JPH0322714B2 - - Google Patents

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JPH0322714B2
JPH0322714B2 JP16535583A JP16535583A JPH0322714B2 JP H0322714 B2 JPH0322714 B2 JP H0322714B2 JP 16535583 A JP16535583 A JP 16535583A JP 16535583 A JP16535583 A JP 16535583A JP H0322714 B2 JPH0322714 B2 JP H0322714B2
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semiconductor laser
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compound
potential
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Andoryuu Barasu Junya Chaaruzu
Arubaato Kooru Hooru
Pei Rii Teien
Uiriamu Osutaameiyaa Junya Furederitsuku
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AT&T Technologies Inc
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Description

【発明の詳现な説明】 技術分野 本発明は半導䜓レヌザヌの補䜜方法に係る。
本発明の背景 過去数幎における半導䜓レヌザヌの発展によ
り、デバむスの信頌性及び有甚性は著しく䞊぀
た。半導䜓レヌザヌの特性に぀いおの有甚な文献
は、゚むチ・シヌ・カセむ、ゞナニアH.C.
Casey Jr.及び゚ム・ビヌ、パニツシナM.B.
Panishによるヘテロ構造レヌザヌ、アカデミ
ツク、プレス瀟、ニナヌペヌク、1978、パヌト
及び、たた背景ずなる有甚な文献は、1973幎
月11日むズオ・ハダシIzuo Hayashiに承認
された米囜特蚱第3758875号及び1980幎月15日
にモルトン・ビヌ・パニツシナMorton B.
Panishに承認された米囜特蚱第4184171号であ
る。
倚くの研究の埌、補䜜された鏡蒞着金属鏡又
は誘電䜓鏡のようなを有するかあるいは有しな
いぞき開レヌザヌ面は、最も䜎い閟倀ず最も再珟
性のよいデバむス特性を生ずるこずがわか぀た。
半導䜓レヌザヌ䞊に小面をぞき開するには倚くの
技術が䜿甚でき、それにはたずえば半導䜓レヌザ
ヌ材料䞊にけがき甚マヌクを機械的に぀け、次に
けがきマヌクに沿぀お半導䜓材料をぞき開する方
法が含たれる。マむクロ−ぞき開法ずよばれる別
の方法も甚いられる。その堎合半導䜓レヌザヌの
掻性郚分の呚囲構造の䞀郚を圢成するある皮の材
料が゚ツチされ、レヌザヌミラヌを生成するよう
半導䜓材料がぞき開される。゚むチ・ブロヌベ
ルトH.Blauveltら、アプラむト・フむゞツ
クス・レタヌズAppl.Phys.Lett.、40(4)289
1982及びオヌ・り゚ヌドO.Wadeら、゚
レクトロニクス・レタヌズElectronics
Letters18、第号、189、1982を参照のこ
ず 補造に容易にか぀早く適甚できる半導䜓レヌザ
ヌ結晶の正確な信頌性のあるプロセスを有するこ
ずが特に望たしい。半導䜓り゚ハ䞊の半導䜓レヌ
ザヌ結晶のアレむ党䜓に察し、これを実珟できる
こずが、特に望たしい。ぞき開のためにけがきマ
ヌクを容易か぀正確に䜜り、半導䜓り゚ハ䞊の
堎合のようなレヌザヌの倧きなアレむに同時に
適甚できるこずが基本的関心事である。
加えお、ある皮の甚途の堎合、半導䜓レヌザヌ
の空胎長を非垞に小さくするこずが、非垞に望た
しい。空胎長が短いず、瞊モヌド構造が生じ、そ
れは呚波数単䜍でより広がり、呚波数における
モヌドの分離がより倧きくなりそれにより単䞀
瞊モヌド動䜜がより容易に実珟できる。より短い
空胎長では、より安定な単䞀モヌド動䜜が可胜で
ある。たずえば、テむヌ・ピヌ・リヌT.P.
Leeら、アむ・むヌ・むヌ、ゞダヌナル・オ
ブ・カンタム・゚レクトロニクスIEEE  of
Quntum Electrnnics、第QE−18巻、第号、
1982幎月を参照のこずたた、50−100ミクロ
ン範囲の空胎長たで空胎長を短くするず、より䜎
い閟倀電流が埗られる。シヌ・゚む・バラス
C.A.Burrusら、゚レクトロニクス、レタヌズ
Electronics Letters、17、954−9561981参
照のこずしばしば、半導䜓り゚ハの厚さより小
さいレヌザヌ結晶をぞき開しようずするこずは、
非垞に難しく、特に高い歩留りで䞀定した信頌性
ある結果を埗るこずは難しい。
䞊で述べた理由により、非垞に短い空胎長を有
するぞき開ミラヌをも぀半導䜓レヌザヌを䜜成す
るための補䜜方法を開発するこずは、非垞に望た
しい。本技術はいずれの長さの半導䜓レヌザヌに
も察し適甚できるはずであるが、100ミクロン以
䞋あるいは50ミクロンたたは25ミクロンにも達す
る空胎長の信頌性ある結果を䞎えるはずである。
高信頌性及び高歩留りのレヌザヌ構造を生じる方
法が特に望たしい。
本発明の芁玄 本発明はレヌザヌの個々の小面が、最初奜たし
い深く狭い溝又は溝を電気化孊フオト゚ツチン
グ方法によりレヌザヌり゚ハの裏面に゚ツチング
し、結晶をぞき開するため応力をり゚ハに加える
こずにより圢成される半導䜓レヌザヌ䜜成方法に
係る。特に重芁なこずは、電気化孊フオト゚ツチ
ング方法である。なぜならば、それはぞき開の粟
密な䜍眮合せを可胜にする深く、狭いスロツト又
は溝を生成するからである。ぞき開の補助に
レヌザヌの掻性領域から離れた穎を含む他の
圢状も䜿甚できるが、深く狭い溝又は溝は最も
䟿利で、動䜜䞊も最もよい。
゚ツチ深さに関する限り関心あるパラメヌタ
は、り゚ハの゚ツチされない郚分の厚さ゚ツチ
された溝からり゚ハの盞察する面たでの距離が
ぞき開面間の間隔より小さいこずである。り゚ハ
をぞき開する䞊での容易さ及び信頌性は、゚ツチ
されないり゚ハの厚さが小さくなるに぀れ倧きく
なる。
この゚ツチング方法は圢及び真性化合物半導
䜓材料に察し、有甚である。それは以䞋の工皋を
含む。
 化合物半導䜓䞊の゚ツチすべき衚面を、䟡電
子垯䞭に正孔を生成するのに十分な゚ネルギヌ
をも぀光で照射するこず  適床の酞化−還元速床を可胜にする十分な導
電性䞀般に0.0001Ωcm以䞊をもち、゚ツ
チング方法の酞化生成物を陀去する電解液に、
化合物半導䜓を露出するこず  化合物半導䜓を酞化−還元電気化孊プロセス
の䞀郚ずし、暙準電極に察し化合物半導䜓に印
加し、その電䜍は電解液䞭の化合物半導䜓の䟡
電子垯最倧倀ず䌝導垯最小倀の間の倀である。
そのような工皋により、兞型的な堎合−10ミ
クロンの幅、−100ミクロンの深さの垂盎な壁
の溝又は溝が急速に圢成される。特に重芁なこ
ずは、深く狭い溝を生成する゚ツチ方法の方向性
である。そのようにしお゚ツチされた構造は倱わ
れる量を最小にする埓぀お個々のレヌザヌ構造
はり゚ハ䞊でより近づけるこずができ、あるいは
空胎長はより小さくできるが、゚ツチングの深
さはぞき開をより容易にか぀信頌性あるものにす
る。り゚ハに応力を加えるこずにより奜たしく
はレヌザヌ構造の掻性領域䞭でぞき開が始たるよ
うな方法で、掻性領域䞭での半導䜓材料のぞき
開が達成される。兞型的な堎合、100ミクロン以
䞋、50ミクロンあるいは25ミクロンより短い非垞
に短いレヌザヌは、䜎閟倀、広いモヌド構造等優
れたレヌザヌ特性を有するように定垞的に補䜜で
きる。この方法は倧量生産に有甚で操䜜に習熟し
た人には、単調でもなく高い粟密性も必芁ずしな
い。
詳现な蚘述 本発明は特に深く狭い゚ツチ構造すなわち、
溝、溝等はある皮の半導䜓材料䞭に゚ツチで
き、これらの溝は化合物半導䜓レヌザヌ構造䞭の
結晶面に沿぀おぞき開を始めるのに適しおいる。
これらの溝は電気化孊フオト゚ツチング方法によ
り䜜られ、正方圢壁、溝あるいは䞞底などを含
む各皮の圢状をも぀およいが、䞀般に比范的深く
か぀狭い特性を有する。䞀般に、これらの溝はレ
ヌザヌ構造の裏面基板䞊レヌザヌの掻性領域か
ら離れお圢成され、半導䜓レヌザヌの端面でぞ
き開が起るよう、り゚ハを曲るか歪を加える。た
た、䟿利であるため、同じ䞀般的方法はレヌザヌ
構造の偎面をぞき開するためにも䜿甚できる。
特に重芁なのは、レヌザヌ構造䞊に溝を圢成す
るために甚いられる電気化孊フオト゚ツチング工
皋である。この工皋はある皮の半導䜓、すなわち
−化合物及び−化合物半導䜓を含む化合
物半導䜓に有甚である。フオト゚ツチング方法が
適甚できる兞型的な化合物半導䜓はCdS、CdSe、
HgCdTe、GaP、GaAs、AlAs、AlP、AlSb、
InSb、InAs、InP、GaInAs、GaInP、
GaInAsP、GaAlP及びGaAlAsである。真性及
び圢材料の䞡方が本方法により、゚ツチでき
る。真性半導䜓ずいうのは、正孔ず電子の数がほ
が等しい通垞100倍以内䞀連の半導䜓をさす。
真性半導䜓には、アンドヌプ半導䜓及び補償半
導䜓䞍玔物又は他のドヌパントを補償するた
め、トラツプをドヌプした半導䜓が含たれる。
兞型的な堎合、そのような半導䜓は106Ω−cm以
䞊の抵抗率を有する半絶瞁性である。しばしばそ
のような材料は半絶瞁性特性のため、基板ずしお
有甚である。
107Ω−cm又は108Ω−cm以䞊の抵抗率が甚いら
れる。
電子が正孔より倚い圢化合物半導䜓も含たれ
る。通垞圢半導䜓は族元玠の代りにドナす
なわち、むオり、セレン又はテルルを、たたは
族元玠の代りにシリコンをドヌピングするこず
により埗られる。兞型的なドヌピングレベルは
立方センチメヌトル圓り1015ないし1019原子で、
倚くの甚途には、立方センチメヌトル圓り1016
ないし1018原子が奜たしい。
䟿利であるため、゚ツチング方法に぀いお぀
の郚分にわけお述べる。電気化孊的郚分、照射郚
分、該方法に甚いられる電解液の特性である。
広矩には、゚ツチされる化合物半導䜓は、酞化
−還元電気化孊方法の䞀郚ずなり、化合物半導䜓
はアノヌド、䞍掻性材料は察向電極又はカ゜ヌド
になる。兞型的な堎合、カ゜ヌドは癜金又は癜金
メツキされたチタンのような䞍掻性金属である
が、各皮の材料が䜿える。
化合物半導䜓䞊の電䜍を以䞋で述べる範囲に調
敎し、酞化−還元反応のためのパワヌを䟛絊する
ため、電源電池又は電子的電源が甚いられ
る。加えお、化合物半導䜓䞊の電䜍を枬定するた
め、暙準電極通垞飜和KClカロメル電極、
SCEが甚いられる。電䜍は兞型的な堎合、電圧
圢で枬定され、゚ツチ速床に比䟋する電流は、
電流蚈で枬定される。
特に厳密さを必芁ずするのは、電気化孊的フオ
ト゚ツチング方法䞭の化合物半導䜓に印加される
電䜍である。電䜍が高すぎるず光がなくずも過床
の゚ツチングが起り、そのため゚ツチング方法は
本質的に等方的方法ずなる。この堎合、゚ツチさ
れる所望の幟䜕孊的圢状は埗られない。電䜍が䜎
すぎるず、゚ツチ速床があたりにも䜎くなりすぎ
るか、゚ツチングは党く起らない。䞀般的原則ず
しお、化合物半導䜓に印加される電䜍は、甚いら
れる電解液䞭の化合物半導䜓の䟡電子垯最倧電䜍
ず同じ条件䞋の化合物半導䜓の䌝導垯最小電䜍間
にあるべきである。
真性半導䜓の堎合、電䜍範囲は䟡電子垯最倧倀
ずフラツトバンド電䜍−しばしば䟡電子垯最倧倀
ず䌝導垯最小倀の䞭間にある䞀間にあるべきであ
る。しかし、フラツトバンド電䜍はわずかなド
ヌピング、衚面効果等により倉えるこずがで
き、より広い電䜍範囲がより適圓にみえる。これ
ら぀の電䜍䟡電子垯最倧倀及び䌝導垯最小倀
ぱツチされる具䜓的な化合物半導䜓、化合物半
導䜓䞭のドヌピングの皮類及び量、甚いられる電
解液の組成に䟝存する。しばしば、これら各皮の
電䜍は文献䞭のデヌタから盎接算出あるいは埗る
こずができるが、゚ツチング方法に甚いる実際の
電解液䞭でのボルタモグラムから、それらの量を
枬るのが、よりしばしば有利である。ボルタモグ
ラムにおいお、䞊で述べた兞型的な電気化孊的構
成における電流は、化合物半導䜓に印加される電
䜍の関数ずしお枬定される。これは光照射した堎
合及びしない堎合の䞡方に぀いお行なう。電䜍の
䞀領域においお、高電流で明らかなように光
照射した時高い゚ツチング速床が埗られ、光照射
をしない時、本質的に゚ツチングは起らないほ
ずんど電流れロこずがわかる。電気化孊フオト
゚ツチング方法で興味があるのは、この電䜍領域
である。光照射なしでも電流が増す電䜍は、䟡電
子垯電䜍より正で、光照射でこれが起る電䜍は䌝
導垯最小倀電䜍より正の時である。この電䜍はフ
ラツトバンド電䜍である。真性材料の堎合、これ
は通垞䟡電子垯最倧倀ず䌝導垯最小倀の䞭倮に䜍
眮する。圢材料の堎合、それは䌝導垯域最小倀
の付近にある。
ヘリりム−ネオンレヌザヌ波長6328オングス
トロヌムからの光を照射した時の兞型的なボル
タモグラムが、第図に瀺されおいる。これらの
枬定は光ずしおヘリりム−ネオンレヌザヌを甚い
お、圢InPの䞉方向に぀いお行な぀た。ドヌピ
ング密床はc.c.圓り玄1016原子であ぀た。枬定は
モル濃床塩酞溶液䞭で行な぀た。レヌザヌパワ
ヌは玄110マむクロワツトであ぀た。異なる曲線
は異なる結晶方䜍に察するものである。すなわ
ち、曲線は100面の゚ツチング、曲線
は111面、曲線は面の゚ツ
チングに぀いおである。光照射した堎合のボルタ
モグラムは、䞀郚分のみ瀺されおいる。光照射が
ない堎合、電流の開始埓぀お、゚ツチング
が、玄1.4ボルトだけより正電䜍方向にずれる。
図からわかるように、電䜍は玄−0.2ボルトから
増加し、玄0.2ボルトで最倧倀に達する。電流は
電気化孊フオト゚ツチングの速床の尺床である。
台圢状の最倧倀における電流の量゚ツチング速
床は電䜍には存圚せず、化合物半導䜓䞊に入射
する光の匷床にのみ比䟋する。化合物半導䜓䞊に
各皮の幟䜕孊的圢状が圢成可胜なのは、電気化孊
的フオト゚ツチング方法の特性である。第図に
瀺されおいるのず同様の曲線は、HF氎溶液、
HBr氎溶液、GaAs及びGaAlAsのような他の化
合物半導䜓でも埗られた。圢InPの堎合、光が
ないずきの゚ツチングは、䞀般に玄1.0ボルト
で起る。通垞、電気化孊的フオト゚ツチング方法
は、ボルタモグラムの平坊郚の電圧で、か぀光照
射なしで゚ツチングが起る電圧からは離れた電圧
で行なうのが最もよい。たずえば、圢InPの堎
合、これは玄0.2ボルトの電䜍においおである。
ここで、電䜍䟝存性のない゚ツチングの利点が埗
られ、光照射しない堎合の゚ツチング量は最小ず
なる。別の蚀い方をするず、゚ツチングは光匷床
により感床をもち、印加電圧にはほずんど感床が
ない。
圢GaAsの堎合、モル濃床HCl䞭での電䜍
は、玄−0.7ないし1.0ボルトで、−0.4ないし
0.4ボルトが奜たしく、0.0ボルトSCE基準が
ほずんどの゚ツチング方法に察し、最良である。
GaAlAsの堎合、䌝導垯はアルミニりムの濃床
に䟝存しお䟡電子垯には倧きな倉化を起さず、
0.4ボルトだけより負になり、その結果玄−1.1な
いし1.0の範囲が十分な結果を䞎える。
−0.8ないし0.4が奜たしい。
䟡電子垯䞭に正孔を生成させるために、光照射
が甚いられる、䞀般に、光照射の゚ネルギヌは、
これを達成するのに十分倧きくすべきである。理
論的には、光のフオトン゚ネルギヌは、少なくず
も半導䜓の犁制垯以䞊にすべきである。堎合によ
぀おは、犁制垯䞭に占有状態䞍玔物、ドヌピン
グ芁玠、補償甚芁玠、結晶欠陥等によるがある
ため、より小さな゚ネルギヌも䜿甚できる。しか
し、該方法は化合物半導䜓の犁制垯より倧きな゚
ネルギヌの光で、容易にか぀急速に行なえる。広
垯域光及び単色光の䞡方が䜿える。
該方法の具䜓的な利点は、゚ツチング速床が光
匷床に䟝存するこずである。埓぀お、適圓な光匷
床分垃及び光の方向により、各皮の幟䜕孊的圢状
が゚ツチできる。
本発明の芖点の重芁さを説明するために、いく
぀かの䟋が圹立぀であろう。化合物半導䜓䞭に深
い溝を゚ツチするため、溝が必芁な郚分ぞの光照
射を限定する目的で、マスクが甚いられる。平行
光集められた光を甚いるず、垂盎な壁の゚ツ
チングが確実になる。溝が必芁な堎合、光線は
溝に沿぀た線䞊に焊点を合わされ、焊点をあわせ
る線は、溝の底にする。逆円錐圢の堎合には、
円錐の頂点に光の焊点を合わせる必芁がある。
本発明の特に重芁なこずは、電解液の特性ず組
成である。電解液に䞀般に必芁なこずは、適床な
電気化孊フオト゚ツチ速床が埗られるよう、十分
導電性であるこずである。䞀般に、この条件を満
すためには、0.001Ωcm以䞊の導電率で十分で
ある。この条件は窒化ナトリりムのようなむオン
化塩を導入するこずにより満せるが、゚ツチされ
る化合物半導䜓の酞化生成物を陀去するために、
他の化孊物質が存圚しおも、通垞それは満され
る。
もう䞀぀の別の条件は容易に述べられるが、実
際に行なうのはあたり容易でないこずで、電解液
は酞化−還元電気化孊反応又は光照射工皋に有害
な圱響を䞎えるこずである。䞀般に、このこずは
電解液の組成は、いずれの電極における電䜍によ
぀おも酞化又は還元を起さず、該方法に甚いられ
る光に察し䞍透明であ぀おはならないすなわ
ち、過床の吞収があ぀おはならない。これらの
特定の条件䞋においお、電解液におだやかな酞化
剀を導入し、カ゜ヌドにおける還元を容易に行な
わせるこずも䟿利で、有利である。同様の状態は
おだやかな還元剀でも埗られるが、ほずんどの堎
合、アノヌド半導䜓材料及びカ゜ヌド察向
電極における電気化孊的条件の安定性が奜たし
い。䞀般に、カ゜ヌドにおける還元には、氎の還
元による氎玠ガスの圢成が含たれる。
たずえば、本発明を実斜するのに倚数の酞が䜿
甚できるが、HNO3が還元したりあるいはHIが
酞化する可胜性のために、HNO3及びHIは避け
る。
電解液に぀いお最も厳密さを必芁ずする条件
は、それがフオト゚ツチング方法は酞化生成物を
急速にか぀゚ツチ速床を制限しないように陀去す
るこずである。これら酞化生成物は、溶解床の高
いこずが奜たしい。この目的を達成するために、
酞及び塩基の䞡方が甚いられ、䞀般にPHの倀は
以䞋又は以䞊である。PHは以䞋は11以䞊が奜
たしい。アルカリ溶液は、通垞氎酞化ナトリりム
又は氎酞化カリりムのようなアルカリ物質を加え
るこずにより䜜られる。゚ツチング方法の酞化生
成物を確実にか぀急速に陀去するために、キレヌ
ト剀も有甚である。
ハロゲン酞HF、HCl及びHBrが最もよい結果
を生じるこずがわか぀た。これらの酞は急速な゚
ツチングを生成するだけでなく、電気化孊的フオ
ト゚ツチング方法で甚いられる電䜍においお、き
わめお安定である。硫酞溶液もある皮の化合物半
導䜓すなわちGaAsで、優れた結果を生じる
が、むンゞりムを含む化合物半導䜓すなわち
InPに察しおは通垞避けるべきである。
酞の濃床は0.05モル濃床ないし10モル濃床を含
む広い範囲で倉化させおよいが、最善の結果は通
åžž0.2ないし2.0モル濃床の範囲で埗られる。加え
お、ほずんどの堎合、安定性、急速な゚ツチン
グ、光デバむス補䜜で生じる損傷を最小にするこ
ずのため、塩酞が奜たしい。䞀般に、゚ツチング
速床は広範囲に倉えおもよいが、䞀般に平方セ
ンチメヌトル圓りないし150ミリアンペア間の
速床が、優れた結果を生む。
䞊で述べた方法は、半導䜓り゚ハから個々のぞ
き開されたレヌザヌ構造を圢成するために、構造
をぞき開する目的で、り゚ハ䞭に栞み目又は溝を
゚ツチするのに甚いられる。この方法に぀いお、
GaAsレヌザヌを䟋に説明するが、圢又は真性
化合物半導䜓で䜜られた任意の型のレヌザヌが、
本発明の方法を甚いお䜜られる。
本発明は、広矩にはレヌザヌり゚ハ基板䞭ある
いはレヌザヌの局䞭に、レヌザヌの掻性郚分から
離れお各皮の幟䜕孊的圢状を゚ツチするための䞊
で述べた電気化孊的フオト゚ツチング方法を含
み、それによりぞき開鏡面を生成するよう構造を
ぞき開する助けずなる。通垞栞み目又は溝が甚い
られるが、光が攟出される郚分から離れお、構造
を貫く穎も䜿甚できる。
第図はぞき開前の個々のレヌザヌを有する兞
型的なり゚ハの䞀郚分を瀺す。り゚ハの構造
は、本発明を説明するためには兞型的なものであ
る。り゚ハはc.c.圓り玄1017−1018原子の量のシ
リコンをドヌプした型GaAsで䜜られおいる基
板から成る。基板は金属通垞金電極
で被芆され、それぱツチされたチダネルが必芁
なフオトツチング方法甚マスクずしおも働く。基
板の他方の衚面には、以䞋の局がその順序で、䞀
般的に液盞゚ピタキシヌにより圢成される。
Ga.64Al.36Asの圢局、Ga.92Al.08Asの
圢局、Ga.64Al.36As.の圢局及びGaAsの
圢局である。この最埌の局は金属局
䞀般に金又は金合金により被芆され、それは
最終的には金属電極ずなる。溝は以䞋のように゚
ツチされる。最初に、溝のない第図に瀺される
ようなり゚ハが、1.0モル濃床塩酞から成る電解
液䞭に浞される。り゚ハはり゚ハ構造䞭の金属局
の䞀぀に、電源を電気的に接続するこずにより、
電解液構造のアノヌドずなる。癜金片がこの構成
䞭のカ゜ヌドずなり、飜和カロメル、セルが暙準
電䜍ずしお甚いられる。玄0.0ボルトSCE基準
の電䜍が半導䜓り゚ハ䞊に印加されるように、電
源が甚いられる。広垯域タングステン光源が光源
ずしお䜿甚され、金属電極間に光の焊点が確実に
あい、溝が確実に゚ツチされるように、各皮の
レンズが甚いられた。溝は可倉透過マスクを甚
い、溝が最も深くなる所で光匷床を最倧にし、溝
のあるマスクでは、焊点をはずすこずにより埗ら
れる。゚ツチングは第図に瀺されるものに非垞
に近い溝を圢成するために、玄時間の゚ツチ
ングを行な぀た。
ぞき開面は半導䜓レヌザヌの前面及び裏面での
み必芁であるから、溝は䞀方向にのみ生成する
必芁がある。レヌザヌの暪方向に沿぀お、通垞の
゜ヌカツトを甚いおもよい。しかし、䞡方向に本
発明に埓぀た溝を圢成しおもよい。幟分異なる
電䜍通垞0.2ボルトが甚いられるこずを陀い
お、同様の結果がInP圢レヌザヌ構造を甚いお埗
られた。
所望の領域のぞき開を行なうために、溝ずは
別にあるいは組合せお、他の構造を甚いおもよ
い。䞞底の溝ず同様、正方圢の壁の溝を甚いおも
よい。たた、レヌザヌ領域を避ける泚意をすれ
ば、ぞき開はり゚ハの反察の偎で行な぀おもよ
い。゚ツチングをレヌザヌの掻性領域䞭で行なわ
なければ、り゚ハ構造党䜓あるいはり゚ハ構造の
党䜓を貫く穎を甚いおもよい。
ぞき開は圓業者には呚知の各皮の方法で行なう
こずができる。䞀般に、これはたずえばり゚ハを
曲げるこずにより、溝に沿぀お応力を加えるこず
によ぀お行なえる。レヌザヌの掻性領域近くでぞ
き開を始めるのも、非垞に有利であるこずがわか
぀た。掻性領域近くでぞき開を始めるこずにより
䜜られた半導䜓レヌザヌは、䜎閟倀、高パワヌ、
良奜な品質の鏡ずい぀た奜たしい特性を瀺す。こ
の理由により、ぞき開ぱピタキシダル局を含む
り゚ハ端郚で始めるのが奜たしい。埓぀お、ぞき
開は溝又はチダネルの壁を、盞互に匕離すように
するこずにより、行なえるはずである。
【図面の簡単な説明】
第図は圢InPのボルタモグラム、第図は
分離をする前に、ぞき開を行なうためり゚ハ䞭に
溝が゚ツチされた個々のレヌザヌ結晶を有する
半導䜓り゚ハの透芖図である。 〔䞻芁郚分の笊号の説明〕、り゚ハヌ  。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  ぞき開された衚面の䞀郚が半導䜓レヌザヌの
    掻性領域䞭にあり、端郚鏡間の距離が100Ό以
    䞋の半導䜓レヌザヌ補䜜に特に適し、該ぞき開は
    り゚ハ䞊の真性又は圢化合物半導䜓の䞀郚を電
    解液䞭で最初に゚ツチングし、次にぞき開面を生
    成するようり゚ハに応力を加えるこずにより行
    う、真性たたは圢化合物半導䜓からなる半導䜓
    り゚ハをぞき開するこずによる半導䜓レヌザヌ補
    造方法においお、 該゚ツチングは 電解液䞭の半導䜓化合物の䟡電子垯最倧電䜍
    ず、電解液䞭の半導䜓化合物の䌝導垯最小電䜍間
    の電䜍を、半導䜓化合物に印加する工皋、 ゚ツチすべき化合物半導䜓の衚面の䞀郚に、䟡
    電子垯䞭に正孔を生成するのに十分な゚ネルギヌ
    を有する光を照射する工皋及び 電解液の組成には、化合物半導䜓衚面から゚ツ
    チングにより生じた酞化生成物を陀去する物質を
    含める工皋 から成る電気化孊フオト゚ツチング方法により行
    なうこずを特城ずする半導䜓レヌザヌ補造方法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法にお
    いお、 −10Ό幅、50−100Ό深さの狭いスロツト
    を圢成するこずを特城ずする半導䜓レヌザヌ補造
    方法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法にお
    いお、 最倧幅−10Ό、深さ50−100Όの溝を圢
    成するこずを特城ずする半導䜓レヌザヌ補造方
    法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法にお
    いお、電解液のPHは以䞊、奜たしくは11以䞊で
    あるこずを特城ずする半導䜓レヌザヌ補造方法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法にお
    いお、 電解液のPHは以䞋、奜たしくは以䞋である
    こずを特城ずする半導䜓レヌザヌ補造方法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法にお
    いお、 電解液はHF、HCl及びHBrから遞択された酞
    からなるこずを特城ずする半導䜓レヌザヌ補造方
    法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法にお
    いお、 酞はHClで、酞濃床は玄0.05乃至10モル濃床、
    奜たしくは0.2乃至2.0モル濃床で倉化するこずを
    特城ずする半導䜓レヌザヌ補造方法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法にお
    いお、 化合物半導䜓は真性又は圢で、ドヌピングレ
    ベルは立方センチメヌトル圓り1015ないし1019
    原子であるこずを特城ずする半導䜓レヌザヌ補造
    方法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法にお
    いお、 化合物半導䜓はCdS、CdSe、HgCdTeから遞
    択された−化合物半導䜓、GaP、GaAs、
    AlAs、AlP、AlSb、InSb、InAs、InP、
    GaInAs、GaInP、GaInAsP、GaAlP及び
    GaAlAsから遞択された−化合物半導䜓であ
    るこずを特城ずする半導䜓レヌザヌ補造方法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法に
    おいお、 化合物半導䜓は圢InPで面䟋えば100の
    電䜍はSCE基準で、モル濃床のHCl䞭におい
    お、−0.5ないし1.0ボルト、奜たしくは−0.1ない
    し0.5ボルトであるこずを特城ずする半導䜓レヌ
    ザヌ補造方法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法に
    おいお、 化合物半導䜓は圢GaAsで、電䜍はモル濃
    床HCl䞭においお、SCE基準で−0.7ないし1.0
    ボルト、奜たしくは−0.4ないし0.4ボルトである
    こずを特城ずする半導䜓レヌザヌ補造方法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法に
    おいお、 攟射゚ネルギヌは化合物半導䜓の犁制垯以䞊で
    あるこずを特城ずする半導䜓レヌザヌ補造方法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法に
    おいお、 ぞき開が半導䜓レヌザヌの掻性領域付近で最初
    に起こるよう応力を印加するこずを特城ずする半
    導䜓レヌザヌ補造方法。  特蚱請求の範囲第項に蚘茉された方法に
    おいお、 半導䜓レヌザヌは50Ό以䞋又は25Ό以䞋の
    長さを有するこずを特城ずする半導䜓レヌザヌ補
    造方法。
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