JPH01305543A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、内部に大きな容量のコンデンサを内蔵する半
導体装置に関する。

〔従来の技術〕

一般に半導体装置では、その回路構成が微細な半導体チ
ップ上に作製されており、トランジスタやダイオード等
の能動素子はもとより、抵抗、コイル、コンデンサ等も
極めて微細な構造となっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

従って、コンデンサにおいてはその容量が制限され、例
えば電源ラインに使用する比較的大きな容量のデカップ
リングコンデンサ等は外付けにする必要があった。

本発明の目的は、このような大きな容量のコンデンサを
半導体装置に内蔵させることである。

〔課題を解決するための手段〕

このために本発明は、リードフレームのダイアイランド
上に誘電体を設けて、該誘電体の上面に金属膜を設け、
該金属膜の上面に半導体チップをボンディングして構成
した。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について説明する。第１図はその
一実施例を示す図である。本実施例では、リードフレー
ム１のグイアイランド１ａの上面に金属（例えばアルミ
ニウム）膜２をスパッタにより被着させて、その金属膜
２の上面に誘電体（例えばＳｉＯ□やポリシリコン）３
をＣＶＤにより所定厚だけ形成し、その誘電体３の上面
にその誘電体３と同面積、同形状の金属膜４（上記金属
膜２と同等）を形成し、その金属膜４の上面に予め回路
が構成された半導体チップ５を被着する。

そして、上記した金属膜４は金属膜２よりも形状を小さ
くして、積層した両者間の少なくとも一部に段差が生じ
るようにして、その部分にワイヤボンドしてリード線を
引出し、リードフレーム１のリード部分（Ｍ示せず）に
接続する。このワイヤボンディングは、半導体チップ５
の電極部分とリード部分との間のワイヤボンディングの
工程中に同時に行う。そして、この後全体を樹脂モール
ドによりパッケージングする。

以上の結果、金属膜２．４及び誘電体３の部分がコンデ
ンサとして機能する。このとき、誘電体３はその面積を
リードフレーム１のグイアイランド１ａとほぼ同等の面
積にすることができ、しかも厚みも半導体チップ５の厚
み程度までは充分可能である。

よって、このコンデンサを電源ラインと接地との間に接
続するリップル吸収用のデカップリング用として使用す
ることができ、半導体チップ５の電源ラインに最も近い
部分に接続することができこのように、大きな容量のコ
ンデンサを半導体Ｗｉｔのパッケージ内に内蔵するがで
きるのでデカップリングコンデンサの外付りが必要なく
なり、その半導体装置のピンの数を減少させることがで
き、同時に回路基板に対する部品実装面積を減らすこと
もできる。また、コンデンサが内蔵されることより、外
付けする場合に顕著な特性変動も少なくすることができ
る。

〔発明の効果〕

以上から本発明の半導体装置によれば、コンデンサ容量
の増大、ピン数の減少、実装面積の狭小、当該コンデン
サの特性変動の減少等を実現することができるという特
徴がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の半導体装置の説明図である
。 １・・・リードフレーム、１ａ・・・グイアイランド、
２・・・金属膜、３・・・誘電体、４・・・金属膜、５
・・・半導体チップ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）リードフレームのダイアイランド上に誘電体を設
   けて、該誘電体の上面に金属膜を設け、該金属膜の上面
   に半導体チップをボンディングして構成したことを特徴
   とする半導体装置。