JPH0158660U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0158660U JPH0158660U JP15239787U JP15239787U JPH0158660U JP H0158660 U JPH0158660 U JP H0158660U JP 15239787 U JP15239787 U JP 15239787U JP 15239787 U JP15239787 U JP 15239787U JP H0158660 U JPH0158660 U JP H0158660U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- wafer
- holder
- chamber
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図は、この考案の一実施例に係るイオン処
理装置を部分的に切り欠いて示す平面図である。
第２図は、第１図の線―に沿う部分断面図で
ある。第３図は、第１図の―に沿う部分断面
図である。第４図は、この考案の背景となるイオ
ン処理装置の一例を部分的に示す横断面図である
。 ２……処理室、４……イオンビーム、６……ホ
ルダ、１０……ウエハ、１８ａ，１８ｂ……真空
予備室、３２ａ，３２ｂ……弁体、４０ａ，４０
ｂ……アーム。
理装置を部分的に切り欠いて示す平面図である。
第２図は、第１図の線―に沿う部分断面図で
ある。第３図は、第１図の―に沿う部分断面
図である。第４図は、この考案の背景となるイオ
ン処理装置の一例を部分的に示す横断面図である
。 ２……処理室、４……イオンビーム、６……ホ
ルダ、１０……ウエハ、１８ａ，１８ｂ……真空
予備室、３２ａ，３２ｂ……弁体、４０ａ，４０
ｂ……アーム。
Claims (1)
- 真空中でウエハにイオンビームを照射して処理
するための処理室と、処理室の天井部に隣接され
ていて、ウエハを処理室と大気側との間で出し入
れするための第１および第２の真空予備室と、処
理室内に設けられていてウエハを保持可能なホル
ダと、処理室内であつて第１および第２の真空予
備室の下方に設けられていて、それらと処理室間
をそれぞれ仕切ることができる昇降式の第１およ
び第２の弁体であつてその上面にウエハをそれぞ
れ載置可能なものと、処理室内に設けられていて
、第１の弁体からウエハを受け取りそれをホルダ
に渡す第１のアームであつて旋回および昇降可能
なものと、処理室内に設けられていて、ホルダか
らウエハを受け取りそれを第２の弁体上に載置す
る第２のアームであつて旋回および昇降可能なも
のとを備えることを特徴とするイオン処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987152397U JPH0745561Y2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | イオン処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987152397U JPH0745561Y2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | イオン処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0158660U true JPH0158660U (ja) | 1989-04-12 |
| JPH0745561Y2 JPH0745561Y2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=31427284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987152397U Expired - Lifetime JPH0745561Y2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | イオン処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745561Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280268A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-13 | Hitachi Ltd | 微細加工用真空装置 |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP1987152397U patent/JPH0745561Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280268A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-13 | Hitachi Ltd | 微細加工用真空装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745561Y2 (ja) | 1995-10-18 |