JPH02141950U - - Google Patents

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JPH02141950U
JPH02141950U JP5141689U JP5141689U JPH02141950U JP H02141950 U JPH02141950 U JP H02141950U JP 5141689 U JP5141689 U JP 5141689U JP 5141689 U JP5141689 U JP 5141689U JP H02141950 U JPH02141950 U JP H02141950U
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JP
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carrier
chamber
vacuum
processing
wafers
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案の一実施例に係るイオン処
理装置を部分的に示す平面図である。第2図は、
第1図中のウエーハ搬送装置を示す斜視図である
。第3図は、従来のイオン処理装置の一例を部分
的に示す平面図である。 2……処理室、4……真空弁、6……真空予備
室、10……ユーザキヤリア、12……ウエーハ
、18……キヤリアステージ、20……ストツク
キヤリア、22……真空弁、24……ウエーハ搬
送装置、34……キヤリアステージ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ウエーハにイオンビームを照射して処理を施す
    ための処理室と、この処理室に真空弁を介して隣
    接されていてウエーハを処理室に出し入れするた
    めの真空予備室とを備えるイオン処理装置におい
    て、前記真空予備室内に、複数枚のウエーハを収
    納可能なストツクキヤリアを設け、この真空予備
    室の前方部に、複数枚のウエーハを収納したキヤ
    リアを設置できるキヤリアステージを設け、かつ
    真空予備室とキヤリアステージとの間に、キヤリ
    アステージ上に設置されたキヤリアと真空予備室
    内のストツクキヤリアとの間で複数枚のウエーハ
    を一括して搬送するウエーハ搬送装置を設けたこ
    とを特徴とするイオン処理装置。
JP5141689U 1989-04-28 1989-04-28 Pending JPH02141950U (ja)

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JP5141689U JPH02141950U (ja) 1989-04-28 1989-04-28

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JPH02141950U true JPH02141950U (ja) 1990-11-30

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JP5141689U Pending JPH02141950U (ja) 1989-04-28 1989-04-28

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