JPH0153632B2 - - Google Patents
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- JPH0153632B2 JPH0153632B2 JP59025892A JP2589284A JPH0153632B2 JP H0153632 B2 JPH0153632 B2 JP H0153632B2 JP 59025892 A JP59025892 A JP 59025892A JP 2589284 A JP2589284 A JP 2589284A JP H0153632 B2 JPH0153632 B2 JP H0153632B2
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- Y10T428/265—1 mil or less
Description
本発明は熱伝導率の良好な銅張積層基板に関す
るものである。 銅張積層基板は、電子産業の発展と共に絶えず
改良され、電子部品として一大分野をしめる程に
発展してきたが、IC，LSIと集積度が増すにした
がい、一段と厳しい熱条件がこれに加えられ、基
板そのものが熱放散の役目をする、熱伝導率のよ
いものが要求されるようになつてきた。 従来の銅張積層基板は、フエノール樹脂、エポ
キシ樹脂等を使用する部分が多く、耐熱性、耐薬
品性、耐水性に限度があり、ガラス繊維等の添加
によつて耐熱性は向上してきているが、熱放散の
役目を果すまでには至つていない。 また、積層板完成時のクリーン度が上がらない
ため、板上に載せる部品等の積層度にも限界があ
り、使用範囲が制限されるのはやむを得なかつ
た。 本発明者はこれら従来の問題点を解決するため
種々検討の結果、従来にない熱伝導率の良好な銅
張積層基板を得ることに成功し、本発明に至つた
のである。 すなわち、本発明の銅張積層基板は、基材とす
るアルミニウム板表面にAl2O3またはアルマイト
の被覆層、さらにその上にアモルフアスSiCの被
覆層が積層され、該SiC被覆層上に銅箔が張付さ
れてなることを特徴とするものである。 以下これについて詳しく説明すると、本発明の
銅張積層基板は、金属の中でも比較的経済的で、
かつ熱伝導率の良好なアルミニウムを基材とし、
基材表面をまず酸化物層で被覆し、さらにその上
をアモルフアスSiC層で被覆し、しかる後SiC層
上に銅箔を張り付けることによつて製造される。
酸化物層としてはAl2O3あるいは陽極酸化法によ
つて得られるアルマイトの層が適当である。
Al2O3は酸化物の中で最も安定性があり、耐熱
性、耐薬品性も良好である。また、アルマイトも
これに類する特性をもつため基材の被覆層となり
うるものである。 基材表面をAl2O3層で被覆するには、CVD法、
プラズマCVD法、イオンプレーテイング法、ス
パツタリング法等の公知手段を採用すればよく、
アルマイト層で被覆する場合はアルミニウム基材
に通常の陽極酸化処理を行えばよい。これらの方
法は乾式、湿式の違いはあるが、いずれによつて
も非常に付着強度が良好で、かつ耐熱性、耐薬品
性、耐水性をもつた被覆層が積層されることにな
る。 このようにして形成された酸化物層の上にアモ
ルフアスSiC層が被覆される。このために前記し
たCVD法、プラズマCVD法、イオンプレーテイ
ング法、スパツタリング法等のいずれかが採用さ
れ、これによつて付着強度の良好なアモルフアス
SiC被覆層が得られる。 アモルフアスSiCの製造方法は、モノシラン、
ジシランと炭素化合物の組合せによるなど、すで
に多くの方法が公知であり、その薄膜の製法につ
いても各種の提案がある。 本発明はそのいずれの方法によつてもよいが、
被覆層の化学組成はSi／Ｃ比が1/2以下であるこ
とが必要であり、換言すればその電気抵抗が少な
くとも1012Ωcm以上あることが不可欠である。
SiC結晶物は電気抵抗が小さすぎるから、本発明
におけるSiC層はアモルフアス構造でなければな
らない。 本発明を実施するに当つて、アルミニウム基材
上に積層される各被覆層の厚さは、熱伝導率等の
関係から規制され、Al2O3層、アルマイト層の厚
さは20μｍ以上60μｍ以下、アモルフアスSiC層の
厚さは5μｍ以上20μｍ以下であることが必要とさ
れる。また被覆に際しては熱膨張率の差を考慮し
て、低温すなわち400℃以下で行うのが望ましい。 上記のようにして、アルミニウム板の基材上に
Al2O3、アルマイト層、アモルフアスSiC層を積
層した上に、エポキシ樹脂接着剤で銅箔を張り付
けることによつて、熱伝導性がよく、耐薬品性、
耐水性のある銅張積層基板が得られる。 本発明の銅張積層基板は来の製造方法と異な
り、前記構成であるため、基板自体の熱放散が良
好で、すぐれた熱伝導率を有し、積層板完成時の
クリーン度が高く、ピンホールがきわめて少ない
など多くの利点をもつている。 つぎに実施例をあげるが、これらは本発明を限
定するものではない。 実施例 １ 厚さ0.7mmのアルミニウム板に、イオンプレー
テイング法によつてAl2O3層を30μｍ被覆した。
そしてその上にプラズマCVD法でアモルフアス
SiC層を10μｍ被覆した。Ｘ線回折オージエ分光
分析によつてこの被覆層がアモルフアスSiCであ
ることを確認した。このアモルフアスSiC層の上
にエポキシ樹脂接着剤を用いて0.070mm厚さの銅
箔を接着し銅張積層基板とした。 この基板をJIS Ｃ 6480（1965）印刷回路用銅
張積層基板通則に準拠して、耐熱性、耐薬品性、
耐水性等について評価を行なつたところ、表−１
の結果を得た。
るものである。 銅張積層基板は、電子産業の発展と共に絶えず
改良され、電子部品として一大分野をしめる程に
発展してきたが、IC，LSIと集積度が増すにした
がい、一段と厳しい熱条件がこれに加えられ、基
板そのものが熱放散の役目をする、熱伝導率のよ
いものが要求されるようになつてきた。 従来の銅張積層基板は、フエノール樹脂、エポ
キシ樹脂等を使用する部分が多く、耐熱性、耐薬
品性、耐水性に限度があり、ガラス繊維等の添加
によつて耐熱性は向上してきているが、熱放散の
役目を果すまでには至つていない。 また、積層板完成時のクリーン度が上がらない
ため、板上に載せる部品等の積層度にも限界があ
り、使用範囲が制限されるのはやむを得なかつ
た。 本発明者はこれら従来の問題点を解決するため
種々検討の結果、従来にない熱伝導率の良好な銅
張積層基板を得ることに成功し、本発明に至つた
のである。 すなわち、本発明の銅張積層基板は、基材とす
るアルミニウム板表面にAl2O3またはアルマイト
の被覆層、さらにその上にアモルフアスSiCの被
覆層が積層され、該SiC被覆層上に銅箔が張付さ
れてなることを特徴とするものである。 以下これについて詳しく説明すると、本発明の
銅張積層基板は、金属の中でも比較的経済的で、
かつ熱伝導率の良好なアルミニウムを基材とし、
基材表面をまず酸化物層で被覆し、さらにその上
をアモルフアスSiC層で被覆し、しかる後SiC層
上に銅箔を張り付けることによつて製造される。
酸化物層としてはAl2O3あるいは陽極酸化法によ
つて得られるアルマイトの層が適当である。
Al2O3は酸化物の中で最も安定性があり、耐熱
性、耐薬品性も良好である。また、アルマイトも
これに類する特性をもつため基材の被覆層となり
うるものである。 基材表面をAl2O3層で被覆するには、CVD法、
プラズマCVD法、イオンプレーテイング法、ス
パツタリング法等の公知手段を採用すればよく、
アルマイト層で被覆する場合はアルミニウム基材
に通常の陽極酸化処理を行えばよい。これらの方
法は乾式、湿式の違いはあるが、いずれによつて
も非常に付着強度が良好で、かつ耐熱性、耐薬品
性、耐水性をもつた被覆層が積層されることにな
る。 このようにして形成された酸化物層の上にアモ
ルフアスSiC層が被覆される。このために前記し
たCVD法、プラズマCVD法、イオンプレーテイ
ング法、スパツタリング法等のいずれかが採用さ
れ、これによつて付着強度の良好なアモルフアス
SiC被覆層が得られる。 アモルフアスSiCの製造方法は、モノシラン、
ジシランと炭素化合物の組合せによるなど、すで
に多くの方法が公知であり、その薄膜の製法につ
いても各種の提案がある。 本発明はそのいずれの方法によつてもよいが、
被覆層の化学組成はSi／Ｃ比が1/2以下であるこ
とが必要であり、換言すればその電気抵抗が少な
くとも1012Ωcm以上あることが不可欠である。
SiC結晶物は電気抵抗が小さすぎるから、本発明
におけるSiC層はアモルフアス構造でなければな
らない。 本発明を実施するに当つて、アルミニウム基材
上に積層される各被覆層の厚さは、熱伝導率等の
関係から規制され、Al2O3層、アルマイト層の厚
さは20μｍ以上60μｍ以下、アモルフアスSiC層の
厚さは5μｍ以上20μｍ以下であることが必要とさ
れる。また被覆に際しては熱膨張率の差を考慮し
て、低温すなわち400℃以下で行うのが望ましい。 上記のようにして、アルミニウム板の基材上に
Al2O3、アルマイト層、アモルフアスSiC層を積
層した上に、エポキシ樹脂接着剤で銅箔を張り付
けることによつて、熱伝導性がよく、耐薬品性、
耐水性のある銅張積層基板が得られる。 本発明の銅張積層基板は来の製造方法と異な
り、前記構成であるため、基板自体の熱放散が良
好で、すぐれた熱伝導率を有し、積層板完成時の
クリーン度が高く、ピンホールがきわめて少ない
など多くの利点をもつている。 つぎに実施例をあげるが、これらは本発明を限
定するものではない。 実施例 １ 厚さ0.7mmのアルミニウム板に、イオンプレー
テイング法によつてAl2O3層を30μｍ被覆した。
そしてその上にプラズマCVD法でアモルフアス
SiC層を10μｍ被覆した。Ｘ線回折オージエ分光
分析によつてこの被覆層がアモルフアスSiCであ
ることを確認した。このアモルフアスSiC層の上
にエポキシ樹脂接着剤を用いて0.070mm厚さの銅
箔を接着し銅張積層基板とした。 この基板をJIS Ｃ 6480（1965）印刷回路用銅
張積層基板通則に準拠して、耐熱性、耐薬品性、
耐水性等について評価を行なつたところ、表−１
の結果を得た。
【表】
上表からこの基板は前出JIS規格を満足するも
のであることがわかる。 実施例 ２ 厚さ2.0mmのアルミニウム板に、陽極酸化法に
よつて厚さ20μｍの多孔質アルマイト層を被覆し
た。そしてその上にプラズマCVD法によつてア
モルフアスSiC層を20μｍ被覆した。実施例１と
同様にして、この被覆層がアモルフアスSiC層で
あることを確認した。このアモルフアスSiC層の
上に、エポキシ樹脂接着剤を用いて0.070mm厚さ
の銅箔を接着し、銅張積層基板とした。この基板
を実施例１と同様にして耐熱性、耐薬品性、耐水
性等について評価を行なつた結果を表−２に示
す。
のであることがわかる。 実施例 ２ 厚さ2.0mmのアルミニウム板に、陽極酸化法に
よつて厚さ20μｍの多孔質アルマイト層を被覆し
た。そしてその上にプラズマCVD法によつてア
モルフアスSiC層を20μｍ被覆した。実施例１と
同様にして、この被覆層がアモルフアスSiC層で
あることを確認した。このアモルフアスSiC層の
上に、エポキシ樹脂接着剤を用いて0.070mm厚さ
の銅箔を接着し、銅張積層基板とした。この基板
を実施例１と同様にして耐熱性、耐薬品性、耐水
性等について評価を行なつた結果を表−２に示
す。
【表】
この表から実施例１と同様にこの基板は前出
JIS規格を満足するものであることがわかる。
JIS規格を満足するものであることがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基材とするアルミニウム板表面にAl2O3また
はアルマイトの被覆層、さらにその上にアモルフ
アスSiCの被覆層が積層され、該SiC被覆層上に
銅箔が張付されてなることを特徴とする銅張積層
基板。 ２ Al2O3またはアルマイト被覆層の厚みは、
20μｍ以上60μｍ以下、アモルフアス被覆層の厚
みは5μｍ以上20μｍ以下であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の銅張積層基板。 ３ アモルフアスSiC被覆層は化学組成において
Si／Ｃの比が1/2以下であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の銅張積層基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59025892A JPS60170287A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 銅張積層基板 |
| DE8585300825T DE3577966D1 (de) | 1984-02-14 | 1985-02-07 | Als grundplatte oder traeger fuer elektronische vorrichtungen verwendete kupferschichtfolie. |
| EP85300825A EP0153098B1 (en) | 1984-02-14 | 1985-02-07 | Copper foil laminate for use as a base plate or substrate for electronic devices |
| US06/701,422 US4615945A (en) | 1984-02-14 | 1985-02-14 | Copper-foiled laminate for base plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59025892A JPS60170287A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 銅張積層基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170287A JPS60170287A (ja) | 1985-09-03 |
| JPH0153632B2 true JPH0153632B2 (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=12178441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59025892A Granted JPS60170287A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 銅張積層基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4615945A (ja) |
| EP (1) | EP0153098B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60170287A (ja) |
| DE (1) | DE3577966D1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4750262A (en) * | 1986-05-01 | 1988-06-14 | International Business Machines Corp. | Method of fabricating a printed circuitry substrate |
| US4912020A (en) * | 1986-10-21 | 1990-03-27 | Westinghouse Electric Corp. | Printed circuit boards and method for manufacturing printed circuit boards |
| GB2206451A (en) * | 1987-04-09 | 1989-01-05 | Reginald John Glass | Substrates for circuit panels |
| EP0520243A3 (en) * | 1991-06-24 | 1993-03-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Metal core circuit board |
| US5296310A (en) * | 1992-02-14 | 1994-03-22 | Materials Science Corporation | High conductivity hydrid material for thermal management |
| JPH0621595A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-01-28 | Cmk Corp | プリント配線板用素材 |
| US5500279A (en) * | 1994-08-26 | 1996-03-19 | Eastman Kodak Company | Laminated metal structure and metod of making same |
| US6123797A (en) * | 1995-06-23 | 2000-09-26 | The Dow Chemical Company | Method for coating a non-wetting fluidizable and material onto a substrate |
| DE19641397A1 (de) * | 1996-09-27 | 1998-04-02 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer wärmeableitenden Leiterplatte |
| US6075701A (en) * | 1999-05-14 | 2000-06-13 | Hughes Electronics Corporation | Electronic structure having an embedded pyrolytic graphite heat sink material |
| GB2422249A (en) * | 2005-01-15 | 2006-07-19 | Robert John Morse | Power substrate |
| JP4689313B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2011-05-25 | キヤノン株式会社 | 配線シートの製造方法 |
| CN104159398A (zh) * | 2014-07-31 | 2014-11-19 | 开平太平洋绝缘材料有限公司 | 一种低含水的软质填料的pcb板的芯板 |
| CN105172262B (zh) * | 2015-07-24 | 2017-06-16 | 山东金宝电子股份有限公司 | 一种高cti、高导热复合基cem‑3覆铜板的制备方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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