JPH01315050A - 光磁気ディスク用基板 - Google Patents
光磁気ディスク用基板Info
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- JPH01315050A JPH01315050A JP14591888A JP14591888A JPH01315050A JP H01315050 A JPH01315050 A JP H01315050A JP 14591888 A JP14591888 A JP 14591888A JP 14591888 A JP14591888 A JP 14591888A JP H01315050 A JPH01315050 A JP H01315050A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光磁気ディスク用基板に関し、さらに詳しくは
書き換え可能な光磁気ディスクに用いられる光磁気ディ
スク用基板に関するものである。
書き換え可能な光磁気ディスクに用いられる光磁気ディ
スク用基板に関するものである。
[従来の技術およびその課題]
従来、情報を熱磁気的に記録し、磁気光学的に再生する
光磁気記録媒体としては、透明な樹脂基板上あるいはガ
ラス基板上に誘電体からなる保護層、垂直磁化膜からな
る記録層、金属膜からなる反射層等を種々の組合わせで
、スパッタ法あるいは蒸着法により成膜したものが用い
られている。
光磁気記録媒体としては、透明な樹脂基板上あるいはガ
ラス基板上に誘電体からなる保護層、垂直磁化膜からな
る記録層、金属膜からなる反射層等を種々の組合わせで
、スパッタ法あるいは蒸着法により成膜したものが用い
られている。
このうら垂直磁化膜としてはGdTbFe、 DyFe
。
。
GdCo、 TbCo、 TbDyFe、 TbFeC
oWの希土類−3d遷移金属の非晶質合金薄膜が量産に
適し、かつ読み出しノイズが少ないこと等から有望とさ
れている。
oWの希土類−3d遷移金属の非晶質合金薄膜が量産に
適し、かつ読み出しノイズが少ないこと等から有望とさ
れている。
ディスク用基板は、ガラス基板および樹脂基板の2種類
に大別できる。このうらガラス基板は破損しやすく、か
つ高価であることから、主として樹脂基板が用いられて
いる。樹脂基板としては、量産性および価格の点から、
ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタクリレート
(P聞へ)等が用いられている。
に大別できる。このうらガラス基板は破損しやすく、か
つ高価であることから、主として樹脂基板が用いられて
いる。樹脂基板としては、量産性および価格の点から、
ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタクリレート
(P聞へ)等が用いられている。
基板と記録層の間の中間層は、記録層である垂直磁化膜
の酸化保護と、カーエンハンス効果の双方を目的として
形成され、MN、SiN等の窒化物、Sin、 5i
02等の酸化物のほか、2nS、 HgF2 。
の酸化保護と、カーエンハンス効果の双方を目的として
形成され、MN、SiN等の窒化物、Sin、 5i
02等の酸化物のほか、2nS、 HgF2 。
SiC等の種々の誘電体が用いられている。記録層に用
いられる希土類−3d遷移金属非晶質合金は非常に酸化
されやすく、空気中に数日放置するだけで表面酸化によ
りカー回転角は大きく低下する。
いられる希土類−3d遷移金属非晶質合金は非常に酸化
されやすく、空気中に数日放置するだけで表面酸化によ
りカー回転角は大きく低下する。
中間層はこの酸化を防ぐ目的で形成されているもので、
通常、記録層を誘電体保護膜で挟み込むことが行われて
おり、効果をあげている。
通常、記録層を誘電体保護膜で挟み込むことが行われて
おり、効果をあげている。
第2図は上記のような従来用いられてきた光磁気記録媒
体の一例の内外周部の概略断面図を示したもので、ポリ
カーボネート基板21の表面に中間層22、光磁気記録
層23および保護層24が順次成膜されて成膜領域を形
成している。また、ポリカーボネート基板21表面の成
膜領域との接触面内には、光ヘッドを案内するためのグ
ループ25が形成されている。
体の一例の内外周部の概略断面図を示したもので、ポリ
カーボネート基板21の表面に中間層22、光磁気記録
層23および保護層24が順次成膜されて成膜領域を形
成している。また、ポリカーボネート基板21表面の成
膜領域との接触面内には、光ヘッドを案内するためのグ
ループ25が形成されている。
しかしながら上記構造において、樹脂基板と誘電体保護
膜の付着力は、必ずしも十分でなく、高温高湿下での環
境試験により低下し、時間の経過に伴い、成膜領域の樹
脂基板からの剥離が発生するという欠点がおった。
膜の付着力は、必ずしも十分でなく、高温高湿下での環
境試験により低下し、時間の経過に伴い、成膜領域の樹
脂基板からの剥離が発生するという欠点がおった。
本発明は以上述ぺたような従来の問題点を解決するため
になされたもので、樹脂基板と成膜領域との剥離が生じ
ることがなく、長期信頼性の優れた光磁気ディスク用基
板を提供することを目的と覆る。
になされたもので、樹脂基板と成膜領域との剥離が生じ
ることがなく、長期信頼性の優れた光磁気ディスク用基
板を提供することを目的と覆る。
[課題を解決するための手段〕
本発明は、樹脂基板表面の情報記録層が形成されるべき
面にグループ領域が設けられてなる光磁気ディスク用基
板において、樹脂基板のグループ領域外の内外周平坦面
には溝が形成されていることを特徴とする光磁気ディス
ク用基板である。
面にグループ領域が設けられてなる光磁気ディスク用基
板において、樹脂基板のグループ領域外の内外周平坦面
には溝が形成されていることを特徴とする光磁気ディス
ク用基板である。
[作用]
高温高湿条件の環境試験による光磁気記録媒体の樹脂基
板からの剥離は、その剥離形状から線状剥離と円型剥離
に大別できる。線状剥離は、環境試験の初期に基板表面
のグループ領域外の平坦部から発生し、その後試験時間
の増加に伴いグループ領域に成長する。一方、円型剥離
は、線状剥離が発生した後に、記録膜の全域にほぼ均一
に発生する。従って線状剥離の発生が防止できれば、光
磁気ディスクの長期信頼性を向上させることができる。
板からの剥離は、その剥離形状から線状剥離と円型剥離
に大別できる。線状剥離は、環境試験の初期に基板表面
のグループ領域外の平坦部から発生し、その後試験時間
の増加に伴いグループ領域に成長する。一方、円型剥離
は、線状剥離が発生した後に、記録膜の全域にほぼ均一
に発生する。従って線状剥離の発生が防止できれば、光
磁気ディスクの長期信頼性を向上させることができる。
線状剥離が平坦部で発生する理由としては、次の2点が
考えられる。即ち、第1には温湿度の変化に対応した基
板内の水分の不均一性により、単板では反りが発生する
が、全面密着で貼合せた場合には基板の反りは発生せず
、それに対応した記録膜を剥離させようとする応力が生
じる。この応力は、特に基板の内外周部で大きく、この
内外周部は基板の平坦部に対応する。第2には発生しは
じめの微小な剥離が成長する場合、平坦部では抵抗なく
拡大できるが、グループ部では溝の段差により成長が阻
害され、線状剥離にまで至ることが少ない。
考えられる。即ち、第1には温湿度の変化に対応した基
板内の水分の不均一性により、単板では反りが発生する
が、全面密着で貼合せた場合には基板の反りは発生せず
、それに対応した記録膜を剥離させようとする応力が生
じる。この応力は、特に基板の内外周部で大きく、この
内外周部は基板の平坦部に対応する。第2には発生しは
じめの微小な剥離が成長する場合、平坦部では抵抗なく
拡大できるが、グループ部では溝の段差により成長が阻
害され、線状剥離にまで至ることが少ない。
上記の理由のうら、第1の理由は溝の有無に関係しない
が、第2の理由は平坦部にも満があれば、線状剥離の発
生もしくは成長を防止できることを意味している。従っ
て、光磁気ディスク用基板としてグループ領域外の平坦
部に溝を形成したものを用いることにより、線状剥離の
発生もしくは成長を防止でき、光磁気ディスクの長期信
頼性を高めることができる。
が、第2の理由は平坦部にも満があれば、線状剥離の発
生もしくは成長を防止できることを意味している。従っ
て、光磁気ディスク用基板としてグループ領域外の平坦
部に溝を形成したものを用いることにより、線状剥離の
発生もしくは成長を防止でき、光磁気ディスクの長期信
頼性を高めることができる。
[実施例]
次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明の光磁気ディスク用基板を用いた光磁気
ディスクの一例を示すディスク内外周部の概略断面図で
ある。図中、1はポリカーボネート基板、2は中間層、
3は光磁気記録層、4は保護層、5はグループ、6は溝
である。
ディスクの一例を示すディスク内外周部の概略断面図で
ある。図中、1はポリカーボネート基板、2は中間層、
3は光磁気記録層、4は保護層、5はグループ、6は溝
である。
上記の如く構成された光磁気ディスクを作製するには、
まずポリカーボネート基板1表面にグループ5および溝
6を形成する。溝6の形成はグループ5の形成と同時に
、例えば射出成型法によって形成づることもできるし、
あるいは別々に形成することもできる。この溝6の形成
領域は、基板1のグループ領域外の内外周平坦面にあっ
て、後工程で形成される成膜領域を少なくとも全て含む
ものとする。
まずポリカーボネート基板1表面にグループ5および溝
6を形成する。溝6の形成はグループ5の形成と同時に
、例えば射出成型法によって形成づることもできるし、
あるいは別々に形成することもできる。この溝6の形成
領域は、基板1のグループ領域外の内外周平坦面にあっ
て、後工程で形成される成膜領域を少なくとも全て含む
ものとする。
次いで中間層2としてSi多結晶体ターゲットを用いた
Ar+ N2ガスによるスパッタ法によって、スパッタ
ガス圧2.5x 10−I Pa、投入電力400脣で
窒化ケイ素膜を800Aの膜厚で成膜する。次に、光磁
気記録層3としてFeC0合金ターゲット上に丁bチッ
プをのけた複合ターゲットを用いたArガスによるスパ
ッタ法によって投入電力100W、スパッタガス圧9
X 10−2 PaでTbFeCo膜を膜厚800人で
成膜する。最後に保護層4として上記したスパッタ法に
よる窒化ケイ素膜を膜厚800Aで成膜する。
Ar+ N2ガスによるスパッタ法によって、スパッタ
ガス圧2.5x 10−I Pa、投入電力400脣で
窒化ケイ素膜を800Aの膜厚で成膜する。次に、光磁
気記録層3としてFeC0合金ターゲット上に丁bチッ
プをのけた複合ターゲットを用いたArガスによるスパ
ッタ法によって投入電力100W、スパッタガス圧9
X 10−2 PaでTbFeCo膜を膜厚800人で
成膜する。最後に保護層4として上記したスパッタ法に
よる窒化ケイ素膜を膜厚800Aで成膜する。
上記の方法で作製された光磁気ディスクを用い、80°
C190%RHの温湿度条件で環境試験を行ったところ
、800時間経過後においても線状剥離は発生しなかっ
た。
C190%RHの温湿度条件で環境試験を行ったところ
、800時間経過後においても線状剥離は発生しなかっ
た。
一方、第2図に示したような従来形状の基板に光磁気記
録層を成膜した光磁気ディスクを上記と同様の条イ′↑
で環境試験したところ、500時間経過後に線状剥離か
発生した。
録層を成膜した光磁気ディスクを上記と同様の条イ′↑
で環境試験したところ、500時間経過後に線状剥離か
発生した。
また、本実施例におけるポリカーボネート基板に代えて
P聞へ基板を用いた場合も、環境試験による基板と光磁
気記録層の線状剥離の発生は上記と同様に防止され、長
期信頼性が向上した。
P聞へ基板を用いた場合も、環境試験による基板と光磁
気記録層の線状剥離の発生は上記と同様に防止され、長
期信頼性が向上した。
[発明の効果1
以上説明したように、本発明の基板を用いて作製した光
磁気ディスクは、光磁気記録層の基板からの剥離が生じ
難いので、従来の光磁気ディスクに比べて長期信頼性が
大幅に改善されるという効果を有する。
磁気ディスクは、光磁気記録層の基板からの剥離が生じ
難いので、従来の光磁気ディスクに比べて長期信頼性が
大幅に改善されるという効果を有する。
第1図は本発明の一実施例を用いて作製した光磁気ディ
スクの内外周部の概略断面図、第2図は従来の光磁気デ
ィスクの内外周部の概略断面図である。 1.21・・・ポリカーボネート基板 2.22・・・中間層 3.23・・・光磁気記録層 4.24・・・保護層 5.25・・・グループ 6・・・溝
スクの内外周部の概略断面図、第2図は従来の光磁気デ
ィスクの内外周部の概略断面図である。 1.21・・・ポリカーボネート基板 2.22・・・中間層 3.23・・・光磁気記録層 4.24・・・保護層 5.25・・・グループ 6・・・溝
Claims (1)
- (1)樹脂基板表面の情報記録層が形成されるべき面に
グループ領域が設けられてなる光磁気ディスク用基板に
おいて、樹脂基板のグループ領域外の内外周平坦面には
溝が形成されていることを特徴とする光磁気ディスク用
基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14591888A JPH01315050A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 光磁気ディスク用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14591888A JPH01315050A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 光磁気ディスク用基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01315050A true JPH01315050A (ja) | 1989-12-20 |
Family
ID=15396089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14591888A Pending JPH01315050A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 光磁気ディスク用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01315050A (ja) |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP14591888A patent/JPH01315050A/ja active Pending
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