JPH01316668A - 電圧検出回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は例えば、マイコンのリセット回路等に使用す
るヒステリシス特性を持つ電圧検出回路に関するもので
ある。

〔従来の挟体ｆ〕

ｉｆ′３Ｘヒステリシス特性を持つ電圧検出回路は、比
較器の出力を入力に帰還することにより、ヒステリシス
特性ｆ夾現してきた。第３図は、例えば、テキサス・イ
ンスツルメント（Ｔ工）社のヒステリシス特性を持つ電
圧検出用集積回路（工Ｃ！　）、ＴＬ　７７００の電圧
検出の回路部分？示すブロック図（ＴＩ半導体技術資料
ＶＯＬ、　２　、Ｐ、　９３〜Ｐ、　１０３　）で％（
１）は入力端子、（６）は出力端子、（７）は基１！！
、電ａ：源、　　（ｂｈ）と（８ｂ）とは抵抗器、（９
）は比較器、αＱは比較器（９）の出力がハイレベルの
時に、！Ｉ！惰する電子スイッチ、　Ｑｌ）は一定電流
を吸い込む定電流源である。

次に動作について説明する。入力鵡子（１）の電圧は抵
抗器（８ａ）と（８ｂ）とで分割されて基準°Ｌゼ圧源
（７）の出力電圧と比較される。基＄電圧魚（７）の出
力電圧の方が高い時には比較器（９）の出力はハイレベ
ルとなって電子スイッチ（１０が４化して、定電流源α
ηは一定の電流を吸い込む。次に、入力端子（１）の電
圧が上昇して抵抗Ｒ（８ａ）と抵抗器（８ｂ）との硬続
中点の電圧が基準電圧６λ（７）の出力゛電圧より高く
なると、比較器（９）の出力電圧はローレベルとなり。

′Ｌ「子スイッチａＯは非導曲となる。電子スイッチ０
０が非導通になることにより、抵抗器（８ａ）と抵抗器
（８ｂ）との接続中点の電圧は、抵抗器（８ａ）の抵抗
値に定電流源ｕｐに吸い込まれていた電流値を掛けた電
圧だけ高くなる。これＫよってヒステリシス特性が実現
する。

なお入力端子（１）のａ圧が接地電位から上昇して比較
器（９）の出力がハイレベルからローレベルに変化にな
るときの入力電圧ＶＴＬとは、抵抗器（８ａ）と抵抗器
ｒｓｂ）との抵抗［直を適当な値に設定することによっ
て任意の“電圧値に設定できる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のヒステリシス特性會持つ電圧検出回路は以上のよ
うに構成されているので、設定しきい値ＶＴＬとＶＴＨ
との値によっては消費電流が大きくなったり、定電流源
の温度依存性やバラツキが大きいため、検出電圧の温度
依存性やバラツキも大きくなるなどの問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、設定しきい値ｖＴＬ　＊　ｖＴＨを温度の影
響を受けにくく独立に設定可能とし、電源電圧や入力端
子が時間的にどのように変化しても正常に動作すること
を保証し、更に消費電流が少く、ｌチップにＩＣ化可能
な回路を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この定明に係る１１ｔ源電圧検出回路は、２個の電圧検
出器の出力にＲＳフリップフロップＫｌ続して入出力特
性にヒステリシス特性を持たせたものである。

〔作用］ この定明におけるＶＴＬ検出器（１）　ｌ　ＶＴＲ検出
器（２）はそれぞれ別個の抵抗分圧器を用いて、入力端
子の電圧変化を検出して、反転器ｆ３１　、　ＲＳフリ
ップフロップ（４）によって、温度依存性の大きい定電
流源を用いることなく、ヒステリシス特性を持った入出
力特性を実現する。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
１！Ａにおいて、（１）は入力端子％（２）は入力端子
（１）の電圧がしきいＩｉ　ＶＴＩ、より高い時に出力
がローレベルとなるＶＴＬ検出１！、＋３）は入力端子
（１）の市。

圧がしきい値ＶＴＲ（ＶＴＬ検出器（２）のしきい値Ｖ
ＴＬより高い電圧）より高い時に出力がローレベルとな
るＶＴＲ検出器、（４）はＶＴＬ　ｍ山型（２）の出力
がハイレベルの時にローレベルを出力する反転回路、（
５）は反転回路（４）の出力がローレベルの時には”Ｔ
Ｈ検出器（３）の出力に無関係に出力端子（６）ｆハイ
レベルにし、反転回路（４）の出力がハイレベルでＶＴ
Ｒ検出器（３）の出力がローレベルの時には出力端子（
６）をローレベルにし１反転回路（４）の出力とＶＴＲ
噴出器（３）の出方とがともにハイレベルの時には出方
４子（６）の状態を維持するＲＳフリップフロップであ
る。

第２図はこの実施例の動作を説明する各部重圧波形図で
、第２図で入力端子（１）のｒＫ圧がＶＴＬ検出器（２
）のしきい＠ＶＴＬ以下の時１ｒｉ　ＶＴＬ検出訝（２
）ノ出力はハイレベルになり％反転回路（４）で反転さ
れてＲＳフリップフロップ（５）に入力される市゛圧が
ローレベルとなるので、出力端子（６）の電圧はハイレ
ベルになる。入力端子（１）の電圧がｖ’ｒｒ、検出器
（２）のしきい値ＶＴＬより太きく　ＶＴＩＩＩ検出諸
（３）のしきい値ＶＴＲ以下になると、ＶＴＲ＠出ｄｇ
　＋３）と反転回路（４）との出力電圧はともにハイレ
ペＭとなるので、　ＲＳフリップフロップ（５）の出力
である出力端子（６）の状＠はハイレベルのままで変化
しない。更に、入力端子（１）の鞘′圧が高くなりＶＴ
Ｈｔｅｌ出器山型）のしきい値ＶＴＨより高くなると、
ＶＴＲ噴出器（３）の出力がローレベルとなり反転回路
（４）の出力はハイレベルでアルノで出力端子（６）は
ローレベルとなる。

この状態から、入力端子（１）の電圧が低下してｖＴＬ
検出謂（２）のしきい値ＶＴＬよりは高いがＶＴＲ検出
器（３）のしきい値ＶＴＲよりは低い電圧になっても％
―検出器（３）の出力はハイレベルになるがＶＴＬ検出
器（２）の出力がローレベルで、反転回路（４）の出力
が依ロツデ（５）の出力である出力端子（６）は臀畔レ
ベルのま壕である。更に、入力端子（１）の電圧が低く
なってＶＴＬ検出器（２）のしきい値ＶＴＬ以下になる
とＶＴＬ険出器山型）の出力がハイレベルになって反転
回路（４）の出力がローレベルとなるので、　ＲＳフリ
ップフロップ（５）の出力である出力端子（６）はハイ
レベルとなる。

以上のようにしてヒステリシス特性が実現される０ なお、上記実施例ではＶ？Ｌ　Ｈ山型（２）とＶＴＨ検
出黙（３）を独立に設けたものを示したが、第５図の回
路で示される池の実施例のように、比較器（２）と抵抗
器（８ｅ）および（８ｂ）とでＶＴＬ検出器を購成し、
比較器（３）と抵抗器（８Ｃ）および（８ｄ）とでＶＴ
ＨＦ＊出出講構成て反転回路を省略してもよい。その場
合に各定数の間には下記のような関係が有る。

＝基準Ｖ源の出力電圧 ＝基準１ｆ源の出力電圧 また、ＲＳフリップ７０ツブの代りにＤフリップフロッ
プなどの油のフリップフロップを使用してもよい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によればヒステリシス特性を持
つ電圧検出回路を、２個の電圧険出詣と反転回路とＲＳ
フリップフロップを用いて打ｑ成したので、部品点数が
少なく、１チツプにＩＣ化することができ、全て０ＭＯ
８素子で実現できるのでマイコンに内蔵することも可能
で、”ゼ圧演出の精度の高いものが得られる効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１（ズ１はこの発明の一実施例になる電圧検出回路の
構成を示す回路図、４ｚ２図はこの実施例の動作を説明
するための各部電圧波形図、第３図は従来の電圧検出回
路の構成を示す回路図、第４図はこの従来例の動作を示
す入出力鶏：圧の特性図、第５図はこの発明の他の実施
例の構成を示す回路図である。 図において、（１）は入力端子、（２）　、　＋３）は
電圧検出）］（４）は反転回路、（５）ばＲＳフリップ
フロップ回路、（６）は出力端子である。 なお１図中同一符号は同一または相当部分を示すＯ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）検出電圧にヒステリシス特性を有する電圧検出回
   路において、 上記ヒステリシス特性の下側しきい値および上側しきい
   値にそれぞれ対応する電圧に、入力電圧が達したことを
   検出する２つの電圧検出器と、これら２つの電圧圧検出
   器の一方の出力電圧のレベルを反転させる反転回路と、 他方の上記電圧検出器の出力および上記反転回路の出力
   をセット、リセット入力とするＲＳフリップ・フロップ
   回路とを備えたことを特徴とする電圧検出回路。