JP3343046B2 - シリコン基板の貫通孔形成方法 - Google Patents
シリコン基板の貫通孔形成方法Info
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- JP3343046B2 JP3343046B2 JP05636197A JP5636197A JP3343046B2 JP 3343046 B2 JP3343046 B2 JP 3343046B2 JP 05636197 A JP05636197 A JP 05636197A JP 5636197 A JP5636197 A JP 5636197A JP 3343046 B2 JP3343046 B2 JP 3343046B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコン基板に
貫通孔を形成する方法に係り、特に光励起電解研磨法を
利用してアスペクト比の大きい貫通孔を形成する方法に
関する。
貫通孔を形成する方法に係り、特に光励起電解研磨法を
利用してアスペクト比の大きい貫通孔を形成する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップを他の電子部品と共に高密度
実装するために、シリコン基板に貫通配線を形成するこ
とは有効である。しかし、従来知られているマイクロマ
シニング技術を用いてシリコン基板に貫通孔を形成しよ
うとすると、高密度の貫通配線を得ることは難しい。例
えば、ＫＯＨ等の結晶面異方性をもつウェットエッチン
グ法を利用すると、テーパエッチングとなるために、数
１００μm 厚のシリコン基板に貫通孔を開けると開口は
大きく広がってしまう。ＲＩＥ等のドライエッチング法
により垂直に溝加工を行う方法も深い溝加工は困難で、
数１００μm 厚のシリコン基板に貫通孔を開けることは
できない。簡単に貫通孔を開ける技術としてはレーザ加
工や超音波加工があるが、これらは装置が高価である。
実装するために、シリコン基板に貫通配線を形成するこ
とは有効である。しかし、従来知られているマイクロマ
シニング技術を用いてシリコン基板に貫通孔を形成しよ
うとすると、高密度の貫通配線を得ることは難しい。例
えば、ＫＯＨ等の結晶面異方性をもつウェットエッチン
グ法を利用すると、テーパエッチングとなるために、数
１００μm 厚のシリコン基板に貫通孔を開けると開口は
大きく広がってしまう。ＲＩＥ等のドライエッチング法
により垂直に溝加工を行う方法も深い溝加工は困難で、
数１００μm 厚のシリコン基板に貫通孔を開けることは
できない。簡単に貫通孔を開ける技術としてはレーザ加
工や超音波加工があるが、これらは装置が高価である。
【０００３】シリコン基板に高アスペクト比の溝を加工
する技術として最近、光励起を組み合わせた電解研磨法
が提案されている（例えば、J. Electrochem. Soc., Vo
l. 137, No.2, Feb. 1990, pp653-659 参照）。この方
法によれば、予め表面にＫＯＨにより断面Ｖ字状の溝を
加工したｎ型シリコン基板を、ＨＦ溶液を電解液とする
電解槽に入れ、シリコン基板の裏面電極（アノード）と
電解槽中のカソード電極との間に直流電圧を印加し、同
時にシリコン基板裏面から励起光を当てて、溝を垂直方
向に加工することができる。これは、光励起によりシリ
コン基板裏面で生成された小数キャリア（正孔）を予め
表面に形成されたＶ字溝の先端に集中させることで、Ｖ
字溝の先端のみが電気化学的にエッチングされることを
利用している。
する技術として最近、光励起を組み合わせた電解研磨法
が提案されている（例えば、J. Electrochem. Soc., Vo
l. 137, No.2, Feb. 1990, pp653-659 参照）。この方
法によれば、予め表面にＫＯＨにより断面Ｖ字状の溝を
加工したｎ型シリコン基板を、ＨＦ溶液を電解液とする
電解槽に入れ、シリコン基板の裏面電極（アノード）と
電解槽中のカソード電極との間に直流電圧を印加し、同
時にシリコン基板裏面から励起光を当てて、溝を垂直方
向に加工することができる。これは、光励起によりシリ
コン基板裏面で生成された小数キャリア（正孔）を予め
表面に形成されたＶ字溝の先端に集中させることで、Ｖ
字溝の先端のみが電気化学的にエッチングされることを
利用している。
【０００４】この光励起電解研磨法で垂直の溝を加工す
るためには、光励起がない状態で電解研磨が生じないよ
うに電流密度を一定レベル以下に設定すること、表面の
Ｖ字溝の周囲がほぼ空乏化する状態として、裏面側から
の光照射により生成された正孔がＶ字溝先端に集中する
ようにすること、基板全体でキャリアが励起されないよ
うに（即ち基板全体が加熱されないように）励起光の波
長を選択すること、等が重要とされている。
るためには、光励起がない状態で電解研磨が生じないよ
うに電流密度を一定レベル以下に設定すること、表面の
Ｖ字溝の周囲がほぼ空乏化する状態として、裏面側から
の光照射により生成された正孔がＶ字溝先端に集中する
ようにすること、基板全体でキャリアが励起されないよ
うに（即ち基板全体が加熱されないように）励起光の波
長を選択すること、等が重要とされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した光励
起電解研磨法をそのままシリコン基板の貫通孔形成に適
用するには問題がある。光励起電解研磨法では、加工条
件を最適化しないと、溝の垂直方向のエッチングと同時
に、図５（ａ）の平面図に示したように溝の周囲から特
定の結晶面に沿った横方向のエッチングが進行したり、
或いは図５（ｂ）の断面図に示したように、溝が深さ方
向に二股に枝分れしてエッチングが進行するという事態
が生じる。しかも溝の成長速度（即ちエッチング・レー
ト）は約０．５μm ／min であり、例えば５０μm の溝
を加工するのに約１００分の処理時間を要する。従って
無用なエッチングを生じることなく、貫通孔を形成する
ことは容易ではなく、例えば横方向のエッチング・レー
トが小さいとしても、長時間の処理によりその影響は無
視できなくなる。
起電解研磨法をそのままシリコン基板の貫通孔形成に適
用するには問題がある。光励起電解研磨法では、加工条
件を最適化しないと、溝の垂直方向のエッチングと同時
に、図５（ａ）の平面図に示したように溝の周囲から特
定の結晶面に沿った横方向のエッチングが進行したり、
或いは図５（ｂ）の断面図に示したように、溝が深さ方
向に二股に枝分れしてエッチングが進行するという事態
が生じる。しかも溝の成長速度（即ちエッチング・レー
ト）は約０．５μm ／min であり、例えば５０μm の溝
を加工するのに約１００分の処理時間を要する。従って
無用なエッチングを生じることなく、貫通孔を形成する
ことは容易ではなく、例えば横方向のエッチング・レー
トが小さいとしても、長時間の処理によりその影響は無
視できなくなる。
【０００６】この発明は、上記事情を考慮してなされた
もので、光励起電解研磨法を利用して、無用なエッチン
グの影響を抑制してアスペクト比の大きい貫通孔を形成
することを可能としたシリコン基板の貫通孔形成方法を
提供することを目的としている。
もので、光励起電解研磨法を利用して、無用なエッチン
グの影響を抑制してアスペクト比の大きい貫通孔を形成
することを可能としたシリコン基板の貫通孔形成方法を
提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るシリコン
基板の貫通孔形成方法は、シリコンに対する電解液を入
れると共に第１及び第２のカソード電極を配置した電解
槽を用意し、シリコン基板の第１及び第２の主面の相対
向する位置にそれぞれ断面Ｖ字状の溝を加工し、前記シ
リコン基板をその第１及び第２の主面をそれぞれ前記第
１及び第２のカソード電極に対向させて前記電解槽内に
配置し、前記シリコン基板の第１の主面側から励起光を
照射しながら前記第２の主面の溝を第２の主面に垂直な
方向にエッチングする工程と前記シリコン基板の第２の
主面側から励起光を照射しながら前記第１の主面の溝を
第１の主面に垂直な方向にエッチングする工程との組み
合わせにより前記第１及び第２の主面の溝間を連通させ
た貫通孔を形成することを特徴とする。
基板の貫通孔形成方法は、シリコンに対する電解液を入
れると共に第１及び第２のカソード電極を配置した電解
槽を用意し、シリコン基板の第１及び第２の主面の相対
向する位置にそれぞれ断面Ｖ字状の溝を加工し、前記シ
リコン基板をその第１及び第２の主面をそれぞれ前記第
１及び第２のカソード電極に対向させて前記電解槽内に
配置し、前記シリコン基板の第１の主面側から励起光を
照射しながら前記第２の主面の溝を第２の主面に垂直な
方向にエッチングする工程と前記シリコン基板の第２の
主面側から励起光を照射しながら前記第１の主面の溝を
第１の主面に垂直な方向にエッチングする工程との組み
合わせにより前記第１及び第２の主面の溝間を連通させ
た貫通孔を形成することを特徴とする。
【０００８】この発明によれば、シリコン基板の貫通孔
を形成すべき位置に両面からＶ字状の溝を形成して、両
面の溝からの光励起電解研磨法による垂直方向エッチン
グを行うから、無用な横方向エッチングが生じるとして
も、片面のみからエッチングを行う場合に比べて横方向
エッチングの影響は半減する。また、最適エッチング条
件からずれてある深さで二股に分かれるような条件であ
ったとしても、両面からのエッチングを行うことによ
り、溝が二股に分かれる事態を防止することができる。
従って、アスペクト比の大きい貫通孔を高密度に形成す
ることが可能になる。
を形成すべき位置に両面からＶ字状の溝を形成して、両
面の溝からの光励起電解研磨法による垂直方向エッチン
グを行うから、無用な横方向エッチングが生じるとして
も、片面のみからエッチングを行う場合に比べて横方向
エッチングの影響は半減する。また、最適エッチング条
件からずれてある深さで二股に分かれるような条件であ
ったとしても、両面からのエッチングを行うことによ
り、溝が二股に分かれる事態を防止することができる。
従って、アスペクト比の大きい貫通孔を高密度に形成す
ることが可能になる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施例を説明する。図１は、この発明の一実施例によ
る光励起電解研磨装置の構成を示す。横型の電解槽１に
は、電解液として弗酸（ＨＦ）溶液２が入れられ、また
白金（Ｐｔ）製の第１のカソード電極３ａと第２のカソ
ード電極３ｂが左右に配置され、中央部に加工すべきシ
リコン基板８が挿入されるようになっている。シリコン
基板８は、比抵抗０．０５Ω−cmを越える、例えば５Ω
−cm程度のｎ型であって、５００μm 厚程度とし、図２
に示すように、予め第１の主面１２ａ及び第２の主面１
２ｂのそれぞれ貫通孔を形成すべき位置にＶ字状の溝２
１ａ，２１ｂを形成しておく。溝２１ａ，２１ｂの大き
さは、５〜３０μm 程度とする。この溝形成は、例えば
ＫＯＨを用いた異方性エッチングによる。なお電解槽１
は、シリコン基板８を仕切板の一部として用いて、仕切
板により二つの槽に分けられた二槽式としてもよい。
の実施例を説明する。図１は、この発明の一実施例によ
る光励起電解研磨装置の構成を示す。横型の電解槽１に
は、電解液として弗酸（ＨＦ）溶液２が入れられ、また
白金（Ｐｔ）製の第１のカソード電極３ａと第２のカソ
ード電極３ｂが左右に配置され、中央部に加工すべきシ
リコン基板８が挿入されるようになっている。シリコン
基板８は、比抵抗０．０５Ω−cmを越える、例えば５Ω
−cm程度のｎ型であって、５００μm 厚程度とし、図２
に示すように、予め第１の主面１２ａ及び第２の主面１
２ｂのそれぞれ貫通孔を形成すべき位置にＶ字状の溝２
１ａ，２１ｂを形成しておく。溝２１ａ，２１ｂの大き
さは、５〜３０μm 程度とする。この溝形成は、例えば
ＫＯＨを用いた異方性エッチングによる。なお電解槽１
は、シリコン基板８を仕切板の一部として用いて、仕切
板により二つの槽に分けられた二槽式としてもよい。
【００１０】電解槽１の外には、シリコン基板８の両面
に励起光を当てるべく、二つの光源４ａ，４ｂが配置さ
れている。光源４ａ，４ｂはタングステンランプと水銀
ランプを組み合わせたものである。二つの光源４ａ，４
ｂからの励起光５ａ，５ｂはそれぞれ赤外線吸収フィル
タ６ａ，６ｂにより長波長成分がカットされる。なおこ
れらの励起光５ａ，５ｂをシリコン基板８に照射するた
めに、カソード電極３ａ，３ｂはリング状としている。
また、励起光５ａ，５ｂを選択的にシリコン基板８に照
射するために、シャッター７ａ，７ｂが設けられてい
る。
に励起光を当てるべく、二つの光源４ａ，４ｂが配置さ
れている。光源４ａ，４ｂはタングステンランプと水銀
ランプを組み合わせたものである。二つの光源４ａ，４
ｂからの励起光５ａ，５ｂはそれぞれ赤外線吸収フィル
タ６ａ，６ｂにより長波長成分がカットされる。なおこ
れらの励起光５ａ，５ｂをシリコン基板８に照射するた
めに、カソード電極３ａ，３ｂはリング状としている。
また、励起光５ａ，５ｂを選択的にシリコン基板８に照
射するために、シャッター７ａ，７ｂが設けられてい
る。
【００１１】パルス電源９は、正極が基板保持具１１を
介してシリコン基板８に接続され、負極はリレー１０に
より選択的に第１のカソード電極３ａまたは第２のカソ
ード電極３ｂに接続されるようになっている。この電源
接続の切換えは、第１のカソード電極３ａに対向するシ
リコン基板８の第１の主面１２ａ側からのエッチング
と、第２のカソード電極３ｂに対向する第２の主面１２
ｂ側からのエッチングとを交互に行うためであり、この
電源接続の切換えと同期して、シャッター７ａ，７ｂに
より光源４ａ，４ｂからの励起光照射のオンオフ切換え
も行われるようになっている。
介してシリコン基板８に接続され、負極はリレー１０に
より選択的に第１のカソード電極３ａまたは第２のカソ
ード電極３ｂに接続されるようになっている。この電源
接続の切換えは、第１のカソード電極３ａに対向するシ
リコン基板８の第１の主面１２ａ側からのエッチング
と、第２のカソード電極３ｂに対向する第２の主面１２
ｂ側からのエッチングとを交互に行うためであり、この
電源接続の切換えと同期して、シャッター７ａ，７ｂに
より光源４ａ，４ｂからの励起光照射のオンオフ切換え
も行われるようになっている。
【００１２】具体的な光励起電解研磨の条件を説明する
と、電解液であるＨＦ溶液２は、２．５wt％程度の濃度
とする。励起光５ａ，５ｂは、シリコン基板８を加熱し
ないように、赤外線吸収フィルタ６ａ，６ｂにより赤外
成分をカットして、２００〜１０００ｎｍの波長帯とし
て照射する。電源９は、光励起を行わない状態ではシリ
コンを電解研磨しない程度の化成電流密度（飽和電流密
度が数μＡ／cm2）となるように設定する。また、図で
は省略したが、電解槽１には電解液攪拌装置を備えると
ともに、温度調節器を備えて、シリコン基板８が光励起
のない状態で電解研磨されることがないように加熱を防
止する。
と、電解液であるＨＦ溶液２は、２．５wt％程度の濃度
とする。励起光５ａ，５ｂは、シリコン基板８を加熱し
ないように、赤外線吸収フィルタ６ａ，６ｂにより赤外
成分をカットして、２００〜１０００ｎｍの波長帯とし
て照射する。電源９は、光励起を行わない状態ではシリ
コンを電解研磨しない程度の化成電流密度（飽和電流密
度が数μＡ／cm2）となるように設定する。また、図で
は省略したが、電解槽１には電解液攪拌装置を備えると
ともに、温度調節器を備えて、シリコン基板８が光励起
のない状態で電解研磨されることがないように加熱を防
止する。
【００１３】そして、パルス電源９の接続切り替えと、
シャッター７ａ，７ｂのオンオフにより、シリコン基板
８の第１の主面１２ａ側から励起光５ａを照射しなが
ら、第２の主面１２ｂの溝２１ｂを垂直方向にエッチン
グし（図３（ａ））、第２の主面１２ｂ側から励起光５
ｂを照射しながら第１の主面１２ａの溝２１ａを垂直方
向にエッチングする（図３（ｂ））という工程を繰り返
す。図３（ａ）（ｂ）に示したように、光励起によりシ
リコン基板８内の励起光源に近い方で生成された正孔は
ドリフトして反対側の溝の先端部に集中的に集められ、
これにより溝の先端部が選択的にエッチングされ、ほぼ
垂直方向にのみ溝が成長する。
シャッター７ａ，７ｂのオンオフにより、シリコン基板
８の第１の主面１２ａ側から励起光５ａを照射しなが
ら、第２の主面１２ｂの溝２１ｂを垂直方向にエッチン
グし（図３（ａ））、第２の主面１２ｂ側から励起光５
ｂを照射しながら第１の主面１２ａの溝２１ａを垂直方
向にエッチングする（図３（ｂ））という工程を繰り返
す。図３（ａ）（ｂ）に示したように、光励起によりシ
リコン基板８内の励起光源に近い方で生成された正孔は
ドリフトして反対側の溝の先端部に集中的に集められ、
これにより溝の先端部が選択的にエッチングされ、ほぼ
垂直方向にのみ溝が成長する。
【００１４】溝先端でのエッチングが行われるメカニズ
ムは、溝先端に正孔（ｈ+）が集中することにより生じ
る次のような反応による。
ムは、溝先端に正孔（ｈ+）が集中することにより生じ
る次のような反応による。
【００１５】
【化１】Ｓｉ＋２Ｆ-＋２ｈ+ → ＳｉＦ2 ＳｉＦ2＋２ＨＦ → ＳｉＦ4＋Ｈ2↑ ＳｉＦ4＋２ＨＦ → Ｈ2ＳｉＦ6
【００１６】最終生成物Ｈ2ＳｉＦ6は水に可溶であり、
従って電解液を攪拌しながらエッチングを行うことによ
り、両面の溝が垂直方向にエッチングされる。
従って電解液を攪拌しながらエッチングを行うことによ
り、両面の溝が垂直方向にエッチングされる。
【００１７】具体的にエッチングの進行の様子を示す
と、第１の主面１２ａのエッチング工程では、図４
（ａ）のエッチング開始状態から、溝２１ａの先端部の
みがエッチングされて、あるエッチング時間で図４
（ｂ）に示すように垂直方向のみに溝が深くなる。第２
の主面１２ｂのエッチング工程でも同様の垂直エッチン
グが溝２１ｂにおいて生じ、この両面からのエッチング
を交互に行うことにより、図４（ｂ）に示すように両面
の溝２１ａ，２１ｂを連通するアスペクト比の大きな貫
通孔３０が形成されることになる。なおエッチングの繰
り返し周期や回数は任意であり、一方の面からの１回の
エッチングで基板の半分までをエッチングし、他方の面
からの１回のエッチングで残り半分をエッチングするこ
ともできる。
と、第１の主面１２ａのエッチング工程では、図４
（ａ）のエッチング開始状態から、溝２１ａの先端部の
みがエッチングされて、あるエッチング時間で図４
（ｂ）に示すように垂直方向のみに溝が深くなる。第２
の主面１２ｂのエッチング工程でも同様の垂直エッチン
グが溝２１ｂにおいて生じ、この両面からのエッチング
を交互に行うことにより、図４（ｂ）に示すように両面
の溝２１ａ，２１ｂを連通するアスペクト比の大きな貫
通孔３０が形成されることになる。なおエッチングの繰
り返し周期や回数は任意であり、一方の面からの１回の
エッチングで基板の半分までをエッチングし、他方の面
からの１回のエッチングで残り半分をエッチングするこ
ともできる。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、光
励起電解研磨法を適用して、シリコン基板の両面からの
溝エッチングを組み合わせることにより、無用な横方向
エッチングの影響を抑制し、また溝が二股に分かれると
いった事態を防止して、シリコン基板に高アスペクト比
の貫通孔を形成することができる。
励起電解研磨法を適用して、シリコン基板の両面からの
溝エッチングを組み合わせることにより、無用な横方向
エッチングの影響を抑制し、また溝が二股に分かれると
いった事態を防止して、シリコン基板に高アスペクト比
の貫通孔を形成することができる。
【図１】 この発明の一実施例による光励起電解研磨装
置の構成を示す。
置の構成を示す。
【図２】 同実施例に用いるシリコン基板の断面構造を
示す。
示す。
【図３】 同実施例における溝エッチングの原理を示
す。
す。
【図４】 同実施例における溝エッチングの進行の様子
を示す。
を示す。
【図５】 従来の光励起電解研磨法の問題点を説明する
ための図である。
ための図である。
１…電解槽、２…ＨＦ溶液（電解液）、３ａ，３ｂ…カ
ソード電極、４ａ，４ｂ…光源、５ａ，５ｂ…励起光、
６ａ，６ｂ…赤外線吸収フィルタ、７ａ，７ｂ…シャッ
ター、８…シリコン基板、９…パルス電源、１０…リレ
ー、１１…基板保持具、１２ａ，１２ｂ…主面、２１
ａ，２１ｂ…溝、３０…貫通孔。
ソード電極、４ａ，４ｂ…光源、５ａ，５ｂ…励起光、
６ａ，６ｂ…赤外線吸収フィルタ、７ａ，７ｂ…シャッ
ター、８…シリコン基板、９…パルス電源、１０…リレ
ー、１１…基板保持具、１２ａ，１２ｂ…主面、２１
ａ，２１ｂ…溝、３０…貫通孔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−216110（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−160129（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−53972（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−115874（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/306 - 21/308
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコンに対する電解液を入れると共に
第１及び第２のカソード電極を配置した電解槽を用意
し、 シリコン基板の第１及び第２の主面の相対向する位置に
それぞれ断面Ｖ字状の溝を加工し、 前記シリコン基板をその第１及び第２の主面をそれぞれ
前記第１及び第２のカソード電極に対向させて前記電解
槽内に配置し、 前記シリコン基板の第１の主面側から励起光を照射しな
がら前記第２の主面の溝を第２の主面に垂直な方向にエ
ッチングする工程と前記シリコン基板の第２の主面側か
ら励起光を照射しながら前記第１の主面の溝を第１の主
面に垂直な方向にエッチングする工程との組み合わせに
より前記第１及び第２の主面の溝間を連通させた貫通孔
を形成することを特徴とするシリコン基板の貫通孔形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05636197A JP3343046B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | シリコン基板の貫通孔形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05636197A JP3343046B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | シリコン基板の貫通孔形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256227A JPH10256227A (ja) | 1998-09-25 |
| JP3343046B2 true JP3343046B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=13025117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05636197A Expired - Fee Related JP3343046B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | シリコン基板の貫通孔形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3343046B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6790340B1 (en) | 2000-05-24 | 2004-09-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for radiation assisted electrochemical etching and etched product |
| CA2369204A1 (en) * | 2001-01-26 | 2002-07-26 | Ebara Corporation | Solar cell and method of manufacturing same |
| JP4717290B2 (ja) * | 2001-09-12 | 2011-07-06 | 株式会社フジクラ | 貫通電極の製造方法 |
| DE102007012061A1 (de) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer porösen Schicht auf einem Halbleiterträger |
| JP5046277B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2012-10-10 | 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 | 電気化学的エッチングの均一化手法 |
| KR101035338B1 (ko) * | 2011-01-06 | 2011-05-20 | (주)아티스 | 웨이퍼 에칭 장치 |
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