JPH018952Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は熱間静水圧プレス装置に係り、特に処
理品から出る不純ガス及びヒータ部から出る不純
ガスによるヒータ、処理品の損傷を防止するに適
した上記装置に関するものである。

（従来の技術） 熱間静水圧プレス（以下、HIPと略記する）装
置は高温下で高圧ガス圧媒により処理品を等方圧
縮する装置として広く知られており、その基本的
な構成は第２図に図示する如く高圧容器１と、該
容器１の上下開口部に各パツキン１１，１２，１
３を介して嵌着される上蓋２、下蓋３によつて画
成される高圧室４内に断熱台座５′を介して断熱
層５と、その内側にヒータ６，６′を配設した構
成からなつており、処理品Ｍをヒータ内部で下蓋
３、特に下内蓋３ａと下外蓋３ｂからなるその下
内蓋３ａ上に断熱台板７を介して保持せしめるよ
うになつている。

そして、かかる従来のHIP装置において処理品
Ｍに対するHIP処理は、下蓋３に設けたガス通路
９より高圧ガスを処理品Ｍ部に流入することによ
つて行なわれ、流入されたガスは処理品Ｍ部に流
入後、断熱台板５′により保持された断熱層５下
部の通気孔１０を通つて上方へ流れ上蓋２に設け
られたガス通路８より外部に流出される。

ところが、上記の如きHIP処理において処理品
Ｍ及びヒータ６，６′には不純物が残存すること
があり、内部におけるガスが処理品Ｍとヒータ
６，６′の間を移動するため、処理品Ｍより出る
不純ガスによりヒータ６，６′を損傷させるとい
う事態を生じると共に、一方、ヒータ６，６′側
においても不純ガスを発生し、これが処理品Ｍに
接して処理品Ｍを損傷させるという問題を有す
る。殊に最近、真空昇温により処理品のガス抜き
を行なつた後、続いて高圧高温処理を行なう、い
わゆるSinter−HIP（シンターヒツプ）技術が要
求されるようになり、炉内汚染は極めて重要な問
題となつている。

（考案が解決しようとする問題点） 本考案は上述の如き現状に対処し、前記処理品
から出る不純ガスによるヒータの損傷ならびにヒ
ータから出る不純ガスによる処理品の損傷を防止
することを課題とし、処理品の周囲と、ヒータ内
側に倒立コツプ状円筒を設け、両者の間にガス通
路を形成して処理品から出る不純ガス及びヒータ
から出る不純ガスを上記通路から炉外に排出し、
炉内汚染の問題を解決せんとするものである。

（問題点を解決するための手段） 即ち、本考案の特徴とするところは、前記の如
きHIP装置において、処理品の周囲と、ヒータ内
側に所要間隙を存して気密構造をもつ倒立コツプ
状の内側円筒及び外側円筒を夫々設け、それら両
円筒の間隙をガス通路となし、かつ各円筒の上部
ならびに断熱層下部に夫々通気孔を穿設して処理
品から出る不純ガス、ヒータから出る不純ガスを
前記ガス通路に流入せしめると共に、該ガス通路
を下蓋に設けた別のガス通路を通じて炉外に連通
せしめた点にある。

（作用） しかして、叙上の如き本考案HIP装置は上蓋、
下蓋より高圧室内、処理品部にガスを流入するこ
とによつてHIP処理が行なわれるが、このとき上
蓋より流入したガスは、断熱層下部の通気孔を通
り外側円筒上部の通気孔を経て内外側円筒間のガ
ス通路に入り、下蓋の別通路を通つて炉外に排出
され、一方、処理品部に流入したガスは内側円筒
上部の通気孔を経て、両円筒間に流れ、下方より
下蓋に設けられた別通路を通つて外部に流出され
る。

従つて、ヒータから出る不純ガスと、処理品か
ら出る不純ガスは互いに混交することなく外部に
流出することになり、お互い相手を汚染すること
がない。

（実施例） 以上、添付図面を参照し、本考案装置の実施例
を説明する。

第１図は、本考案装置の１実施例であり、高圧
容器１と、該高圧容器１の上下開口部にパツキン
１１，１２，１３等を介して嵌着された上蓋２、
下蓋３によつて画成される高圧室４内に断熱台座
５′を介して断熱層５と、その内側にヒータ６，
６′を配設することによつて構成され、かつ上蓋
２、下蓋３に夫々高圧室４内、処理品部に連通す
るガス通路８，９が設けられ、処理品Ｍをヒータ
内部で下内蓋３ａ上に断熱台板７を介して保持せ
しめるようになつている点は、前記第２図に図示
する従来のHIP装置の構成と同様である。

しかして上記の如き構成において本考案にあつ
ては、前記処理品Ｍを取り巻く周囲と、ヒータ
６，６′の内側に夫々倒立コツプ状をなす内側円
筒１４と外側円筒１５とが設けられており、前者
はその下部を断熱台板７外周でパツキン２０を介
し封止され、後者はその下部を断熱台座５′内面
でパツキン２１を介し封止されて、両円筒１４，
１５間に所要の間隙空間を存してガス通路１６を
形成している。

内側円筒１４、外側円筒１５は共に通常気密性
の材料からなり、かつ処理に悪影響を及ぼさない
ものであることが好ましく、従つて、例えば温度
条件に応じてステンレス、Ni合金、モリブデン、
グラフアイト等で形成される。

そして内外両円筒１４，１５は共にその上部に
おいて通気孔１７，１８が穿設され、互いにガス
の連通を可能ならしめていると共に、両円筒１
４，１５間のガス通路１６はその下部において下
外蓋３ｂに前記下内蓋３ａに設けたガス通路９と
は別に設けられた他のガス通路１９に連通し炉
外、即ち、装置外に連なつている。

ここで、上蓋２及び下内蓋３ａに設けたガス通
路８，９はガス流入通路を形成し、一方、下外蓋
３ｂを設けた前記ガス通路１９はガス流出通路を
形成する。

そして、内側円筒１４上部の通気孔１７は処理
品Ｍを含む処理室内のガスを通過させる通孔をな
し、外側円筒１５上部の通気孔１８はヒータ部か
らのガスを通過させる通孔をなしている。

従つて、叙上の装置において、下蓋上に処理品
Ｍを配置し、上蓋２及び下内蓋３ａに設けたガス
通路８，９より高圧ガスを流入してHIP処理を行
なうに際し、上蓋２側より流入されたガスは断熱
層５外側を通り下部の通気孔１０を通つて内部に
流入し、矢示の如く上昇して外側円筒１５の上部
通気孔１８より両円筒間のガス通路１６に流れ
て、下部のガス通路１９より外部に流出する。

一方、これと共に、下内蓋３ａのガス通路９よ
り処理品部に流入されるガスは処理品Ｍの周囲を
上昇して内側円筒１４の上部通気孔１７より両円
筒間のガス通路１６に入り、前記と同様、下部の
ガス通路１９を経て外部に流出される。

かくしてヒータ６，６′より発生した不純ガス
は、前述の上蓋２側より流入されるガスの流れに
随つて、又、処理品より発生する不純ガスは下内
蓋３ａのガス通路９より流入するガスの流れに随
つて流れ、共に互いに相手を汚染することなく、
下外蓋３ｂのガス通路１９を通つて外部に流出さ
れることになり互いの損傷が防止される。

（考案の効果） 以上の如く、本考案は、HIP装置において、処
理品の周囲と、ヒータの内側とに円筒を設け、両
円筒間にガス通路を形成したものであるから、処
理品及びヒータから不純ガスが出る場合において
も両者不純ガスは互いに混り合うことなく円筒に
よつて流れが規制されて夫々下蓋に設けた別ガス
通路より炉外に放出され、従つて、処理品から出
るガスによるヒータの損傷、またヒータから出る
ガスによる処理品の損傷は全く解消され、従来の
HIP装置では処理困難であつた処理品のHIP処理
を容易に行なうことができる。

又、上記の如く、ヒータと処理品とのお互いの
汚染が防止されることから、従来、ガス抜等のた
めの常圧炉で処理品をHIP処理に先立ち予め前処
理する必要があつたが、本考案装置では、このよ
うな別の常圧炉を必要とすることがなく、装置自
体が従来の常圧炉の機能をも兼備し、HIP装置の
設備費を軽減することができ、HIP処理実用化の
上で極めて有用性を向上する顕著な効果が期待さ
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案HIP装置の１例を示す内部構造
概要図、第２図は従来のHIP装置における内部構
造を示す概要図である。 Ｍ……処理品、１……高圧容器、２……上蓋、
３……下蓋、４……高圧室、５……断熱層、６，
６′……ヒータ、７……断熱台板、８，９，１９
……ガス通路、１０……断熱層下部通気孔、１４
……内側円筒、１５……外側円筒、１６……内外
両円筒間ガス通路、１７，１８……通気孔。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 高圧容器と、夫々ガス通路を備えた上下の各蓋
   によつて画成される高圧室内に断熱層と、その内
   側にヒータを配設し、処理品をその内部で下蓋上
   に位置させて断熱台板を介して保持せしめ、熱間
   静水圧プレス処理を施す装置において、前記処理
   品の周囲とヒータ内側に所要間隙を存して気密構
   造をもつ倒立コツプ状の内側円筒及び外側円筒を
   夫々設け、これら両円筒の間隙をガス通路となす
   と共に各円筒の上部及び前記断熱層下部に夫々通
   気孔を穿設し、かつ、両円筒間隙のガス通路を下
   蓋に設けた前記ガス通路とは別の通路を介して外
   部に連通せしめてなることを特徴とする熱間静水
   圧プレス装置。