JPH0138371B2 - - Google Patents
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- JPH0138371B2 JPH0138371B2 JP5327784A JP5327784A JPH0138371B2 JP H0138371 B2 JPH0138371 B2 JP H0138371B2 JP 5327784 A JP5327784 A JP 5327784A JP 5327784 A JP5327784 A JP 5327784A JP H0138371 B2 JPH0138371 B2 JP H0138371B2
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- crystal silicon
- silicon substrate
- electrode
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は酸化されて誘電体分離領域などとなる
多孔質シリコンの形成方法に係るもので、特に単
結晶シリコン基板を多孔質化するための陽極化成
処理に特徴を有するものである。
多孔質シリコンの形成方法に係るもので、特に単
結晶シリコン基板を多孔質化するための陽極化成
処理に特徴を有するものである。
半導体集積回路における素子の分離方法として
誘電体分離が注目されている。これは、二酸化シ
リコン（SiO2）の誘電体層で素子を分離し、半
導体集積回路における種々の特性を改善しようと
するものである。この誘電体分離には種々のタイ
プがあるが、最近注目されているのは多孔質シリ
コンを酸化することによつてSiO2の誘電体層を
形成するもので、多孔質シリコンが酸化され易い
ことを利用するものである。この多孔質シリコン
は単結晶シリコン基板をフツ化水素（HF）溶液
中で陽極化成処理を行うことによつて得られる。
誘電体分離が注目されている。これは、二酸化シ
リコン（SiO2）の誘電体層で素子を分離し、半
導体集積回路における種々の特性を改善しようと
するものである。この誘電体分離には種々のタイ
プがあるが、最近注目されているのは多孔質シリ
コンを酸化することによつてSiO2の誘電体層を
形成するもので、多孔質シリコンが酸化され易い
ことを利用するものである。この多孔質シリコン
は単結晶シリコン基板をフツ化水素（HF）溶液
中で陽極化成処理を行うことによつて得られる。
本発明は、上記のような誘電体分離などに利用
するための多孔質シリコンの形成方法に関するも
のである。
するための多孔質シリコンの形成方法に関するも
のである。
単結晶シリコン基板を陽極化成処理するために
は、多孔質化しようとする面をフツ化水素溶液に
当接させ、単結晶シリコン基板内に電流路を形成
するために基板の裏面に電極を形成するとともに
フツ化水素溶液中にも電極を形成する。第１図は
これを模式的に表わしたもので、単結晶シリコン
基板１０の一表面をフツ化水素溶液１１に当接さ
せ、基板１０の裏面に電極１２を形成するととも
にフツ化水素溶液１１中にも電極１３を形成し
て、電極１２と電極１３との間に電流を印加する
ものである。
は、多孔質化しようとする面をフツ化水素溶液に
当接させ、単結晶シリコン基板内に電流路を形成
するために基板の裏面に電極を形成するとともに
フツ化水素溶液中にも電極を形成する。第１図は
これを模式的に表わしたもので、単結晶シリコン
基板１０の一表面をフツ化水素溶液１１に当接さ
せ、基板１０の裏面に電極１２を形成するととも
にフツ化水素溶液１１中にも電極１３を形成し
て、電極１２と電極１３との間に電流を印加する
ものである。
基板１０の裏面に形成する電極１２は基板表面
の化成電流密度を均一にするため通常アルミニウ
ムを蒸着するなどの方法によつて形成している。
このアルミニウムの電極は陽極化成処理が終れば
不要となるので除去しなければならないが、アル
ミニウムは単結晶シリコン基板内に拡散され易い
ので、除去のためには単なるエツチングではなく
基板の研磨が必要となる。したがつて、後工程に
おける工数が多くなるといつた問題が生じてい
る。また、アルミニウムの蒸着の際に基板の表面
にまで回り込んで特性の劣化を引き起こす原因と
もなる。
の化成電流密度を均一にするため通常アルミニウ
ムを蒸着するなどの方法によつて形成している。
このアルミニウムの電極は陽極化成処理が終れば
不要となるので除去しなければならないが、アル
ミニウムは単結晶シリコン基板内に拡散され易い
ので、除去のためには単なるエツチングではなく
基板の研磨が必要となる。したがつて、後工程に
おける工数が多くなるといつた問題が生じてい
る。また、アルミニウムの蒸着の際に基板の表面
にまで回り込んで特性の劣化を引き起こす原因と
もなる。
本発明は上記のような問題を解決することを目
的とするもので、基板の裏面に電極を蒸着したり
する必要のない多孔質シリコンの形成方法を提供
することによつてこれらの問題を解決しようとす
るものである。
的とするもので、基板の裏面に電極を蒸着したり
する必要のない多孔質シリコンの形成方法を提供
することによつてこれらの問題を解決しようとす
るものである。
本発明は、基板の裏面にアルミニウムを蒸着す
るかわりに、基板の裏面を水銀に当接させ、この
水銀を陽極として利用することによつて上記の目
的を達成するものである。すなわち、単結晶シリ
コン基板の一表面がフツ化水素溶液に、裏面が水
銀に接するようにして、水銀を陽極とし、フツ化
水素溶液中の電極を陰極として電流を印加して陽
極化成処理することによつて多孔質シリコンを形
成するものである。
るかわりに、基板の裏面を水銀に当接させ、この
水銀を陽極として利用することによつて上記の目
的を達成するものである。すなわち、単結晶シリ
コン基板の一表面がフツ化水素溶液に、裏面が水
銀に接するようにして、水銀を陽極とし、フツ化
水素溶液中の電極を陰極として電流を印加して陽
極化成処理することによつて多孔質シリコンを形
成するものである。
以下、図面に従つて、本発明の実施例について
説明する。
説明する。
第２図は本発明の実施例を示す正面断面図であ
る。単結晶シリコン基板２０はフツ化水素溶液２
１の容器の底部に取り付けられている。すなわ
ち、容器の底部には貫通孔が形成されており、こ
の貫通孔の部分に単結晶シリコン基板２０が固着
されている。容器の周囲には水銀２２が充填され
ており、単結晶シリコン基板２０の裏面は水銀２
２と接している。水銀２２は炭素電極２４を介し
て電源に接続されている。一方、フツ化水素溶液
２１中にはプラチナの電極２３が設けられてお
り、これも電源に接続されている。
る。単結晶シリコン基板２０はフツ化水素溶液２
１の容器の底部に取り付けられている。すなわ
ち、容器の底部には貫通孔が形成されており、こ
の貫通孔の部分に単結晶シリコン基板２０が固着
されている。容器の周囲には水銀２２が充填され
ており、単結晶シリコン基板２０の裏面は水銀２
２と接している。水銀２２は炭素電極２４を介し
て電源に接続されている。一方、フツ化水素溶液
２１中にはプラチナの電極２３が設けられてお
り、これも電源に接続されている。
このような装置を用いて、水銀２２を陽極とし
プラチナの電極２３を陰極として電流を印加する
と、水銀２２−単結晶シリコン基板２０−フツ化
水素溶液２１−電極２３と電流路が形成される。
これによつて、単結晶シリコン基板２０はフツ化
水素溶液２１に接した表面から内部に向つて多孔
質化が進むことになる。
プラチナの電極２３を陰極として電流を印加する
と、水銀２２−単結晶シリコン基板２０−フツ化
水素溶液２１−電極２３と電流路が形成される。
これによつて、単結晶シリコン基板２０はフツ化
水素溶液２１に接した表面から内部に向つて多孔
質化が進むことになる。
陽極化成処理の条件としては、フツ化水素溶液
の濃度、電流密度が挙げられる。この場合、フツ
化水素溶液の濃度は30〜50％、電流密度は数ｍＡ
〜100ｍＡ／cm2程度で行うと良い。
の濃度、電流密度が挙げられる。この場合、フツ
化水素溶液の濃度は30〜50％、電流密度は数ｍＡ
〜100ｍＡ／cm2程度で行うと良い。
なお、単結晶シリコン基板は通常Ｐ型の導電性
を有するものを用いるが、光を当てることなどに
よつてＮ型の導電性を有するものでも同様に多孔
質化できる。
を有するものを用いるが、光を当てることなどに
よつてＮ型の導電性を有するものでも同様に多孔
質化できる。
本発明によれば、単結晶シリコン基板の裏面に
アルミニウムの電極を設ける必要がなくなる。し
たがつて、蒸着、除去などの工程が不要となるの
で工数を大幅に低減できることになる。また、ア
ルミニウムの拡散、表面への回り込みなどもな
く、特性の劣化も防止できる。このような工数、
特性の面だけでなく、歩留の点でも有利となる。
アルミニウムの電極を設ける必要がなくなる。し
たがつて、蒸着、除去などの工程が不要となるの
で工数を大幅に低減できることになる。また、ア
ルミニウムの拡散、表面への回り込みなどもな
く、特性の劣化も防止できる。このような工数、
特性の面だけでなく、歩留の点でも有利となる。
第１図は従来の多孔質シリコンの形成方法を示
す説明図、第２図は本発明の実施例を示す正面断
面図である。 １０，２０……単結晶シリコン基板、１１，２
１……フツ化水素溶液、１２……アルミニウム電
極、２２……水銀、１３，２３……電極。
す説明図、第２図は本発明の実施例を示す正面断
面図である。 １０，２０……単結晶シリコン基板、１１，２
１……フツ化水素溶液、１２……アルミニウム電
極、２２……水銀、１３，２３……電極。
Claims (1)
- １ 単結晶シリコン基板をフツ化水素溶液中で陽
極化成して多孔質化する多孔質シリコンの形成方
法において、単結晶シリコン基板の一表面がフツ
化水素溶液に接するとともに該フツ化水素溶液中
には陰極が形成され、該単結晶シリコン基板の裏
面が水銀電極から成る陽極に接するようにして陽
極化成することを特徴とする多孔質シリコンの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5327784A JPS60196949A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 多孔質シリコンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5327784A JPS60196949A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 多孔質シリコンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60196949A JPS60196949A (ja) | 1985-10-05 |
| JPH0138371B2 true JPH0138371B2 (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12938240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5327784A Granted JPS60196949A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 多孔質シリコンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60196949A (ja) |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP5327784A patent/JPS60196949A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60196949A (ja) | 1985-10-05 |
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