JPH01321675A - 半導体光増幅器 - Google Patents
半導体光増幅器Info
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- JPH01321675A JPH01321675A JP15561088A JP15561088A JPH01321675A JP H01321675 A JPH01321675 A JP H01321675A JP 15561088 A JP15561088 A JP 15561088A JP 15561088 A JP15561088 A JP 15561088A JP H01321675 A JPH01321675 A JP H01321675A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、端面反射率の抑制によって、入力光波長変動
に対して、信号利得の変動が少なく、かつ、シングルモ
ードファイバとの結合損失も小さい半導体光増幅器に関
する。
に対して、信号利得の変動が少なく、かつ、シングルモ
ードファイバとの結合損失も小さい半導体光増幅器に関
する。
半導体光増幅器は、長距離伝送系での中継器として用−
ることによって、中継器の小型化、再生中継間隔の拡大
を可能にする。また、光検出器の直前で、光装置増幅器
として用いることによって、直接検波方式に比べて受光
レベルを改善できる。
ることによって、中継器の小型化、再生中継間隔の拡大
を可能にする。また、光検出器の直前で、光装置増幅器
として用いることによって、直接検波方式に比べて受光
レベルを改善できる。
さらに、光交換における交換器の損失補償器として用い
ることによって、ＯＥ、ＥＯ変換を施すことなく、多チ
ャネルの交換システムを実現できるなど多くの利点を有
することから盛んに研究開発が進められている。
ることによって、ＯＥ、ＥＯ変換を施すことなく、多チ
ャネルの交換システムを実現できるなど多くの利点を有
することから盛んに研究開発が進められている。
従来の半導体光増幅器は半導体レーザ金しきい値以下に
バイアスして用いる共振型と半導体レーザの両端面の端
面反射率ｆ：ＡＲコーティング、窓端面構造などの手段
を用いて抑制した進行波型に分けられる。入力光波長変
動に対する利得変動および入力光強度増加に対する利得
飽和が小さい仁となどの点から、進行波型光増幅器は、
共振型半導体光増幅器に比べて有利である。しかし、こ
のような特性のよい進行波型半導体光増幅器を得るため
には、端面反射率０，１％以下に抑える必要がある。し
かし、従来用いられてきたＡＲココ−ィング技術のみで
、所望の端面反射率を再現性よく得ることは非常に困難
である。従って、端面反射率の抑制には、窓端面構造を
有する半導体光増幅器が有望である。第２図に従来例で
ある窓端面構造を持つ半導体光増幅器を示す。第２図の
半導体光増幅器の作製工程を次に説明する。
バイアスして用いる共振型と半導体レーザの両端面の端
面反射率ｆ：ＡＲコーティング、窓端面構造などの手段
を用いて抑制した進行波型に分けられる。入力光波長変
動に対する利得変動および入力光強度増加に対する利得
飽和が小さい仁となどの点から、進行波型光増幅器は、
共振型半導体光増幅器に比べて有利である。しかし、こ
のような特性のよい進行波型半導体光増幅器を得るため
には、端面反射率０，１％以下に抑える必要がある。し
かし、従来用いられてきたＡＲココ−ィング技術のみで
、所望の端面反射率を再現性よく得ることは非常に困難
である。従って、端面反射率の抑制には、窓端面構造を
有する半導体光増幅器が有望である。第２図に従来例で
ある窓端面構造を持つ半導体光増幅器を示す。第２図の
半導体光増幅器の作製工程を次に説明する。
まず、ｎ−ＩｎＰ基板１の上面にノンドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層２、アンチメルトバック層（ＡＭＢ層）３、
ｐ−ＩｎＰクラッド層４ｔ−液相成長（ＬＰＥ）法によ
シそれぞれ厚さ０１μｍ、０．０１μｍ、 １μｍの
順に結晶成長した後、この多層半導体結晶の活性領域１
５に相当する部分において、（１１０）方向に、深さ１
．５μｍ１ｍ４μｍの２本の平行な円形の溝１２．１３
とそれによって挾まれる幅１．２μｍのメサストライプ
１４を形成する。また、窓領域１６に相当する部分にお
いて、溝１２．１３から連続し、メサストライプが存在
しない幅４μｍ深さ１．５μｍの円形の溝１０を形成す
る。窓領域１６の長さは５０μ飢である。次に上記半導
体多層結晶の１跨メサストライプ１４の上部を除いて、
ｐ−ＩｎＰ電流ブロック４５、ｎ−１ｎＰｔｎＰｔツブ
ロック、そして全面にｐ−ＩｎＰ埋め込み層７、波長組
成１．２μｍのｐ＋−ＩｎＧａＡｓＰ：＝ｚｙタク）１
８ をそ’ＦＬぞれ、平坦部での厚さ１μｍ、ｏ、ｓμ
ｍ、２μ仇、０．５μｍの順にＬＰＥ法によシ結晶成長
する。コンタクト層８の上には、ＣＶＤ法により、厚さ
３０００ＡのＳｉｏ２膜９を形成し、メサストライプ１
４の直上部に相当する部分の５ｉ０２膜９に窓を開ける
。さらに、５ｉ０２膜９及び８ｉ０□膜９の窓部を覆う
ようにＣｒ／Ａｕからなる電極１９を、ｎ −Ｉ ｎ
Ｐ基板１の下にＡｕＧｅＮｉからなる電極１１を形成す
る。最後に、活性領域側１５および窓領域ｆｌＩ１１６
の端面にプラズマＣＶＤ法によシ、厚さ２２００Ａの８
ｉＮ膜１７，１８を形成する。
ｓＰ活性層２、アンチメルトバック層（ＡＭＢ層）３、
ｐ−ＩｎＰクラッド層４ｔ−液相成長（ＬＰＥ）法によ
シそれぞれ厚さ０１μｍ、０．０１μｍ、 １μｍの
順に結晶成長した後、この多層半導体結晶の活性領域１
５に相当する部分において、（１１０）方向に、深さ１
．５μｍ１ｍ４μｍの２本の平行な円形の溝１２．１３
とそれによって挾まれる幅１．２μｍのメサストライプ
１４を形成する。また、窓領域１６に相当する部分にお
いて、溝１２．１３から連続し、メサストライプが存在
しない幅４μｍ深さ１．５μｍの円形の溝１０を形成す
る。窓領域１６の長さは５０μ飢である。次に上記半導
体多層結晶の１跨メサストライプ１４の上部を除いて、
ｐ−ＩｎＰ電流ブロック４５、ｎ−１ｎＰｔｎＰｔツブ
ロック、そして全面にｐ−ＩｎＰ埋め込み層７、波長組
成１．２μｍのｐ＋−ＩｎＧａＡｓＰ：＝ｚｙタク）１
８ をそ’ＦＬぞれ、平坦部での厚さ１μｍ、ｏ、ｓμ
ｍ、２μ仇、０．５μｍの順にＬＰＥ法によシ結晶成長
する。コンタクト層８の上には、ＣＶＤ法により、厚さ
３０００ＡのＳｉｏ２膜９を形成し、メサストライプ１
４の直上部に相当する部分の５ｉ０２膜９に窓を開ける
。さらに、５ｉ０２膜９及び８ｉ０□膜９の窓部を覆う
ようにＣｒ／Ａｕからなる電極１９を、ｎ −Ｉ ｎ
Ｐ基板１の下にＡｕＧｅＮｉからなる電極１１を形成す
る。最後に、活性領域側１５および窓領域ｆｌＩ１１６
の端面にプラズマＣＶＤ法によシ、厚さ２２００Ａの８
ｉＮ膜１７，１８を形成する。
しかし、従来の窓端面構造を有する半導体光増幅器は、
窓領域の長さ５０μｍに対して、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層
７の厚さが２μｍ程度と薄いから、第３図のように、窓
領域部分の電極によって、光が散乱され、シングルモー
ドファイバとの結合効率が悪い。従来の半導体光増幅器
にはこのような解決すべき課題があった。本発明の目的
は、その従来の課題を解決し、裏作が容易で、シングル
モードファイバとの結合効率もよい、特性の優れた進行
波型半導体光増幅器を提供することにある。
窓領域の長さ５０μｍに対して、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層
７の厚さが２μｍ程度と薄いから、第３図のように、窓
領域部分の電極によって、光が散乱され、シングルモー
ドファイバとの結合効率が悪い。従来の半導体光増幅器
にはこのような解決すべき課題があった。本発明の目的
は、その従来の課題を解決し、裏作が容易で、シングル
モードファイバとの結合効率もよい、特性の優れた進行
波型半導体光増幅器を提供することにある。
前述の課題を解決するために本発明が提供する手段は、
信号光に対して閉じ込め効果を有する活性領域を持つ半
導体光増幅器の活性領域が一方または両方の端面近傍で
途切れることによって形成された窓領域を有する半導体
光増幅器であって、前記信号光の波長をλ、前記活性領
域の途切れ部分から前記端面までの前記窓領域の長さを
ＩＷｓ円周率をπ、前記活性領域の途切れ部分から前記
端面までの前記窓領域の屈折率をｎ、前記活性領域の途
切れ部分における活性層厚方向の前記信号光ビーム径を
Ｗ。とするとき、前記活性領域から電極までの距離がλ
ｌｗ／２πｎ Ｗ ｏよシ大きいことを特徴とする。
信号光に対して閉じ込め効果を有する活性領域を持つ半
導体光増幅器の活性領域が一方または両方の端面近傍で
途切れることによって形成された窓領域を有する半導体
光増幅器であって、前記信号光の波長をλ、前記活性領
域の途切れ部分から前記端面までの前記窓領域の長さを
ＩＷｓ円周率をπ、前記活性領域の途切れ部分から前記
端面までの前記窓領域の屈折率をｎ、前記活性領域の途
切れ部分における活性層厚方向の前記信号光ビーム径を
Ｗ。とするとき、前記活性領域から電極までの距離がλ
ｌｗ／２πｎ Ｗ ｏよシ大きいことを特徴とする。
第４図は窓端面構造の反射率の一計算例（ＩＥＥＥジャ
ーナル暑オブ・コンタムエレクトロニクス、（ＩＥＥＥ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ ＥＩｅｃｔ
ｒｏｎ、、ＱＥ−２０（３）、１９８４，２３６））で
あシ、縦軸には窓端面による有効反射率（几ｅｎ）、横
軸には窓領域長（１ｗ）を取っている。実線は方形導波
路についての計算例であシ、点線はスラブ導波路による
計算例である。波長（λ）は１５５μ情、窓領域を構成
するＩｎＰの屈折率（ｎ）は３．１７としである。活性
層厚を０．１μｍ程度とすると、活性層端での活性層厚
方向のビーム径（Ｗｅ）は０．２８μｍ程度となるが、
第４図から、窓領域長２０μｍ程度でも端面反射率は１
％以下にできる。窓側端面での活性層厚方向のビ−ム径
（Ｗｌ）は、 Ｗｌ＝λｌｗ／ｙｒｎＷ。
ーナル暑オブ・コンタムエレクトロニクス、（ＩＥＥＥ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ ＥＩｅｃｔ
ｒｏｎ、、ＱＥ−２０（３）、１９８４，２３６））で
あシ、縦軸には窓端面による有効反射率（几ｅｎ）、横
軸には窓領域長（１ｗ）を取っている。実線は方形導波
路についての計算例であシ、点線はスラブ導波路による
計算例である。波長（λ）は１５５μ情、窓領域を構成
するＩｎＰの屈折率（ｎ）は３．１７としである。活性
層厚を０．１μｍ程度とすると、活性層端での活性層厚
方向のビーム径（Ｗｅ）は０．２８μｍ程度となるが、
第４図から、窓領域長２０μｍ程度でも端面反射率は１
％以下にできる。窓側端面での活性層厚方向のビ−ム径
（Ｗｌ）は、 Ｗｌ＝λｌｗ／ｙｒｎＷ。
で与えられるが、上述の数値を用いると、Ｗｌ＝Ｗ１／
２にすればよい。
２にすればよい。
第１図１″ｊ本発明の一実施例である窓端面構造を持つ
半導体光増幅器を示す斜視図、第３図はこの実施例の端
面部を示す断面図である。この実施例の作製工程を次に
説明する。
半導体光増幅器を示す斜視図、第３図はこの実施例の端
面部を示す断面図である。この実施例の作製工程を次に
説明する。
まず、ｎ−ＩｎＰ基板１の上面にノンドープＩｎＧ ａ
Ａ ｓ Ｐ活性層２、アンチメルトバラ／層（ＡＭＢ
層）３、ｐ−ＩｎＰクラッド層４を液相成長（ＬＰＥ）
法によシそれぞれ厚さ０．１μｍ％０．０１μｍ、１μ
ｍの順に結晶成長した後、この多層半導体結晶の活性領
域１５に相当する部分において、〔１１ｏ〕方向に、深
さ１５μｍ、幅４／ｊｆｆｉの２本の溝１２．１３とそ
れによって挾まれる幅Ｌ２μｍのメサストライプ１４を
形成する。また、窓領域１６に相当する部分において、
＠１２，１３から連続し、メサストライプが存在しない
幅４μｍ深さＬ５μｍの溝１゜を形成する。窓領域１６
の長さは３０μｍである。
Ａ ｓ Ｐ活性層２、アンチメルトバラ／層（ＡＭＢ
層）３、ｐ−ＩｎＰクラッド層４を液相成長（ＬＰＥ）
法によシそれぞれ厚さ０．１μｍ％０．０１μｍ、１μ
ｍの順に結晶成長した後、この多層半導体結晶の活性領
域１５に相当する部分において、〔１１ｏ〕方向に、深
さ１５μｍ、幅４／ｊｆｆｉの２本の溝１２．１３とそ
れによって挾まれる幅Ｌ２μｍのメサストライプ１４を
形成する。また、窓領域１６に相当する部分において、
＠１２，１３から連続し、メサストライプが存在しない
幅４μｍ深さＬ５μｍの溝１゜を形成する。窓領域１６
の長さは３０μｍである。
次に上記半導体多層結晶の上にメサストライプ１４の上
部を除いて、ｐ−ＩｎＰ電流電流ソロ２２層５−ＩｎＰ
電流ブロック層６を、そして全面にｐ−ＩｎＰ埋め込み
層７、波長組成１２／ｊｆｆｌのｐ＋−ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層８をそれぞれ、平坦部での厚さ１μｍ、α
５ｐｍ、６μｍ、０．５ｐｆｒＬ Ｏ順にＬＰＥ法によ
シ結晶成長した。ｐ−ＩｎＰ埋め込み層７の厚さは端面
でビーム径が１１μｍとなることを考え、その半径５．
５μｍ以上の６μ情とした。コンタクト層８の上には、
ＣＶＤ法ＩＣ１、厚さ３００′ＯＸのＳｉＯ□膜９を形
成し、メサストライプ１４の直上部に相当する部分の５
ｉ０２膜９に窓を開ける。さらに、８ｉ０□膜９及び、
５ｉｎ２膜９の窓部を覆うようにＯｒ／Ａｕからなる電
極１９を、ｎ−ＩｎＰ基板１の下にＡｕＧｅＮｉからな
る電極１１を形成する。最後に、両端面にＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法によシ、厚さ２２００Ａの５ｉＯＮ膜１７，
１８を形成する。
部を除いて、ｐ−ＩｎＰ電流電流ソロ２２層５−ＩｎＰ
電流ブロック層６を、そして全面にｐ−ＩｎＰ埋め込み
層７、波長組成１２／ｊｆｆｌのｐ＋−ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層８をそれぞれ、平坦部での厚さ１μｍ、α
５ｐｍ、６μｍ、０．５ｐｆｒＬ Ｏ順にＬＰＥ法によ
シ結晶成長した。ｐ−ＩｎＰ埋め込み層７の厚さは端面
でビーム径が１１μｍとなることを考え、その半径５．
５μｍ以上の６μ情とした。コンタクト層８の上には、
ＣＶＤ法ＩＣ１、厚さ３００′ＯＸのＳｉＯ□膜９を形
成し、メサストライプ１４の直上部に相当する部分の５
ｉ０２膜９に窓を開ける。さらに、８ｉ０□膜９及び、
５ｉｎ２膜９の窓部を覆うようにＯｒ／Ａｕからなる電
極１９を、ｎ−ＩｎＰ基板１の下にＡｕＧｅＮｉからな
る電極１１を形成する。最後に、両端面にＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法によシ、厚さ２２００Ａの５ｉＯＮ膜１７，
１８を形成する。
このようにして作製した半導体光増幅器では、ｐ−Ｉｎ
Ｐ埋め込み層７の厚さがビームの半径よシ大きいので、
窓端間付近での電極による散乱がなくなシ、セルフォッ
クレンズを用いた結合において結合効率３ｄＢと良好な
結果が得られた。また、波長１．５５μｍ強度−３５ｄ
Ｂｍの入射光に対して注入電流７９ｍＡ時に１３ｄＢの
ファイバ間光増幅利得を得た。さらに、このとき、入射
光波長１５人（ファブリペローモードに対する自由スペ
クトルレンジ以上）掃引した時の増幅率変化は２ｄＢと
非常に小さかった。これは、窓端面構造の採用によって
、光増幅器の平均端面反射率が０．１％以下に抑制され
た結果である。
Ｐ埋め込み層７の厚さがビームの半径よシ大きいので、
窓端間付近での電極による散乱がなくなシ、セルフォッ
クレンズを用いた結合において結合効率３ｄＢと良好な
結果が得られた。また、波長１．５５μｍ強度−３５ｄ
Ｂｍの入射光に対して注入電流７９ｍＡ時に１３ｄＢの
ファイバ間光増幅利得を得た。さらに、このとき、入射
光波長１５人（ファブリペローモードに対する自由スペ
クトルレンジ以上）掃引した時の増幅率変化は２ｄＢと
非常に小さかった。これは、窓端面構造の採用によって
、光増幅器の平均端面反射率が０．１％以下に抑制され
た結果である。
なお、上記実施例においては、ＤＣ−ＰＢＨ構造を用い
て作製した例を示したが、他の構造例えばＢＨ槽構造ど
を用いて構成しても良い。また用いる半導体材料もＩｎ
Ｐ系に限るものではない。さらに、上記実施例では、窓
領域長２０μ惰に対する例として６μｍの埋め込み層を
採用したが、更に反射率を低減するために窓領域長を例
えば５０μｍ程度と長くした場合にはそれに対応した埋
め込み層厚を採用すれば良いことは明かである。また、
上記実施例においては、活性層幅と活性層厚の比が大き
く、増幅利得に入力偏波依存性があるが、これを軽減す
るために活性層厚を厚くした場合にも同様にして、窓端
間付近での散乱がないように、設計できることは明かで
ある。
て作製した例を示したが、他の構造例えばＢＨ槽構造ど
を用いて構成しても良い。また用いる半導体材料もＩｎ
Ｐ系に限るものではない。さらに、上記実施例では、窓
領域長２０μ惰に対する例として６μｍの埋め込み層を
採用したが、更に反射率を低減するために窓領域長を例
えば５０μｍ程度と長くした場合にはそれに対応した埋
め込み層厚を採用すれば良いことは明かである。また、
上記実施例においては、活性層幅と活性層厚の比が大き
く、増幅利得に入力偏波依存性があるが、これを軽減す
るために活性層厚を厚くした場合にも同様にして、窓端
間付近での散乱がないように、設計できることは明かで
ある。
半導体光増幅器において、最も基本的で、かつ、重要な
問題である端面反射率抑制の点で窓端面構造が有利であ
るが、従来の窓端面構造はシングルモードファイバの結
合効率が低くかった。本発明は、この点を改善して、そ
の結合効率を飛躍的に改善した窓端面構造の半導体光増
幅器を提供することができる。
問題である端面反射率抑制の点で窓端面構造が有利であ
るが、従来の窓端面構造はシングルモードファイバの結
合効率が低くかった。本発明は、この点を改善して、そ
の結合効率を飛躍的に改善した窓端面構造の半導体光増
幅器を提供することができる。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の実施例及び従来例
である窓端面構造を有する進行波型半導体光増幅器の斜
視図であシ、第３図は従来例の問題点を説明する図、第
４図は窓端面構造による反射率の計算例を示す図である
。 図において、１・・・ｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板、２・・・
ノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、３・・・アンチメル
トバック層％ ４・・・ｐ−ＩｎＰクラッド層、５・・
・ｐ−ＩｎＰ電流電流クロッ２層・・・ｎ−ＩｎＰ電流
電流クロッ２層・・・ｐ−ＩｎＰ埋め込み層、＋３ ・
−ｐ＋−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、９・・・８ｉ０
□膜、１０，１２．１３・・・溝、１１．１９・・・電
極、１４・・・メサストライプ、１５・・・活性領域、
１６・・・窓領域、１７．１８・・・無反射コーティン
グ膜、２０・・・信号光である。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 １・−ｎ −ｆｎＰ苓倣 ２−ｔ ：、、ドーマ’ Ｉｎ Ｇａ ＡｓＰ ；ｉ
４’ｉ ４７・−ｐ−１ｎＰ理ハ２み層 ＋ｏ 、１２．１３、−；に １１．１９・−電格 １４・−メサストライプ １５−；ｆ； ４家軸ｊ奴 １６−−−二ｆ＃ｊ八 へ７．１１３−−一然反村クーデ４シヂ蟻２０−／！
ＪＩｉｔ 第１図 １−＝ｎ−１ｎＰ基板 ２・−ノシドー７’ Ｉｎ ＧａＡｓＰ ５８４主層７
−ρ−１ｎＰ理／）込み噌 １０．１２，１３−；工 １１．１９・−・電荀！ １４−−−−メサストライプ ＋５−− ふＳ性乍−鐵 １６−・隻頌琢 １７．１８・・・声、〃（）ギコーー？櫂、シワ−１１
２０−・・−信号を 第２図 １−−−ｎ−１ｎＰ婆販 ２−−−７ ：、ドープ夏ｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ ；ｆ；
＆Ｔ。 ７−−−ρ−夏ｎＰ 理、１込み層 ｎ、１９−９材ｔ １５−−− ；１４す領琢 １６−・・−鼠領域 １Ｂ−−−一烈反潰τコープ４；り・ ２０−−・−イＳ （オー 第３図
である窓端面構造を有する進行波型半導体光増幅器の斜
視図であシ、第３図は従来例の問題点を説明する図、第
４図は窓端面構造による反射率の計算例を示す図である
。 図において、１・・・ｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板、２・・・
ノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、３・・・アンチメル
トバック層％ ４・・・ｐ−ＩｎＰクラッド層、５・・
・ｐ−ＩｎＰ電流電流クロッ２層・・・ｎ−ＩｎＰ電流
電流クロッ２層・・・ｐ−ＩｎＰ埋め込み層、＋３ ・
−ｐ＋−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、９・・・８ｉ０
□膜、１０，１２．１３・・・溝、１１．１９・・・電
極、１４・・・メサストライプ、１５・・・活性領域、
１６・・・窓領域、１７．１８・・・無反射コーティン
グ膜、２０・・・信号光である。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 １・−ｎ −ｆｎＰ苓倣 ２−ｔ ：、、ドーマ’ Ｉｎ Ｇａ ＡｓＰ ；ｉ
４’ｉ ４７・−ｐ−１ｎＰ理ハ２み層 ＋ｏ 、１２．１３、−；に １１．１９・−電格 １４・−メサストライプ １５−；ｆ； ４家軸ｊ奴 １６−−−二ｆ＃ｊ八 へ７．１１３−−一然反村クーデ４シヂ蟻２０−／！
ＪＩｉｔ 第１図 １−＝ｎ−１ｎＰ基板 ２・−ノシドー７’ Ｉｎ ＧａＡｓＰ ５８４主層７
−ρ−１ｎＰ理／）込み噌 １０．１２，１３−；工 １１．１９・−・電荀！ １４−−−−メサストライプ ＋５−− ふＳ性乍−鐵 １６−・隻頌琢 １７．１８・・・声、〃（）ギコーー？櫂、シワ−１１
２０−・・−信号を 第２図 １−−−ｎ−１ｎＰ婆販 ２−−−７ ：、ドープ夏ｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ ；ｆ；
＆Ｔ。 ７−−−ρ−夏ｎＰ 理、１込み層 ｎ、１９−９材ｔ １５−−− ；１４す領琢 １６−・・−鼠領域 １Ｂ−−−一烈反潰τコープ４；り・ ２０−−・−イＳ （オー 第３図
Claims (1)
- 信号光に対して閉じ込め効果を有する活性領域を持つ半
導体光増幅器の活性領域が一方または両方の端面近傍で
途切れることによって形成された窓領域を有する半導体
光増幅器において、前記信号光の波長をλ、前記活性領
域の途切れ部分から前記端面までの前記窓領域の長さを
ｌｗ、円周率をπ、前記活性領域の途切れ部分から前記
端面までの前記窓領域の屈折率をｎ、前記活性領域の途
切れ部分における活性層厚方向の前記信号光ビーム径を
Ｗ＿０とするとき、前記活性領域から電極までの距離が
λｌｗ／２πｎＷ＿０より大きいことを特徴とする半導
体光増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15561088A JP2643319B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 半導体光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15561088A JP2643319B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 半導体光増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01321675A true JPH01321675A (ja) | 1989-12-27 |
| JP2643319B2 JP2643319B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=15609785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15561088A Expired - Lifetime JP2643319B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 半導体光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2643319B2 (ja) |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP15561088A patent/JP2643319B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2643319B2 (ja) | 1997-08-20 |
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Legal Events
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