JPH0193593A - 新規セフェム化合物およびその製造法 - Google Patents

新規セフェム化合物およびその製造法

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JPH0193593A
JPH0193593A JP63217219A JP21721988A JPH0193593A JP H0193593 A JPH0193593 A JP H0193593A JP 63217219 A JP63217219 A JP 63217219A JP 21721988 A JP21721988 A JP 21721988A JP H0193593 A JPH0193593 A JP H0193593A
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高谷 隆男
Kazuo Sakane
坂根 和夫
Kenji Miyai
宮井 健二
Koji Kawabata
浩二 川端
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Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
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    • C07D501/00Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
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    • C07D501/16Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7 with a double bond between positions 2 and 3
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野〕 この発明は、高い抗菌活性を有する新規なセフェム化合
物に関するものであり医療の分野で利用きれる。
[従来の技術] セフェム化合物は数多く知られているが、この発明の下
記一般式[I]で示されるセフェム化合物は知られてい
ない。
〔発明が解決しようとする問題点コ 抗菌活性を有し、医薬として有用なセフェム化合物は数
多く知られているが、この発明はさらに優れた医薬品の
開発を意図゛してなされたものである。
[問題点を解決するための手段] この発明は新規セフェム化合物およびその塩に関する。
目的とするセフェム化合物およびその塩は新規であり、
下記の一般式CI]で表わすことができる。
[式中、R1はアミノ基または保護されたアミン基、 R2は低級アルキル基または低級アルケニル基、R3は
低級アルキル基、ヒドロキシ(低級)アルキル基または
保護されたヒドロキシ(低級)アルキル基、 R4はアミノ基、保護されたアミノ基、低級アルキルア
ミノ基、保護きれた(低級)アルキルアミノ基、カルボ
キシ(低級)アルキルアミノ基またはN−[保護された
カルボキシ(低級)アルキルコアミノ基、 R7は水素または低級アルキル基を意味するコ。
目的化合物[■]については下記の点を指摘しておく。
すなわち、目的化合物[I]にはシン異性体、アンチ異
性体およびそれらの混合物が含まれる。シン異性体とは
下記式: (式中、RおよびR2はそれぞれ前と同じ意味)で示さ
れる部分構造を有する一つの幾何異性体を意味し、アン
チ異性体とは下記式: (式中、RおよびR2はそれぞれ前と同じ意味)で示さ
れる部分構造を有する別の幾何異性体を意味し、そのよ
うな幾何異性体およびそれらの混合物はすべてこの発明
の範囲内に包含される。
この明細書においては、これらの幾何異性体およびそれ
らの混合物の部分構造は便宜上下記式で示すことにする
(式中、RおよびR2はそれぞれ前と同じ意味)。
指摘しておくべきもう一つの点は、化合物[■コのピラ
ゾリオ部分が互変異性の関係に存在しうろことであり、
そのような互変異性平衡は下記式で示すことができる。
(式中、R3、R4およびR7はそれぞれ前と同じ意味
)。
上記互変異性体は両方ともこの発明の範囲内に包含され
るが、目的化合物[I]は便宜上式(A)のピラゾリオ
基の一つの表現で示すことにする。
この発明のセフェム化合物[■]は下記反応式で示され
るような製造法によって製造することができる。
またはアミノ基に   またはカルボキシおけるその反
応性   基におけるその反騰導体またはその   応
性誘導体または塩          その塩 またはその塩 1盪羞ユ またはその塩 またはその塩 1産童1 またはその塩 [式中、R、R、R、RおよびR7はそれぞれ前と同じ
意味であり、 R4はN−[保護されたカルボキシ(低級)アルキルコ
アミノ基、 Rdはカルボキシ(低級)アルキルアミノ基、R3は保
護されたヒドロキシ(低級)アルキル基、 Rbはヒドロキシ(低級)アルキル基を意味する]。
原料化合物[I[]は下記製造法によって製造すること
ができる。
1産盈ム [IV] またはその塩 またはその塩 またはその塩 魁j0組互 またはその塩 (式中、R、RおよびR7はそれぞれ前と同じ意味であ
り、 R5は保護されたアミノ基、 R6は保護されたカルボキシ基、 Yは脱離基、 Xeは陰イオン、 R4は保護されたアミノ基または保護きれた(低級)ア
ルキルアミノ基、 R4はアミノ基または低級アルキルアミノ基を意す 味する)。
原料化合物[V]またはその塩は後記製造例工ないし8
に開示した方法またはこれらと同様の方法で製造するこ
とができる。
この明細書の以上および以下の記載における種々の定義
の好適な例を以“下詳細に説明する。
「低級」とは、特に指示がなければ、炭素原子1個ない
し6個を意味するものとする。
「保護されたアミン基、および「保護きれた(低級)ア
ルキルアミノ基」の好適な「アミノ保護基」としては後
記アシル基、例えばベンジリデン、ヒドロキシベンジリ
デン等の置換されたまたは非置換アル(低級)アルキリ
デン基、例えばベンジル、フェネチル、ペンズヒドリノ
呟トリチル等のモノまたはジまたはトリフェニル(低級
)アルキル基のようなアル(低級)アルキル基、等が挙
げられる。
好適な「アシル基」としては例えばホルミル、アセチル
、プロピオニル、ヘキサノイル、ピバロイル等の低級ア
ルカノイル基、例えばクロロアセチル、トリフルオロア
セチル等のモノ(またはジまたはトリ)ハロ(低級)ア
ルカノイル基、例えばメトキシカルボニル 三級ブトキシカルボニル、第三級ペンチルオキシカルボ
ニル、ヘキシルオキシカルボニル等の低級アルコキシカ
ルボニル基、カルバモイル基、例えばベンゾイル、トル
オイル、ナフトイル等のアロイル基、例えばフェニルア
セチル、フェニルプロピオニル等のアル(低級)アルカ
ノイル基、例えばフェノキシカルボニル、ナフチルオキ
シカルボニル等のアリールオキシカルボニル基、例えば
フェノキシアセチル、フェノキシプロピ才二ル等のアリ
ールオキシ(低級)アルカノイル基、例えばフェニルグ
リオキシロイル、ナフチルグリオキシロイル等のアリー
ルグリオキシロイル基、例えばベンジルオキシカルボニ
ル、フェネチルオキシカルボニル、p−ニトロベンジル
オキシカルボニル等の適当な置換基を有していてもよい
アル(低級)アルフキジカルボニル基等が挙げられる。
好適な「低級アルキル基」ならびに「ヒドロキシ(低級
)アルキル基」、′保護されたヒドロキシ(低級)アル
キル基」、′低級アルキルアミノ基」、「保護された(
低級)アルキルアミノ基,、rカルボキシ(低級)アル
キルアミノ基,およびrN−[保護きれたカルボキシ(
低級)アルキルコアミノ基」の好適な「低級アルキル部
分」としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、第三級ブチル、ペンチル、ヘ
キシル等のような直鎖または分枝鎖アルキル基が挙げら
れる。
好適な「低級アルケニル基」としてはビニル、アリル、
1−プロペニル、インプロペニル、ブテニル、インブテ
ニル、ペンテニル、ヘキセニル等のような直鎖または分
枝鎖アルケニル基が挙げられる。
「保護されたヒドロキシ(低級)アルキル基。
の好適な1保護きれたヒドロキシ基」としてはアシルオ
キシ基等が挙げられる.′アシルオキシ基」の好適なr
アシル部分」としては例えばホルミル、アセチル、プロ
ピオニル、ヘキサノイル、ピバロイル等の低級アルカノ
イル基、例えばクロロアセチル、トリフルオロアセチル
等のモノ(またはジまたはトリ)ハロ(低級)アルカノ
イル基、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル、第三級ブトキシカルボニル、第三級ペンチルオキシ
カルボニル、ヘキシルオキシカルボニル等の低級アルコ
キシカルボニル基、カルバモイル基等が挙げられる。
好適な「保護きれたカルボキシ基」ならびに「N−[保
護されたカルボキシ(低級)アルキルコアミノ基」の好
適な「保護きれたカルボキシ部分」としてはエステル化
されたカルボキシ基等が挙げられ、前記エステル化され
たカルボキシ基のエステル部分の具体例としては、適当
な置換基を有していてもよい例えばメチルエステル、エ
チルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステ
ル、ブチルエステル、イソブチルエステJul三級ブチ
ルエステル、ペンチルエステル、ヘキシルエステル、1
−シクロプロピルエチルエステル等の低級アルキルエス
テル、その例として、例えばアセトキシエチルエステル
、プロピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオキシ
メチルエステル、バレリルオキシメチルエステル、ピバ
ロイルオキシメチルエステル、1−アセトキシエチルエ
ステル、1−プロピオニルオキシエチルエステル、ピバ
ロイルオキシエチルエステル、2−プロピオニルオキシ
エチルエステル、ヘキサノイルオキシメチルエステル等
の低級アルカノイルオキシ(低i)アルキルエステル、
例えば2−メシルニーy−ルx ステJL−’4の低級
アルカンスルホニル(低級)アルキルエステルまたは例
えば2−ヨードエチルエステル、2.2.2−トリクロ
ロエチルエステル等のモノ(またはジまたはトリ)ハロ
(低級)アルキルエステル;例えばビニルエステル、7
1J ルエステル等の低級アルケニルエステル;例えば
エチニルエステ4.プロピニルエステル等の低級アルキ
ニルエステル;例えばベンジルエステル、4−メトキシ
ベンジルエステル、4−ニトロペンジルエステノ呟 フ
ェネチルエステル、トリチルエステル、ベンズヒドリル
エステル、ビス(メトキシフェニル)メチルエステル、
3.4−ジメトキシベンジルエステル、4−ヒドロキシ
−3゜5−ジ第三級ブチルベンジルエステル等の適当な
置換基を有していてもよいアル(低級)アルキルエステ
ル;例えばフェニルエステJ呟4−’)ロロフェニルエ
ステル、トリルエステル、4−第三級ブチルフェニルエ
ステル、キシリルエステノ呟 メシチルエステル、クメ
ニルエステル等の適当な置換基を有していてもよいアリ
ールエステル等のようなものが挙げられる。
好適な「脱離基」としては例えば塩素、臭素、沃素等の
ハロゲン、例えばベンゼンスルホニルオキシ、トシルオ
キシ、メシルオキシ等のスルホニルオキシ基、例えばア
セチルオキシ、プロピオニルオキシ等の低級アルカノイ
ルオキシ基のようなアシルオキシ基等が挙げられる。
好適な「陰イオン」としてはギ酸イオン、酢酸イオン、
トリフルオロ酢酸イオン、マレイン酸イオン、酒石酸イ
オン、メタンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イ
オン、トルエンスルホン酸イオン、塩素イオン、臭素イ
オン、ヨウ素イオン、硫酸イオン、燐酸イオン等が挙げ
られる。
目的化合物[11の好適な塩は常用の無毒性塩であり、
例えばナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩お
よび例えばカルシウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ
士金属塩のような金属塩、アンモニウム塩、例えばトリ
メチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、ピ
コリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、N、N’ −ジ
ベンジルエチレンジアミン塩等の有機塩基塩、例えばギ
酸塩、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、マレイン酸塩、酒
石酸塩、メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、
トルエンスルホン酸塩等の有機酸塩、例えば塩酸塩、臭
化水素酸塩、硫酸塩、燐酸塩等の無機酸塩、例えばアル
ギニン塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩等のアミ
ノ酸との塩等が挙げられる。
目的化合物[■]の好ましい実施態様は下記のとおりで
ある。
R1の好ましい実施態様はアミノ基、 R2の好ましい実施態様は低級アルキル基[さらに好ま
しくは(C1−C4)アルキル基]または低級アルケニ
ル基[さらに好ましくは(C2−C4)アルケニル基、
最も好ましくはプロペニル基]、R3の好ましい実施態
様は低級アルキル基[さらに好ましくは(C1−C4)
アルキル基、最も好ましくはメチル基]、ヒドロキシ(
低級)アルキル基[ひらに好ましくはヒドロキシ(C1
−C,)アルキル基、最も好ましくはヒドロキシエチル
基]またはアシルオキシ(低級)アルキル基[さらに好
ましくはカルバモイルオキシ(低級)アルキル基または
低級アルカノイルオキシ(低級)アルキル基、最も好ま
しくはカルバモイルオキシ(C1−C,)アルキル基ま
たは低級アルカノイルオキシ(C1−C4)アルキル基
]、R4の好ましい実施態様はアミノ基、アシルアミノ
基[さらに好ましくはカルバモイルアミノ基または低級
アルカノイルアミノ基]、低級アルキルアミノ基、カル
ボキシ(低級)アルキルアミノ基またはN−[保護され
たカルボキシ(低級)アルキルコアミノ基[さらに好ま
しくはエステル化されたカルボキシ(低級)アルキルア
ミノ基、最も好ましくは低級アルコキシカルボニル(低
級)アルキルアミノ基]、 R7の好ましい実施態様は水素または低級アルキル基[
さらに好ましくは(C1−C,’)アルキル基、最も好
ましくはメチル基コである。
この発明の目的化合物の製造法を以下詳細に説明する。
1盟羞ユ 化合物[11またはその塩は、化合物[1[]またはア
ミノ基におけるその反応性誘導体またはその塩を、化合
物[1[]またはカルボキシ基におけるその反応性誘導
体またはその塩と反応きせることにより製造することが
できる。
化合物[I[]のアミノ基における好適な反応性誘導体
としては、化合物[I[]とアルデヒド、ケトン等のよ
うなカルボニル化合物との反応によって生成するシッフ
の塩基型イミノまたはそのエナミン型互変異性体;化合
物[1[]とビス(トリメチルシリル)アセトアミド、
例えばN−トリメチルシリルアセトアミドのようなモノ
(トリメチルシリル)アセトアミド、ビストリメチルシ
リル尿素等のようなシリル化合物との反応によって生成
するシリル誘導体;化合物[I[]と三塩化燐またはホ
スゲンとの反応によって生成する誘導体等が挙げられる
化合物[]I]およびその反応性誘導体の好適な塩につ
いては、化合物[I]について例示したものを参照すれ
ばよい。
化合物[1[[]のカルボキシ基における好適な反応性
誘導体としては、酸ハロゲン化物、酸無水物、活性化ア
ミド、活性化エステル等が挙げられる。
反応性誘導体の好適な例としては、酸塩化物;酸アジ化
物;例えばジアルキル燐酸、フェニル燐酸、ジフェニル
燐酸、ジベンジル燐酸、ハロゲン化燐酸等の置換された
燐酸、ジアルキル亜燐酸、亜硫酸、チオ硫酸、硫酸、例
えばメタンスルホン酸等のスルホン酸、例えば酢酸、プ
ロピオン酸、醋酸、イソ酪酸、ピバリン酸、ペンタン酸
、イソペンクン酸、2−エチル醋酸、トリクロロ酢酸等
の脂肪族カルボン酸または例えば安息香酸等の芳香族カ
ルボン酸のような酸との混合酸無水物;対称酸無水物;
イミダゾール、4−置換イミダゾーJu、ジメチルピ少
ゾール、トリアゾールまたはテトラゾールとの活性化ア
ミ′ド;または例えばシアノメチルエステル、メトキシ
メチルエステル、ジメチルイミノメチル[(CH3)2
N−Cl−コニステル、ビニルエステル、プロパルギル
エステル、p−ニトロフェニルエステル、2.4−ジニ
トロフェニルエステル、トリクロロフェニルエステル、
ペンタクロロフェニルエステル、メシルフェニルエステ
ル、フェニルアゾフェニルエステル、フェニルチオエス
テル、p−ニトロフェニルチオエステル、p−タレジル
チオエステル、カルボキシメチルチオエステル、ピラニ
ルエステル、ピリジルエステル、ピペリジルエステル、
8−キノリルチオエステル等の活性化エステル、または
例えばN、N−ジメチルヒドロキシアミン、1−ヒドロ
キシ−2−(IH)−ピリドン、N−ヒドロキシスクシ
ンイミド、N−ヒドロキシフタルイミド、1−ヒドロキ
シーIH−ベンゾトリアゾール等のN−ヒドロキシ化合
物とのエステル等が挙げられる。これらの反応性誘導体
は使用すべき化合物[111]の種類に応じてそれらの
中から任意に選択することができる。
化合物[1[]およびその反応性誘導体の好適な塩とし
ては、化合物[I]について例示したようなものが挙げ
られる。
反応は通常、水、例えばメタノール、エタノール等のア
ルコール、アセトン、ジオキサン、アセトニトリル、ク
ロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テトラヒド
ロフラン、酢酸エチル、N、N−ジメチルホルムアミド
、ピリジンのような常用の溶媒中で行われるが、反応に
悪影響を及ぼさない溶媒であれば、その他のいかなる有
機溶媒中でも反応を行うことができる。これらの常用の
溶媒は水との混合物として使用してもよい。
この反応において化合物[1[]を遊離酸の形または塩
の形で使用する場合には、N、N’ −ジシクロヘキシ
ルカルボジイミド −N’ −モルホリノエチルカルボジイミド;N−シク
ロへキシル−N’ −(4−ジエチルアミノシクロヘキ
シル)カルボジイミド;N.N’−ジエチルカルボジイ
ミド ルボジイミド;N−エチル−N’−(3−ジメチルアミ
ノプロピル)カルボジイミド、N,N’−力ルボニルビ
ス(2−メチルイミダゾール);ペンタメチレンケテン
−N−シクロヘキシルイミン;ジフェニルケテン−N−
シクロヘキシルイミン;エトキシアセチレン;1−アル
フキシー1−クロロエチレン;亜燐酸トリアルキル;ポ
リ燐酸エチル;ポリ燐酸イソプロピル;オキシ塩化燐(
塩化ホスホリル);三塩化溝;塩化チオニル;塩化オキ
サリル;例えばクロロギ酸エチル、クロロギ酸イソプロ
ピル等のハロギ酸低級アルキル;トリフェニルホスフィ
ン;2−エチル−7−ヒドロキシベンズイソオキサゾリ
ウム塩;2−エチル−5−(m−スルホフェニル)イソ
オキサゾリウムヒドロキシド分子内塩;1−(P−クロ
ロベンゼンスルホニルオキシ)−6−クロロ−IH−ベ
ンゾトリアゾール、N,N−ジメチルホルムアミドと塩
化チオニル、ホスゲン、クロロギ酸トリクロロメチル、
オキシ塩化燐等との反応によって調製したいわゆるビル
スマイヤー試薬等のような常用の縮合剤の存在下に反応
を行うのが好ましい。
反応はまた、アルカリ金属炭酸水素塩、トリ(低級)ア
ルキルアミン、ピリジン、N−(低級)アルキルモルホ
リン、N.N−ジ(低級)アルキルベンジルアミン等の
ような無機塩基または有機塩基の存在下に行っモもよい
反応温度は特に限定されないが、通常は冷却下ないし加
温下に反応が行われる。
1産迭1 化合物[Ib]またはその塩は、化合物[!a]または
その塩をカルボキシ保護基の脱離反応に付すことにより
製造することができる。
この脱離反応に好適な方法としては、加水分解、還元等
のような常法が挙げられる。
い)加水分解 加水分解は塩基、または酸(ルイス酸も含む)の存在下
に行うのが好ましい.好適な塩基としては、例えばナト
リウム、カリウム等のアルカリ金属、例えばマグネシウ
ム、カルシウム等のアルカリ出金属、それらの金属の水
酸化物または炭酸塩または炭酸水素塩、例えばトリメチ
ルアミン、トリエチルアミン等のトリアルキルアミン、
ピコリン、1.5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノン
−5ーエン、1.4−ジアザビシクロ[2.2.2コオ
クタン、1.8−ジアザビシクロ[5.4.01ウンデ
ク−7ーエン等のような無機塩基または有機塩基が挙げ
られる。
好適な酸としては、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、
トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸および例
えば塩酸、臭化水素酸、硫酸、塩化水素、臭化水素等の
無機酸が挙げられる。
例えばトリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のトリハロ
酢酸等のようなルイス酸を用いる脱離は、例えばアニソ
ール、フェノール等の陽イオン捕捉剤の存在下に行うの
が好ましい。
反応は通常、水、例えばメタノール、エタノール等のア
ルコ−L、塩化メチレン、テトラヒドロフランのような
溶媒またはそれらの混合物中で行われるが、反応に悪影
響を及ぼさない溶媒であれば、その他のいかなる溶媒中
でも反応を行うことができる。液状の塩基または酸も溶
媒として使用することができる。
反応温度は特に限定されないが、通常は冷却下ないし加
温下に反応が行われる。
(i)還元 還元は化学的還元および接触還元を含む常法によって行
われる。
化学的還元に使用される好適な還元剤は、例えばスズ、
亜鉛、鉄等の金属または例えば塩化クロム、酢酸クロム
等の金属化合物と、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、
トリフルオ°口酢酸、p−トルエンスルホン酸、塩酸、
臭化水素酸等の有機酸または無機酸との組合わせである
接触還元に使用きれる好適な触媒は、例えば白金板、白
金海綿、白金黒、コロイド白金、酸化白金、白金線等の
白金触媒、例えばパラジウム海綿、パラジウム黒、酸化
パラジウム、パラジウム−炭素、コロイドパラジウム、
パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−炭酸バリウム
等のパラジウム触媒、例えば還元ニッケル、酸化ニッケ
ル、ラネーニッケル等のニッケル触媒、例えば還元コバ
ルト、ラネーコバル・ト等のコバルト触媒、例えば還元
鉄、ラネー鉄等の鉄触媒、例えば還元鋼、ラネー銅、ウ
ルマン鋼等の銅触媒等のような常用のものである。
還元は通常、水、メタノール、エタノール、プロパツー
ル、N、N−ジメチルホルムアミドのような反応に悪影
響を及ぼさない慣用の溶媒中、またはそれらの混合物中
で行われる。さらに、化学的還元に使用される上記酸が
液体である場合には、それらを溶媒として使用すること
もできる。
なおさらに、接触還元に使用される好適な溶媒としては
、上記溶媒のほか、ジエチルエーテル、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン等のような常用の溶媒またはそれらの
混合物が挙げられる。
この還元の反応温度は特に限定されないが、通常は冷却
下ないし加温下に反応が行われる。
聚盗菫1 化合物[Ia]またはその塩は、化合物[1c]または
その塩をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことにより
製造することができる。この反応は前記製造法2と同様
にして行うことができ、従って使用すべき試薬および例
えば溶媒、反応温度等の反応条件については、!!3L
lの説明を参照すればよい。
原料化合物の製造法AおよびBを以下詳細に説明する。
聚1Jしく一■ 化合物[Vllまたはその塩は、化合物[IV]または
その塩を化合物[V]またはその塩と反応させることに
より製造することができる。
化合物[V]および[Vllの好適な塩については、化
合物[I]について例示したものを参照すればよい。
この反応は水、燐酸塩緩衝液、アセトン、クロロホルム
、アセトニトリル、ニトロベンゼン、塩化メチレン、塩
化エチレン、ホルムアミド、N。
N−ジメチルホルムアミド、メタノール、エタノール、
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメチルスル
ホキシドのような溶媒、または反応に悪影響を及ぼさな
いその他のあらゆる有機溶媒中、好ましくは強い極性を
有する溶媒中で行えばよい、これらの溶媒中、親水性溶
媒は水との混合物として使用してもよい、化合物[V]
が液体である場合にはそれを溶媒として使用することも
できる。
反応は塩基、例えば、アルカリ金属水酸化物、アルカリ
金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩のような無機塩基
、トリアルキルアミンのような有機塩基等の存在下に行
うのが好ましい。
反応温度は特に限定されないが、通常は常温、加温下ま
たは加熱下に反応が行われる。
この反応は例えば沃化ナトリウム、沃化カリウム等のア
ルカリ金属ハロゲン化物、例えばチオシアン酸ナトリウ
ム、チオシアン酸カリウム等のアルカリ金属チオシアン
酸塩等の存在下に行うのが好ましい。
陰イオンXeは脱離する基Yから誘導されたものであっ
てもよく、また常法によってそれから変化させた別のも
のであってもよい。
袈1Jしく−9 化合物[I]またはその塩は、化合物[VI]またはそ
の塩をRのアミン保護基およびR6のカルボキシ保護基
の脱離反応に付すことにより製造することができる。
この反応は加水分解等のような常法に従って行うことが
できる。
加水分解は塩基または@(ルイス酸も含む)の存在下に
行うのが好ましい。
好適な塩基としては、例えばナトリウム、カリウム等の
アルカリ金属、例えばマグネシウム、カルシウム等のア
ルカリ土類金属、それらの金属の水酸化物または炭酸塩
または炭酸水素塩、例えばトリメチルアミン、トリエチ
ルアミン等のトリアルキルアミン、ピコリン、1.5−
ジアザビシクロ[4,3,0コノン−5−エン、1.4
−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1.8−ジ
アザビシクロ[5,4,0]ウンデク−7−エン等のよ
うな無機塩基および有機塩基が挙げられる。
好適な酸としては、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、
トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸および例
えば塩酸、臭化水素酸、硫酸、塩化水素、臭化水素等の
無機酸が挙げられる。
例えばトリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のトリハロ
酢酸等のようなルイス酸を用いる脱離は、例えばアニソ
ール、フェノール等の陽イオン捕捉剤の存在下に行うの
が好ましい。
反応は通常、水、例えばメタノール、エタノール等のア
ルコール、塩化メチレン、テトラヒドロフランのような
溶媒中、またはそれらの混合物中で行われるが、−反応
に悪影響を及ぼさない溶媒であればその他のいかなる溶
媒中でも反応を行うことができる。液状の塩基または酸
も溶媒として使用することができる。
反応温度は特に限定されないが、通常は冷却下ないし加
温下に反応が行われる。
R4の保護されたアミン基が反応中アミノ基に変化する
場合もこの発明の範囲内に包含される。
製造法B 化合物[1[b]またはその塩は、化合物[11a]ま
たはその塩をR4のアミノ保護基の脱離反応に付すこと
により製造することができる。
この反応は前記1産蒸人二層と同様にして行うことがで
き、従って使用すべき試薬および例えば溶媒、反応温度
等の反応条件については7、二;の説明を参照すればよ
い。
この反応中にR3の保護されたヒドロキシ(低級)アル
キル基がヒドロキシ(低級)アルキル基に変化する場合
もこの発明の範囲内に包含される。
目的化合物[I]およびその塩は新規であり、高い抗菌
活性を発揮してダラム陽性菌およびダラム陰性菌を含む
広汎な病原菌の生育を阻止し、抗菌剤として有用である
目的化合物[■]の有用性を示すために、この発明の代
表的な化合物についてのMIC(最小発育阻止濃度)値
を以下に示す。
区慧羞 試験管内抗菌活性を下記寒天平板希釈法により測定した
各試験菌株をトリプトケース−ソイ−プロス中−夜培養
してその1白金耳(生菌数106個/rnQ)を、各濃
度段階の代表的試験化合物を含むハートインフュージョ
ン寒天()11−寒天)に接種し、37°C520時間
インキュベートした後、最小発育阻止濃度(MIC)を
(/−で表わした。
茎lu【色物 7β−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾー
ル−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミドコ−
3−(3−アミノ−2−メチル−1−ピラゾリオ)メチ
ル−3−セフェム−4−カルボキシラード(シン異性体
)(以下化合物Aと略称)。
治療を目的として投与するために、この発明の目的化合
物[1]およびその塩は、経口投与、非経口投与および
外用投与に適した有機もしくは無機固体状もしくは液状
賦形剤のような医薬として許容きれる担体と混合して前
記化合物を有効成分として含有する常用の医薬製剤の形
で使用される。
医薬製剤は錠剤、顆粒、粉末、カプセルのような固体状
であっても、溶液、懸濁液、シロップ、エマルジヨン、
レモネード等のような液状であってもよい。
必要に応じて上記製剤中に助剤、安定剤、湿潤剤および
その他の通常使用される乳糖、クエン酸、酒石酸、ステ
アリン酸、ステアリン酸マグネシウム、白土、蔗糖、コ
ーンスターチ、タルク、ゼラチン、寒天、ペクチン、落
花生油、オリーブ油、カカオ脂、エチレングリコール等
のような添加剤が含まれていてもよい。
化合物[I]の投与量は患者の年齢、条件、疾患の種類
、適用する化合物の種類等によって変化する。一般的に
は患者に1日当り1mg〜約4000mgの量もしくは
それ以上投与すればよい。この発明の目的化合物[I]
は病原菌感染症治療に平均1回投与量約50mg、 1
00mg、 250mg、 500mg11000mg
、2000mgを使用すればよい。
以下製造例および実施例に従ってこの発明をさらに詳細
に説明する。
1産望ユ (1)無水酢酸(11,13mQ )およびギ酸(5,
93mQ )の混合物を常温で30分間攪拌する。この
溶液に5−アミノ−1−(2−ヒドロキシエチル)ピラ
ゾール(5g)を水冷下に加え、混合物を30−40℃
で1時間攪拌する0反応混合物を水、テトラヒドロフラ
ンおよび酢酸エチルの混合物中に注ぎ、炭酸水素ナトリ
ウム水溶液でpH6に調整する。有接層を分取して、水
層をテトラヒドロフランと酢酸エチルとの混合物で3回
抽出する。有機層を合わせて硫酸マグネシウムで乾燥し
、溶媒を減圧下に留去して、5−ホルムアミド−1−(
2−ホルミルオキシエチル)ピラゾール(5,18g)
を得る。
IR(スジ碧−ル)  :  3180. 1705.
 1660  am−’NMR(DMSO−da、l;
 ) ’ 4.21−4.61 (4H,m)、 6.
11および6.34 (IH,それぞれd、J=3Hz
>。
7.47 (IH,d、J=3Hz)、 8.00 (
IH,s)、 8.33(IH,s) 製造例1(1)と同様にして下記化合物を得る。
(2)5−ホルムアミド−1−(2−ホルミルオキシエ
チル)−4−メチルピラゾール。
IR(Xジ賛−ル)  :  3180. 1715.
 1660  cm−’NMR(DMSO−da、δ)
 : 1.81および1.86 (3H。
それぞれs)、 4.01−4.48 (4H,m)、
 7.25および7.40 (18,それぞれs)、 
8.06 (1)1゜s)、 8.22および9.13
 (11,それぞれS)1産■1 5−アミノ−1−(’2−ヒドロキシエチル)ピラゾー
ル(10g)を酢酸(50111)および水(100m
)の混合物に加える。これにシアン酸カリウム(25,
5g ) (7)水(801Q )溶液を攪拌下34℃
で滴下する。混合物を室温で一夜攪拌する。
反応混合物を酢酸エチル(200mQ )に加える。
混合物を炭酸カリウムでpH8,0に調整してテトラヒ
ドロフランで抽出する。抽出液を硫酸マグネシウムで乾
燥し、有機溶媒を減圧下に留去して油状生成物を得る。
この油状生成物にアセトンを加えて、5−カルバモイル
アミノ−1−(2−ヒドロキシエチル)ピラゾール(3
,76g)を無定形固体として得る。
IR(スジー−ル)  :  3400. 3200.
 1670. 1570  am−’NMR(DMSO
−da、8 ) ’ 3.64 (2t(、t、J=6
Hz)、 3.97(2H,t、J=6Hz)、 6.
02および6.13 (IH,それぞれd、J=2Hz
>、 7.20および7.27 (1B。
それぞれd、J=2Hz) 製造例3 ギ酸(2,0911LQ )を無水酢酸(4,17m1
 )に室温で加え、混合物を同温で30分間攪拌する。
これに5−力ルバモイルアミノ−1−(2−ヒドロキシ
エチル)ピラゾール(3,76g)を水冷攪拌下に加え
る。混合物を室温で2時間攪拌する6反応混合物の溶媒
を減圧下に留去し、これにジイソブロピルエーテルヲ加
えて、5−カルバモイルアミノ−1−(2−ホルミルオ
キシエチル)ピラゾール(4,15g)を得る。
mp : 102−104℃ IR(スジミール)  i  3400. 3200.
 1710. 1660. 1560゜1170 cm
−1 NMR(D20.8) : 4.20 (2H,t、J
=5Hz>、 4.36 (2H。
t、J=5Hz)、 5.96 (IH,s)、 6.
02および6.13(IHlそれぞれd、J=2Hz)
、 7.24および7.32 (1)1. それぞれd
、J:2Hz)、 8.06および8.24 (LH,
それぞれS) 製jl九土 1−(2−ヒドロキシエチル)−5−アミノピラゾール
(5g)を無水酢酸(14,711111)に水冷攪拌
下に加え、これにピリジン(6,3mM )を加える。
混合物を25℃で2時間攪拌する0反応混合物を酢酸エ
チル(50唾)と食塩水(501111)との混合物に
加える0次いで混合物を炭酸水素ナトリウム水溶液でp
H7,0に調整する。水層を酢酸エチルとテトラヒドロ
フランとの混合物で抽出する。抽出液を硫酸マグネシウ
ムで乾燥する。硫酸マグネシウムを濾去し、濾液の溶媒
を減圧下に留去して、1−(2−アセトキシエチル)−
5−アセチルアミノピラゾール(5,98g)を得る。
mp : 83−84℃ IR(スジタール)  :  3270. 1750.
 1670. 1565  am−INMR(DMSO
−ds、l; ) ’ i、 93 (3H9s)、2
.03 (3H1s)、 4.22 (4H,br s
)、 6.13 (IH,d、J=2Hz)。
7.32 (IH,d、J=2Hz)、 9.76 (
IH,s)製造例5 無水酢酸(44,51fiQ )およびギ酸(22,3
ml )の混合物を常温で1時間攪拌する。この混合物
に1−(2−ヒドロキシエチル)−5−アミノピラゾー
ル(30g)を0−10°Cで加え、混合物を水冷下に
30分間攪拌する。混合物を水冷水中に注ぎ、40%炭
酸カリウム水溶液でpH10,5に調整し、水冷下に3
0分間攪拌する。混合物をテトラヒドロフランと酢酸エ
チルとの混合物で6回抽出する。有機層を硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去して、1−(2−ヒ
ドロキシエチル)−5−ホルムアミドピラゾール(30
,81c)を得る。
IR(スジタール)  :  3230. 1695.
 1570. 1540 001−’NMR(DMSO
−ds、S ) ’ 3−62−3−95 (2L m
)、3−98−4.32 (2H,m)、 6.22お
よび6.36 (IH,それぞれd、J=3Hz)、 
7.42 (18,d、J=3Hz>、 8.32およ
び8.36 (IH,それぞれS)鼠1贋1 5−ホルムアミド−1−(2−ヒドロキシエチル)ピラ
ゾール(1g)のアセトニトリル(50−)中懸濁液に
、クロロスルホニル−イソシアナート(Q、77mQ 
)を−15℃ないし一20℃で滴下する。混合物を水冷
下に3時間攪拌する0反応混合物に水(1戚)を加え、
−夜装置する。溶液を5N水酸化ナトリウム水溶液でp
)17.5に調整し、次いでIN水酸化ナトリウム水溶
液でpl(8,5に調整する。有機層を分取し、水層を
テトラヒドロフランで抽出する。抽出液と前記有機層と
を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去し
、残渣を酢酸エチルから結晶化させて、5−アミ/−1
−(2−カルバモイルオキシエチル)ピラゾール(0,
60g)を得る。
NMR(DMSO−da、l; ) ’ 3.83−4
.35 (4B9m) 、4.80−5.18  (2
H,ブロード s)、  5.32  (IH,d、J
=3Hz)。
6.33−6.87  (2H,ブロード s)、  
7.08  (IH,d。
J=3Hz) k産■ユ 製造例5と同様にして、5−アミノ−1−(2−カルバ
モイJレオキシエチルピラゾールから、5−ホルムアミ
ド−1−(2−カルバモイルオキシエチル)ピラゾール
(3,69g)を得る。
NMR(DMSO−da、δ) : 4.22 (4H
,s)、 6.17−6.40(IH,m)、 6.4
0−6.63 (2H,m)、 7.30−7.53(
IH,n+)、 8.13−8.47 (IH,m)1
盗■1 (1)5−ホルムアミド−1−メチルピラゾールのN、
N−ジメチルホルムアミド(50ml! )溶液に、水
素化ナトリウム(1,6g)を水冷下に加える。
次いで混合物に沃化メチル(2,5ff1m)を同条件
で加える。混合物を水冷下に1時間攪拌する0反応混合
物に酢酸エチル(500119”)と水(1oomn 
)との混合物を加える。有機層を分取し、水層を酢酸エ
チル(50mm )で2回抽出する。有機溶液を硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、残渣をシリカゲ
ルを使用するカラムクロマトグラフィーに付し、酢酸エ
チルとジイソプロピルエーテルとの混液(3:1)で溶
出する。目的化合物を含む画分を集め、溶媒を減圧下に
留去して、5−(N−ホルミル−N−メチルアミノ)−
1−メチルピラゾール(2,5g)を得る。
IR(スジ1−ル)  :  1660−1680. 
1550. 1320  cm−1HMR(DMSO−
da、δ) : 3.07 (3H,s)、 3.67
 (3H。
s)、  6.28 (IH,d、、C2Hz)、  
7.44 (IH,d。
J=2Hz)、  8.20 (IH,s)製造例8(
1)と同様にして下記化合物を得る。
(2)5−(N−ホルミル−N−メトキシカルボニルメ
チルアミノ)−1−メチルピラゾール。
NMR(CDCl2.8) : 3.68 (3H,s
)、 3.77 (3H,s)。
4.26 (2H,s)、 6.16 (IH,d、J
−3Hz)、 7.39(IH,d、J=3Hz)、 
8.15 (IH,s)1盗■1 (1)7β−第三級ブトキシ力ルポニルアミノ−3−ク
ロロメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒド
リル(20g)および沃化ナトリウム(5,82g)と
のN、N−ジメチルホルムアミド(20m1l ”)中
温合物に、5−ホルムアミド−1−(2−ホルミルオキ
シエチル)ピラゾール(21,34g)を常温で加える
。同温で24時間攪拌後、混合物を水と酢酸エチルとの
混合物中に注ぐ、有機層を分取し、水および塩化ナトリ
ウム水溶液で洗浄して硫酸マグネシウムで乾燥する。溶
媒を減圧下に留去して、7β−第三級ブトキシ力ルポニ
ルアミノ−3−[3−ホルムアミド−2−(2−ホルミ
ルオキシエチル)−1−ビラゾリオ]メチルー3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル・沃化物(29,
6g)を得る。
IR(スジ曽−ル)  :  1780. 1720 
 am−’NMR(DMSO−da、8 ) ’ 1.
49 (9H1s)、3.43 (2H9br s)、
 4.14−4.38 (2H,m)、 4.52−4
.73(2H,m)、 5.15 (IH,d、J=5
Hz)、 5.40 (2H,brs)、 5.67 
(IH,dd、J=5.8Hz>、 6.88 (IH
,s)。
7.02 (IH,d、J=3Hz)、 7.18−7
.52 (lOH,m)。
7.94 (IH,d、J:8Hz)、 7.99 (
LH,s)、 8.27(IH,d、J=3Hz)、 
 8.51  (IH,br  s)製造例9(1)と
同様にして下記化合物を得る。
(2)7β−第三級ブトキシ力ルポニルアミノ−3−[
3−ホルムアミド−2−(2−ホルミルオキシエチル)
−4−メチル−1−ビラゾリオ]メチル−3−セフェム
−4−カルボン酸ベンズヒドリル・沃化物。
IR(スジヲール)  :  3250. 1780.
 1710. 1680  am−’NMR(DMSO
−da、δ) : 1.53 (9H,s)、 1.9
7 (3H。
s)、  3.51 (2H,br s)、  4.0
4−4.42 (2H,m)。
4.52−4.78 (2H,m)、  5.08 (
IH,d、J=5Hz)。
5.39 (2H,br s)、  5.61  (I
H,dd、J=5. 8)1z)。
6.86 (IH,s)、  7.08−7.52 (
10H,m)、  7.93(IH,s)、  8.1
8  (In、s)、  8.34  (LH,s)、
  9.12(LH,5) (3)7β−第三級プトキシ力ルポニルアミノ−3−[
3−カルバモイルアミノ−2−(2−ホルミルオキシエ
チル)−1−ビラグリオコメチル−3−セフェム−4−
カルリボン酸ベンズヒドリルす沃化物。
IR(ヌジl−ル)  ’  3300. 1780.
 1710  am’NMR(DMSO−ds、8 )
 ’ 1.43 (9H1s)、3.5−3.8(2H
,m)、 4.1−4.6 (4H,m)、 5.14
 (IH,d。
J=5Hz>、  5.33  (2H,s)、  5
.60  (IH,dd。
J=8Hz、 5Hz>、 6.66 (IH,s)、
 6.86 (LH,d。
J−3Hz)、 7.1−7.5 (10H,m)、 
7.93 (LH,d。
J=8Hz)、 8.00 (IH,s)、 8.08
 (IH,d、J=3Hz)(4)7β−第三級プトキ
シ力ルポニルアミノ−3−[3−アセトアミド−2−(
2−アセトキシエチル)−1−ビラゾリオ]メチルー3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル・沃化物。
IR(スジッール)  7 1780. 1720. 
1230  cm−1BMR(DMSO−ds、 8 
”) : 1.41 (9H,s)、 1.86 (3
H。
s)、 2.25 (3B、s>、 3.40 (2H
,br s)、 4−4.4(41,m>、 5.12
 (18,d、J=5Hz)、 5.37 (2H,s
)。
5.60 (1B、dd、、c8Hz、 5Hz)、 
6.85 (IH,s)。
7.24 (11,d、J=3Hz)、 7.1−7.
6 (lOR,+s)。
7.90 (IH,d、J=8Hz)、 8.21 (
IH,d、J=3Hz>。
IL、17  (LH,5) (5)7β−第三級ブトキシカルボニルアミノ−3−[
2−(2−カルバモイルオキシニブル)−3−ホルムア
ミド−1−ビラゾリオ]メチルー3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリル・沃化物。
(6)7β−第三級ブトキシ力ルポニルアミノ−3−C
3−(N−ホルミル−N−メチルアミノ)−2−メチル
−1−ビラゾリオ]メチルー3−セフェム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリル・沃化物。
NMR(DMSO−ds、ε) : 1.38 <9H
,s)、 3.29 (3H。
s)、 3.68 (3H,s)、 3.07−3.7
7 (2H,m)、 5.18<IH,d、J=5Hz
>、  5.35−5.75  (31,m)、  6
.90(IH,s)、 7.01 (IH,d、J=2
Hz)、 7.08−7.60(10H,m)、 8.
02 (IH,d、J=8Hz)、 8.35 (IH
s)、 8.43 (IH,d、J=2Hz)(7)7
β−第三級ブトキシカルボニルアミノ−3−[3−(N
−ホルミル−N−メトキシカルボニルメチルアミノ)−
2−メチル−1−ビラゾリオ]メチルー3−セフェム−
4−カルボン酸ベンズヒドリル・沃化物。
IR(スジ建−ル)  :  3300. 1780.
 1620  cm−’1産斑旦 (1)7β−第三級ブトキシカルボニルアミノ−3−[
3−ホルムアミド−2−(2−ホルミルオキシエチル)
−1−ビラゾリオコメチルー3−セフェム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリル・沃化物(29,5g)およびアニ
ソール(301d )の塩化メチレン(90戚)溶液に
、トリフルオロ酢酸(5onIl)を氷冷下に滴下する
。常温で1時間攪拌後、混合物をジイソプロピルエーテ
ル(60G+111 ) ト酢酸エチル(600111
1)との混合物中に注ぐ、生成する沈殿を濾取して、7
β−アミノ−3−[3−ホルムアミド−2−(2−ホル
ミルオキシエチル)−1−ビラゾリオ]メチルー3−セ
フェム−4−カルボキシラードのジ(トリフルオロ酢酸
)塩(22,7g)を得る。
IR(スジ1−ル)  :  L780. 1715.
 1660  am−1BMR(DMSO−ds、δ)
 : 3.53 (2H,br s)、 4.28−、
 4.56 (2H,m)、 4.78−4.99 (
2H,m)、 5.29(2H,br s)、 5.5
3 (2H,br s)、 7.14 (IH,d。
J=3Hz)、 8.22 (IH,s)、 8.46
 (LH,d、J=3Hz)。
8.63 (IH,s) 製造例10(1’jと同様にして下記化合物を得る。
(2)7β−アミノ−3−[3−ホルムアミド−2−(
2−ホルミルオキシエチル)−4−メチル−1−ビラゾ
リオ]メチルー3−セフェム−4−カルボキシラードの
ジ(トリフルオロ酢酸)塩。
IR(スジー−ル)  :  17g0. 1710.
 16フOam−1BMR(DMSO−ds、ε) :
 1.98 (3H,s)、 3.49 (2H。
br s)、  4.22−4.48 (2H,a+)
、  4.61−4.87 (2H。
m)、  5.18 (2H,br s)、  5.4
6 (2H,br s)。
8.05 (IH,s)、  8.23 (IH,s)
、  8.35 (18,5)(3)7β−アミノ−3
−[3−カルバモイルアミノ−2−(2−ホルミルオキ
シエチル)−1−ビラゾリオ]メチルー3−セフェム−
4−カルボキシラードのジ(トリフルオロ酢酸)塩。
IR(スジ褒−ル)  ’  3400. 1780.
 1700. 1560  am−INMR(DMSO
−ds、8 ) ’ 3.46 (2H,br s)、
 4.2−4.6(4H,m)、 5.22 (2H,
m)、 5.40 (2H,s)、 6.92(LH,
d、に3Hz)、 8.13 (ILs>、 8.20
 (11゜d、J=3Hz) (4)7β−アミノ−3−[3−アセトアミド−2−(
2−アセトキシエチル)−1−ビラゾリオ]メチルー3
−セフェム−4−カルボキシラードのジ(トリフルオロ
酢酸)塩。
IR(スジ望−ル)  :  1780. 1660.
 1190  am−1BMR(DMSO−ds、δ)
 : 1.95 (3H,s)、 2.23 (31゜
s)、  3.46 (2H,br s)、  4.1
−4.4 (4H,m)。
5.20 (2H,m)、  5.46 (2H,s)
、  7.01 (IH,d。
J=3Hz)、  8.27 (IH,d、、C3Hz
)、  11.17 (IH,5)(5)7β−アミノ
−3−[2−(2−カルバモイルオキシエチル)−3−
ホルムアミド−1−ビラゾリオ]メチルー3−セフェム
−4−カルボキシラードのジ(トリフルオロ酢酸)塩。
(6)7β−アミノ−3−[3−(N−ホルミル−N−
メチルアミノ)−2−メチル−1−ビラゾリオ]メチル
ー3−セフェム−4−カルボキシラードのジ(トリフル
オロ酢酸)塩。
NMR(D20.δ) : 3.46 (3H,s)、
 3.87.4.00(総計38.それぞれs)、3゜
13−3.77 (2H。
m)、 5.05−5.47 (4H,m)、 g、8
9 (IH,d。
J=2Hz)、 8.32 (IH,d、J=2Hz>
、 8.36 (IH,5)(7)7β−アミノ−3−
[3−(N−ホルミル−N−メトキシカルボニルメチル
アミノ)−2−メチル−1−ビラグリオコメチル−3−
セフェム−4−カルボキシラードのジ(トリフルオロ酢
酸)塩。
IR(スジー−4)  :  3300. 1780.
 1610  cm−1振1已1u 〈1)濃塩酸(5,67m1 )を7β−アミノ−3−
[3−ホルムアミド−2−(2−ホルミルオキシエチル
)−1−ビラグリオコメチル−3−セフェム−4−カル
ボキシラードのジ(トリフルオロ酢酸)塩(10g)の
メタノール(50ffl11 ”)中温合物に常温で加
える。同温で3時間攪拌後、混合物を酢酸エチル(so
omu )中に滴下する。生成する沈殿を濾取して、7
β−アミノ−3−[3−アミノ−2−(2−ヒドロキシ
エチル)−1−ビラゾリオ]メチルー3−セフェム−4
−カルボキシラード・二塩酸塩(6,1g)を得る。
IR(:にジ1−4)  :  3250. 1770
. 1700. 1625  am−INMR(DMS
O−ds、8 ) ’ 3−43 (2H,br s)
、 3−52−3.88 (2H,m)、 4.18−
4.48 (4H,m)、 5.28(2H,br s
)、 5.37 (2H,br s)、 5.97 (
IH,d。
J=3Hz)、 8.18 (IH,d、J=3Hz)
製造例11(1)と同様にして下記化合物を得る。
(2)7β−アミノ−3−[3−アミノ−2−(2−ヒ
ドロキシエチル)−4−メチル−1−ピラゾリオ]メチ
ルー3−セフェム−4−カルボキシラード・二塩酸塩。
NMR(DMSO−d6,8 ) ’ 1.94 (3
H1s)、3−39 (2H0br s)、 3.47
−3.78 (2H,m)、 4.06−4.42 (
2H。
m)、 5.21 (4H,br s)、 7.87 
(IH,5)(3) 7β−アミノ−3−[3−カルバ
モイルアミノ−2−(2−ヒドロキシエチル)−1−ビ
ラゾリオ]メチルー3−セフェム−4−カルボキシラー
ド・二塩酸塩。
IR(スジ會−ル)  ;  3300. 1770.
 1700. 1560  am−’NMR(DMSO
−ds、8 ) ” 3.41 (21,br s)、
3.6−3.8(4H,m)、 5.20 (2H,m
)、 5.43 (2H,s)、 6.85(IH,d
、J=3Hz)、 8.20 (IH,d、J=3Hz
)り4)7β−アミノ−3−[3−アミノ−2−(2−
カルバモイルオキシエチル)−1−ビラゾリオ]メチル
ー3−セフェム−4−カルボキシラード・二塩酸塩。
(5)7β−アミノ−3−[2−メチル−3−メチルア
ミノ−1−ピラゾリオ]メチルー3−セフェム−4−カ
ルボキシラード・二塩酸塩。
NMR(1)zO−NaHCO3,l; ) ’ 2.
93 (3H9s)、3−25−3.38 (2H,m
)、 3.63 (3H,s)、 5.07−5.33
(4H,m)、 5.97 (IH,d、J=2Hz)
、 7.89 (IH,d。
J=2Hz) (6)7β−アミノ−3−[2−メチル−3−メトキシ
カルボニルメチルアミノ−1−ビラゾリオ]メチル−3
−セフェム−4−カルボキシラード・二塩酸塩。
IR(スジ9−ル)  ’  3200−3350. 
1780. 1610  cm−’に直±1 7β−アミノ−3−[3−アミノ−2−(2−ヒドロキ
シエチル)−1−ビラゾリオコメチルー3−セフェム−
4−カルボキシラード・二塩酸塩(2g)およびN−(
トリメチルシリル)アセトアミド(5,85g)のテト
ラヒドロフラン(40111)溶液に、(Z)−2−(
5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)
−2−アリルオキシイミノアセチル讃クロリド・塩酸塩
(1,26g)を水冷下に加える。同温で1時間攪拌後
、反応混合物をジイソプロピルエーテル(200m1!
 )中に注ぐ、生成する沈殿を濾取し、水(100m1
! )に溶解して5%炭酸水素ナトリウム水溶液でpH
2,0に調整する。この溶液を非イオン性吸着樹脂「ダ
イヤイオンIP−20,(商標、三菱化成社製)を使用
するカラムクロマトグラフィーに付す、所望の化合物を
10%イソプロピルアルコールで溶出し、凍結乾燥して
、7β−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾ
ール−3−イル)−2−アリルオキシイミノアセトアミ
ド]−3−[3−アミノ−2−(2−ヒドロキシエチル
)−1−ピラゾリオ]メチルー3−セフェム−4−カル
ボキシラード(シン異性体’) (1,07g )を得
る。
IR(スジテール)  :  3150. 1760.
 1660  am−1HMR(DMSO−d6.δ)
 + 2.90および3.23 (2B。
ABq、J=18Hz)、 3.68 (2H,br 
s)、 4.38 (2H。
m)、 4.63 (2H,d、J:5Hz)、 5.
02 (IH,d。
J=5Hz)、 5.09−5.47 <2H,m)、
 5.04および5.33 (2H,ABq、J=15
Hz)、 5.64 (IH,dd、J−5゜8Hz)
、  5.78−6.16 (IH,m)、  5.8
1 (IH,d。
J=3Hz)、  7.26 (2H,br s)、 
 8.08 (IH,d。
J=3Hz)、  8.10 (2H,br s)、 
 9.50 (LH,d。
J=8Hz) 夾星皇1 実施例1と同様にして下記化合物を得る。
(1)7β−[2−C8−アミノ−1,2,4−チアジ
アゾール−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミ
ド]−3−(2−メチル−3−アミノ−1−ピラゾリオ
)メチル−3−セフェム−4−カルボキシラード(シン
異性体)。
IR(Xジ習−ル)  :  3580. 3310.
 3200. 1760.1670゜1615、158
0 cIm−1 HMR(DMSO−d6−C20,δ) : 2.97
.3.23 (2H,ABq。
J=18Hz)、 3.68 (3H,s)、 5.0
1 (IH,d。
J=5Hz)、 4.98.5.28 (2H,ABq
、J=15Hz)。
5.66 (IH,d、J−5)1z)、 5.85 
(LH,d、J=3Hz)。
8.01 (LH,d、J=3Hz) (2)7β−[2−(5−アミノ−1,2,4−デアジ
アゾール−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミ
ド]−3−[2−(2−ヒドロキシエチル)−3−アミ
ノ−1−ビラゾリオコメチルー3−セフェム−4−カル
ボキシラード(シン異性体)。
IR(スジヲール)  ?  315G−3300,1
760,1580−1660am−1 NMR(DMSO−d6.8 ) : 2.92.3.
25 (2H,ABq。
J=18Hz)、 3.40−3.77 (3H,m)
、 3.80 (3H,s)。
4.14−4.70 (2H,m)、 4.90−5.
1 (2H,m)。
5.63 (IH,dd、J=5Hz、 8Hz)、 
5.83 (IH,d。
J=3Hz)、 7.17−7.57 (2H,br 
s)、 8.08 (11゜d、J=3Hz)、 7.
93−8.30 (2H,br s)、 9.49(I
H,d、J=8Hz) (3)7β−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジ
アゾール−3−イル)−2−アリルオキシイミノアセト
アミド]−3−[3−アミノ−2−(2−ヒドロキシエ
チル)−4−メチル−1−ピラゾリオ]メチルー3−セ
フェム−4−カルボキシラード(シン異性体)。
IR(スジ會−ル)  +  3250. 1780.
 1640. 1600  cm−’NMR(C20,
8) : L、96 (3H,s)、 3.03および
3.33 (2H,ABq、J=18Hz>、  3.
69−3.33 (2H,m)。
4.17−4.41  (2H,m)、  4.78 
(2H,d、J=5Hz)。
5.03 (IH,d、J=5)1z)、  5.04
−5.48 (4H,m)。
5.72−6.21 (IH,m)、  5.81 (
11(、d、に5Hz)。
7.68 (LH,5) (4)7β−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジ
アゾール−3−イル)−2−アリルオキシイミノアセト
アミド]−3−[3−カルバモイルアミノ−2−(2−
ヒドロキシエチル)−1−ビラゾリオ]メチルー3−セ
フェム−4−カルボキシラード(シン異性体)。
IR(スジョール)  :  3300. 1770.
 1700. 1560  am−INMR(C20,
S ) ’ 3.07 (IH,d、J=18Hz)、
 3.40(1)1.d、J=18Hz)、 3.84
 (4H,m)、 4.74 (2H,d。
J=5Hz)、 5.20 (IH,d、J=5Hz)
、 5.25 (2H,s)。
5.1−5.5 (2H,a+)、 5.79 (IH
,d、J=5Hz)、 5.9−6.4 (LH,m)
、 6゜74 (LH,d、J=3Hz)、 8.04
(1u、d、J=3Hz) (5)7β−(2−(5−アミノ−1,2,4−チアジ
アゾール−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミ
ド]−3−[3−アミノ−2−(2−カルバモイルオキ
シエチル)−1−ビラゾリオ]メチルー3−セフェム−
4−カルボキシラード(シン異性体)。
IR(スジ確−ル)  :  3300. 176G、
  1710. 1590゜1520 ca+−1 NMR(D20.δ) : 3.07 (18,d、、
clgHz)、 3.42(IH,d、J=18Hz)
、 4.06 (3H,s)、 4.17−4.60(
4H,m)、 4.70−5.43 (3H,m)、 
5.83 (IH,d。
J=5Hz>、 5.94 (IH,d、J=3Hz)
、 7.87 (11゜d、J=3Hz) (6)7β−(2−(5−アミノ−1,2;4−チアジ
アゾール−3−イル)−2−アリルオキシイミノアセト
アミド]−3−[3−アミノ−2−(2−カルバモイル
オキシエチル)−1−ビラゾリオ]メチルー3−セフェ
ム−4−カルボキシラード(シン異性体)。
IR(Xジa−L)  :  3300. 1770.
 1710. 1600  am−’NMR<020.
δ) : 3.00−3.77 (2H,m)、 4.
27−4.67(4H,m)、  4.67−5.63
 (7H,m)、  5.96 (11,d。
J=5Hz)、  6.06 (IH,d、J=3Hz
)、  7.99 (IH,d。
J=3Hz) (7) 7β−[2−(5−’アミノー1.2.4−チ
アジアゾール−3−イル)−2−アリルオキシイミノア
セトアミド]−3−[2−メチル−3−メチルアミノ−
1−ピラゾリオ]メチルー3−セフェム−4−カルボキ
シラード(シン異性体)。
IR(スジ3−ル)  :  3200−3300. 
1770. 1670. 1610゜1520 cm−
1 NMR(D20.ε) : 2.88 (3H,s)、
 3.58 (3H,s)。
3.03−3.33 (2H,m)、 4.50−4.
87 (2H,m)。
4.93−5.48 (3H,m)、 5.70−5.
97 (2H,m)。
7.84 (IH,d、J=3Hz) (8)7β−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジ
アゾール−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミ
ド]−3−(2−メチル−3−メチルアミノ−1−ピラ
ゾリオ)メチル−3−セフェム−4−カルボキシラード
(シン異性体)。
IR(スジ1−ル)  : 3200−3300. 1
760. 1660. 1610゜1520 am−I NMR(D20. S ) : 2.89 (3H,s
)、 3.58 (3H,s)。
4.04 (3H,s)、  3.03−3.30 (
2H,m)、  4.93−5.25 (2H,m)、
  5.77−5.97 (2H,ai)、  7.8
5(LH,d、J=3H2) 叉1諮」。
7β−アミノ−3−[3−アセトアミド−2−(2−ア
セトキシエチル)−1−ビラゾリオ]メチルー3−セフ
ェム−4−カルボキシラードのジ(トリフルオロ酢酸)
塩(1g)およびN−(トリメチルシリル)アセトアミ
ド(2,01g)のジクロロメタン(20III11)
溶液に、(Z)−2−(5−アミノ−1,2,4−チア
ジアゾール−3−イル)−2−アリルオキシイミノアセ
デル皺クロリド・塩酸塩(0,520g)を水冷攪拌下
に加える。混合物を室温で1時間攪拌する0反応混合物
を水冷攪拌下にエーテルに加える。生成する無定形固体
を減圧下に乾燥して水に溶解する。水溶液をIN水酸化
ナトリウム水溶液で攪拌下、−3℃ないし0℃でpH1
3に調整し、同温で2時間攪拌する。水溶液をIN塩酸
でpH2に調整し、′ダイヤイオンP−20」を使用す
るカラムクロマトグラブイ−に付し、10%イソプロピ
ルアルコール水溶液で溶出する。目的化合物を含む画分
を合わせ、濃縮してイソプロピルアルコールを除去し、
凍結乾燥して、7β−[2−(5−アミノル1.2.4
−チアジアゾール−3−イル)−2−アリルオキシイミ
ノアセトアミトコ−3−[3−アセトアミド−2−(2
−ヒドロキシエチル)−1−ビラゾリオコメチル−3−
セフェム−4−カルボキシラード(シン異性体) (2
22mg)を得る。
mp i 100℃(分解) IR(スジl−ル)  :  3200. 1770.
 1660. 1600  cm−INMR(D20.
ε) + 2.22 (3H,s)、 3.08 (I
H,d。
J=18Hz)、 3.42 (IH,d、J=18H
z>、 3.7−4.0(4H,m)、  4.74 
 (2H,d、J=6Hz)、  5.20  (IH
,d。
J=5Hz>、 5.30 (2H,s)、 5.1−
5.5 (2H,m)。
5.81 (LH,d、J=5Hz)、 5.8−6.
4 (IH,m)。
6.85 (IH,d、J=3Hz)、 8.11 (
IH,d、J=3Hz)衷111玉 7β−アミノ−3−[2−メチル−3−メトキシカルボ
ニルメチルアミノ−1−ビラゾリオ]メチルー3−セフ
ェム−4−カルボキシラード・三基酸塩(0,7g)お
よびN−(トリメチルシリル)アセトアミド(1,87
g)のテトラヒドロフラン(14mQ)溶液に、(Z)
−2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3
−イル)−2−メトキシイミノアセチル−クロリド・塩
酸塩(0,37&)を水冷下に加え、混合物を室温で2
時間攪拌する0反応混合物を酢酸エチル(140+11
11 )中に注ぎ、生成する粉末を濾取する。粉末を氷
水に溶解してIN水酸化ナトリウム水溶液でpH13に
調整する。水冷下に20分間攪拌後、溶液を3N塩酸で
pH2に!lltして「ダイヤイオンHP −20Jを
使用するカラムクロマトグラフィーに1寸し、5%イソ
プロピルアルコール水溶液で溶出する。目的化合物を含
む画分を合わせ、減圧下にイソプロピルアルコールを留
去し、凍結乾燥して、7β−[2−(5−アミノ−1,
2,4−チアジアゾール−3−イル)−2−メトキシイ
ミノアセトアミドコ−3−(3−カルボキシメチルアミ
ノ−2−メチル−1−ピラゾリオ)メチル−3−セフェ
ム−4−カルポキシラート(シン異性体)(0,24g
)を得る。
IR(スジ曹−ル)  :  3250. 1760.
 1670. 1610゜1520 cm−1 NMR(D20. l; )二3.10および3.38
 (2H,ABq。
J=18Hz)、 3.67 (3H,s)、 3.8
3 (2H,s)、 4.06(3H,s)、 4.9
7および5.28 (2H,ABq。
J=14Hz)、 5.18 (IH,d、J:5Hz
)、 5.82 (IH,d。
J=5Hz)、 5.84 (IH,d、J=3Hz)
、 7.85 (IH,d。
J=3H2) Xl31 実施例4と同様にして下記化合物を得る。
7β−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾー
ル−3−イル)−2−アリルオキシイミノアセトアミド
]−3−(3−カルボキシメチルアミノ−2−メチル−
1−ピラゾリオ)メチル−3−セフェム−4−カルボキ
シラード(シン異性体)。
IR(スジタール)  ?  3300. 1770.
 1670. 1610゜1520 cヨー1

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1はアミノ基または保護されたアミノ基、 R^2は低級アルキル基または低級アルケニル基、R^
    3は低級アルキル基、ヒドロキシ(低級)アルキル基ま
    たは保護されたヒドロキシ(低級)アルキル基、 R^4はアミノ基、保護されたアミノ基、低級アルキル
    アミノ基、保護された(低級)アルキルアミノ基、カル
    ボキシ(低級)アルキルアミノ基またはN−[保護され
    たカルボキシ(低級)アルキル]アミノ基、 R^7は水素または低級アルキル基を意味する]で示さ
    れる新規セフェム化合物およびその塩。
  2. (2)R^3が低級アルキル基、ヒドロキシ(低級)ア
    ルキル基またはアシルオキシ(低級)アルキル基、 R^4がアミノ基、アシルアミノ基、低級アルキルアミ
    ノ基、カルボキシ(低級)アルキルアミノ基またはエス
    テル化されたカルボキシ(低級)アルキルアミノ基であ
    る特許請求の範囲第1項に記載の化合物。
  3. (3)R^3が低級アルキル基、ヒドロキシ(低級)ア
    ルキル基、カルバモイルオキシ(低級)アルキル基また
    は低級アルカノイルオキシ(低級)アルキル基、 R^4がアミノ基、カルバモイルアミノ基、低級アルカ
    ノイルアミノ基、低級アルキルアミノ基、カルボキシ(
    低級)アルキルアミノ基または低級アルコキシカルボニ
    ル(低級)アルキルアミノ基である特許請求の範囲第2
    項に記載の化合物。
  4. (4)R^1がアミノ基、 R^2が低級アルキル基または低級アルケニル基、R^
    3が低級アルキル基、ヒドロキシ(低級)アルキル基ま
    たはカルバモイルオキシ(低級)アルキル基、 R^4がアミノ基、カルバモイルアミノ基、低級アルカ
    ノイルアミノ基、低級アルキルアミノ基またはカルボキ
    シ(低級)アルキルアミノ基、 R^7が水素または低級アルキル基である特許請求の範
    囲第3項に記載の化合物。
  5. (5)7β−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジ
    アゾール−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミ
    ド]−3−(3−アミノ−2−メチル−1−ピラゾリオ
    )メチル−3−セフェム−4−カルボキシラード(シン
    異性体)である特許請求の範囲第4項に記載の化合物。
  6. (6)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^3は低級アルキル基、ヒドロキシ(低級)
    アルキル基または保護されたヒドロキシ(低級)アルキ
    ル基、 R^4はアミノ基、保護されたアミノ基、低級アルキル
    アミノ基、保護された(低級)アルキルアミノ基、カル
    ボキシ(低級)アルキルアミノ基またはN−[保護され
    たカルボキシ(低級)アルキル]アミノ基、 R^7は水素または低級アルキル基を意味する]で示さ
    れる化合物またはアミノ基におけるその反応性誘導体ま
    たはその塩を、一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1はアミノ基または保護されたアミノ基、 R^2は低級アルキル基または低級アルケニル基を意味
    する)で示される化合物またはカルボキシ基におけるそ
    の反応性誘導体またはその塩と反応させて、一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^3、R^4およびR^7
    はそれぞれ前と同じ意味)で示される化合物またはその
    塩を得ることを特徴とする新規セフェム化合物またはそ
    の塩の製造法。
  7. (7)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1はアミノ基または保護されたアミノ基、 R^2は低級アルキル基または低級アルケニル基、R^
    3は低級アルキル基、ヒドロキシ(低級)アルキル基ま
    たは保護されたヒドロキシ(低級)アルキル基、 R^4_cはN−[保護されたカルボキシ(低級)アル
    キル]アミノ基、 R^7は水素または低級アルキル基を意味する]で示さ
    れる化合物またはその塩をカルボキシ保護基の脱離反応
    に付して、一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1、R^2、R^3およびR^7はそれぞ
    れ前と同じ意味であり、 R^4_dはカルボキシ(低級)アルキルアミノ基を意
    味する]で示される化合物またはその塩を得ることを特
    徴とする新規セフェム化合物またはその塩の製造法。
  8. (8)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1はアミノ基または保護されたアミノ基、 R^2は低級アルキル基または低級アルケニル基、R^
    3_aは保護されたヒドロキシ(低級)アルキル基、R
    ^4はアミノ基、保護されたアミノ基、低級アルキルア
    ミノ基、保護された(低級)アルキルアミノ基、カルボ
    キシ(低級)アルキルアミノ基またはN−[保護された
    カルボキシ(低級)アルキル]アミノ基、 R^7は水素または低級アルキル基を意味する]で示さ
    れる化合物またはその塩をヒドロキシ保護基の脱離反応
    に付して、一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1、R^2、R^4およびR^7はそれぞ
    れ前と同じ意味であり、 R^3_bはヒドロキシ(低級)アルキル基を意味する
    ]で示される化合物またはその塩を得ることを特徴とす
    る新規セフェム化合物またはその塩の製造法。
  9. (9)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1はアミノ基または保護されたアミノ基、 R^2は低級アルキル基または低級アルケニル基、R^
    3は低級アルキル基、ヒドロキシ(低級)アルキル基ま
    たは保護されたヒドロキシ(低級)アルキル基、 R^4はアミノ基、保護されたアミノ基、低級アルキル
    アミノ基、保護された(低級)アルキルアミノ基、カル
    ボキシ(低級)アルキルアミノ基またはN−[保護され
    たカルボキシ(低級)アルキル]アミノ基、 R^7は水素または低級アルキル基を意味する]で示さ
    れる新規セフェム化合物またはその塩を有効成分として
    含有する抗菌剤。
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