアミック酸を１００℃以上の温度で乾燥し、 （ｉｉｉ）前記シリコーンポリアミック酸の表面上にポ
ジ型光レジストをスピンコートして、シリコーンポリア
ミック酸−光レジスト複合体を形成し、（ｉｖ　）塗布
されたポジ型光レジストをパターン化された紫外光に露
光させ、 （ｖ）得られたパターン化されたシリコーンポリアミッ
ク酸−光レジスト複合体を現像し、（ｖりパターン化さ
れたシリコーンポリアミック酸−光レジスト慢合体を通
して露出した基体をエツチングし、そして （ｖＮ）得られたエツチングされた基体からシリコーン
ポリアミック酸−光レジスト複合体を除去すること を含み、前記シリコーンポリアミック酸が前記定義した
とおりである、反射防止シリコーン−ポリアミック酸コ
ーティングを使用して基体をパターン化するための光像
形成法が提供される。
本発明の実施に際して使用され得るノルボルナン無水物
末端停止オルガノシロキサンは、本発明と同一の譲受人
に論渡されたリャンの米国特許第４．３８１．３９６号
及び同４，４０４，３５０号各明細９ｉ　（Ｕ、Ｓ、Ｐ
ａｔｅｎｔｓ　４．３８１，３９８　ａｎｄ　４，４０
４゜３５０）に示されている。例えば、５．５’　−（
１゜１．３．３−テトラメチル−１，１，３−ジシロキ
サンジイル）−ビス−ノルボルナン−２，３−ジカルボ
ン酸無水物が使用され得る。
前記ノルボルナン無水物末端停止オルガノシロキサンと
組合せて使用され得る有機二無水物は、例えばペンゾフ
エノンニ無水物、ピロメリト酸二無水物、オキシビスフ
タル酸無水物及びテトラカルポキシビフェニルニ無水物
である。
前記シリコーンポリアミック酸を製造するために本発明
の実施に際して使用され得る有機ジアミンは、例えば ｍ−フェニレンジアミン、 ｐ−フェニレンジアミン、 ４．４′−ジアミノジフェニルプロパン、４．４′　−
ジアミノジフェニルメタン、ベンジジン、 ４．４′−ジアミノジフェニルスルフィド、４．４′−
ジアミノジフェニルスルホン、４．４′　−ジアミノジ
フェニルエーテル、１．５−ジアミノナフタレン、 ３．３′−ジメチルベンジジン、 ３．３′−ジメトキシベンジジン、 ２．４−ジアミノトルエン、 ２．６−ジアミノトルエン、 ２．４−ジアミノ−ｔａｒｔ−ブチルトルエン、１．３
−ジアミノ−４−イソプロピルベンゼン、１．２−ビス
（３−アミノプロポキシ）エタン、ｍ−キシリレンジア
ミン、 ｐ−キシリレンジアミン、 ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、デカメチレ
ンジアミン、 ３−メチルへブタメチレンジアミン、 ４．４−ジメチルへブタメチレンジアミン、２．１１−
ドデカンジアミン、 ２．２−ジメチルプロピレンジアミン、オクタメチレン
ジアミン、 ３−メトキシヘキサメチレンジアミン、２．５−ジメチ
ルへキサメチレンジアミン、２．５−ジメチルへブタメ
チレンジアミン、３−メチルへブタメチレンジアミン、 ５−メチルノナメチレンジアミン、 １．４−シクロヘキサンジアミン、 １．１５−オクタデカンジアミン、 ビス（３−アミノプロピル）スルフィド、Ｎ−メチル−
ビス（３−アミノプロピル）アミン、 ヘキサメチレンジアミン、 ヘプタメチレンジアミン、 ２．４−ジアミノトルエン、 ノナメチレンジアミン、 ２．６−ジアミノトルエン、 ビス−（３−アミノプロピル）テトレメチルジシロキサ
ン 等である。
本発明のもう１つの観点は、光パターン転写され着色さ
れたシリコーンポリイミドを与えるために相容性有機染
料をシリコーンポリアミック酸と上記相容性有機染料と
の重量を基準として２重量％乃至４０重量％含む光パタ
ーン転写可能なシリコーンポリアミック酸に係わる。例
えば、本発明の実施に際して液晶デイスプレィに有用な
色フィルターの製造用に緑、赤、青又は黄色染料と混合
され得るシリコーンポリアミック酸が使用可能である。
本発明のそのほかの観点は、光像形成の間に反射防止表
面効果を生起せしめるために十分な量の２００乃至４５
０ナノメートルの領域で吸収能を有する有機染料を含む
シリコーンポリアミック酸に係わる。使用されるコーテ
ィングの吸収能及び厚みに依存して、染料の重ｚ％を変
更できる。例えば、シリコーンポリアミック酸の重責を
基準として２乃至３０ｆｆｉ１％の例えばクマリン等の
吸収染料が使用され１７る。
本発明の実施に際してシリコーンポリアミック酸と組合
せて着色されたシリコーン−ポリイミドを形成するため
に使用され得る有機染料のいくつかは、例えば市場入手
可能なアシッド・グリーン（ａｃｌｄ　ｇｒｃｏｎ）　
４１、アシッド・グリーン２５、ナフトールφグリーン
（Ｎａｐｈｔｈｏｌ　ｇｒｅｅｎ）　Ｂ等の緑色染料、
例えばクロモトロープ（ｃｈｒｏｍｏｔｒｏｐｏ　）２
Ｂ、ダイレクト・レッド（Ｄｉｒｅｃｔ　ｒｅｄ）　８
１等の赤色染料、及び例えばアシッド・ブルー（ａｃｌ
ｄｂｌｕｏ　）　８０、シカゴ・スカイ・ブルー（Ｃｈ
ｌｃａｇｏ　ｓｋｙ　ｂｌｕｅ）及びアニリンやブルー
（ａｎｉｌｉｎｅ　ｂｌｕｅ）等の青色染料などである
。
種々の上記酸性染料が、ポリアミック酸中での使用のた
めに本発明の実施において変性され得る。
酸性染料の特徴であるナトリウム陽イオンは、代表向に
は例えばベンジルトリメチルアンモニウム、テトラブチ
ルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム及びテトラ
ブチルホスホニウム等の第四級アンモニウム又はホスホ
ニウム陽イオンである種々のオニウム陽イオンで置換さ
れ得る。変性された染料は、市販の酸性染料の水性スラ
リーをメチレンクロライドで抽出することによって調製
され得る。変性された染料を高い収率で得るために、溶
剤が取り除かれる。変性された染料は、Ｎ−メチルピロ
リドン、ポリアミック酸フィルム及びポリイミドフィル
ム中で可溶であることが見い出された。オニウム塩染料
の可視スペクトルは、ナトリウムカチオン染料と識別不
能であった。
本発明の実施に際して使用されるシリコーンポリアミッ
ク酸は、好ましくはアリールジアミンと以下にＤｉＳＩ
Ａｎとして言及されるノルボルナン無水物末端停止オル
ガノシロキサン及び好ましくは以下にＢＴＤＡとして言
及されるペンゾフエノンニ無水物である有機芳昏族二無
水物の混合物とから二工程法によって調製される。極性
非プロトン性溶媒中で１０乃至３０重皿％の固形分を含
む相互縮合反応溶液が使用され得る。シリコーンポリア
ミック酸を調製するために本発明方法の実施に際して使
用され得る極性非プロトン性溶媒には、Ｎ−メチルピロ
リドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドが包含される。
極性非プロトン性溶媒として、好ましくはＮ−メチルピ
ロリドンが使用される。ＤｉＳＩＡｎのＢＴＤＡに対す
る割合が可変であるときは、好ましくは二工程法が使用
される。好適な方法は、約９０乃至１００℃で３０乃至
６０分間で反応性の低いＤｉＳＩＡｎをアリールジアミ
ンと共に導入することである。
次いで、ＢＴＤＡの導入が続けられる。相互縮合反応の
間、混合物を例えばかきまぜによって撹拌できる。ＢＴ
ＤＡの溶解後、溶液が１００乃至１１０℃でもう１時間
保持される。
もし所望するならば、シリコーンポリアミック酸と相客
し得る２乃至３０重量％の適宜の有機染料が、かきまぜ
ながら加えられる。この着色されたポリアミック酸は、
次いで例えばガラス、シリコン基体、ポリメチルメタク
リレート、レキサン（Ｌｃｘａｎ　）ポリカーボネート
等の熱可塑性樹脂などの適宜の透明基体上に厚み１乃至
２０ミクロンの薄膜として展着され、その後過剰の有機
溶媒を除去するために１００乃至１２５℃の範囲の温度
で加熱される。乾燥されたポリアミック酸フィルムが実
質的に不粘着性である場合は、その表面上に適宜のポジ
型光レジスト又はネガ型光レジストがスピンコートされ
る。光レジストは、約０．５乃至２ミクロンの厚みまで
塗布され得る。かくして得られる複合体は、次いで水又
は不活性有機溶媒等の過剰の溶媒を除去するために８０
乃至１００℃の温度で加熱され得る。
シリコーンポリアミック酸の好適な製造法においては、
得られるシリコーンポリアミック酸及びシリコーンポリ
イミドのフィルム特性を悪化させる可能性のあるゲル化
粒子の生成を最小限に抑えるために、過剰量のジアミン
を避ける。
本発明方法の実施によって、着色されたシリコーンポリ
イミドの塗布について段階的な方法を用いて透明基体上
に色フィルターが製造され得る。
例えば、前述の方法に従って透明基体が最初に透明なシ
リコーンポリアミック酸でパターン化され、赤色に着色
される。その後、シリコーンポリアミック酸が２００℃
で６０分間加熱されることによリイミド化される。赤色
に着色されたシリコーンポリイミドは赤色光を透過し得
、それが透明基体上に各辺が２５０ミクロンの正方形の
列としてパターン化され得る。着色されたシリコーンポ
リイミドの存在しない領域は、白色光を透過し得る。
次いで、基体が例えば青色に着色されたシリコーンポリ
アミック酸等のほかの着色されたシリコーンポリアミッ
ク酸で処理され、そしてこの方法が繰り返される。マス
ク及び着色されたシリコーンポリアミック酸の適正な選
択によって、青、緑及び赤色光のみを透過し得る色フィ
ルターが製造され得る。
以下の実施例は例証するために示されており、そして限
定するためのものではない。全ての部は重量部である。
実施例　１ ５．５’　−（１，１，３，３−テトラメチル−１、１
，３−ジシロキサンジイル）−とスーノルボルナンー２
．３−ジカルボン酸無水物（ＤＩＳＩＡｎ）３．７００
８グラム（８，００ミリモル）、メタフェニレンジアミ
ン（ＭＰＤ）２．１４１２グラム（１９，８ミリモル）
及びＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ　）　２３グラムの
混合物を撹拌しながら６０℃に３０分間温めて、完全に
溶解しシリコーンポリアミック酸を生成した。次いで、
混合物が撹拌されている間に、ＤＩＳＩＡｎ単位のＢＴ
ＤＡ単位に対するモル割合を４０：６０とするためにペ
ンゾフェノンニ無水物（ＢＴＤＡ）　３．　９３２６グ
ラム（１２゜２０ミリモル）が混合物に加えられた。次
いで、混合物を撹拌しながら８０℃に加熱し、そして１
０分の間隔でアリコートを分取した。約５ミルの厚みの
フィルムがガラス・スライド上に引き出され、そして１
００℃で３０分間乾燥された。フィルムのいくつかは、
２００℃でもう３０分間ベークした。次いで、かくして
得られたフィルムの溶解度が、これらを０．　５重量％
のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液又は水
酸化ナトリウム水溶液（苛性ソーダ水溶液）中に浸漬せ
しめることにより試験され、そしてまた得られたフィル
ムを２００℃でもう３０分間ベークして、次いでＮＭＰ
中でのこれらの溶解度を測定するためにＮＭＰ中に浸漬
した。下記の結果は、０乃至１２０分の間に１０分間隔
で反応混合物から分取したシリコーンポリアミック酸の
アリコートから得られたフィルムの苛性ソーダ水溶液及
びＮＭＰに対する溶解度を示している。
表１ ０．５％苛性ソーダ 時間４　（分）　水溶液Ｉ　　　　　　　ＮＭＰ２０　
　　　　　可溶　　　　　不溶 １０　　　　　　可溶　　　　　不溶 ２０　　　　　　可溶　　　　　不溶 ３０　　　　　　可溶　　　　　不溶 ４０　　　　　　可溶　　　　　不溶 ５０　　　　　　可溶　　　　　不溶 ６０　　　　　　可溶　　　　　不溶 ９０　　　　　　可溶　　　　　不溶 １２０　　　　　　不溶３　　　　不溶１−１００℃、
３０分乾燥試料、３０秒浸漬２−１００℃、３０分、次
いで２００℃、３０分乾燥試料、ＮＭＰ中１分浸漬、次
いで水洗３−６０秒後回溶 ４−反応槽中８０℃での時間。
上記結果は、本発明の実施によって製造されるシリコー
ンポリアミック酸が、標準的な苛性ソーダ水溶液ポジ型
レジスト現像液を用いて光パターン転写可能であり、そ
してその後の現像された光レジストの除去に使用される
有機溶媒を用いた処理の影響に対し抵抗性を有すること
を示している。
本発明の実施によって製造されるシリコーンポリアミッ
ク酸については、このほか表１に示された３０分の乾燥
時間を超えて１２０℃で加熱された後のイミド化に対す
る抵抗力についても評価された。下記の結果が得られた
。
表２ 乾燥時間（１００℃）　０゜５％苛性ソーダ（分）　　
　　　水溶液’　　　　　ＮＭＰ２０　　　　　　可溶
　　　　　可溶 １５　　　　　　可溶　　　　　不溶 ３０　　　　　　可溶　　　　　不溶 ４５　　　　　　可溶　　　　　不溶 ６０　　　　　　可溶　　　　　不溶 ９０　　　　　　可溶　　　　　− １２０可溶　　　　　− １−０，２７規定Ｂｕａ　ＮＯＨＯＨ水溶液中３漫漬 上記結果は、本発明の実施によって製造されるシリコー
ンポリアミック酸が、光パターン転写されたポジ型光レ
ジストの現像の間に水性苛性ソーダ中でのそれのパター
ン化能に対して顕著に影響を与えることなく、イミド化
に先だって有機溶媒によるレジスト残留物の除去の間の
後処理に対しても抵抗性を有しながら時間を延長して１
００℃で乾燥できることを示している。
実施例　２ 実施例１の方法に従って、３０重量％のスーダン・ブラ
ック（Ｓｕｄａｎ　Ｂｌａｃｋ　）　Ｂとブレンドされ
たシリコーンポリアミック酸のフィルムが調製された。
このほか、米国プラウエア州つイルミントンのイー・ア
イ・デュポン・ド豐ネモアース社（Ｅ．１．ｄｕＰｏｎ
ｔ　ｄｅ　Ｎｅｌ１ｏｕｒｓ　＆　Ｃｏ．　）により製
造された市販のポリアミック酸であるビラリンポリイミ
ドも３０重量％のスーダン・ブラックＢとブレンドされ
た。これらのブレンドからポリアミック酸フィルムが調
製され、１００℃で３０分間乾燥され、そして次いで下
記表に示された様に現像された。表中で、シリコーン共
重合体は実施例１に従って調製されたシリコーンポリア
ミック酸である。
表３ 現像時間１　　　シリコーン　　ビラリン共重合体　　
　ポリイミド ３０秒　　　溶解　　　　不溶−膨れ ９０秒　　　溶解　　　　部分的起こし１２０秒　　　
溶解　　　　破壊不溶 １−０．２７規定Ｂｕａ　Ｎ０ＩＩ中浸漬。
上記結果は、１２０℃での３０分間の乾燥後に市販のビ
ラリンポリイミドが苛性ソーダ水溶液に不溶であること
を示している。苛性ソーダ水溶液に１２０秒間浸漬後、
ビラリンポリアミック酸は全体的には不溶のままである
。しかしそれに破壊が加わり始めた。
シリコーンポリアミック酸中でほぼ同じ割合のＢＰＡＤ
Ａ単位とＢＴＤＡを含むシリコーンポリアミック酸を製
造するために、ＤＩＳＩＡｎの代りに一例としてビスフ
ェノール−Ａ二無水物が使用された以外は実施例１の方
法に従って別のシリコーンポリアミック酸が調製された
。ＤｉＳＩＡｎ単位を含まないシリコーンポリアミック
酸が１００℃で３０分乾燥後に苛性ソーダ水溶液に浸漬
されたときに不溶であることが見い出された。
実施例　３ 実施例１の方法に従って、オキシジアニリン３９、３４
８３グラム（０．１９６５１モル）、ＤＩＳＩＡｎ２　
２．　　７　２　５　９グラム（０．０４９１３モル）
及びＮＡＰ　２　５　０ｍｌの混合物が８０℃まで１．
５時間かきまぜられた。１．５時間後、混合物にＮＭＰ
１６０ｍｌと共にペンゾフエノンニ無水物４７．４９０
０グラム（０．１４７３８モル）が加えられた。混合物
が混合操作のときに１１０℃に温められ、そして１００
℃まで冷却さ，れた。混合物がかきまぜられ、そして１
００℃で２時間保たれ、次いで室温に冷却された。
上記シリコーンポリアミック酸の一部分に十分な量の酸
性グリーン＃４１染料のビス（テトラブチルアンモニウ
ム）塩が加えられて、染料とシリコーンポリアミック酸
の総量を基準として約２０重量％の染料を含む混合物が
得られた。染料は、下記の方法で調製された。酸性グリ
ーン＃４１（染料の含量４０％）８．７グラム（５，３
１ミリモル）、テトラブチルアンモニウムクロリド２゜
９５グラム（１０，６ミリモル）、水１５０ｍ１及び塩
化メチレン１５０ｍ１の混合物が室温で１時間かきまぜ
られた。混合物が室温で１時間かきまぜられ、そして最
終的に分離した。溶媒が減圧下で有機層から取り除かれ
、そして得られた固体が真空中、８０℃で乾燥され、ビ
ス（テトラブチルアンモニウム）としてａ緑色の染料５
．１グラム（８８％）が得られた。
２０重量％混合物を調製すべく十分なＮ−メチルピロリ
ドン中の上記シリコーンポリアミック酸と緑色染料の溶
液が、３５００回転／分で２０秒間動作するヘッドウェ
イ光レジスト・スピンナー・モデルＥｃ　１０１を用い
てシリコンウェハー上にスピンコートされた。塗布され
たシリコーンポリアミック酸を１１０℃で３０分ベーク
した後、得られたポリアミック酸の表面は不粘着性であ
った。
次いで、こうして処理されたシリコンウェハー上に光レ
ジスト（ＫＴＩ　８０９　”）がスピンコートされ、そ
して９０℃で３０分乾燥されて、約４．５ミクロンのシ
リコーンポリアミック酸フィルム上に光レジストの１ミ
クロンの層が形成した。次いで、ウェハーがオリエル（
Ｏｒｉｅｌ　）露光装置を用いて３０秒露光でパターン
化された。次いで、蒸留水で１：１に希釈されたシラプ
リー・ミクロポジット（Ｓｈｌｐｌｅｙ　ｍ１ｃｒｏｐ
ｏｓｉｔ）　３１２現像液が、処理されたウェハーを現
像溶液に２５℃で１分間浸漬することにより光レジスト
とポリアミック酸を現像するために使用された。
レジストとシリコーンポリアミック酸のパターン化され
た組合せから現像溶液を洗い流し、そして更に１４０℃
で３０分乾燥された。次いで光レジストが酢酸ブチル溶
剤で取り去られ、そしてウェハーが乾燥された。
レジストを取り去った上記光パターン転写されたポリア
ミック酸で処理されたシリコーンウェハーが、次いでシ
リコーンポリアミック酸を完全にイミド化するために２
００℃に６０分間加熱された。
青及び赤色染料で着色されたシリコーンポリアミック酸
について上記方法を繰り返すことによって、シリコーン
−ポリイミドに転化され、青、緑及び赤色の２５０５０
ミフロン×２５クロンの正方形にパターン化される３乃
至１０ミクロンの厚みのシリコーンポリアミック酸から
成る色フィルターが製造される。
以上の実施例は、本発明方法の実施に際して使用される
多くの変形例及びそれにより得られる製造物のうちほん
の僅かに係わるが、本発明の方法及び製造物は、これら
の実施例に先だつ記載においてより明確にされている。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基体の少なくとも一部分の表面上で接着性シリコ
    ーンポリアミック酸をパターン化する方法であって、前
    記シリコーンポリアミック酸が、（ｉ）シリコーンポリ
    アミック酸を基体の表面上にスピンコートし、 （ｉｉ）前記シリコーンポリアミック酸を１００℃以上
    の温度で乾燥し、 （ｉｉｉ）前記シリコーンポリアミック酸の表面上にポ
    ジ型光レジストをスピンコートして、シリコーンポリア
    ミック酸−光レジスト複合体を形成し、 （ｉｖ）前記の塗布されたポジ型光レジストをパターン
    化された紫外光に露光し、そして （ｖ）得られたパターン化されたシリコーンポリアミッ
    ク酸−光レジスト複合体を現像すること によりパターン化され、そして前記シリコーンポリアミ
    ック酸が化学量論量より約２％少ない量乃至ほぼ化学量
    論量のアリールジアミンと、有機二無水物の総モル量を
    基準として約２０乃至８０モルパーセントのノルボルナ
    ンオルガノシロキサン二無水物及び約８０モルパーセン
    ト乃至約２０モルパーセントの芳香族有機二無水物、そ
    して好ましくは約３０乃至７０モルパーセントのノルボ
    ルナンオルガノシロキサン二無水物及び約７０モルパー
    セント乃至３０モルパーセントの芳香族有機二無水物の
    混合物から成る有機二無水物との反応の相互縮合生成物
    である方法。
  2. （２）少なくとも一部分の表面上に光パターン転写され
    た接着性シリコーン−ポリイミドフィルムを有する透明
    基体であって、前記シリコーン−ポリイミドフィルムが
    下記の工程を伴なって透明基体の表面上にてシリコーン
    ポリアミック酸をまず光パターン転写することにより得
    られ、前記シリコーンポリアミック酸が実質的に等モル
    量のアリールジアミンと、ノルボルナンオルガノシロキ
    サン二無水物及び芳香族有機二無水物の混合物から成る
    有機二無水物との反応生成物である透明基体： （ｉ）シリコーンポリアミック酸を前記透明基体の表面
    上にスピンコートし、 （ｉｉ）前記シリコーンポリアミック酸を１００℃以上
    の温度で乾燥し、 （ｉｉｉ）前記シリコーンポリアミック酸の表面上にポ
    ジ型光レジストをスピンコートし、 （ｉｖ）前記の塗布されたポジ型光レジストをパターン
    化された紫外光に露光し、 （ｖ）前記スピンコートされた光レジストとシリコーン
    ポリアミック酸の複合体を現像し、（ｖｉ）残留する光
    レジストを有機溶剤によってシリコーンポリアミック酸
    の表面から除去し、そして （ｖｉｉ）前記シリコーンポリアミック酸を完全にイミ
    ド化するまで加熱する。
  3. （３）シリコーンポリイミドが染料によって着色されて
    いる請求項２記載の透明基体。
  4. （４）表面の少なくとも一部分上に、着色され光パター
    ン転写されたシリコーンポリイミドを有するガラス基体
    から成る色フィルター。
  5. （５）青、緑もしくは赤色染料又はこれらの組合せによ
    って着色されている請求項４記載の色フィルター。
  6. （６）ポリアミック酸及び４０重量％までの相容性オニ
    ウム塩有機染料から成るポリアミック酸組成物。
  7. （７）オニウム塩がビス（テトラブチルアンモニウム塩
    ）である請求項６記載のポリアミック酸組成物。
  8. （８）シリコーンポリアミック酸及び１２５℃の温度ま
    で安定な相容性有機染料４０重量％以下から成るシリコ
    ーンポリアミック酸組成物。
  9. （９）有機染料が青色染料である請求項８記載のシリコ
    ーンポリアミック酸組成物。
  10. （１０）有機染料が赤色染料である請求項８記載のシリ
    コーンポリアミック酸組成物。
  11. （１１）有機染料が黄色染料である請求項８記載のシリ
    コーンポリアミック酸組成物。
  12. （１２）２００ナノメートルと４５０ナノメートルの間
    に最大吸収を有する有機染料を含む請求項８記載のシリ
    コーンポリアミック酸組成物。
  13. （１３）（ｉ）基体上に２００乃至４５０ナノメートル
    の範囲に最大吸収を有する有機染料を有効量含むシリコ
    ーンポリアミック酸をスピンコートし、 （ｉｉ）前記シリコーンポリアミック酸を１００℃以上
    の温度で乾燥し、 （ｉｉｉ）前記シリコーンポリアミック酸の表面上にポ
    ジ型光レジストをスピンコートして、シリコーンポリア
    ミック酸−光レジスト複合体を形成し、 （ｉｖ）前記の塗布されたポジ型光レジストをパターン
    化された紫外光に露光し、 （ｖ）得られたパターン化されたシリコーンポリアミッ
    ク酸−光レジスト複合体を現像し、（ｖｉ）パターン化
    されたシリコーンポリアミック酸−光レジスト複合体を
    通して露出した基体をエッチングし、そして （ｖｉｉ）得られたエッチングされた基体からシリコー
    ンポリアミック酸−光レジスト複合体を除去し、 そして前記シリコーンポリアミック酸が化学量論量より
    約２％少ない量乃至ほぼ化学量論量のアリールジアミン
    と、有機二無水物の総モル量を基準として約２０乃至８
    ０モルパーセントのノルボルナンオルガノシロキサン二
    無水物及び約８０モルパーセント乃至約２０モルパーセ
    ントの芳香族有機二無水物、そして好ましくは約３０乃
    至７０モルパーセントのノルボルナンオルガノシロキサ
    ン二無水物及び約７０モルパーセント乃至３０モルパー
    セントの芳香族有機二無水物の混合物から成る有機二無
    水物との反応の相互縮合生成物である方法。
  14. （１４）有機染料がクマリンである請求項１３記載の方
    法。
  15. （１５）表面上にスピンコートされた、２００乃至４５
    ０ナノメートルの範囲に最大吸収を有する有機染料を有
    効量含むシリコーンポリアミック酸を有し、そして前記
    シリコーンポリアミック酸が化学量論量より約２％少な
    い量乃至ほぼ化学量論量のアリールジアミンと、有機二
    無水物の総モル量を基準として約２０乃至８０モルパー
    セントのノルボルナンオルガノシロキサン二無水物及び
    約８０モルパーセント乃至約２０モルパーセントの芳香
    族有機二無水物、そして好ましくは約３０乃至７０モル
    パーセントのノルボルナンオルガノシロキサン二無水物
    及び約７０モルパーセント乃至３０モルパーセントの芳
    香族有機二無水物の混合物から成る有機二無水物との反
    応の相互縮合生成物である反射性基体。
  16. （１６）基体がアルミニウムである請求項１記載の方法
    。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4855199A (en) * 1987-04-03 1989-08-08 General Electric Company Photopatterned product of silicone polyamic acid on a transparent substrate
GB8917191D0 (en) * 1989-07-27 1989-09-13 Gec Avery Technology Strain gauge encapsulation process
JP2551214B2 (ja) * 1990-08-06 1996-11-06 信越化学工業株式会社 硬化性樹脂溶液組成物及びその製造方法並びに電子部品用保護膜
US5114757A (en) * 1990-10-26 1992-05-19 Linde Harold G Enhancement of polyimide adhesion on reactive metals
JPH04351667A (ja) * 1991-05-29 1992-12-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性樹脂組成物及び電子部品用保護膜
US5177181A (en) * 1991-06-06 1993-01-05 Occidental Chemical Corporation Diamines and photosensitive polyimides made therefrom
DE4203781C1 (ja) * 1992-02-10 1993-09-09 Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 61352 Bad Homburg, De
JP2694097B2 (ja) * 1992-03-03 1997-12-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 反射防止コーティング組成物
US5397684A (en) * 1993-04-27 1995-03-14 International Business Machines Corporation Antireflective polyimide dielectric for photolithography
WO1997000899A1 (en) * 1995-06-22 1997-01-09 Yuri Gudimenko Surface modification of polymers and carbon-based materials
US5980768A (en) * 1997-03-07 1999-11-09 Lam Research Corp. Methods and apparatus for removing photoresist mask defects in a plasma reactor
US5998569A (en) * 1998-03-17 1999-12-07 International Business Machines Corporation Environmentally stable optical filter materials
US6048662A (en) * 1998-12-15 2000-04-11 Bruhnke; John D. Antireflective coatings comprising poly(oxyalkylene) colorants
WO2000077575A1 (en) 1999-06-10 2000-12-21 Alliedsignal Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6824879B2 (en) 1999-06-10 2004-11-30 Honeywell International Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
DE10103524A1 (de) * 2001-01-26 2002-08-22 Infineon Technologies Ag Verfahren und Halbleiteranordnung zur Ätzung einer Schicht eines Halbleitersubstrats mittels einer siliziumhaltigen Ätzmaske
US6765276B2 (en) 2001-08-23 2004-07-20 Agilent Technologies, Inc. Bottom antireflection coating color filter process for fabricating solid state image sensors
KR20040075866A (ko) 2001-11-15 2004-08-30 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 포토리소그래피용 스핀-온 무반사 코팅
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
JP4563076B2 (ja) * 2004-05-26 2010-10-13 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物、該反射防止膜形成用組成物からなる反射防止膜、および該反射防止膜形成用組成物を用いたレジストパターン形成方法
JP4541944B2 (ja) * 2005-03-25 2010-09-08 株式会社きもと 感光性ポリイミド樹脂組成物
JP4573039B2 (ja) * 2005-06-14 2010-11-04 Ｊｓｒ株式会社 液晶配向剤および液晶表示素子
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
KR101354640B1 (ko) 2011-12-30 2014-01-27 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
WO2016167892A1 (en) 2015-04-13 2016-10-20 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3791827A (en) * 1971-08-06 1974-02-12 Eastman Kodak Co {40 onium indophenoxides
JPS525884B2 (ja) * 1973-05-09 1977-02-17
DE3022473A1 (de) * 1980-06-14 1981-12-24 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zu seiner herstellung
JPS5760330A (en) * 1980-09-27 1982-04-12 Fujitsu Ltd Resin composition
JPS57168942A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Hitachi Ltd Photosensitive polymer composition
US4404350A (en) * 1982-07-07 1983-09-13 General Electric Company Silicone-imide copolymers and method for making
US4381396A (en) * 1982-07-07 1983-04-26 General Electric Company Silynorbornane anhydrides and method for making
JPS59501215A (ja) * 1982-07-07 1984-07-12 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ シリコ−ン−イミド共重合体および製造方法
US4430153A (en) * 1983-06-30 1984-02-07 International Business Machines Corporation Method of forming an RIE etch barrier by in situ conversion of a silicon containing alkyl polyamide/polyimide
US4515887A (en) * 1983-08-29 1985-05-07 General Electric Company Photopatternable dielectric compositions, method for making and use
JPS60198537A (ja) * 1984-01-24 1985-10-08 ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ ホトパタ−ニングの可能な誘電体組成物並びにその製造方法および使用方法
EP0154932A3 (en) * 1984-03-09 1986-02-05 Hewlett-Packard Company Multilayer photoresist process
US4522985A (en) * 1984-04-27 1985-06-11 General Electric Company Heat curable silicone-polyimide block copolymers
DE3422614A1 (de) * 1984-05-11 1985-11-14 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Hitzehaertbare zubereitung
US4668755A (en) * 1984-08-10 1987-05-26 General Electric Company High molecular weight siloxane polyimides, intermediates therefor, and methods for their preparation and use
WO1986001914A1 (en) * 1984-09-13 1986-03-27 Advanced Micro Devices, Inc. Photolithography process using positive photoresist containing unbleachable light absorbing agent
JPS6175340A (ja) * 1984-09-21 1986-04-17 Ube Ind Ltd 感光性ポリマ−の樹脂液組成物
JPS6177804A (ja) * 1984-09-25 1986-04-21 Kyodo Printing Co Ltd カラ−フィルタの製造方法
DE3439266A1 (de) * 1984-10-26 1986-04-30 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lagerstabile einstellungen kationischer farbstoffe
JPH0782124B2 (ja) * 1985-02-05 1995-09-06 共同印刷株式会社 カラーフィルタの製造方法
US4696890A (en) * 1985-04-11 1987-09-29 Ciba-Geigy Corporation Processes for preparing protective coatings and relief structures
JPS6247045A (ja) * 1985-08-20 1987-02-28 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション ポリイミド組成物およびパタ−ンを有する膜の形成法

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