JPH01308008A - 多層状強磁性体 - Google Patents

多層状強磁性体

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JPH01308008A
JPH01308008A JP13850188A JP13850188A JPH01308008A JP H01308008 A JPH01308008 A JP H01308008A JP 13850188 A JP13850188 A JP 13850188A JP 13850188 A JP13850188 A JP 13850188A JP H01308008 A JPH01308008 A JP H01308008A
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JP
Japan
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ruthenium
silicon
crystal structure
magnetic
iron
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JP13850188A
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English (en)
Inventor
Masatatsu Sugaya
菅屋 正達
Hiroshi Okayama
岡山 博
Yoshikazu Narumiya
成宮 義和
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、鉄を主成分とした、高い飽和磁束密度と透磁
率を有し、かつ磁歪定数が零付近にある耐食性多層状強
磁性体に関するものである。
従来の技術 これまで、鉄を主成分とし、ケイ素やルテニウムを含有
する強磁性材料としては、鉄−ケイ素系合金(特公昭6
1156g号公報)、鉄−ケイ素−ルテニウム系合金(
ヨーロッパ特許第144,150号明細書)、鉄−ルテ
ニウム系合金(特開昭62−139846号公報)など
が知られ、これらは磁気ディスク装置、VTRなどの磁
気ヘッド用コアの材料に適するとされているが、いまだ
実用化されるには至ってい′、″t、・。
、′れらのうちで、鉄−ケイ素合金は、飽和磁束密度や
透磁率が高いという特性を有しているが、ケイ素鋼板を
変圧器に用いる場合、油中に浸せきして大気から隔離し
て用いることからも分かるように、大気中で錆を発生し
やすい上に、摩耗しやすいため、耐食性、耐摩耗性を必
要とする磁気ヘッド用としては不適である。また、この
中でケイ素含有量がおおむね6.5重量%のものは磁歪
定数が零付近にあり、磁気特性が特に優れていることか
ら磁気ヘッド用として応用することが試みられているが
、前述のように耐食性の点で問題があるため、まだ実用
化に至っていない。
次に、鉄−ケイ素−ルテニ・、ム系合金は、高密度磁気
記録の磁気ヘッド用薄膜才料として知られているが(ヨ
ーロッパ特許第14,150号明細il)、ケイ素含有
量の少ない領域では磁歪定数が大きく、磁気ヘッドのよ
うに加工歪を生じる用途では、磁気特性の劣化が著しく
不適当である。
一方、ケイ素含有量の多い領域では磁歪定数は零付近に
なるものの透磁率を向上させるためにSiO□の中間層
を用いて多層化すると飽和磁束密度が16KG以下に低
下するため、利用範囲が制限されるのを免れない。
他方、鉄−ルテニウム系合金は、飽和磁束密度が高く、
磁歪定数が零に近いという特性を有するが、透磁率が小
さく、これを多層化した場合でもせいぜい1800程度
であり、磁気ヘッドに加工する熱プロセスなどによる透
磁率の劣化を考えるといまだ実用上問題がある。
発明が解決しようとする課題 本発明は、このような従来の鉄を主成分とした強磁性体
がもつ欠点を克服し、高飽和磁束密度、高透磁率で、か
つ磁歪定数が零付近にあり、しかも耐食性の良好な鉄合
金から成る多層状強磁性体を提供することを目的として
なされたものである。
課題を解決するための手段 本発明者らは、鉄を主成分とし、ケイ素やルテニウムを
含有させた合金から成る強磁性材料について種々研究を
重ねた結果、ケイ素とルテニウムを特定の範囲内で含有
した、体心立方格子型結晶構造をもつ鉄合金からなる主
磁性層とそれ以外の結晶構造をもつ磁性又は非磁性材料
からなる中間層とを基板上に多層に積層したものが、高
飽和磁束密度、高透磁率で、かつ磁歪定数が零付近にあ
る上に、良好な耐食性を示jことを見出し、この知見に
基づいて本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、鉄を主成分とし、ケイ素少なくと
も0.5重量%、ルテニウム少なくとも3.5重量%を
含有し、かつケイ素の含有量を!(重量%)、ルテニウ
ムの含有量をy(重量%)としたとき、(x++/6y
)が2.51i量%を超えない範囲にある体心立方格子
型結晶構造を有する鉄合金から成る主強磁性層とそれ以
外の結晶構造を有する磁性又は非磁性材料から成る中間
層とを基板上に交互に積層したことを特徴とする多層状
強磁性体を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の積層材料の主要構成素材として用いる主強磁性
材料は、体心立方格子型結晶構造を有し、しかも主成分
としての鉄に、少なくとも0.5重量%のケイ素と3.
5重量%のルテニウムを含有させたものであって、さら
にケイ素含有量とルテニウム含有量について、次の関係
式を満たすものである。
x +1 / 6 y≦2.5 このケイ素の量比が0.5重量%未満では、透磁率が低
下するし、ルテニウムの量比が3.5重量%未満では耐
食性が低下し、さらに上記の関係式において、(x+ 
1 /6 y)が2.5重量%を越えると磁歪定数が+
4XIO−’以上に上昇するので、いずれの場合も不都
合である。
また、本発明の積層材料の他の構成素材として用いる磁
性又は非磁性材料よりなる中間層としては、体心立方構
造以外の結晶構造を有するものであればいかなるもので
もよく、例えばパーマロイ、ニッケル、コバルトなどの
磁性材、SiO□、Au2ozのような酸化物や窒化ケ
イ素のような窒化物などの非磁性材があり、特に5i0
2のような安定なものが好ましい。
本発明の多層状強磁性体を形成するには、このような主
強磁性層と磁性又は非磁性材料の中間層とを基板上に交
互に積層することが必要である。
例えば、結晶化ガラス、Mu−Za系フェライト等の基
板に、主強磁性層を形成するための鉄−ケイ素や鉄−ル
テニウムなどのターゲット上にそれぞれルテニウムやケ
イ素片を載置した複合ターゲットと、中間層を形成する
ための磁性又は非磁性材料のターゲットを用いて、交互
にスバ・7タリングを行う方法、その他真空蒸着法など
が用いられる。
真空蒸着法の場合には、多元系蒸着装置を用いて主磁性
層と中間層を交互に蒸着すればよい。
発明の効果 本発明の多層状強磁性体は、高飽和磁束密度、高透磁率
で、かつ磁歪定数が零付近にある上に、耐食性に優れる
という顕著な効果を奏し、磁気ディスク装置、VTRな
どの磁気へラドコア、あるいは薄膜トランス、薄膜イン
ダクタなどのコアの材料として好適に利用しうる。
実施例 次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1 鉄−4重量%ルテニウムターゲット上にシリコンウェハ
ーの小片を該ターゲットに対して種々の面積比で載置し
た複合ターゲットと5i02ターゲツトを用いてRFス
パッタ装置を用いて3000 c(エルステッド)の磁
場中で交互にスパッタリングし、600人厚0鉄−ケイ
素−ルテニウム磁性合金と30人人厚SiO□から成る
総膜厚約1μmの多層膜を形成した。この時基板として
は、膜組成分析と磁気特性、耐食性評価用試料には板厚
1 、 l yarnの結晶化ガラス(商品名=7オト
セラム)を用い、磁歪定数測定用の試料には板厚約0 
、1 mmの硼珪酸ガラス(商品名:検波カバーガラス
)を用いた。
スパッタリングの条件は、Ar圧10i Torr、投
入パワー3 、2 W/cm”、基板温度300℃とし
た。
このようにして得られた多層膜の組成や磁気特性を以下
の方法により求めた。
膜組fR: EMPA(Elsetron Probe
 Micro −A++1lysis)法により決定し
た。
透磁率:磁化困難軸方向に測定磁場が印加されるように
フェライトヨークを膜面 にあて、インピーダンスアナライザ を用いて3m0eの磁場でインダクタンスを測定するこ
とにより求めた。
磁歪定数:薄膜試料を膜面内に回転する磁場中に配置し
て、伸縮を同期整流方 式によってレーザーを用いて検出・ 測定した。
飽和磁束密度:試料振動式磁力計(VSM)法により測
定した。
耐食性:薄膜試料表面に、0.5%NaC1水溶液を室
温で24時間噴霧したときの試 験前後の飽和磁化の変化率を腐食率 として評価した。
第1図は、この多層膜の透磁率とケイ素量との関係を示
すグラフである。これから、0.5重量%以上のケイ素
を含有させると+600以上の高透磁率が得られること
が分った。
次に、第2図はこの多層膜の磁歪定数とケイ素量との関
係を示すグラフである。磁気ヘッド等へ応用する場合、
磁歪定数が零付近にある必要があることから、Si≦1
.83範囲内であれば磁歪定数は4X10−’以下とな
り好ましい。またこの組成範囲内の多層膜はいずれも腐
食率20%以下の良好な耐食性を示し、飽和磁束密度も
いずれも18KG以上の高い値を示した。
実施例2 実施例1の複合ターゲットに代えて鉄−1,5重量%ケ
イ素ターゲット上にルテニウムの小片を該ターゲットに
対して種々の面積比で載置した複合ターゲットを用いた
以外は、実施例1と同様にして多層膜を形成した。
このようにして得られた多層膜のルテニウム量に対する
耐食性を次表に示す。
この表から、ルテニウム量が3.5重量%以上になると
、腐食率20%以下の良好な耐食性を示すことが分る。
次に、第3図はこの多層膜の飽和磁束密度とルテニウム
量との関係を示すグラフである。これから、ルテニウム
量が16重量%以上になると、飽和磁束密度は18KG
以下となり、好ましくない。
さらに、第4図は、この多層膜の磁歪定数とルテニウム
量との関係を示すグラフである。これを第2図と対比す
ると、ルテニウムもケイ素と同様に量比を増加すると磁
歪定数も+側へ変化するが、同じ重量%だけ増加した場
合ルテニウムの方が磁束定数を上げる割合が小さくケイ
素の1/6程度であることが分る。本実施例においては
、O≦Ru≦6の範囲で磁歪定数は4X10−’以下の
好ましい値を示した。
【図面の簡単な説明】
第1図は、実施例1の多層膜の透磁率とケイ素量との関
係を示すグラフ、第2図は、実施例1の多層膜の磁歪定
数とケイ素量との関係を示すグラフ、第3図は、実施例
2の多層膜の飽和磁束密度とルテニウムとの関係を示す
グラフ、第4図は、実施例2の多層膜の磁歪定数とルテ
ニウム量との関係を示すグラフである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 鉄を主成分とし、ケイ素少なくとも0.5重量%、
    ルテニウム少なくとも3.5重量%を含有し、かつケイ
    素の含有量をx(重量%)、ルテニウムの含有量をy(
    重量%)としたとき、(x+1/6y)が2.5重量%
    を超えない範囲にある体心立方格子型結晶構造を有する
    鉄合金から成る主強磁性層とそれ以外の結晶構造を有す
    る磁性又は非磁性材料から成る中間層とを基板上に交互
    に積層したことを特徴とする多層状強磁性体。
JP13850188A 1988-06-07 1988-06-07 多層状強磁性体 Pending JPH01308008A (ja)

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