JPH01308008A - 多層状強磁性体 - Google Patents
多層状強磁性体Info
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- JPH01308008A JPH01308008A JP13850188A JP13850188A JPH01308008A JP H01308008 A JPH01308008 A JP H01308008A JP 13850188 A JP13850188 A JP 13850188A JP 13850188 A JP13850188 A JP 13850188A JP H01308008 A JPH01308008 A JP H01308008A
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、鉄を主成分とした、高い飽和磁束密度と透磁
率を有し、かつ磁歪定数が零付近にある耐食性多層状強
磁性体に関するものである。
率を有し、かつ磁歪定数が零付近にある耐食性多層状強
磁性体に関するものである。
従来の技術
これまで、鉄を主成分とし、ケイ素やルテニウムを含有
する強磁性材料としては、鉄−ケイ素系合金(特公昭6
1156g号公報)、鉄−ケイ素−ルテニウム系合金(
ヨーロッパ特許第144,150号明細書)、鉄−ルテ
ニウム系合金(特開昭62−139846号公報)など
が知られ、これらは磁気ディスク装置、VTRなどの磁
気ヘッド用コアの材料に適するとされているが、いまだ
実用化されるには至ってい′、″t、・。
する強磁性材料としては、鉄−ケイ素系合金(特公昭6
1156g号公報)、鉄−ケイ素−ルテニウム系合金(
ヨーロッパ特許第144,150号明細書)、鉄−ルテ
ニウム系合金(特開昭62−139846号公報)など
が知られ、これらは磁気ディスク装置、VTRなどの磁
気ヘッド用コアの材料に適するとされているが、いまだ
実用化されるには至ってい′、″t、・。
、′れらのうちで、鉄−ケイ素合金は、飽和磁束密度や
透磁率が高いという特性を有しているが、ケイ素鋼板を
変圧器に用いる場合、油中に浸せきして大気から隔離し
て用いることからも分かるように、大気中で錆を発生し
やすい上に、摩耗しやすいため、耐食性、耐摩耗性を必
要とする磁気ヘッド用としては不適である。また、この
中でケイ素含有量がおおむね6.5重量%のものは磁歪
定数が零付近にあり、磁気特性が特に優れていることか
ら磁気ヘッド用として応用することが試みられているが
、前述のように耐食性の点で問題があるため、まだ実用
化に至っていない。
透磁率が高いという特性を有しているが、ケイ素鋼板を
変圧器に用いる場合、油中に浸せきして大気から隔離し
て用いることからも分かるように、大気中で錆を発生し
やすい上に、摩耗しやすいため、耐食性、耐摩耗性を必
要とする磁気ヘッド用としては不適である。また、この
中でケイ素含有量がおおむね6.5重量%のものは磁歪
定数が零付近にあり、磁気特性が特に優れていることか
ら磁気ヘッド用として応用することが試みられているが
、前述のように耐食性の点で問題があるため、まだ実用
化に至っていない。
次に、鉄−ケイ素−ルテニ・、ム系合金は、高密度磁気
記録の磁気ヘッド用薄膜才料として知られているが(ヨ
ーロッパ特許第14,150号明細il)、ケイ素含有
量の少ない領域では磁歪定数が大きく、磁気ヘッドのよ
うに加工歪を生じる用途では、磁気特性の劣化が著しく
不適当である。
記録の磁気ヘッド用薄膜才料として知られているが(ヨ
ーロッパ特許第14,150号明細il)、ケイ素含有
量の少ない領域では磁歪定数が大きく、磁気ヘッドのよ
うに加工歪を生じる用途では、磁気特性の劣化が著しく
不適当である。
一方、ケイ素含有量の多い領域では磁歪定数は零付近に
なるものの透磁率を向上させるためにSiO□の中間層
を用いて多層化すると飽和磁束密度が16KG以下に低
下するため、利用範囲が制限されるのを免れない。
なるものの透磁率を向上させるためにSiO□の中間層
を用いて多層化すると飽和磁束密度が16KG以下に低
下するため、利用範囲が制限されるのを免れない。
他方、鉄−ルテニウム系合金は、飽和磁束密度が高く、
磁歪定数が零に近いという特性を有するが、透磁率が小
さく、これを多層化した場合でもせいぜい1800程度
であり、磁気ヘッドに加工する熱プロセスなどによる透
磁率の劣化を考えるといまだ実用上問題がある。
磁歪定数が零に近いという特性を有するが、透磁率が小
さく、これを多層化した場合でもせいぜい1800程度
であり、磁気ヘッドに加工する熱プロセスなどによる透
磁率の劣化を考えるといまだ実用上問題がある。
発明が解決しようとする課題
本発明は、このような従来の鉄を主成分とした強磁性体
がもつ欠点を克服し、高飽和磁束密度、高透磁率で、か
つ磁歪定数が零付近にあり、しかも耐食性の良好な鉄合
金から成る多層状強磁性体を提供することを目的として
なされたものである。
がもつ欠点を克服し、高飽和磁束密度、高透磁率で、か
つ磁歪定数が零付近にあり、しかも耐食性の良好な鉄合
金から成る多層状強磁性体を提供することを目的として
なされたものである。
課題を解決するための手段
本発明者らは、鉄を主成分とし、ケイ素やルテニウムを
含有させた合金から成る強磁性材料について種々研究を
重ねた結果、ケイ素とルテニウムを特定の範囲内で含有
した、体心立方格子型結晶構造をもつ鉄合金からなる主
磁性層とそれ以外の結晶構造をもつ磁性又は非磁性材料
からなる中間層とを基板上に多層に積層したものが、高
飽和磁束密度、高透磁率で、かつ磁歪定数が零付近にあ
る上に、良好な耐食性を示jことを見出し、この知見に
基づいて本発明をなすに至った。
含有させた合金から成る強磁性材料について種々研究を
重ねた結果、ケイ素とルテニウムを特定の範囲内で含有
した、体心立方格子型結晶構造をもつ鉄合金からなる主
磁性層とそれ以外の結晶構造をもつ磁性又は非磁性材料
からなる中間層とを基板上に多層に積層したものが、高
飽和磁束密度、高透磁率で、かつ磁歪定数が零付近にあ
る上に、良好な耐食性を示jことを見出し、この知見に
基づいて本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、鉄を主成分とし、ケイ素少なくと
も0.5重量%、ルテニウム少なくとも3.5重量%を
含有し、かつケイ素の含有量を!(重量%)、ルテニウ
ムの含有量をy(重量%)としたとき、(x++/6y
)が2.51i量%を超えない範囲にある体心立方格子
型結晶構造を有する鉄合金から成る主強磁性層とそれ以
外の結晶構造を有する磁性又は非磁性材料から成る中間
層とを基板上に交互に積層したことを特徴とする多層状
強磁性体を提供するものである。
も0.5重量%、ルテニウム少なくとも3.5重量%を
含有し、かつケイ素の含有量を!(重量%)、ルテニウ
ムの含有量をy(重量%)としたとき、(x++/6y
)が2.51i量%を超えない範囲にある体心立方格子
型結晶構造を有する鉄合金から成る主強磁性層とそれ以
外の結晶構造を有する磁性又は非磁性材料から成る中間
層とを基板上に交互に積層したことを特徴とする多層状
強磁性体を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の積層材料の主要構成素材として用いる主強磁性
材料は、体心立方格子型結晶構造を有し、しかも主成分
としての鉄に、少なくとも0.5重量%のケイ素と3.
5重量%のルテニウムを含有させたものであって、さら
にケイ素含有量とルテニウム含有量について、次の関係
式を満たすものである。
材料は、体心立方格子型結晶構造を有し、しかも主成分
としての鉄に、少なくとも0.5重量%のケイ素と3.
5重量%のルテニウムを含有させたものであって、さら
にケイ素含有量とルテニウム含有量について、次の関係
式を満たすものである。
x +1 / 6 y≦2.5
このケイ素の量比が0.5重量%未満では、透磁率が低
下するし、ルテニウムの量比が3.5重量%未満では耐
食性が低下し、さらに上記の関係式において、(x+
1 /6 y)が2.5重量%を越えると磁歪定数が+
4XIO−’以上に上昇するので、いずれの場合も不都
合である。
下するし、ルテニウムの量比が3.5重量%未満では耐
食性が低下し、さらに上記の関係式において、(x+
1 /6 y)が2.5重量%を越えると磁歪定数が+
4XIO−’以上に上昇するので、いずれの場合も不都
合である。
また、本発明の積層材料の他の構成素材として用いる磁
性又は非磁性材料よりなる中間層としては、体心立方構
造以外の結晶構造を有するものであればいかなるもので
もよく、例えばパーマロイ、ニッケル、コバルトなどの
磁性材、SiO□、Au2ozのような酸化物や窒化ケ
イ素のような窒化物などの非磁性材があり、特に5i0
2のような安定なものが好ましい。
性又は非磁性材料よりなる中間層としては、体心立方構
造以外の結晶構造を有するものであればいかなるもので
もよく、例えばパーマロイ、ニッケル、コバルトなどの
磁性材、SiO□、Au2ozのような酸化物や窒化ケ
イ素のような窒化物などの非磁性材があり、特に5i0
2のような安定なものが好ましい。
本発明の多層状強磁性体を形成するには、このような主
強磁性層と磁性又は非磁性材料の中間層とを基板上に交
互に積層することが必要である。
強磁性層と磁性又は非磁性材料の中間層とを基板上に交
互に積層することが必要である。
例えば、結晶化ガラス、Mu−Za系フェライト等の基
板に、主強磁性層を形成するための鉄−ケイ素や鉄−ル
テニウムなどのターゲット上にそれぞれルテニウムやケ
イ素片を載置した複合ターゲットと、中間層を形成する
ための磁性又は非磁性材料のターゲットを用いて、交互
にスバ・7タリングを行う方法、その他真空蒸着法など
が用いられる。
板に、主強磁性層を形成するための鉄−ケイ素や鉄−ル
テニウムなどのターゲット上にそれぞれルテニウムやケ
イ素片を載置した複合ターゲットと、中間層を形成する
ための磁性又は非磁性材料のターゲットを用いて、交互
にスバ・7タリングを行う方法、その他真空蒸着法など
が用いられる。
真空蒸着法の場合には、多元系蒸着装置を用いて主磁性
層と中間層を交互に蒸着すればよい。
層と中間層を交互に蒸着すればよい。
発明の効果
本発明の多層状強磁性体は、高飽和磁束密度、高透磁率
で、かつ磁歪定数が零付近にある上に、耐食性に優れる
という顕著な効果を奏し、磁気ディスク装置、VTRな
どの磁気へラドコア、あるいは薄膜トランス、薄膜イン
ダクタなどのコアの材料として好適に利用しうる。
で、かつ磁歪定数が零付近にある上に、耐食性に優れる
という顕著な効果を奏し、磁気ディスク装置、VTRな
どの磁気へラドコア、あるいは薄膜トランス、薄膜イン
ダクタなどのコアの材料として好適に利用しうる。
実施例
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1
鉄−4重量%ルテニウムターゲット上にシリコンウェハ
ーの小片を該ターゲットに対して種々の面積比で載置し
た複合ターゲットと5i02ターゲツトを用いてRFス
パッタ装置を用いて3000 c(エルステッド)の磁
場中で交互にスパッタリングし、600人厚0鉄−ケイ
素−ルテニウム磁性合金と30人人厚SiO□から成る
総膜厚約1μmの多層膜を形成した。この時基板として
は、膜組成分析と磁気特性、耐食性評価用試料には板厚
1 、 l yarnの結晶化ガラス(商品名=7オト
セラム)を用い、磁歪定数測定用の試料には板厚約0
、1 mmの硼珪酸ガラス(商品名:検波カバーガラス
)を用いた。
ーの小片を該ターゲットに対して種々の面積比で載置し
た複合ターゲットと5i02ターゲツトを用いてRFス
パッタ装置を用いて3000 c(エルステッド)の磁
場中で交互にスパッタリングし、600人厚0鉄−ケイ
素−ルテニウム磁性合金と30人人厚SiO□から成る
総膜厚約1μmの多層膜を形成した。この時基板として
は、膜組成分析と磁気特性、耐食性評価用試料には板厚
1 、 l yarnの結晶化ガラス(商品名=7オト
セラム)を用い、磁歪定数測定用の試料には板厚約0
、1 mmの硼珪酸ガラス(商品名:検波カバーガラス
)を用いた。
スパッタリングの条件は、Ar圧10i Torr、投
入パワー3 、2 W/cm”、基板温度300℃とし
た。
入パワー3 、2 W/cm”、基板温度300℃とし
た。
このようにして得られた多層膜の組成や磁気特性を以下
の方法により求めた。
の方法により求めた。
膜組fR: EMPA(Elsetron Probe
Micro −A++1lysis)法により決定し
た。
Micro −A++1lysis)法により決定し
た。
透磁率:磁化困難軸方向に測定磁場が印加されるように
フェライトヨークを膜面 にあて、インピーダンスアナライザ を用いて3m0eの磁場でインダクタンスを測定するこ
とにより求めた。
フェライトヨークを膜面 にあて、インピーダンスアナライザ を用いて3m0eの磁場でインダクタンスを測定するこ
とにより求めた。
磁歪定数:薄膜試料を膜面内に回転する磁場中に配置し
て、伸縮を同期整流方 式によってレーザーを用いて検出・ 測定した。
て、伸縮を同期整流方 式によってレーザーを用いて検出・ 測定した。
飽和磁束密度:試料振動式磁力計(VSM)法により測
定した。
定した。
耐食性:薄膜試料表面に、0.5%NaC1水溶液を室
温で24時間噴霧したときの試 験前後の飽和磁化の変化率を腐食率 として評価した。
温で24時間噴霧したときの試 験前後の飽和磁化の変化率を腐食率 として評価した。
第1図は、この多層膜の透磁率とケイ素量との関係を示
すグラフである。これから、0.5重量%以上のケイ素
を含有させると+600以上の高透磁率が得られること
が分った。
すグラフである。これから、0.5重量%以上のケイ素
を含有させると+600以上の高透磁率が得られること
が分った。
次に、第2図はこの多層膜の磁歪定数とケイ素量との関
係を示すグラフである。磁気ヘッド等へ応用する場合、
磁歪定数が零付近にある必要があることから、Si≦1
.83範囲内であれば磁歪定数は4X10−’以下とな
り好ましい。またこの組成範囲内の多層膜はいずれも腐
食率20%以下の良好な耐食性を示し、飽和磁束密度も
いずれも18KG以上の高い値を示した。
係を示すグラフである。磁気ヘッド等へ応用する場合、
磁歪定数が零付近にある必要があることから、Si≦1
.83範囲内であれば磁歪定数は4X10−’以下とな
り好ましい。またこの組成範囲内の多層膜はいずれも腐
食率20%以下の良好な耐食性を示し、飽和磁束密度も
いずれも18KG以上の高い値を示した。
実施例2
実施例1の複合ターゲットに代えて鉄−1,5重量%ケ
イ素ターゲット上にルテニウムの小片を該ターゲットに
対して種々の面積比で載置した複合ターゲットを用いた
以外は、実施例1と同様にして多層膜を形成した。
イ素ターゲット上にルテニウムの小片を該ターゲットに
対して種々の面積比で載置した複合ターゲットを用いた
以外は、実施例1と同様にして多層膜を形成した。
このようにして得られた多層膜のルテニウム量に対する
耐食性を次表に示す。
耐食性を次表に示す。
この表から、ルテニウム量が3.5重量%以上になると
、腐食率20%以下の良好な耐食性を示すことが分る。
、腐食率20%以下の良好な耐食性を示すことが分る。
次に、第3図はこの多層膜の飽和磁束密度とルテニウム
量との関係を示すグラフである。これから、ルテニウム
量が16重量%以上になると、飽和磁束密度は18KG
以下となり、好ましくない。
量との関係を示すグラフである。これから、ルテニウム
量が16重量%以上になると、飽和磁束密度は18KG
以下となり、好ましくない。
さらに、第4図は、この多層膜の磁歪定数とルテニウム
量との関係を示すグラフである。これを第2図と対比す
ると、ルテニウムもケイ素と同様に量比を増加すると磁
歪定数も+側へ変化するが、同じ重量%だけ増加した場
合ルテニウムの方が磁束定数を上げる割合が小さくケイ
素の1/6程度であることが分る。本実施例においては
、O≦Ru≦6の範囲で磁歪定数は4X10−’以下の
好ましい値を示した。
量との関係を示すグラフである。これを第2図と対比す
ると、ルテニウムもケイ素と同様に量比を増加すると磁
歪定数も+側へ変化するが、同じ重量%だけ増加した場
合ルテニウムの方が磁束定数を上げる割合が小さくケイ
素の1/6程度であることが分る。本実施例においては
、O≦Ru≦6の範囲で磁歪定数は4X10−’以下の
好ましい値を示した。
第1図は、実施例1の多層膜の透磁率とケイ素量との関
係を示すグラフ、第2図は、実施例1の多層膜の磁歪定
数とケイ素量との関係を示すグラフ、第3図は、実施例
2の多層膜の飽和磁束密度とルテニウムとの関係を示す
グラフ、第4図は、実施例2の多層膜の磁歪定数とルテ
ニウム量との関係を示すグラフである。
係を示すグラフ、第2図は、実施例1の多層膜の磁歪定
数とケイ素量との関係を示すグラフ、第3図は、実施例
2の多層膜の飽和磁束密度とルテニウムとの関係を示す
グラフ、第4図は、実施例2の多層膜の磁歪定数とルテ
ニウム量との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 1 鉄を主成分とし、ケイ素少なくとも0.5重量%、
ルテニウム少なくとも3.5重量%を含有し、かつケイ
素の含有量をx(重量%)、ルテニウムの含有量をy(
重量%)としたとき、(x+1/6y)が2.5重量%
を超えない範囲にある体心立方格子型結晶構造を有する
鉄合金から成る主強磁性層とそれ以外の結晶構造を有す
る磁性又は非磁性材料から成る中間層とを基板上に交互
に積層したことを特徴とする多層状強磁性体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13850188A JPH01308008A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 多層状強磁性体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13850188A JPH01308008A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 多層状強磁性体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01308008A true JPH01308008A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15223598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13850188A Pending JPH01308008A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 多層状強磁性体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01308008A (ja) |
-
1988
- 1988-06-07 JP JP13850188A patent/JPH01308008A/ja active Pending
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