JPH0136247B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0136247B2 JPH0136247B2 JP55126333A JP12633380A JPH0136247B2 JP H0136247 B2 JPH0136247 B2 JP H0136247B2 JP 55126333 A JP55126333 A JP 55126333A JP 12633380 A JP12633380 A JP 12633380A JP H0136247 B2 JPH0136247 B2 JP H0136247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- container
- grounding
- parallel plate
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 10
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、プラズマエツチング装置の改良に
関する。
関する。
近時、ICやLSI等の製造時において多結晶シリ
コンや窒化シリコン等の膜をエツチングするもの
として、プラズマエツチング装置が用いられてい
る。このプラズマエツチング装置は、基本的には
第１図に示す如く構成されている。すなわち、ハ
ロゲン元素を含むガスが導入されるエツチング室
１内に一対の平行平板電極２，３が配置され、こ
れらの電極２，３間に高周波電源４にて高周波電
力が印加される。そして、上記各電極２，３間に
放電プラズマが生成され、このプラズマによつて
電極３上に載置された被エツチング物５がエツチ
ングされるものとなつている。
コンや窒化シリコン等の膜をエツチングするもの
として、プラズマエツチング装置が用いられてい
る。このプラズマエツチング装置は、基本的には
第１図に示す如く構成されている。すなわち、ハ
ロゲン元素を含むガスが導入されるエツチング室
１内に一対の平行平板電極２，３が配置され、こ
れらの電極２，３間に高周波電源４にて高周波電
力が印加される。そして、上記各電極２，３間に
放電プラズマが生成され、このプラズマによつて
電極３上に載置された被エツチング物５がエツチ
ングされるものとなつている。
ところで、このようなエツチング装置を実際に
製造する場合には、一般に金属製の容器で前記エ
ツチング室１を形成しこの容器を接地すると共
に、前記電極２を銀メツキ銅板等を介して上記容
器に接続するようにしている。このため、上記電
極２の接地状態は高周波的には完全接地とは言え
ず、上記銅板等の構造により完全接地と非接地と
の中間の状態に自動的に決定される。
製造する場合には、一般に金属製の容器で前記エ
ツチング室１を形成しこの容器を接地すると共
に、前記電極２を銀メツキ銅板等を介して上記容
器に接続するようにしている。このため、上記電
極２の接地状態は高周波的には完全接地とは言え
ず、上記銅板等の構造により完全接地と非接地と
の中間の状態に自動的に決定される。
一方、前記エツチング時には前記電極３と接地
端との間に自己バイアス電圧VDCが発生するが、
この自己バイアス電圧VDCはエツチングにおける
アンダーカツトを含む形状、エツチング速度およ
びレジストに対するダメージ等を決定する大きな
要因となる。このため、自己バイアス電圧VDCを
最適な値に制御すればより効果的なエツチングを
行うことができる。しかしながら、自己バイアス
電圧VDCは装置構造、例えば電極２，３の形状、
面積および電極２の接地状態等が定まると、前記
高周波電力により一義的に決定されるものであ
る。したがつて、自己バイアス電圧VDCをエツチ
ングに最適な値に制御するには、必然的に高周波
電力の大きさが限定される。逆に言えば、高周波
電力の大きさが定まると自己バイアス電圧VDCを
任意な値に制御することは困難で、このため効果
的なエツチングを行い得ないと云う問題があつ
た。
端との間に自己バイアス電圧VDCが発生するが、
この自己バイアス電圧VDCはエツチングにおける
アンダーカツトを含む形状、エツチング速度およ
びレジストに対するダメージ等を決定する大きな
要因となる。このため、自己バイアス電圧VDCを
最適な値に制御すればより効果的なエツチングを
行うことができる。しかしながら、自己バイアス
電圧VDCは装置構造、例えば電極２，３の形状、
面積および電極２の接地状態等が定まると、前記
高周波電力により一義的に決定されるものであ
る。したがつて、自己バイアス電圧VDCをエツチ
ングに最適な値に制御するには、必然的に高周波
電力の大きさが限定される。逆に言えば、高周波
電力の大きさが定まると自己バイアス電圧VDCを
任意な値に制御することは困難で、このため効果
的なエツチングを行い得ないと云う問題があつ
た。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、エツチング時に発生す
る自己バイアス電圧を任意の値に制御して、効果
的なエツチングを行い得る簡易な構成のプラズマ
エツチング装置を提供することにある。
その目的とするところは、エツチング時に発生す
る自己バイアス電圧を任意の値に制御して、効果
的なエツチングを行い得る簡易な構成のプラズマ
エツチング装置を提供することにある。
すなわち、本発明は高周波電力が印加される電
極に対向する接地側の電極を接地された容器等と
絶縁して設けると共に、この接地側の電極と容器
等との間に高周波的な接続状態を可変し得る接続
機構等を設け、この接続機構によつて上記接地側
の電極の接地状態を変えるようにして、前記目的
を達成せんとしたものである。
極に対向する接地側の電極を接地された容器等と
絶縁して設けると共に、この接地側の電極と容器
等との間に高周波的な接続状態を可変し得る接続
機構等を設け、この接続機構によつて上記接地側
の電極の接地状態を変えるようにして、前記目的
を達成せんとしたものである。
以下、この発明の詳細を図示の実施例によつて
説明する。
説明する。
第２図はこの発明の一実施例の概略構成を示す
断面模式図である。図中１１はステンレス鋼等で
形成され、かつ完全に接地された円環状の容器で
あり、この容器１１は後述する電極１２，１３と
共にエツチング室を構成している。容器１１の外
周壁には排気孔１１ａが設けられ、この排気孔１
１ａを介して上記エツチング室内が真空排気され
る。また、容器１１内には同容器１１の上壁を貫
通してガス導入管１４が挿入され、このガス導入
管１４を介して前記エツチング室内にハロゲン元
素を含むガス、例えばCCl4とCl2との混合ガスが
導入されるものとなつている。
断面模式図である。図中１１はステンレス鋼等で
形成され、かつ完全に接地された円環状の容器で
あり、この容器１１は後述する電極１２，１３と
共にエツチング室を構成している。容器１１の外
周壁には排気孔１１ａが設けられ、この排気孔１
１ａを介して上記エツチング室内が真空排気され
る。また、容器１１内には同容器１１の上壁を貫
通してガス導入管１４が挿入され、このガス導入
管１４を介して前記エツチング室内にハロゲン元
素を含むガス、例えばCCl4とCl2との混合ガスが
導入されるものとなつている。
前記電極１２，１３は円板状の金属からなるも
ので、それぞれ絶縁環１５を介して容器１１の内
周部に取着され互いに対向配置されている。そし
て、上記電極１２の外周部と容器１１の内周部と
の間には、第３図に示すような金属板を波形に折
曲してなる接続部材１６が嵌め込まれている。ま
た、この接続部材１６は第４図に第２図のＡ−Ａ
方向矢視図を示す如く、例えば３個嵌め込まれて
いる。そして、上記接続部材１６の形状や個数等
により電極２の接地状態が可変されるものとなつ
ている。一方、前記電極１３には整合器１７を介
して周波数13.56〔MHz〕の高周波電源１８が接
続されている。そして、前記被エツチング物５は
上記電極１３の上面に載置される。
ので、それぞれ絶縁環１５を介して容器１１の内
周部に取着され互いに対向配置されている。そし
て、上記電極１２の外周部と容器１１の内周部と
の間には、第３図に示すような金属板を波形に折
曲してなる接続部材１６が嵌め込まれている。ま
た、この接続部材１６は第４図に第２図のＡ−Ａ
方向矢視図を示す如く、例えば３個嵌め込まれて
いる。そして、上記接続部材１６の形状や個数等
により電極２の接地状態が可変されるものとなつ
ている。一方、前記電極１３には整合器１７を介
して周波数13.56〔MHz〕の高周波電源１８が接
続されている。そして、前記被エツチング物５は
上記電極１３の上面に載置される。
このような構成であれば、容器１１および電極
１２，１３からなるエツチング室内を真空排気す
ると共に、エツチング室内にCCl4とCl2との混合
ガスを導入し、さらに電極１２，１３間に高周波
電力を印加すると、上記電極１２，１３間にグロ
ー放電が生起される。この放電により生成された
プラズマによつて、被エツチング物５がエツチン
グされることになる。そして、このとき上記電極
１３と接地端との間には第５図に示す如き自己バ
イアス電圧VDCが発生する。すなわち、第５図中
破線で示す接地電位に対して負の電圧が発生す
る。この電圧VDCは前記電極１２の接地状態、つ
まり前記接続部材１６の形状や個数等で変化する
ものである。電極１２の接地状態は接続部材１６
の個数を増す等して電極１２と容器１１との接地
面積を増やすと完全接地に近くなる。したがつ
て、この場合に発生する自己バイアス電圧VDCは
第６図に示す如く電極１２を容器１１と一体形成
した装置と略等しくなる。また、前記接続部材１
６の個数を減らす等して電極１２と容器１１との
接地面積を減らすと電極１２の接地状態は非接地
に近くなる。したがつて、この場合に発生する自
己バイアス電圧VDCは第７図に示す如く電極１２
を容器１１と完全に絶縁した装置と略等しくな
る。
１２，１３からなるエツチング室内を真空排気す
ると共に、エツチング室内にCCl4とCl2との混合
ガスを導入し、さらに電極１２，１３間に高周波
電力を印加すると、上記電極１２，１３間にグロ
ー放電が生起される。この放電により生成された
プラズマによつて、被エツチング物５がエツチン
グされることになる。そして、このとき上記電極
１３と接地端との間には第５図に示す如き自己バ
イアス電圧VDCが発生する。すなわち、第５図中
破線で示す接地電位に対して負の電圧が発生す
る。この電圧VDCは前記電極１２の接地状態、つ
まり前記接続部材１６の形状や個数等で変化する
ものである。電極１２の接地状態は接続部材１６
の個数を増す等して電極１２と容器１１との接地
面積を増やすと完全接地に近くなる。したがつ
て、この場合に発生する自己バイアス電圧VDCは
第６図に示す如く電極１２を容器１１と一体形成
した装置と略等しくなる。また、前記接続部材１
６の個数を減らす等して電極１２と容器１１との
接地面積を減らすと電極１２の接地状態は非接地
に近くなる。したがつて、この場合に発生する自
己バイアス電圧VDCは第７図に示す如く電極１２
を容器１１と完全に絶縁した装置と略等しくな
る。
ところで、前記第６図および第７図に示した各
装置の印加高周波電力Ｐに対する自己バイアス電
圧VDCを測定したところ第８図に示すような結果
が得られた。すなわち、第６図に示す電極１２を
完全接地した装置では、曲線Ｘに示す如く高周波
電力Ｐの増大に伴つて自己バイアス電圧VDCが負
の方向に大きくなつた。また、第７図に示す電極
１２を非接地とした装置では、曲線Ｙで示す如く
上記曲線Ｘを上方向にスライドしたようなものと
なつた。このように電極１２の接地状態に応じて
電極１３と接地端との間に発生する自己バイアス
電圧VDCは異なつてくる。したがつて、前記第２
図に示した本実施例装置では、接続部材１６の個
数を変えることにより、上記自己バイアス電圧
VDCが前記曲線Ｘと曲線Ｙとの間の領域に制御さ
れる。例えば、高周波電力Ｐが200〔Ｗ〕の場合自
己バイアス電圧VDCは−135〔Ｖ〕＜VDC＜−50〔Ｖ〕
に、高周波電力Ｐが300〔Ｗ〕の場合−215〔Ｖ〕＜
VDC＜−115〔Ｖ〕に制御される。また、エツチン
グにおいて最適な自己バイアス電圧VDCが−100
〔Ｖ〕であるとすると、従来装置では上記電圧
VDC＝−100〔Ｖ〕により一義的に高周波電力Ｐの
大きさが決定されるが、本装置では前記接続部材
１６の個数を変えることにより高周波電力Ｐを
150〔Ｗ〕＜Ｐ＜275〔Ｗ〕と広い範囲内で自由に選
択することができる。
装置の印加高周波電力Ｐに対する自己バイアス電
圧VDCを測定したところ第８図に示すような結果
が得られた。すなわち、第６図に示す電極１２を
完全接地した装置では、曲線Ｘに示す如く高周波
電力Ｐの増大に伴つて自己バイアス電圧VDCが負
の方向に大きくなつた。また、第７図に示す電極
１２を非接地とした装置では、曲線Ｙで示す如く
上記曲線Ｘを上方向にスライドしたようなものと
なつた。このように電極１２の接地状態に応じて
電極１３と接地端との間に発生する自己バイアス
電圧VDCは異なつてくる。したがつて、前記第２
図に示した本実施例装置では、接続部材１６の個
数を変えることにより、上記自己バイアス電圧
VDCが前記曲線Ｘと曲線Ｙとの間の領域に制御さ
れる。例えば、高周波電力Ｐが200〔Ｗ〕の場合自
己バイアス電圧VDCは−135〔Ｖ〕＜VDC＜−50〔Ｖ〕
に、高周波電力Ｐが300〔Ｗ〕の場合−215〔Ｖ〕＜
VDC＜−115〔Ｖ〕に制御される。また、エツチン
グにおいて最適な自己バイアス電圧VDCが−100
〔Ｖ〕であるとすると、従来装置では上記電圧
VDC＝−100〔Ｖ〕により一義的に高周波電力Ｐの
大きさが決定されるが、本装置では前記接続部材
１６の個数を変えることにより高周波電力Ｐを
150〔Ｗ〕＜Ｐ＜275〔Ｗ〕と広い範囲内で自由に選
択することができる。
このように本装置では、高周波電力Ｐが印加さ
れる電極１３に対向する接地側の電極１２と接地
された容器１１との間に接続部材１６を設け、こ
の接続部材１６により上記電極１２の接地状態を
可変させるようにしている。したがつて、エツチ
ング時に発生する自己バイアス電圧VDCを高周波
電力Ｐに限定されることなくエツチングに最適な
値に制御することができ、効果的なエツチングを
行い得る。さらに、従来装置に比して接続部材１
６を付加するのみの非常に簡単な構成で実現し得
る等の効果を奏する。
れる電極１３に対向する接地側の電極１２と接地
された容器１１との間に接続部材１６を設け、こ
の接続部材１６により上記電極１２の接地状態を
可変させるようにしている。したがつて、エツチ
ング時に発生する自己バイアス電圧VDCを高周波
電力Ｐに限定されることなくエツチングに最適な
値に制御することができ、効果的なエツチングを
行い得る。さらに、従来装置に比して接続部材１
６を付加するのみの非常に簡単な構成で実現し得
る等の効果を奏する。
また、接続部材１６は接地側の電極１２の電位
を制御するものであつて、これが複数個あるか
ら、これらの選択的な着脱によつて電極１２の電
位分布を適当に設定することが可能である。従つ
て本発明によれば、接地側電極１２内の電位分布
を均一に設定することは勿論、対向電極１３との
平行度等に応じて電位分布を制御して、処理する
ウエーハ内のエツチングの均一性を向上させるこ
とが可能になる。
を制御するものであつて、これが複数個あるか
ら、これらの選択的な着脱によつて電極１２の電
位分布を適当に設定することが可能である。従つ
て本発明によれば、接地側電極１２内の電位分布
を均一に設定することは勿論、対向電極１３との
平行度等に応じて電位分布を制御して、処理する
ウエーハ内のエツチングの均一性を向上させるこ
とが可能になる。
第９図は他の実施例の概略構成を示す断面模式
図である。なお、第２図と同一部分には同一符号
を付して、その詳しい説明は省略する。この実施
例が先に説明した実施例と異なる点は、前記接続
部材１６の代りに金属板および板ばね等からなる
接続機構２０を用いたことである。すなわち、電
極１２の上部には第１０図に第９図のＢ−Ｂ方向
矢視図を示す如く電極１２の周方向に沿つて等間
隔に、例えば８個の接続機構２０が設けられてい
る。これらの接続機構２０は一端を容器１１に取
着され、他端を板ばね等の押圧により電極１２に
接触自在となるように形成されている。
図である。なお、第２図と同一部分には同一符号
を付して、その詳しい説明は省略する。この実施
例が先に説明した実施例と異なる点は、前記接続
部材１６の代りに金属板および板ばね等からなる
接続機構２０を用いたことである。すなわち、電
極１２の上部には第１０図に第９図のＢ−Ｂ方向
矢視図を示す如く電極１２の周方向に沿つて等間
隔に、例えば８個の接続機構２０が設けられてい
る。これらの接続機構２０は一端を容器１１に取
着され、他端を板ばね等の押圧により電極１２に
接触自在となるように形成されている。
このような構成であれば、接続機構２０を電極
１２に接触させる個数によつて、電極１２の接地
状態を自由に変えることができる。したがつて、
先の実施例と同様の効果を奏する。また、電極と
の接触を容易に行える接続機構２０を用いている
ので、電極１２の接地状態を簡易に、かつ速やか
に可変し得る等の利点がある。
１２に接触させる個数によつて、電極１２の接地
状態を自由に変えることができる。したがつて、
先の実施例と同様の効果を奏する。また、電極と
の接触を容易に行える接続機構２０を用いている
ので、電極１２の接地状態を簡易に、かつ速やか
に可変し得る等の利点がある。
なお、この発明は上述した各実施例に限定され
るものではない。例えば、前記接続部材および接
続機構は、前記接地側の電極と接地された容器等
との間に設けられ、これらの高周波的な接続状態
を可変し得るものであればよく、その形状や個数
等は仕様に応じて適宜定めればよい。また、導入
ガスとしてCCl4とCl2との混合ガスに限らず各種
のハロゲン元素を含んだガスにも適用できるのは
勿論のことである。さらに、前記容器の形状や高
周波電源の周波数等も仕様に応じて変更できるの
は勿論のことである。その他、この発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが
できる。
るものではない。例えば、前記接続部材および接
続機構は、前記接地側の電極と接地された容器等
との間に設けられ、これらの高周波的な接続状態
を可変し得るものであればよく、その形状や個数
等は仕様に応じて適宜定めればよい。また、導入
ガスとしてCCl4とCl2との混合ガスに限らず各種
のハロゲン元素を含んだガスにも適用できるのは
勿論のことである。さらに、前記容器の形状や高
周波電源の周波数等も仕様に応じて変更できるの
は勿論のことである。その他、この発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが
できる。
第１図はプラズマエツチング装置の基本構成を
示す模式図、第２図はこの発明の一実施例の概略
構成を示す断面模式図、第３図は上記実施例の要
部構成を示す斜視図、第４図は第２図のＡ−Ａ方
向矢視図、第５図乃至第８図は上記実施例の作用
を説明するもので第５図は自己バイアス電圧を示
す信号波形図、第６図は完全接地状態を示す断面
模式図、第７図は非接地状態を示す断面模式図、
第８図は高周波電力に対する自己バイアス電圧の
大きさを示す特性図、第９図は他の実施例の概略
構成を示す断面模式図、第１０図は第９図のＢ−
Ｂ方向矢視図である。 １１…容器、１２，１３…電極、１４…ガス導
入管、１５…絶縁管、１６…接続部材、２０…接
続機構、５…被エツチング物。
示す模式図、第２図はこの発明の一実施例の概略
構成を示す断面模式図、第３図は上記実施例の要
部構成を示す斜視図、第４図は第２図のＡ−Ａ方
向矢視図、第５図乃至第８図は上記実施例の作用
を説明するもので第５図は自己バイアス電圧を示
す信号波形図、第６図は完全接地状態を示す断面
模式図、第７図は非接地状態を示す断面模式図、
第８図は高周波電力に対する自己バイアス電圧の
大きさを示す特性図、第９図は他の実施例の概略
構成を示す断面模式図、第１０図は第９図のＢ−
Ｂ方向矢視図である。 １１…容器、１２，１３…電極、１４…ガス導
入管、１５…絶縁管、１６…接続部材、２０…接
続機構、５…被エツチング物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 平行平板電極と、この平行平板電極の外周に
配置されて平行平板電極と共にエツチング室を構
成する接地された容器と、前記エツチング室にエ
ツチング用のガスを導入する手段と、前記平行平
板電極間に高周波電力を印加する手段とを備えた
プラズマエツチング装置において、前記平行平板
電極の外周部と前記容器の間には絶縁環を配設
し、且つ前記平行平板電極の高周波電力が印加さ
れる側の電極に対向する接地側電極の外周部と前
記接地された容器との間に前記接地側電極の電位
を制御する着脱可能な接地手段を複数個配設した
ことを特徴とするプラズマエツチング装置。 ２ 前記接地手段は、前記接地側電極と前記容器
の間に前記絶縁環と共に挟み込まれる波形金属板
からなる接続部材である特許請求の範囲第１項記
載のプラズマエツチング装置。 ３ 前記接地手段は、一端が前記容器に取着さ
れ、他端が板バネの押圧力により接地側電極に接
触自在に形成された接続機構である特許請求の範
囲第１項記載のプラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12633380A JPS5750435A (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Plasma etching device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12633380A JPS5750435A (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Plasma etching device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5750435A JPS5750435A (en) | 1982-03-24 |
| JPH0136247B2 true JPH0136247B2 (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=14932579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12633380A Granted JPS5750435A (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Plasma etching device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5750435A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2603217B2 (ja) * | 1985-07-12 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | 表面処理方法及び表面処理装置 |
| JPH0697676B2 (ja) * | 1985-11-26 | 1994-11-30 | 忠弘 大見 | ウエハサセプタ装置 |
| JP2569658B2 (ja) * | 1987-12-22 | 1997-01-08 | 株式会社安川電機 | 電動機の同期運転方式 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368171A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for plasma treatment |
| JPS53114679A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Fujitsu Ltd | Plasm etching unit |
| JPS5440079A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-28 | Fujitsu Ltd | Plasma etching method |
-
1980
- 1980-09-11 JP JP12633380A patent/JPS5750435A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368171A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for plasma treatment |
| JPS53114679A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Fujitsu Ltd | Plasm etching unit |
| JPS5440079A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-28 | Fujitsu Ltd | Plasma etching method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5750435A (en) | 1982-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5219479B2 (ja) | 弾道電子ビーム促進プラズマ処理システムにおける均一性制御方法及びシステム | |
| CN100380605C (zh) | 等离子体处理装置和方法以及等离子体处理装置的电极板 | |
| US5965034A (en) | High frequency plasma process wherein the plasma is executed by an inductive structure in which the phase and anti-phase portion of the capacitive currents between the inductive structure and the plasma are balanced | |
| EP1289003B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR100652983B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 방법 | |
| US6017221A (en) | Process depending on plasma discharges sustained by inductive coupling | |
| JP3266163B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US8012305B2 (en) | Exhaust assembly for a plasma processing system | |
| JP3375646B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US7767056B2 (en) | High-frequency plasma processing apparatus | |
| JPH0730468B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| KR19980025047A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| JP2006507662A (ja) | プラズマ処理システム内のアーク抑制方法およびシステム | |
| JP2006210929A (ja) | 低アーク放電性、円筒形ガスアウトレット及び成形表面を有するプラズマリアクタ・オーバーヘッド・ソースパワー電極 | |
| KR940011662A (ko) | 이방성 에칭방법 및 장치 | |
| JPH07147275A (ja) | 限定されたプラズマ補助化学エッチング用電極装置 | |
| US6204604B1 (en) | Method and apparatus for controlling electrostatic coupling to plasmas | |
| US7323081B2 (en) | High-frequency plasma processing apparatus | |
| JPH04279044A (ja) | 試料保持装置 | |
| KR20030095256A (ko) | 동시 방전화 장치 | |
| JPH0136247B2 (ja) | ||
| JPH11233292A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH1167725A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP2000348897A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH07201822A (ja) | ドライエッチング装置 |