JPS5966184A - 半導体レ−ザ−製造方法 - Google Patents

半導体レ−ザ−製造方法

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JPS5966184A
JPS5966184A JP58165355A JP16535583A JPS5966184A JP S5966184 A JPS5966184 A JP S5966184A JP 58165355 A JP58165355 A JP 58165355A JP 16535583 A JP16535583 A JP 16535583A JP S5966184 A JPS5966184 A JP S5966184A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は半導体レーザーの製作方法に係る本発明の背景 過去数年における半導体レーザーの発展によシ、デバイ
スの信頼性及び有用性は著しく上った。半導体レーザー
の特性についての有用人文献は、エイチ・シー・カセイ
、ジュニア（Ｈ，Ｃ，Ｃａ５ｅｙ　Ｊｒ、　）　　及び
エム・ビー、ノテニッシゴ（Ｍ、　Ｂ、　Ｐａｎ１　ｓ
ｈ　）　　によるヘテロ構造レーザー、アカデミツク、
プレス社、ニューヨーク、１９７８．パートＡ及びＢ１
また背景となる有用外文献は、１９７３年９月１１日イ
ズオ・ハヤシ（Ｉｚｕｏ　Ｈａｙａｓｈｉ　）　　に承
認された米国特許第３．７５８．８７５号及び１９８０
年１月１５日にモルトン・ビー・バニッシュ（Ｍｏｒｔ
ｏｎ　Ｂ、　Ｐａｎ１ｓｈ　）　　に承認された米国特
許第４．１８４．１７１号である。
多くの研究の後、製作づれた鏡（蒸着金属鏡又は誘電体
鏡のような）全有するかあるいは有しないへき開レーザ
ー面は、最も低い閾値と最も再現性のよいデバイス特性
を生ずることがわかった。半導体レーザー上に’　小ｉ
　−にへき開するには多くの技術が使用でき、それには
たとえば半導体レーザー材メ上にけがき用マークを機械
的につけ、次にけがきマークに沿って半導体材料をへき
関する方法が含まれる。マイクロ−へき開法とよばれる
別の方法も用いられる。その場合半導体レーザーの活性
部分の周囲構造の一部全形成するある種の材料がエッチ
され、レーザーミラーを生成するよう半導体材料がへき
開される。（エイチ・ブローベルト（Ｈ，Ｂｌａｕｖｅ
ｌｔ　）ら、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａ
ｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、　）、　４０（４）２８９　（１
９８２）及びオー・ウエード（０，Ｗａｄｅ　）ら、エ
レクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　
Ｌｅｔｔｅｒｓ　）１８、第５号、１８９．（１９８２
）を参照のこと） 製造に容易にかつ早く適用できる半導体レーザー結晶の
正確々信頼性のあるプロセスを有することが特に望まし
い。半導体ウェハ上の半導体レーザー結晶のアレイ全体
に対し、これを実現できることが、特に望ましい。へき
開のためにけがきマークを容易かつ正確に作シ、（半導
体ウェハ上の場合のような）レーザーの大きなアレイに
同時に適用できることが基本的関心事である。
加えて、ある種の用途の場合、半導体レーザーの空胴長
を非常に小さくすることが、非常に望ましい。空胴長が
短いと、縦モード構造が生じ、それは周波数単位でよシ
広がシ、（周波数におけるモードの分離がよシ大きくな
１））それによシ単−縦モード動作がよシ容易に実現で
きる。よシ短い空胴長では、よシ安定な単一モード動作
が可能である。（たとえば、ティー・ピー・リー（Ｔ、
　Ｐ、　Ｌｅｅ　）ら、アイ、イー・イー、ジャーナル
・オブ・カンタム・エレクトロニクス（ＩＥＥＥ　Ｊ　
ｏｆ　ＱｕｎｔｕｍＥｌｅｃｔｒｎｎｉｃｓ　）　、第
ＱＥ−１８巻、第７号、１９８２年７月を参照のこと）
また、５〇−１００ミクロン範囲の空胴長まで空胴長を
短くすると、より低い閾値電流が得られる。
（シー−エイ・バラス（Ｃ１Ａ、Ｂｕｒｒｕｓ’）ら１
エレクトロニクス、レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ　）、１７．９５４−９５６　（１９８
１）参照のこと）しばしば、半導体ウェハの厚さよシ小
さいレーザー結晶をへき開しようとすることは、非常に
難しく、特に高い歩留シで一定した信頼性ある結果を得
ることは難しい。
上で述べた理由により、非常に短い空胴長を有するへき
開ミラーをもつ半導体レーザー全作成するための製作方
法全開発することは、非常に望捷しい。本技術はいずれ
の長さの半導体レーザーにも対し適用できるはずである
が、１００ミクロン以下あるいは５０ミクロンまたは２
５ミクロンにも達する空胴長の信頼性ある結果ケ与える
はずである。高信頼性及び高歩留りのレーザー構造を生
じる方法が特に望ましい。
本発明の要約 本発明はレーザーの個々の小面が、最初好ましい深く狭
い溝又は■溝全電気化学フォト玉ツチング方法によりレ
ーザーウェハの裏面にエツチングし、結晶をへき開する
ため応力をウェハに加えることにより形成される半導体
レーザー作成方法に係る。特に重要なことは、電気化学
フォトエツチング方法である。
なぜならば、それはへき開の精密な位置合せを可能にす
る深く、狭いスロット又はＶ溝を生成するからである。
へき開の補助に（レーザーの活性領域から離れた）穴を
含む他の形状も使用できるが、深く狭い溝又はＶ溝は最
も便利で、動作上も最もよい。
エッチ深さに関する限シ関心あるパラメータは、ウェハ
のエッチされない部分の厚さくエッチされた溝からウェ
ハの相対する面までの距離）がへき開面間の間隔よシ小
さいことである。ウェハをへき開する上での容易さ及び
信頼性は、エッチされないウェハの厚さが小さくなるに
つれ大きくなる。
このエツチング方法はｎ形及び真性化合物半導体材料に
対し、有用である。それは以下の工程を含む。
ａ、化合物半導体上のエッチすべき表面を、価電子帯中
に正孔を生成するのに十分なエネルギーをもつ光で照射
すること す、適度の酸化−還元速度を可能にする十分な導電性（
一般に０．０００１Ω／ｃｍ以上）全もち、エツチング
方法の酸化生成物全除去する電解液に、化合物半導体を
露出すること Ｃ０化合物半導体ヲ酸化−還元電気化学プロセスの一郡
とし、標準電極に対し化合物半導体に電位全印加し、そ
の電位は電解液中の化合物半導体の価電子帯最大値と伝
導帯最小値の陽の値である。
そのような工程によシ、典型的な場合１−１Ｏミクロン
の幅、５−１００ミクロンの深さの垂直な壁の溝又はＶ
溝が急速に形成される。特に重要なことは、深く狭い溝
全生成するエッチ方法の方向性である。そのようにして
エッチされた構造は失われる量を最小にする（従って個
々のレーザー構造はウェハ上でよシ近づけることができ
、あるいは空胴長はより小さくできる）が、エツチング
の深さはへき開をよシ容易にかつ信頼性あるものにする
。ウェハに応力を加えることによ！ｌｌ（好ましくはレ
ーザー構造の活性領域中でへき開が始まるような方法で
）、活性領域中での半纏体材料のへき開が達成される。
典型的な場合、１００ミクロン以下、５０ミクロンある
いは２５ミクロンよシ短い非常に短いレーザーは、低閾
値、広いモード構造等優れだレーザー特性を有するよう
に定常的に製作できる。この方法は大量生産に有用で操
作に習熟した人には、単調でもなく高い精密性も必要と
しない。
詳細な記述 本発明は特に深く狭いエッチ構造（すなわち、溝Ｖ溝等
）はある榎の半導体材料中にエッチでき、これらの溝は
化合物半導体レーザー構造中の結晶面に沿ってへき開を
始めるのに適している。これらの溝は電気化学フォトエ
ツチング方法により作られ、正方形壁、■溝あるいは丸
底などを含む各種の形状をもってよいが、一般に比較的
深くかつ狭い特性を有する。一般に、これらの溝はレー
ザー構造の裏面（基板上レーザーの活性領域から離れて
）形成され、半導体レーザーの端面でへき開が起るよう
、ウェハを曲るか歪會加える。また、便利であるため、
同じ一般的方法はレーザー構造の側面をべき開するため
にも使用できる。
特に重要なのは、レーザー構造上に溝を形成するために
用いられる電気化学フォトエツチング工程である。この
工程はある種の半導体、すなわち■−Ｖ化合物及び１ｌ
−Ｖｌ化合物半導体を含む化合物半導体に有用である。
フォトエツチング方法が適用できる典型釣人化合物半導
体はＣｄＳ　、　　ＣｄＳｅ　％　　ＨｇＣｄＴｅ　。
ＧａＰ　、　　ＧａＡｓ　Ｘ＃Ａｓ　、　ＡＩＰ　、　
＃Ｓｂ　％　　Ｉ’ｎＳｂ。
ＩｎＡｓ　、　　ＩｎＰ　、、　　ＧａＩｎＡｓ　％　
　ＧａＩｎＡｓｎ及びｎ形材料の両方が本方法により、
エッチできる。真性半纏体というのは、正孔と電子の数
がほぼ等しい（通常１００倍以内）一連の半導体をさす
。
真性半導体には、アンドープ半導体及び補償半導体（不
純物又は他のドーパントを補償するため、トラップ全ド
ープした半導体〕が含まれる。典型的な、場合、そのよ
うな半導体は１．、Ｏ’Ω−傭以上の抵抗率ヲ有する半
絶縁性である。しばしばそのような材料は半絶縁性特性
のため、基板として有用アある。
１０７Ω−ｍ又は１０８Ω−副以上の抵抗率が用いられ
る。
電子が正孔より多いｎ形化合物半導体も含まれる。通常
ｎ形半導体はＶ族元累の代りにドナ（すなわち、イオウ
、セレン又はテルル）全、または■■族元素の代シにシ
リコンをドーピングすることにより得られる。典型的な
ドーピングレベルは１立方センチメートル轟シ１０１５
ないし１０１９原子で、多くの用途には、１立方センチ
メートリ当り１０１６ないし１０１８原子が好ましい。
便利であるため、エツチング方法について３つの部分に
わけて述べる。電気化学的部分、照射部分、該方法に用
いられる電解液の特性である。
広緩には、エッチされる化合物半導体は、酸化−還元電
気化学方法の一部となシ、化合物半導体はアノード、不
活性材料は対向電極又はカソードになる。典型的な場合
、カソードは白金又は白金メッキされたチタンのような
不活性金属であるが、各種の材料が使える。
化合物半導体上の電位全以下で述べる範囲に調整し、酸
化−還元反応のためのパワー全供給するため、電源（電
池又は電子的電源）が用いられる。加えて、化合物半導
体上の電位全測定するため、標準電極（通常飽和にαカ
ロメル電極、５ＣＥ）が用いられる。電位は典型的な場
合、電圧計で測定され、（エッチ速度に比例する）電流
は、電流計で測定される。
特に厳苦さケ必要とするのは、電気化学的フォトエツチ
ング方法中の化合物半導体に印加される電位である。電
位が高すぎると光がなくとも過度のエツチングが起シ、
そのためエツチング方法は本質的に等方的方法となる。
この場合、エッチされる所望の幾何学的形状は得られな
い。電位が低すぎると、エッチ速度があ丑りにも低くな
シすぎるか、エツチングは全く起らない。一般的原′則
として、化合物半導体に印加される電位は、用いられる
電解液中の化合物半導体の価電子帯最大電位と同じ条件
下の化合物半纏体の伝導帯最小電位間にあるべきである
。
真性半導体の場合、電位範囲は価電子帯最大値とフラッ
トバンド電位−しばしば価電子帯最大値と伝導帯最小値
の中間にある一部にあるべきである。しかし、フラット
バンド電位は（わずかなドーピング、表面効果等により
）変えることができ、よシ広い電位範囲がより適当にみ
える。これら２つの電位（価電子帯最大値及び伝導帯最
小値はエッチされる具体的な化合物半導体、化合物半導
体中のドーピングの種類及び量、用いられる電解液の組
成に依存する。しばしば、これら各種の電位は文献中の
データから直接算出あるいは得ることかできるが、エツ
チング方法に用いる実隙の電解液中でのポルタモグラム
から、それらの量ヲｍｌするのが、よりしばしば有利で
ある。ポルタモグラムにおいて、上で述べた典型的な電
気化学的構成における電流は、化合物半導体に印加され
る゛電位の関数として測定される。これは光照射した場
合及びしない場合の両方について行なう。電位の一領域
において、（高電流で明らかなように）光照射した時冒
いエツチング速度が得られ、光照射？しない時、本質的
にエツチングは起らない（はとんど電流ゼロ）ことがわ
かる。電気化学フォトエツチング方法で興味があるのは
、この電位領域である。光照射なしでも電流が増す電位
は、価電子帯電位よシ正で、光照射でこれが起る電位は
伝尋帯最／Ｊ’ｌ値電位よシ正の時である。この電位は
フラットバンド電位である。真性材料の場合、これは通
常価電子帯最大値と伝４Ｍ最小値の中央に位置する。
ｎ形材料の場合、それは伝導帯域最小値の付近にある。
ヘリウム−ネオンレーザ−（波長６３２８オングストロ
ーム）からの光音照射した時の典型的なポルタモグラム
が、第１図に示されている。これらの測定は光としてヘ
リウム−ネオンレーザ−を用いて、ｎ形ＩｎＰの三方向
について行なった。ドーピング密度は１　ｃｃ当クシ約
１０１６原子あった。測定は１モル濃度塩酸溶液中で行
なった。レーザーパワーは約１１０マイクロワツトでめ
った。異なる曲線は異なる結晶方位に対するものである
。すなわち、曲線２１は（１００）面のエツチング、曲
線２２は（１１１）面、曲線２３は（−１１１）面のエ
ツチングについてである。
光照射した場合のポルタモグラムは、一部分のみ示され
ている。光照射がない場合、電流の開始（従って、エツ
チング）が、約１．４ボルトだけよシ正電位方向にずれ
る。図かられかるように、電位は約−０，２ボルトから
増加し、約０．２ボルトで最大値に達する。電流は電気
化学フォトエツチングの速度の尺度である。台形状の最
大値における電流の量（エツチング速度）は電位には存
在せず、化合物体へ１ｆ体上に入射する光の強度にのみ
比例する。
化合物半導体上に各種の幾何学的形状が形成【叶能すの
は、心気化学的フォトエツチング方法の舶゛性である。
第１図に示されているのと同様の曲線は、ＨＦ水溶液、
ＨＢｒ　　水溶液、ＧａＡｓ　　及びＧａＡｌＡｓのよ
うな他の化合物体２．４体でも得られた。ｎ形ＩｎＰ　
　の場合、光がないときのエツチングは、一般に約＋１
．０ボルトで起る。通常、電気化学的フォトエツチング
方法は、ホルタモグラムの平坦部の電圧で、かつ光照射
々してエツチングが起る電圧からは離れた電圧で行なう
のが最もよい。たとえば、ｎ形Ｉｎｐ　　の場合、これ
は約＋０．２ボルトの電位においてである。ここで、電
位依存性のないエツチングの利点が得られ、光照射しな
い場合のエツチング量は最小となる。
別の言い方ケすると、エツチングは光強度によシ感度全
もち、印加゛重圧にはほとんど感度がない。
ｎ形ＧａＡＳの場合、１モル濃度Ｈの中での電位は、約
−０，７ないし＋１．０ボルトで、−〇、４ないし＋０
．４ボルトが好ましく、０．０ボルト（ＳＣＥ基準）が
ほとんどのエツチング方法に対し、最良である。ＧａＡ
ｌＡｓの場合、伝導帯は（アルミニウムの濃度に依存し
て）価電子帯には大きな変化を起さず、０．４ボルトだ
けよシ負になシ、その結果約−１，１ないし＋１．０の
範囲が十分な結果を与える。
−〇、８ないし＋Ｏ１４が好ましい。
価電子帯中に正孔を生成させるために、光照射が用いら
れる。一般に、光照射のエネルギーは、これ全達成する
のに十分太きくすべきである。理論的には、光のフォト
ンエネルギーは、少なくとも半導体の禁制帯以上にすべ
きである。場合によっては、禁制帯中に占有状態（不純
物、ドーピング要素、補償用要素、結晶欠陥等による）
があるため、より小ぴなエネルギーも使用できる。しか
し、該方法は化合物半導体の禁制帯よシ大きなエネルギ
ーの光で、容易にかつ急速に行なえる。広’：＋ｉ域光
及び単色光の両方が使える。
該方法の具体的な利点は、エツチング速度が光強度に依
存することである。従って、適当な光強度分布及び光の
方向により、各種の幾何学的形状がエッチできる。
本発明の視点の重要さ全説明するために、いくつかの例
が役立つであろう。化合物半導体中に深い溝をエッチす
るため、溝が必要な部分への光照射ケ限定する目的で、
マスクが用いられる。平行光（集められた光）′ｆｆ：
用いると、垂直な壁のエツチングが確実になる。
■溝が必要な場合、光線は溝に沿った線上に焦点を合わ
され、焦点をあわせる線は、■溝の底にする。逆円錐形
の場合には、円錐の頂点に光の焦点を合わせる必要があ
る。
本発明の特に重要なことは、電解液の特性と組成である
。電解液に一般に必要なことは、適度な電気化学フォト
エッチ速度が得られるよう、十分導電性であることであ
る。一般に、この条件金満すためには、０．００１Ω／
ｍ以上の導電率で十分である。この条件は窒化ナトリウ
ムのようなイオン化塩を導入することによシ満せるが、
エッチされる化合物半導体の酸化生成物全除去するため
に、他の化学物質が存在しても、通常それは満される。
もう一つの別の条件は容易に述べられるが、実際に行な
うのはあまシ容易でないことで、電解液は酸化−還元電
気化学反応又は光照射工程に有害な影響を与えないこと
である。一般に、このことは電解液の組成は、いずれの
電極における電位によっても酸化又は還元ケ起さず、該
方法に用いられる光に対し不透明であってはならない（
すなわち、過度の吸収があってはならない。）これらの
特定の条件下において、電解液におだやかな酸化剤を導
入し、カソードにおける還元に’ｌ−ｒ易に行なわせる
ことも便利で、有利である。同様の状態同おだやかな還
元剤でも得られるが、はとんどの場合、アノード（半導
体材料）及びカソード（／１向電イタ）における電気化
学的条件の安５ｓｚ性が好ましい。一般に、カソードに
おける還元には、水の還元による水素カスの形成が含壕
れる。
たとえは、本発明全実施するのに多数の酸が使用できる
が、ＨＮＯ３が還元したシあるいは１１■が酸化する可
能性のために、ＨＮＯ３及びＨＩｆｌｊ：避ける。
電解液について最も厳密さを必要とする条件は、それが
フォトエツチング方法は酸化生成物全急速にかつエッチ
速度全制限しないように除去することである。これら酸
化生成物は、溶解度の高いことが好ましい。この目的を
達成するために、酸及び塩基の両方が用いられ、一般に
ｐＨの値は５以下又は９以上である。ｐＨ１４３以下又
は１１以上が好ましい。アルカリ溶液は、通常水酸化ナ
トリウム又は水酸化カリウムのよう々アルカリ物質全灯
えることによシ作られる。エツチング方法の酸化生成物
を確実にかつ急速に除去するために、キレート剤も有用
である。
ハロゲン酸ＨＦＸ　ＨＱ！及びＨＢｒが最もよい結果？
生じることがわかった。これらの酸は急速なエツチング
を生成するたけでなく、電気化学的フォトエツチング方
法で用いられる電位において、きわめて安定である。硫
酸溶液もある種の化合物半導体（すなわちＧａＡｓ　）
で、優れた結果を生じるが、インジウムを含む化合物半
導体（すなわちＩｎＰ）に対しては通常避けるべきでる
る。
酸の濃度は０．０５モル濃度ないし１０モル濃度全含む
広い範囲で変化させてよいが、最善の結果は通常０．２
ないし２．０モル濃度の範囲で得られる。加えて、はと
んどの場合、安定性、急速なエツチング、光デバイス製
作で生じる損傷を最小にすることのため、塩酸が好丑し
い。一般に、エツチング速度は広範囲に変えてもよいが
、一般に１平方センチメートル尚り１ないし１５０ミリ
アンペア間の速度が、優れた結果ケ生む。
上で述べた方法は、半導体ウェハから個々のへき開てれ
たレーサー構造全形成するために、構造ケへき開する目
的で、ウエノ＼中に核み１−１又は溝ケエツチするのに
用いられる。この方法について、ＧａＡＳレーサーケ例
に説明するが、ｎ形又は真性化合物半導体で作られた任
意の型のレーサーが、本発明の方法を用いて作られる。
本発明は、広義にはレーサーウェハ基板中あるいはレー
サーの層中に、レーザーの活性Ｆ＜（（分から離れて各
種の幾何学的形状をエッチするための上で述べた電気化
学的フォトエツチング方法を含み、それによりへき開鏡
面金生成するよう＋Ｉ＋）造全へき開する助けとなる。
通常核み目又は溝が用いられるが、光が放出される部分
から離れて、構造ケ貫く穴も使用−Ｃきる。
第２図はへきすＶ）前の個々のレーザーケ有する典型的
なウェハ２０の一部分を示す。ウェハの構造は、本発明
を説明するためには典型的なものである。ウェハはｌ　
ｃｃ　当り約１０１７１０”原子の量のシリコンをドー
プしｉｎ形ＧａＡＳで作られている基板２１から成る。
基板は金属（通常金）電極２２で被覆され、それはエッ
チされたチャネルが必要なフォトエツチング方法用マス
クとしても働く。基板の他方の表面には、以下の層がそ
の順序で、一般的に液相エピタ千シーによシ形成される
。
Ｇａ、　　６４Ａ／！、　　３ｃＡｓのｎ形層２３、Ｑ
ａ。
ＱｚＡｌ　、　　ｏｇＡｓのｐ形層、Ｇａ、６＋Ａｌ。
ａ６Ａｓのｐ形層２５及びＱ　ａ　Ａ　Ｓのｐ形層２６
である。この最後の層は金属層２７（一般に金又は金合
金）により被覆され、それは最終的には金属電極となる
。溝は以下のようにエッチされる。最初に、溝のない第
２図に示されるようなウェハが、１．０モル濃度塩酸か
ら成る電解液中に浸される。ウェハはウエノ＼構造中の
金属層の一つに、電源ケ゛電気的に接続することにより
、電解液溝ｊ戎のアノードとなる。白金片かこの溝底中
のカソードとなシ、飽オｌ］カロメル、セルが標準電位
として用いられる。約００ホルト（ＳＣＥ基準）の電位
が半導体ウェハ」二に印加されるように、電源が用いら
れる。広帯域タングステン光源が光源として使用され、
金属電槙間に光の焦点が確実にあい、■溝が確実にエッ
チされるように、各種のレンスが用いられた。■溝は可
変透過マスクを用い、溝が最も深くなる所で光強度ケ最
大にし、溝のあるマスクでは、焦点をばずずことにより
得られる。エツチングは第２図に示されるものに非常に
近い■清音形成するために、約２時間のエツチングを行
なった。
へき開面は半導体レーザーの前面及び裏面でのみ必要で
あるから、■溝は一方向にのみ生成する必要がある。レ
ーザーの横方向に沿って、通常のソーカットケ用いても
よい。しかし、両方向に本発明に従ったＶ溝を形成して
もよい。幾分具なる電位（通常０．２ボルト）が用いら
れることを除いて、同様の結果がＩｎＰ形レーし−構造
ケ用いて得られた。
所望の領域のへき開を行なうために、■溝とは別にある
いは組合せて、他の構造を用いてもよい。丸底の溝と同
様、正方形の壁の溝？用いてもよい。また、レーザー領
域を避ける注意をすれば、へき開はウェハの反対の側で
行なってもよい。エツチング金レーザーの活性領域中で
行なわなければ、ウェハ構造全体あるいはウェハ構造の
全体を貫く穴を用いてもよい。
へき開は当業者には周知の各種の方法で行なうことがで
きる。一般に、これはたとえばウェハを曲げることによ
シ、溝に沿って応力を加えることによって行なえる。レ
ーザーの活性領域近くでへき開を始めるのも、非常に有
利であることがわかった。活性領域近くでへき開を始め
ることにより作られた半導体レーザーは、低閾値、高パ
ワー、良好な品質の鏡といった好ましい特性を示す。こ
の理由により、へき開はエピクキシャ１１層ケ含むウェ
ハ端部で始めるのが好ましい。従って、へき開は？！７
；又はチャネルの壁を、相互に引離すようにすることに
より、行なえるはずである。
【図面の簡単な説明】
第１（スはｎ形ＩｎＰ　　のホノしタモク゛ラム、第２
図は分離ケする前に、へき開全行なうためウェハ中に■
溝がエッチされた１固々のレーサー結晶を有する半導体
ウニＡの透視図である。 〔主要部分の符号の説明〕 ウェハー・・・　２０ ＦＩＧ　　／ 曳 １ 電位（電圧対ｓ（、：Ｅ） ＦＩｏ、　２ 第１頁の続き 物覚　明　者　フレデリック・ウィリアム・オスターメ
イヤー・シュニヤ アメリカ合衆国０７９２８ニユージ ヤーシイ・モリス・カザム・リ ヴアー・ロード４２０

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、へき開された表面の一部が半導体レーザ。 −の活性領域中にあシ、端部鏡開の距離が１００μｍ以
    下の半導体レーザー製作に特に適し、該へき開はウェハ
    上の真性又はｎ形化合物半導体の一部を電解液中で最初
    にエツチングし、次にへき開面を生成するようウェハに
    応力を加えることによシ行なう、真性又Ｆｉｎ形化合物
    半導体から成る半導体ウェハをへき開することによる半
    導体レーザー製造方法において、 該エツチングは 電解液中の半導体化合物の価電子帯最大電位と、電解液
    中の半導体化合物の伝導帯最小電位間の電位を、半導体
    化合物に印加する工程、 エッチすべき化合物半導体の表面の一部に、価電子帯中
    に正孔を生成するのに十分なエネルギーを有する光を照
    射する工程及び 電解液の組成には、化合物半導体表面からエツチングに
    よシ生じた酸化生成物を除去する物質を含める工程 あ・ら成る電気化学フォトエツチング方法によシ行なう
    ことを特徴とする半導体レーザー製造方法。 ２、前記第１項に記載された方法において、１−１０　
    μｍ　幅、５０　１００　ｐｍ　深さの狭いスロットケ
    形成することを特徴とする半導体レーザー製造方法。 ３、　前記第１項に記載された方法において、最大幅１
    　１０　ｔｔｍ　％深さ５０−１００μｍのＶ溝？形成
    することを特徴とする半導体レーザー製造方法。 ４、前記第１項に記載された方法において、電解液のｐ
    Ｈは９以上、好ましくは１１以上であること全特徴とす
    る半導体レーザー製進方法。 ５．　前記第１項に記載された方法において、電解液の
    ｐＨは５以下、好ましくは３以下であることを特徴とす
    る半導体レーザー製造方法。 ６、前記第５項に記載された方法において、電解液はＨ
    Ｆ、Ｈの及びＩｆ（Ｂｒから選択された酸から成ること
    全蒔徴とする半導体レーザー製造方法。 ７、前記第６項に記載された方法において、酸はＨので
    、酸濃度は約０，０５ないし１０モル濃度、好ましくは
    ０．２ないし２．０モル濃度で変化すること’に％徴と
    する半導体レーザー製造方法。 ８、前記第１項に記載された方法において、化合物半導
    体は真性又はｎ形で、ドーピングレベルは１立方センチ
    メートル当シ１０１５ないし１０１９原子であることを
    特徴とする半導体レーザー製造方法。 ９、　前記第１項に記載された方法において、化合物半
    導体はＣｄＳ　ＸＣｄＳｅ　Ｓ　　ＨｇＣｄＴｅから選
    択された且−■化合物半導体、ＧａＰ。 ＧａＡｓ　’ｔ’　ＡｌＡｓ　ＸＡＩＰ　Ｘ＃Ｓｂ　、
    　　ＩｎＳｂ　、、　　ＩｎＡｓ。 ＩｎＰ　ＸＧａＩｎＡｓ　、　　ＧａＩｎＰ　ＸＧａＩ
    ｎＡｓＰ　）Ｇ　ａ＃Ｐ及び　Ｇ　ａＭＡ　ｓから選択
    されたｍ−ｖ化合物半導体であるこ、と全特徴とする半
    導体レーザー製造方法。 １０、　　前記第１項に記載された方法において、化合
    物半導体はｎ形ＩｎＰで面（たとえば１００）の電位は
    ＳＣＥ　　基準で、１モル濃度のＨＣｌ中において、−
    〇、５ないし１．０ボルト、好ましくは−０，１ないし
    ０．５ボルトであることを特僧とする半導体レーザー製
    造方法。 １１、前記第１項に記載された方法において、化合、物
    体導体はｎ形ＧａＡＳ　　で、電位は１モル濃度Ｈα中
    において、ＳＣＥ基準で一〇、７ないし＋１．０ポル、
    ト、好ましくは一〇、４ないし０．４ボルトであること
    を特徴とする半導体レーザー製造方法。 １２、前記第１項に記載された方法において、光のエネ
    ルギーは化合物半導体の禁制帯以上であることを特徴と
    する半導体レーザー製造方法。 １３、前記第１項に記載された方法において、急１間が
    半導体レーザーの活性領域付近で最初に起るよう応力全
    印加することを特徴とする半導体レーザー製造方法。 １４、　　前記第１項に記載された方法において、半導
    体レーザーは５０μｍ以下又は２５μｍ以下の長さを有
    することを特徴とする半導体レーザー製造方法。
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