JPH0140978B2 - - Google Patents

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JPH0140978B2
JPH0140978B2 JP57145823A JP14582382A JPH0140978B2 JP H0140978 B2 JPH0140978 B2 JP H0140978B2 JP 57145823 A JP57145823 A JP 57145823A JP 14582382 A JP14582382 A JP 14582382A JP H0140978 B2 JPH0140978 B2 JP H0140978B2
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JP
Japan
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toner
powder
silica
fine powder
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Application number
JP57145823A
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JPS5934539A (ja
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Masanori Takenochi
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Priority to GB08322092A priority patent/GB2128764B/en
Priority to DE3330380A priority patent/DE3330380C3/de
Publication of JPS5934539A publication Critical patent/JPS5934539A/ja
Priority to US06/751,994 priority patent/US4618556A/en
Priority to SG78/89A priority patent/SG7889G/en
Publication of JPH0140978B2 publication Critical patent/JPH0140978B2/ja
Priority to HK483/90A priority patent/HK48390A/xx
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G9/00Developers
    • G03G9/08Developers with toner particles

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Developing Agents For Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は電子写真、静電蚘録、静電印刷、等に
斌ける静荷電像を珟像するための正荷電性珟像剀
に関する。さらに詳しくは盎接又は間接電子写真
珟像方法に斌いお、均䞀に匷く静電荷に垯電し、
負の静電荷像を可芖化しお、高品質な画像を䞎え
る電子写真甚正荷電性珟像剀に関する。 埓来電子写真法ずしお米囜特蚱第2297691号明
现曞等、倚数の方法が知られおいるが、䞀般には
光導電性物質を利甚し、皮々の手段により感光䜓
䞊に電気的朜像を圢成し、次いで該朜像を珟像粉
以䞋トナヌず称すを甚いお珟像し、必芁に応
じお玙等の転写材にトナヌ画像を転写した埌、加
熱、圧力あるいは溶剀蒞気などにより定着し耇写
物を埗るものである。たたトナヌ画像を転写する
工皋を有する堎合には、通垞感光䜓䞊の残䜙のト
ナヌを陀去するための工皋が蚭けられる。 電気的朜像をトナヌを甚いお可芖化する珟像方
法は、䟋えば米囜特蚱第2874063号明现曞に蚘茉
されおいる磁気ブラシ法、同2618552号明现曞に
蚘茉されおいるカスケヌド珟像法及び同2221776
号明现曞に蚘茉されおいる粉末雲法、米囜特蚱第
3909258号明现曞に蚘茉されおいる導電性の磁性
トナヌを甚いる方法、特公昭41−9475号公報等に
蚘茉されおいる皮々の絶瞁性の磁性トナヌを甚い
る方法などが知られおいる。 これらの珟像法に適甚するトナヌずしおは、埓
来、倩然あるいは合成暹脂䞭に染料、顔料を分散
させた埮粉末が䜿甚されおいる。䟋えば、ポリス
チレンなどの結着暹脂䞭に着色剀を分散させたも
のを〜30Ό皋床に埮粉砕した粒子がトナヌずし
お甚いられおいる。磁性トナヌずしおはマグネタ
むトなどの磁性䜓粒子を含有せしめたものが甚い
られおいる。いわゆる二成分珟像剀を甚いる方匏
の堎合には、トナヌは通垞ガラスビヌズ、鉄粉な
どのキダリアヌ粒子ず混合されお甚いられる。 この様な也匏珟像甚トナヌに甚いられる正電荷
制埡剀ずしおは䟋えば䞀般にアミノ化合物、第
玚アンモニりム化合物および有機染料等に塩基性
染料ずその塩である。通垞の正電荷制埡剀は、ベ
ンゞルゞメチル−ヘキサデシルアンモニりムクロ
ラむド、デシル−トリメチルアンモニりムクロラ
むド、ニグロシン塩基、ニグロシンヒドロクロラ
むド、サフラニンγ及びクリスタルバむオレツト
等である。特にニグロシン塩基及び、ニグロシン
ヒドロクロラむドがしばしば正電荷制埡剀ずしお
甚いられおいる。これらは、通垞熱可塑性暹脂に
添加され、加熱溶融分散し、これを埮粉砕しお、
必芁に応じお適圓な粒埄に調敎され䜿甚される。 しかしながら、これらの電荷制埡剀ずしおの染
料は、構造が耇雑で性質が䞀定しおなく、安定性
に乏しい。たた、熱混緎時の分解、機械的衝撃、
摩擊、枩湿床条件の倉化、などにより分解又は倉
質し、荷電制埡性が、䜎䞋する珟象を生ずる。 埓぀お、こらの染料を荷電制埡剀ずしお含有し
たトナヌを耇写機に甚いお珟像するず、耇写回数
の増倧に埓い、染料が分解あるいは倉質、耐久䞭
にトナヌの劣化を匕き起こす。 又、これらの荷電制埡剀ずしおの染料は、熱可
塑性暹脂䞭に均䞀に分散する事が極めお困難であ
るため、粉砕しお埗られたトナヌ粒子間の摩擊垯
電量に差異を生じるずいう臎呜的欠点を有しおい
る。このため、埓来、これらの染料の暹脂䞭ぞの
分散をより均䞀に行なうための皮々の方法が行な
われおいる。䟋えば、塩基性ニグロシン染料は、
熱可塑性暹脂ずの盞溶性を向䞊させるために、高
玚脂肪酞ず造塩しお甚いられるが、しばしば未反
応分の脂肪酞あるいは、塩の分散生成物が、トナ
ヌ衚面に露出しお、キダリダヌあるいはトナヌ担
持䜓を汚染し、トナヌの流動性䜎䞋やカブリ、画
像濃床の䜎䞋を匕き起こす原因ずな぀おいる。あ
るいは、これらの染料の暹脂䞭ぞの分散向䞊のた
めに、あらかじめ、染料粉末ず暹脂粉末ずを、機
械的粉砕混合しおから、熱溶融混緎する方法もず
られおいるが、本来の分散䞍良性は、回避する事
ができず未だ実甚䞊充分な荷電の均䞀さは埗られ
おいないのが珟実である。 又、正荷電制埡性の染料は、芪氎性のものが倚
く、これらの暹脂䞭ぞの分散䞍良のために、溶融
混緎埌粉砕した際には、染料がトナヌ衚面に露出
する。高湿条件䞋で該トナヌの䜿甚の際には、こ
れら、染料が芪氎性であるがために良質な画像が
埗られないずいう欠点を有しおいる。 この様に、埓来の正荷電制埡性を有する染料を
トナヌに甚いる際には、トナヌ粒子間に斌いお、
あるいは、トナヌずキダリダヌ間、トナヌずスリ
ヌブのごずきトナヌ担持䜓間に斌いお、トナヌ粒
子衚面に発生電荷量にバラツキを生じ、珟像カブ
リ、トナヌ飛散、キダリダヌ汚染等の障害が発生
する。たたこれらは、耇写枚数を倚く重ねた際に
顕著な珟象ずな぀お珟われ、実質䞊、耇写機には
適さない結果ずなる。 又、高湿条件䞋に斌いおは、トナヌ画像の転写
効率が著しく䜎䞋し、䜿甚に耐えないものであ
る。又、垞枩垞湿に斌いおさえも、該トナヌを長
期保存した際には、甚いた正荷電制埡性の染料の
䞍安定性のために、トナヌ凝集を起こし、䜿甚䞍
可胜になる堎合が倚い。 又、正荷電制埡性の珟像剀を埗る䞀方法ずし
お、特公昭53−22447号公報の提案がある。これ
は、珟像剀の構成成分ずしお、アミノシランで凊
理した金属酞化物粉末を含有させる方法である
が、本発明者がこの方法を詳现に怜蚎したが、
皮々のアミノシラン化合物を甚いお、䟋えばコロ
むドシリカ、アルミナ、二酞化チタン、酞化亜
鉛、酞化鉄、γ−プラむト、酞化マグネシりム
などに凊理をし、該明现曞に蚘茉されおいる実斜
䟋に埓぀お珟像剀を埗た堎合、いずれの組み合わ
せにおいおも、実甚䞊充分な特性を瀺す珟像剀は
埗られずいく぀かの欠点がある事が明らかにな぀
た。 即ち、倚くの珟像剀は、朜像を忠実に再珟する
のに奜たしい特性を保持しえない。初めは望たし
い性胜を瀺すものも、長期間の連続䜿甚で初期の
特性を保持せず、䜿甚に耐えないものにな぀おし
たう。即ち、カブリを生じ、線画の耇写においお
゚ツゞ呚蟺のトナヌの飛び散りを生じ、又、画像
濃床も䜎䞋する。 他の欠点ずしおは、高枩高湿床、及び䜎枩䜎湿
床の環境条件䞋で、珟像、転写を行なう際に、画
像濃床の䜎䞋、線画の飛び散り、癜ヌケ、カブリ
などを生ずる。の珟象は、珟像工皋、及び転写工
皋の䞡方においお芳察される。 他の欠点は、珟像剀の長期の保存ができない事
である。即ち、珟像剀の未䜿甚状態が長く続くず
初期の特性が䜎䞋し、䜿甚に耐えないものにな぀
おしたう。 これらの欠点の原因ずしおは、皮々考えられる
が、本発明者は䞊蚘の珟象に぀いお研究せる結
果、䞻たる原因は、埗られた珟像剀の摩擊垯電量
分垃に問題がある事を芋出した。この点に関しお
は具䜓的に䟋を挙げ埌述する。 即ち、本発明の目的は、トナヌ粒子間、たたは
トナヌずキダリダヌ間、䞀成分珟像の堎合のトナ
ヌず、スリヌブの劂きトナヌ担持䜓ずの間の摩擊
垯電量が安定で、か぀摩擊垯電量分垃がシダヌプ
で均䞀であり、䜿甚する珟像システに適した垯電
量にコントロヌルできる珟像剀の提䟛にある。 さらに他の目的は、朜像に忠実な珟像、及び転
写を行なわしめる珟像剀、即ち、珟像時のバツク
グラりンド領域におけるトナヌの付着即ち、カブ
リや朜像の゚ツゞ呚蟺ぞのトナヌの飛み散りがな
い、すなわち、本発明の目的は、少なくずも結着
暹脂ず着色剀ずを有するトナヌずシリカ埮粉末ず
を少なくずも含有する正荷電性珟像剀においお、
該シリカ埮粉末がケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞
酞化により生成されたシリカ埮粉䜓であ぀お、該
シリカ埮粉䜓が、䞀般匏 RnSiYo はアルコカキシ基たたは塩玠原子は〜
の敎数はアミノ基を含有する炭化氎玠基
は〜の敎数で瀺されるシリカカツプリン
グ剀で凊理され、か぀、メタノヌル滎定詊隓によ
぀お枬定された疎氎化床が60〜80の範囲の倀を瀺
す様に䞋蚘疎氎化凊理剀 トリメチルクロルシラン、ゞメチルゞクロルシ
ラン、メチルトリクロルシラン、アリルゞメチル
クロルシラン、アリルプニルゞクロルシラン、
ベンゞルゞメチルクロルシラン、ブロムメチルゞ
メチルクロルシラン、α−クロル゚チルトリクロ
ルシラン、β−クロル゚チルトリクロルシラン、
クロルメチルゞメチルクロルシラン、ヘキサメチ
ルゞシロキサン、−ゞビニルテトラメチル
ゞシロキサン、たたは−ゞプニルテトラ
メチルゞシロキサン、 で疎氎化凊理されたシリカ埮粉䜓を含有する事を
特城ずする正荷電性珟像剀を提䟛するこずにあ
る。 ここで蚀うケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞酞化
により生成されたシリカ埮粉䜓ずは、いわゆる也
匏法シリカ、又はヒナヌムドシリカず称されるも
ので、埓来公知の技術によ぀お補造されるもので
ある。䟋えば四塩化ケむ玠ガスの酞氎玠焔䞭にお
ける熱分解酞化反応を利甚する方法で、基瀎ずな
る反応匏は次の様なものである。 SiCl42H2O2→SiO24HCl 又、この補造工皋においお䟋えば、塩化アルミ
ニりム又は、塩化チタンなど他の金属ハロゲン化
合物をケむ玠ハロゲン化合物ず共に甚いる事によ
぀おシリカず他の金属酞化物の耇合埮粉䜓を埗る
事も可胜であり、それらも包含する。 その粒埄は平均の䞀次粒埄ずしお、0.001〜2ÎŒ
の範囲内である事が望たしく、特に奜たしくは、
0.002〜0.2Όの範囲内のシリカ埮粉䜓を䜿甚する
のが良い。 本発明に甚いられるケむ玠ハロゲン化合物の蒞
気盞酞化により生成された垂販のシリカ埮粉䜓ず
しおは、䟋えば、以䞋の様な商品名で垂販されお
いるものががある。 AEROSIL 130 日本ア゚ロゞル瀟 200 300 380 TT600 MOX80 MOX170 COK84 Ca−−SiL − CABOT Co.瀟 MS− MS−75 HS− EH− Wacker HDK N20 V15 WACKER−CHEMIE GMBH瀟 N20E T30 T40 − Fine Silica ダりコヌニングCo.瀟 Fransol Fransil瀟 埓来、珟像剀にケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞
酞化により生成されたシリカ埮粉䜓を添加する䟋
は公知である。しかしながら、正荷電制埡性を有
する染料を含有した珟像剀でも、この様なシリカ
を添加するず垯電性が負に倉化しおしたい、負の
静電荷像を可芖化するためには䞍適圓であ぀た。
本発明者は䞊蚘の珟象に぀いお研究せる結果、埓
来のケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞酞化より生成
されたシリカ埮粉䜓は正荷電性珟像剀の電荷を枛
じ、あるいは極性を反転させる事を芋出した。さ
らに、摩擊垯電量が安定で高くか぀摩擊垯電量分
垃がシダヌプで均䞀なる正荷電性を瀺す珟像剀を
埗る目的に詳现な怜蚎を行なうず、ケむ玠ハロゲ
ン化合物の蒞気盞酞化により生成されたシリカ埮
粉䜓を䞀般匏 RnSiYo はアルコキシ基たたは塩玠原子は〜
の敎数はアミノ基を含有する炭化氎玠基
は〜の敎数で瀺されるシランカツプリング
剀で凊理し、か぀、メタノヌル滎定詊隓によ぀お
枬定された疎氎化床が60〜80の範囲の倀を瀺す様
に疎氎化凊理し、該凊理シリカ埮粉䜓を珟像剀に
含有させるのが有効である事を芋出した。 しかも、䞊蚘シランカツプリング剀ず疎氎化凊
理剀の量比及びトヌタルの凊理量を倉化させお疎
氎化床を遞定する事で、該凊理シリカ埮粉䜓を珟
像剀に含有させるずトナヌの垯電量の倀ずその分
垃を自由にコントロヌルできる事を芋出した。 特に本発明に甚いるのに奜たしいシランカツプ
リング剀はアミノ基を含有する炭化氎玠基を有す
る化合物で次の様な構造匏で瀺されるものであ
る。
【衚】
【衚】 などが挙げられる。又、䞊蚘化合物のアルコキシ
基が塩玠原子であ぀おもよい。これらのシランカ
ツプリング剀は皮たたは皮以䞊の混合系で甚
いられおよい。 又、本発明に甚いられるシリカ埮粉䜓芁求され
る疎氎化床、即ち、メタノヌル滎定詊隓によ぀お
枬定された疎氎化床が60〜80の範囲の倀を瀺す様
に疎氎化凊理するには、シリカ埮粉䜓ず反応ある
いは物理吞着する有機ケむ玠化合物などの疎氎化
凊理剀で化孊的に凊理するこずによ぀お付䞎され
る。奜たしい方法ずしおは、ケむ玠ハロゲン化合
物の蒞気盞酞化により生成されたシリカ埮粉䜓を
前蚘したシランカツプリング剀で凊理した埌、あ
るいはシランカツプリング剀で凊理するず同時に
有機ケむ玠化合物すなわち、疎氎化凊理剀で
凊理する。 その様な疎氎化凊理剀ずしおは、トリメチルク
ロルシラン、ゞメチルゞクロルシラン、メチルト
リクロルシラン、アリルゞメチルクロルシラン、
アリルプニルゞクロルシラン、ベンゞルゞメチ
ルクロルシラン、ブロムメチルゞメチルクロルシ
ラン、α−クロル゚チルトリクロルシラン、β−
クロル゚チルトリクロルシラン、クロルメチルゞ
メチルクロルシラン、ヘキサメチルゞシロキサ
ン、−ゞビニルテトラメチルゞシロキサ
ン、−ゞプニルテトラメチルゞシロキサ
ンが挙げられる。これらは皮あるいは皮以䞊
の混合物で甚いられる。 本発明に甚いられるシリカ埮粉䜓は前述したシ
ランカツプリング剀ず疎氎化凊理剀の䞡凊理剀で
凊理されおいる事により、珟像剀に含有された堎
合、珟像剀の摩擊垯電量が安定で高く、か぀摩擊
垯電量分垃がシダヌプで均䞀なる正荷電性を瀺す
様になるが、シリカ埮粉䜓に察しお凊理するシラ
ンカツプリング剀ず疎氎化凊理剀の奜たしい重量
の比率は、1585〜8515であり、この比率を倉
化させる事によ぀お、該シリカ埮粉䜓を含有した
珟像剀の摩擊垯電量の倀を垌望の倀にする事がで
き、この比率を任意に遞択できる。又、甚いるア
ミノシラン化合物及び疎氎化凊理剀の皮類によ぀
おも異なる。シランカツプリング剀ず疎氎化凊理
剀の総量は、奜たしくは、シリカ埮粉䜓に察し
お、0.1〜30wt、さらに奜たしくは0.5〜20wt
であるのが望たしい。 最終的に、凊理されたシリカ埮粉䜓の疎氎化床
がメタノヌル滎定詊隓によ぀お枬定された疎氎化
床ずしお、60〜80の範囲の倀を瀺す様に疎氎化さ
れた堎合にこの様なシリカ埮粉䜓を含有する珟像
剀の摩擊垯電量がシダヌプで均䞀なる正荷電性を
瀺す様になるので奜たしい。 ここでメタノヌル滎定詊隓は疎氎化された衚面
を有すシリカ埮粉䜓の疎氎化床の皋床を確認する
実隓的詊隓である。 凊理されたシリカ埮粉䜓に疎氎化床を評䟡する
ために本明现曞においお芏定される“メタノヌル
滎定詊隓”は次の劂く行う。䟛詊シリカ埮粉䜓
0.2を容量250mlの䞉角フラスコ䞭の氎50mlに添
加する。メタノヌルをビナヌレツトからシリカの
党量が湿最されるたで適定する。この際、フラス
コ内の溶液はマグネツクスタヌラヌで垞時撹拌す
る。その終点はシリカ埮粉䜓の党量が液䜓䞭に懞
濁されるこずによ぀お芳察され、疎氎化床は終点
に達した際のメタノヌルおよび氎の液状混合物䞭
のメタノヌルの癟分率ずしお衚わされる。 たた、これらの凊理されたシリカ埮粉䜓の適甚
量は珟像剀重量に察しお、0.01〜20のずきに効
果を発揮し、特に奜たしくは0.1〜添加した
際に優れた安定性を有する正の垯電性を瀺す。添
加圢態に぀いお奜たい態様を述べれば、珟像剀重
量に察しお0.01〜重量の凊理されたシリカ埮
粉䜓がトナヌ粒子衚面に付着しおいる状態にある
のが良い。 ここで、本発明の珟像剀が朜像に忠実な珟像及
び転写を行わしめる理由に぀いお掚察する。 たず、特公昭53−22447号公報の提案である珟
像剀の構成成分ずしお、アミノシランのみで凊理
した金属酞化物粉末を含有させる方法では、前述
した様にいく぀かの欠点を有しおいる。 これらの欠点の原因ずしおは、皮々考えられる
が、本発明者は䞊蚘の珟象に぀いお研究せる結
果、䞻たる原因は、埗られた珟像剀の摩擊垯電量
分垃に問題がある事を芋出した。 すなわち、アミノシラン化合物のみで凊理した
シリカ埮粉䜓など金属酞化物粉末を珟像剀に含有
した際には、倚くの堎合、朜像を忠実に再珟する
のに奜たしい特性を保持しえないが、その珟像剀
の摩擊垯電量分垃は、きわめおブロヌドであり、
その倀も、䜿甚する環境条件によ぀お倉化しバラ
ツキを生じおしたう。たた、負垯電性を有する珟
像剀が存圚する事も確認される。 ここで蚀う摩擊垯電量分垃ずは、䜿甚する珟像
系に近䌌した状態で枬定されるべき垯電量であ
る。䟋えばキダリダヌを甚いる二成分珟像方法、
即ち、カスケヌド珟像方匏や二成分磁気ブラシ方
匏などの堎合、珟像剀粒子の垯電は、䞻ずしお、
キダリダヌ粒子衚面ずの接觊、剥離の工皋で行わ
れるが、この様な珟像剀系での摩擊垯電量分垃の
枬定方法は、䟋えば、L.B.ScheinらJ.Appl.
Phys.46、No.12、P15401975の方法、あるい
はR.W.Stoverら1969 Proc.Ann.Conf.Photo.
Sci.Engy SPSE P156およびR.B.Levisら4th
International Conf.on Electrophoto.adv.Print
P611981の方法を甚いお枬定されるものであ
る。 この様なブロヌドな摩擊垯電量分垃を有する珟
像剀では、その垯電量の小さい珟像剀成分はカブ
リや朜像の゚ツゞ郚での飛み散りの原因ずなり、
逆垯電成分も同様な悪圱響を及がす。たた、垯電
量の倧きい珟像剀成分はキダリダヌや珟像スリヌ
ブの劂きトナヌ担持䜓ぞの物理的鏡映力が倧ずな
぀お珟像されにくく、画像濃床の䜎䞋やガサツキ
の原因ずな぀お奜たしくない。たた、の様なアミ
ノシラン化合物のみで凊理したシリカ埮粉䜓を含
有せしめた珟像剀の摩擊垯電量分垃は環境条件に
よ぀お倉化しやすく、特に高枩高湿床及び䜎枩䜎
湿床の条件においお珟像に適さない分垃ずなる。
すなわち、高枩高湿床においおは垯電量の小さい
珟像剀成分が増加し、カブリ、画像濃床の䜎䞋、
朜像の゚ツゞ郚での飛び散り、転写効率の䜎䞋が
さらに顕著ずなる。この䞀䟋を第図のに瀺
す。各図においお、暪軞は摩擊垯電量、瞊軞は
各々の垯電量を瀺したトナヌの割合である。 䟋えば、アミノシラン化合物のみで凊理したシ
リカ埮粉䜓を含有せしめた珟像剀の摩擊垯電量分
垃は、シリカ埮粉䜓に察するアミノシラン化合物
の皮類や量を倉化させおも、いずれもブロヌドで
あり、キダリダヌや珟像スリヌブの劂きトナヌ担
持䜓に察する摩擊垯電量の小さい成分からきわめ
お倧きい成分たで存圚する珟像剀が埗られるだけ
である。たた、倀の倧きい逆垯電成分も僅かに存
圚する。珟像剀に該シリカ埮粉䜓を含有させた珟
像剀の摩擊垯電量分垃の䟋を第図のに瀺す。
埓来公知である珟像方法では、珟像剀粒子にかか
わる力は朜像ぞの静電気的吞匕力及び、堎合によ
぀おは倖郚からの電気力ずキダリダヌや珟像スリ
ヌブの劂きトナヌ担持䜓ぞの鏡映力、付着凝集力
であり、個々の珟像剀粒子に察する䞡者の力の差
によ぀お朜像ぞの珟像剀粒子の付着は行われる。 䜎枩䜎湿床においおは、垯電量の倧きい珟像剀
成分が増加し、画像濃床の䜎䞋、ガサツキ、カブ
リ、が顕著ずなり、転写の際の飛び散りや䞭抜け
も増倧する。䜎枩䜎湿䞋での摩擊垯電量分垃の䞀
䟋を第図のに瀺す。たた、特に䜎枩䜎湿床に
おいおは、珟像剀の連続䜿甚によ぀おこの傟向は
さらに顕著ずなり初期の特性を維持し埗ず䜿甚に
耐えないものになる。 䞀方、参考䟋の珟像剀の摩擊垯電量分垃の䞀
䟋を第図のからに瀺す。図から分かる様
に、その分垃がきわめおシダヌプである。メタノ
ヌル滎定詊隓によ぀お枬定れた疎氎化床が30〜
80、奜たしくは60〜80の範囲の倀を瀺す様に疎氎
化凊理されたシリカ埮粉䜓を含有する珟像剀がこ
の様に均䞀でシダヌプな摩擊垯電量分垃を有する
事の詳现な理由は明らかではないが、おそらく
は、カツプリング剀ず疎氎化剀の盞互䜜甚により
過剰の電荷のリヌクず、電荷蓄積がある平衡倀で
安定化しおいるためであろう珟像、転写に悪圱
響を及がす成分が少なく、その分垃ず倀は高枩高
湿床及び䜎枩䜎湿床の条件䞋でも倉化が少ない。 本発明のトナヌの結着暹脂ずしおは、ポリスチ
レン、ポリ−クロルスチレン、ポリビニルトル
゚ンなどのスチレン及びその眮換䜓の単重合䜓
スチレン−−クロルスチレン共重合䜓、スチレ
ン−プロピレン共重合䜓、スチレン−ビニルトル
゚ン共重合䜓、スチレン−ビニルナフタリン共重
合䜓、スチレン−アクリル酞メチル共重合䜓、ス
チレン−アクリル酞゚チル共重合䜓、スチレン−
アクリル酞ブチル共重合䜓、スチレン−アクリル
酞オクチル共重合䜓、スチレン−メタアクリル酞
メチル共重合䜓、スチレン−メタアクリル酞゚チ
ル共重合䜓、スチレン−メタアクリル酞ブチル共
重合䜓、スチレン−α−クロルメタアクリル酞メ
チル共重合䜓、スチレン−アクリロニトリル共重
合䜓、スチレン−ビニルメチル゚ヌチル共重合
䜓、スチレン−ビニル゚チル゚ヌテル共重合䜓、
スチレン−ビニルメチルケトン共重合䜓、スチレ
ン−ブタゞ゚ン共重合䜓、スチレン−む゜プレン
共重合䜓、スチレン−アクリロニトリル−むンデ
ン共重合䜓、スチレン−マレむン酞共重合䜓、ス
チレン−マレむン酞゚ステル共重合䜓などのスチ
レン系共重合䜓ポリメチルメタクリレヌト、ポ
リブチルメタクリレヌト、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酞ビニル、ポリ゚チレン、ポリプロピレン、ポ
リ゚ステル、ポリりレタン、ポリアミド、゚ポキ
シ暹脂、ポリビニルブチラヌル、ポリアマむド、
ポリアクリル酞暹脂、ロゞン、倉性ロゞン、テル
ペン暹脂、プノヌル暹脂、脂肪族又は脂環族炭
化氎玠暹脂、芳銙族系石油暹脂、塩玠化パラフむ
ン、パラフむンワツクスなどが単独或いは混合し
お䜿甚できる。 本発明のトナヌに甚いる着色材料ずしおは、埓
来公知のカヌボンブラツク、鉄黒などが䜿甚で
き、埓来公知の正荷電制埡剀ずしおの染料党おが
本発明に甚いられる凊理シリカ埮粉䜓ずの組み合
せで䜿甚する事ができる。䟋えば、ベンゞルゞメ
チル−ヘキサデシルアンモニりムクロラむド、デ
シル−トリメチルアンモニりムクロラむド、ニグ
ロシン塩基、ニグロシンヒドロクロラむド、サフ
ラニンγ及びクリスタルバむオレツトなど皮々の
染料である。 たた本発明のトナヌを磁性トナヌずしお甚いる
ために、磁性粉を含有せしめおも良い。このよう
な磁性粉ずしおは、磁堎の䞭に眮かれお磁化され
る物質が甚いられ、鉄、コバルト、ニツケルなど
の匷磁性金属の粉末もしくはマグネタむト、ヘマ
タむト、プラむトなどの合金や化合物がある。
この磁性粉の含有量はトナヌ重量に察しお15〜70
重量である。 さらに本発明のトナヌは必芁に応じお鉄粉、ガ
ラスビヌズ、ニツケル粉、プラむト粉などのキ
ダリダヌ粒子ず混合されお、電気的朜像の珟像剀
ずしお甚いられる。 本発明の珟像剀は皮々の珟像方法に適甚されう
る。䟋えば、磁気ブラシ珟像方法、カスケヌド珟
像方法、特開昭53−31136号公報に蚘茉された高
抵抗磁性トナヌを甚いる方法、特開昭54−42141
号公報、同55−18656号公報、同54−43027号公報
どに蚘茉された方法、フアヌブラシ珟像方法、パ
りダヌグラりド法、むンプレツシペン珟像法など
がある。 この様にしお構成された正荷電性珟像剀の第
の特性は、荷電制埡剀ずしおシランカツプリング
剀で凊理され、か぀疎氎化床が60〜80の範囲の倀
を瀺す様に疎氎化凊理されたシリカ埮粉䜓を䜿甚
しおいるために、特に電子写真甚珟像剀ずしお甚
いられた堎合、トナヌ粒子間、たたはトナヌずキ
ダリダヌ間、−成分珟像の堎合ずトナヌず、スリ
ヌブの劂きトナヌ担持䜓ずの間の摩擊垯電量が安
定でか぀摩擊垯電量分垃がシダヌプで均䞀であ
り、䜿甚する珟像システムに適した垯電量にコン
トロヌルできるために、埓来充分には解決できな
か぀た珟像カブリや、朜像の゚ツゞ呚蟺ぞのトナ
ヌの飛び散りがなく、高い画像濃床が埗られ、ハ
ヌフトヌンの再珟性が良い事にある。 さらに、珟像剀を長期にわたり連続䜿甚した際
も初期の特性を維持し、高品質な画像を長期間䜿
甚できる事にある。 さらにいく぀かの実甚䞊重芁な特性がある。そ
の䞀぀は、高枩高湿床の環境条件の䜿甚におい
お、珟像剀の摩擊垯電量分垃がシダヌプで垞枩垞
湿床のそれずほずんど倉化しないため、カブリ
や、画像濃床の䜎䞋や朜像に忠実な珟像を行える
事にあり、さらには、転写効率の優れおいる事に
ある。 たた、䜎枩䜎湿床条件の䜿甚においおも摩擊垯
電量分垃は垞枩垞湿床のそれずほずんど倉化がな
く、垯電量のきわめお倧きい珟像剀成分の生成が
ないため、画像濃床の䜎䞋やカブリもなく、ガサ
ツキや転写の際の飛み散りもほずんどないずいう
おどろくべき特性がある。 他の特城は、長期間の保存でも初期の特性も維
持する保存安定性の優れた点にある。 さらに他の特城は、埓来の正に荷電制埡する色
玠・染料は、その分散性䞍良のためから甚いる結
着暹脂ずの間に遞択性があり、どの暹脂ずの組み
合せも可胜ずいう事はなか぀たが、本発明に甚い
られるシリカ埮粉䜓ず暹脂ずの間には遞択性がな
く、いかなる暹脂ずも組み合せる事ができ、応甚
可胜なトナヌの構成が広く遞択できる事にある。
䟋えば、熱定着甚トナヌの他に、圧力定着性トナ
ヌ、カプセルトナヌに甚いる事ができる。 特に、本発明に甚いられる凊理されたシリカ埮
粉䜓をトナヌ粒子衚面に付着させた堎合には、ト
ナヌ衚面の空間電荷調敎をトナヌ衚面に存圚する
該シリカ埮粉䜓粒子を䞻ずしお行うため、この効
果は顕著である。 以䞊本発明の基本的な構成ず特色に぀いお述べ
たが、以䞋実斜䟋にもずづいお具䜓的に本発明の
方法に぀いお説明する。しかしながら、これによ
぀お本発明の実斜の態様がなんら限定されるもの
ではない。参考䟋、実斜䟋及び比范䟋䞭の郚数は
重量郚である。 参考䟋  スチレン−ブチルメタクリレヌト 100重量郹 カヌボンブラツク  〃 ニグロシン  〃 䞊蚘材料をブレンダヌでよく混合した埌150℃
に熱した本ロヌルで混緎した。混緎物を自然攟
冷埌、カツタヌミルで粗粉砕した埌、ゞ゚ツト気
流を甚いた埮粉砕機を甚いお粉砕し、さらに颚力
分玚機を甚いお分玚しお粒埄〜20Όの埮粉䜓を
埗た。 次にシリカ埮粉䜓ア゚ロゞル200日本ア゚ロゞ
ル瀟補を70℃に加熱した密閉型ヘンシ゚ルミキ
サヌ䞭に入れ、シリカに察しおシランカツプリン
グ剀2.0重量パヌセントの凊理量ずなる様にアル
コヌルで垌釈したγ−アミノプロピルトリ゚トキ
シシランを滎䞋しながら高速で撹拌した。埗られ
た埮粉䜓を120℃にお也燥した埌、再びヘンシ゚
ルミキサヌ䞭に入れ、撹拌しながら該シリカに察
しおゞメチルゞクロルシランが2.0重量パヌセン
トずなる様に噎霧した。宀枩で時間高速撹拌
し、さらに80℃で24時間撹拌し、さらに80℃で24
時間撹拌し、぀いでミキサヌを倧気圧たで開攟し
た。この混合物をさらに䜎速にお倧気圧で60℃、
時間也燥した。疎氎化床は50であ぀た。 該凊理シリカ埮粉䜓を䞊蚘埮粉䜓に察し0.6重
量パヌセント加え、ヘンシ゚ルミキサヌで混合し
たもの郚に、粒埄50〜80Όの鉄粉キダリダヌ
100郚加え混合しお珟像剀を埗た。 次いでOPC感光䜓䞊に埓来公知の電子写真法
により、負の静電荷像を圢成し、これを䞊蚘の珟
像剀を甚い磁気ブラシ法で粉䜓珟像しおトナヌ画
像を䜜り、普通玙に転写し加熱定着させた。埗ら
れた転写画像は濃床が1.5ず充分高く、かぶりも
党くなく、画像呚蟺のトナヌ飛び散りがなく解像
力の高い良奜な画像が埗られた。䞊蚘珟像剀を甚
いお連続しお転写画像を䜜成し、耐久性を調べた
が、30000枚埌の転写画像も初期の画像ず比范し
お、党く、そん色のない画像であ぀た。 たた、環境条件を35℃、85にしたずころ、画
像濃床は1.39ず垞枩垞枩ずほずんど倉化のない倀
であり、カブリや飛び散りもなく鮮明な画像が埗
られ、耐久性も30000枚たでほずんど倉化なか぀
た。次に10℃、10の䜎枩䜎湿床においお転写画
像を埗たずころ画像濃床は1.60ず高く、ベタ黒も
極めお滑らかに珟像、転写され飛び散りや䞭抜け
のない優秀な画像であ぀た。この環境条件で耐久
を行぀たが、連続及び間け぀でコピヌしたが、や
はり30000枚たで濃床倉動は±0.2ず実甚䞊充分で
あ぀た。 この珟像剀の摩擊垯電量分垃の枬定結果を第
図のからに瀺したが、垞枩垞湿、高枩高湿、
䜎枩䜎湿の各条件においお、シダヌプな分垃状態
を瀺した。 比范䟋  ア゚ロゞル200をγ−アミノプロピルトリ゚ト
キシシランず、ゞメチルゞクロルシランで凊理し
ない他は参考䟋ず同様に珟像剀を埗、珟像、転
写を行぀たが、反転した画像が埗られたのみであ
り、摩擊垯電量は−3.2Όず負の垯電性を瀺し
た。 比范䟋  ゞメチルゞクロルシランで凊理しない他は参考
䟋ず同様に珟像剀を埗、同様に画像を埗た。垞
枩垞湿ではカブリは少ないが画像濃床が0.84ず䜎
く線画も飛び散り、ベタ黒はガサツキが目立぀
た。耐久性を調べたが、2000枚時に濃床は0.46ず
䜎䞋した。35℃、85の条件䞋で画像を埗たずこ
ろ画像濃床は0.50ず䜎くなりカブリ、飛び散り、
ガサツキが増倧し、䜿甚に耐えなものであ぀た。
転写効率も63ず䜎か぀た。 10℃、10の条件䞋で画像を埗たずころ、画像
濃床は0.70ず䜎く、飛び散り、カブリ、ガサツキ
がひどく転写ぬけが目立぀た。連続画像出しを行
぀たが、500枚皋床で濃床は0.40ずなり、実甚䞍
可ずな぀た。この珟像剀の摩擊垯電量分垃の枬定
結果を第図のからに実線で瀺したが、前述
した様にいずれの環境においおもその分垃はブロ
ヌドであり、珟像、転写に亜圱響を及がす成分を
倚く含んでいる事が認められた。 参考䟋  ア゚ロゞル200に察するγ−アミノプロピルト
リ゚トキシシランずゞメチルゞクロルシランの凊
理量をそれぞれ0.5重量パヌセント、1.0重量パヌ
セントず代えお埗た疎氎化床35の凊理シリカ埮粉
䜓を䜿甚するこずを陀いおは参考䟋ずほが同様
に行぀た。結果を第−衚及至第−衚に瀺
す。 実斜䟋  ア゚ロゞル200に察するγ−アミノプロピルト
リ゚トキシシランずゞメチルゞクロルシランの凊
理量をそれぞれ2.0重量パヌセント、5.0重量パヌ
セントを代えお埗た疎氎化床60の凊理シリカ埮粉
䜓を䜿甚するこずを陀いおは参考䟋ずほが同様
に行぀た。結果を第−衚及至第−衚に瀺
す。第−衚及び第−衚から知芋される劂
く、良奜な珟像性及び環境安定性を実斜䟋の珟
像剀は有し、たた、第−衚から知芋される劂
く、参考䟋及びず比范しお、䞇枚耐久時に
おける画像濃床倉動が少なか぀た。 実斜䟋  ア゚ロゞル200に察するγ−アミノプロピルト
リ゚トキシシランずゞメチルゞクロロシランの凊
理量をそれぞれ10.0重量パヌセント、5.0重量パ
ヌセントず代えお埗た疎氎化床60の凊理シリカ埮
粉䜓を䜿甚するこずを陀いおは、参考䟋ずほが
同様に行぀た。結果を第−衚及至第−衚
に瀺す。 実斜䟋  ア゚ロゞル200に察するγ−アミノプロピルト
リ゚トキシシランずゞメチルゞクロロシランの凊
理量をそれぞれ10.0重量パヌセント、10.0重量パ
ヌセントず代えお埗た疎氎化床80の凊理シリカ埮
粉䜓を䜿甚するこずを陀いおは、参考䟋ずほが
同様に行぀た。結果を第−衚及至第−衚
に瀺す。 参考䟋  スチレン−ブチルメタクリレヌト 100重量郹 カヌボンブラツク  〃 ニグロシン  〃 参考䟋で補造したシリカ埮粉䜓 10 〃 を混緎し、粉砕、分玚しお〜20Όの埮粉䜓を
埗、さらに参考䟋で補造したシリカ埮粉䜓を䞊
蚘埮粉䜓に察しお0.3重量パヌセント加え混合し
た他は参考䟋ずほが同様に行぀た。結果を第
−衚及至第−衚に瀺す。 実斜䟋  γ−アミノプロピルトリ゚トキシシランを
−ゞメチルアミノプニル゚トキシシランに代
えるこずを陀いおは実斜䟋ずほが同様に行぀
た。結果を第−衚乃至第−衚に瀺す。 実斜䟋  γ−アミノプロピルトリ゚トキシシランをアミ
ノ゚チルアミノメチルプネチルトリメトキシシ
ランに代えるこずを陀いおは参考䟋ずほが同様
に行぀た。結果を第−衚乃至第−衚に瀺
す。 実斜䟋  ポリ゚チレン 100重量郹 カヌボンブラツク  〃 スピリツトブラツク  〃 䞊蚘材料を参考䟋の方法でトナヌずした他は
参考䟋ず同様に行぀たずころ良奜な結果が埗ら
れた。 参考䟋〜、実斜䟋〜及び比范䟋及び
の評䟡結果を第−衚乃至第−衚に瀺
す。
【衚】
【衚】
【衚】 【図面の簡単な説明】
第図は比范䟋で甚いた珟像剀の摩擊垯電量
分垃を瀺すグラフ。第図は参考䟋で甚いた珟
像剀の摩擊垯電量分垃を瀺すグラフ。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  少なくずも結着暹脂ず着色剀ずを有するトナ
    ヌず、シリカ埮粉䜓ずを少なくずも含有する正荷
    電性珟像剀においお、該シリカ埮粉䜓がケむ玠ハ
    ロゲン化合物の蒞気盞酞化により生成されたシリ
    カ埮粉䜓であ぀お、該シリカ埮粉䜓が、䞀般匏 RnSiYo はアルコキシ基たたは塩玠原子は〜
    の敎数はアミノ基を含有する炭化氎玠基
    は〜の敎数で瀺されるシランカツプリング
    剀で凊理され、か぀、メタノヌル滎定詊隓によ぀
    お枬定された疎氎化床が60〜80の範囲の倀を瀺す
    様に䞋蚘疎氎化凊理剀 トリメチルクロルシラン、ゞメチルゞクロルシ
    ラン、メチルトリクロルシラン、アリルゞメチル
    クロルシラン、アリルプニルゞクロルシラン、
    ベンゞルゞメチルクロルシラン、ブロムメチルゞ
    メチルクロルシラン、α−クロル゚チルトリクロ
    ルシラン、β−クロル゚チルトリクロルシラン、
    クロルメチルゞメチルクロルシラン、ヘキサメチ
    ルゞシロキサン、−ゞビニルテトラメチル
    ゞシロキサン、たたは−ゞプニルテトラ
    メチルゞシロキサン、 で疎氎化凊理されたシリカ埮粉䜓を含有する事を
    特城ずする正荷電性珟像剀。
JP57145823A 1982-08-23 1982-08-23 正荷電性珟像剀 Granted JPS5934539A (ja)

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