JPH0194639A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0194639A JPH0194639A JP25275787A JP25275787A JPH0194639A JP H0194639 A JPH0194639 A JP H0194639A JP 25275787 A JP25275787 A JP 25275787A JP 25275787 A JP25275787 A JP 25275787A JP H0194639 A JPH0194639 A JP H0194639A
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- Japan
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- interconnection
- signal
- microsignal
- predetermined
- shielding
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に微小信号が送られる配
線の構造に関する。
線の構造に関する。
従来、半導体装置の信号配線としては、第３図に示すよ
うに、半導体基板１上に絶縁膜２を介して複数の信号配
線４．５が平行に形成された構造となっていた０通常、
絶縁膜２としてはシリコン酸化膜などが、また信号配線
としてはアルミニウムなどの金属が良く用いられている
。
うに、半導体基板１上に絶縁膜２を介して複数の信号配
線４．５が平行に形成された構造となっていた０通常、
絶縁膜２としてはシリコン酸化膜などが、また信号配線
としてはアルミニウムなどの金属が良く用いられている
。
前述の如き信号配線構造を有する半導体装置においては
、微小信号配線、例えばアナログ増幅器または記憶装置
のセンス増幅器に用いられる信号線と他の信号配線との
間に寄生容量が生じるため、微小信号配線４にアナログ
信号が加わり、他の信号配線５にロジック信号が加わる
場合では、微小信号配線４は寄生容量を介して信号配線
５の影響受け、動作が不安定になるという欠点を有して
いる。
、微小信号配線、例えばアナログ増幅器または記憶装置
のセンス増幅器に用いられる信号線と他の信号配線との
間に寄生容量が生じるため、微小信号配線４にアナログ
信号が加わり、他の信号配線５にロジック信号が加わる
場合では、微小信号配線４は寄生容量を介して信号配線
５の影響受け、動作が不安定になるという欠点を有して
いる。
本発明の目的は、信号配線間の寄生容量を少くし、安定
した動作が可能な半導体装置を提供することにある。
した動作が可能な半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、所定の信号配線の長さ方向の所
定の領域にわたって所定の電位に固定されたシールド用
配線が形成されているものである。
定の領域にわたって所定の電位に固定されたシールド用
配線が形成されているものである。
以下、本発明につき図面に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図であり、本発明
をアナログ増幅器に適用した場合を示している。
をアナログ増幅器に適用した場合を示している。
第１図においてシリコン基板１上には不純物拡散層８と
フィールド酸化膜７が形成されており、その上にＳ ｉ
０２等からなる絶縁層２を介してアナログの微小信号
配線４とこの微小信号配線と同一平面にない他の信号配
線′５とが形成されている。そして、特にこの微小信号
配線４は、長さ方向、すなわち紙面に垂直にその上面及
び一方の側面がシールド用配線、例えば接地（ＧＮＤ’
）配線等の低抵抗配線６により覆われた構造となってい
る。
フィールド酸化膜７が形成されており、その上にＳ ｉ
０２等からなる絶縁層２を介してアナログの微小信号
配線４とこの微小信号配線と同一平面にない他の信号配
線′５とが形成されている。そして、特にこの微小信号
配線４は、長さ方向、すなわち紙面に垂直にその上面及
び一方の側面がシールド用配線、例えば接地（ＧＮＤ’
）配線等の低抵抗配線６により覆われた構造となってい
る。
このように構成された第１の実施例によれば、微小信号
配線４の上面及び側面が所定の電位に固定された低抵抗
配線によりシールドされているなめ、他の信号配線５間
との寄生容量を大幅に減少させることができる。よって
微小信号配線４にがかる他の信号配線５の影響を排除で
きる。尚、第１図においては３はＰＳＧ等からなる眉間
絶縁膜である。
配線４の上面及び側面が所定の電位に固定された低抵抗
配線によりシールドされているなめ、他の信号配線５間
との寄生容量を大幅に減少させることができる。よって
微小信号配線４にがかる他の信号配線５の影響を排除で
きる。尚、第１図においては３はＰＳＧ等からなる眉間
絶縁膜である。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図であり、本発明
の記憶装置をセンス増幅器に適用した場合を示している
。
の記憶装置をセンス増幅器に適用した場合を示している
。
第２図において、絶縁膜３を介して形成された微小信号
配線４Ａ、４Ｂはシールド用の低抵抗配線６によってお
おわれている。微小信号配線４Ａ、４Ｂに加わる信号は
、互いに微小信号であるため相互の影響は無視すること
ができる。このように微小信号配線のみを低抵抗配線６
により少なくとも２方向以上をおおうことにより、微小
信号配線４Ａ、’ａＢと他の信号配線５Ａとの間の寄生
容量を排除できる。
配線４Ａ、４Ｂはシールド用の低抵抗配線６によってお
おわれている。微小信号配線４Ａ、４Ｂに加わる信号は
、互いに微小信号であるため相互の影響は無視すること
ができる。このように微小信号配線のみを低抵抗配線６
により少なくとも２方向以上をおおうことにより、微小
信号配線４Ａ、’ａＢと他の信号配線５Ａとの間の寄生
容量を排除できる。
尚、上記実施例においては、シールド用配線として低抵
抗配線を微小信号配線の上面と一方の側面の長さ方向に
形成した場合についても説明したが、他の面の長さ方向
に形成してもよいことは勿論である。
抗配線を微小信号配線の上面と一方の側面の長さ方向に
形成した場合についても説明したが、他の面の長さ方向
に形成してもよいことは勿論である。
以上説明したように本発明は、所定の信号配線の長さ方
向の領域に所定電位に固定されたシールド用配線を形成
することにより、信号配線間の寄生容量を少くし、安定
した動作が可能な半導体装置が得られる効果がある。
向の領域に所定電位に固定されたシールド用配線を形成
することにより、信号配線間の寄生容量を少くし、安定
した動作が可能な半導体装置が得られる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断
面図、第３図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・絶縁膜、３・・・層間
絶縁膜、４・・・微小信号配線、５・・・信号配線、６
・・・低抵抗配線、７・・・フィールド酸化膜、８・・
・不純物拡散層。
面図、第３図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・絶縁膜、３・・・層間
絶縁膜、４・・・微小信号配線、５・・・信号配線、６
・・・低抵抗配線、７・・・フィールド酸化膜、８・・
・不純物拡散層。
Claims (1)
- 所定の信号配線の長さ方向の所定の領域にわたって所
定の電位に固定されたシールド用配線が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25275787A JPH0194639A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25275787A JPH0194639A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0194639A true JPH0194639A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17241865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25275787A Pending JPH0194639A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0194639A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04179233A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-25 | Yamaha Corp | 集積回路装置 |
| US5176229A (en) * | 1989-09-29 | 1993-01-05 | Atsugi Unisia Corporation | Hydraulic shock absorber with a rod guide having an annular doubled wall section |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP25275787A patent/JPH0194639A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5176229A (en) * | 1989-09-29 | 1993-01-05 | Atsugi Unisia Corporation | Hydraulic shock absorber with a rod guide having an annular doubled wall section |
| JPH04179233A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-25 | Yamaha Corp | 集積回路装置 |
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