JPH01315924A - ヒューズ - Google Patents

ヒューズ

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JPH01315924A
JPH01315924A JP30221288A JP30221288A JPH01315924A JP H01315924 A JPH01315924 A JP H01315924A JP 30221288 A JP30221288 A JP 30221288A JP 30221288 A JP30221288 A JP 30221288A JP H01315924 A JPH01315924 A JP H01315924A
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Kinya Horibe
堀部 欽也
Hirohiko Fujimaki
藤巻 裕彦
Tomio Hirano
富夫 平野
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はヒユーズに関し、特に両端に端子金具を設けた
カートリッジタイプとして用いられるものである。
(従来の技術) カートリッジタイプのヒユーズは銅あるいはこれに錫メ
ツキをした比較的高融点の金属からなる可溶金属導体の
中央部に錫等の低融点金属チップを保持させ、許容範囲
を越える過電流が流れた際、低融点金属チップが溶融し
、可溶金属導体がその中に拡散することにより合金が生
じ、そこが溶融切断する構造となっている(実開昭59
−66844号公報)。
第3図は従来のヒユーズ部を示す図であり、ヒユーズ1
は金属導体2と低融点金属である錫チップ3から成り、
金属導体2は中央部に凹部2aを有し、その−側には、
かしめ片2bが延設され、金属導体の両端には溶接片2
Cとストッパ2dが設けられている。この四部2aの上
に錫チップ3を乗せ、かしめ片2bを折曲げてこれらを
かしめることによりヒユーズ]を得ることができる。
第4図は端子金具の斜視図であり、端子金具4の基部4
aの上部には受座4b、切欠4Cが設けられ、第3図に
示すヒユーズ1の溶接片2Cを端子金具4の受座4bに
当接し、ストッパ2dを切欠4Cに嵌合した後、当接部
を溶接することにより、カー1〜リツジタイプのヒュー
スか形成される。
なお、図示はしないか、カートリッジタイプのヒュース
にはケースか嵌められ絶縁保護か成されている。
また、上記ヒュースの金属導体中央部の四部の代りに横
溝を複数本設け、かしめた後の接触効率を改良したもの
(実開昭62−1.34.9号公報参照)や端子金具と
ヒュースか一体的に形成されたものも知られている。
(発明か解決しようとする課題) ヒュースは金属導体である銅に低融点の化チップかかし
めによって接触しており、過電流か流れたとき、化チッ
プか溶融し、これに銅か拡散して合金を生成し、電気抵
抗値か高くなるため、この部分か金属導体自体の赤熱化
温度よりも低い温度で溶断する機構となっている。
ところか、従来のヒュースを熱的影響の大きい耐久試験
にかけ、その後の溶断性を1llll定すると、一定電
流て溶断するまでの時間か大幅に遅れてしまう。つまり
、熱のかかる雰囲気中で長期に亘り使用すると過電流に
対する感度か鈍化することが判明した。
この原因について鋭意検討した結果、低融点金属チップ
の表面か酸化することによる。
したがって、この種のヒュースにおいて、かしめ部の酸
化を防止し、経時的な感度低下防止を間上記課題を解決
するため、本発明は可溶金属導体の溶断部に低融点金属
チ・ツブを乗せて成るヒュースにおいて、」二記低融点
金属チ・ツブの可溶金属導体との接触面を耐酸化性金属
で被覆を施すことを4寺徴としている。
本発明に用いろ低融点金属チ・ノブはその表面の少なく
とも一部を他の金属で被覆したものである。
被覆に用いる耐酸化性金属としては周期律表第1 +)
族金属、即ち、Cu、Ag、Auあるいは第■族のうぢ
Co、Ni 、P(1,PLから選ばれるもの、あるい
はB1である。
=   3  −− これらの金属はそれ自体酸化されにくいか、あるいはC
uのように酸化されても活性な金属である。
しかし、中でも酸化による性能劣化、経済性を考慮する
とCuが最も好ましい。またBiの場合、酸化されにく
い他に、融点が低く:  (271,3℃)、低融点合
金を作り易い点で好ましい。
被覆する部分は低融点金属チップ表面のうち、少なくと
も可溶金属導体との接触面である。この部分は接触して
、かしめられているため、最も酸化されにくい場所であ
るが、可溶金属導体に過電流が通電し、発熱したとき、
第1に熱に伝わる所であり、また融解拡散して可溶金属
導体と合金を作るのに最も寄与する所である。
工業的には低融点金属チップは低融点金属線をカットシ
て作るため、例えばこの低融点金属線に耐酸化性金属を
メツキあるいは蒸着等しておけば、切断面を除いてすべ
て耐酸化性金属で被覆された低融点金属チップか得られ
る。
本発明における可溶金属導体の金属としては、銅、錫メ
ツキ銅、アルミ等か使用できる。例えば、化チップに銅
メツキをした場合には可溶金属導体としても銅、あるい
は錫メツキ銅を用いることが、合金の生成の上で好まし
い。
(作用) ヒュースは過電流による発熱により、低融点金属チップ
か溶融し、この溶融体中に可溶金属導体(通常は銅)か
拡散して合金を生成し、これか溶融して溶断するもので
あるが、本発明の低融点金属チップは耐酸化性金属で表
面をメツキ等で被覆されているので、この耐酸化性被覆
層が酸化を防止し、あるいは酸化されても活性があるた
め、ヒュースとしての感度を低下さぜることを防止する
作用をする。
なお、低融点金属か錫の場合には酸化されると不活性な
酸化錫膜を作って安定化する性質かある。
(実施例) 以1ζ、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の端子金具10を一体的に成形したヒュ
ースを示しており、ヒュースは銅に錫メツキを施した可
溶金属導体2とその中央部で両側に延設されるかしめ片
2bを有している。可溶金属導体2の中央部には銅メツ
キした錫チップ3が乗せられ、かしめ片2bでかしめら
れている。
第2図は銅メツキした錫チップ3を切り出している状況
を示す説明図であり、錫5の表面に銅6がメツキされた
輪線8をカッター7で切断し、錫チップ3を切出してい
る。
上記実施例において銅メツキした錫チ・ツブ3の代わり
に、ビスマス(Bi )をメツキした錫チップ3aを使
用してもよい。この錫チップ3aは、上記錫チップ3と
同様に、輪線8をメツキ槽に通してビスマス6aのメツ
キを施した後、輪線8をカッターで切断して製造される
。このとき、例えば次のようなメツキ液組成の電気メツ
キ浴を使用する。
BiC愛3 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ lon
g/斐HC愛・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
 250g/fLNaC愛・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
 ・ ・18.5g/愛クレゾール スルホン酸・・・・・・・・・2g/ uまた、電気メ
ツキ条件は、例えば次の通りである。
電流密度・・・・・・・・・ 3.2A浴温度・・・・
・・・・・27±5°にこで、ビスマス(B1)は、錫
チップ3aの酸化を防止する他に、融点が低く (27
1,,3℃)、錫(Sn )と容易に合金化して、低融
点合金(Sn −Bi )を作る特性を有している。
したがって、ビスマス6aをメツキした錫チップ3aを
低融点金属チップとして使用すると、低融点金属の酸化
による溶断性能の経時低下をおさえることができる上に
、過電流が流れたときに錫チップ3aの溶融を早め、こ
の結果、可溶金属導体である銅の錫溶融体中への拡散を
容易にして、溶断性能の向上を図ることができる。
[発明の効果] 本発明のヒュースは低融点金属チップとして耐酸化性金
属で被覆したものを使用するため、低融点金属の酸化に
よる溶断性能の経時低下がなく、極め<it久性に優れ
るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のヒユーズの斜視図、第2図はメツキ錫
チップ製作の説明図、第3図及び第4図は従来のヒユー
ズの斜視図である。 1・・・ヒュース 2・・可溶金属導体 2b・・・かしめ片 3・・・低融点金属(錫チップ) 代理人 弁理士  三 好 保 男 第1図 第3図 第2図 第4図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)可溶金属導体の溶断部に低融点金属チップを乗せ
    て成るヒューズにおいて、 上記低融点金属チップの可溶金属導体との接触面を耐酸
    化性金属で被覆を施すことを特徴とするヒューズ。
  2. (2)上記耐酸化性金属が周期律表第 I b族金属およ
    びCo、Ni、Pd、Pt、Biのいずれかの金属より
    なることを特徴とする請求項(1)記載のヒューズ。
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