JPH01302547A - 光学式ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。

Ａ　産業上の利用分野 Ｂ　発明の概要 Ｃ従来の技術（第８図） Ｄ　発明が解決しようとする課題 Ｅ　課題を解決するための手段（第１図）Ｆ　作用 Ｇ　実施例 Ｇ、実施例（Ｊ）（第１図〜第３図） Ｇ２実施例（■）（第４図） Ｇ３実施例（■）（第５図〜第７図） Ｈ発明の効果 Ａ　産業上の利用分野 本発明は、光学式ピックアップ装置に関する。

Ｂ　発明の概要 本発明は光学式ピンクアップ装置に関し、対物レンズと
光学的に結合され、ディスクに対する入射ビーム及び反
射ビームを分離するビームスプリッタと、そのビームス
プリッタの両側で、夫々互いに反対方向に延在する第１
及び第２の光学系とを設け、第１の光学系はレーザ光源
を含み、第２の光学系は光検出器を含むことにより、全
体として小型で、占有空間が小さくて済み、構成部品が
小型と成り、しかも調整が容易と成るようにしたもので
ある。

Ｃ従来の技術 光磁気ディスクは、ガラス、アクリル、ポリカーボネー
ト等の透明基板上に、ＴｂＦｅＣｏ等の垂直磁化膜を、
スパッタ法、真空蒸着法等によって、被着形成したもの
で、情報信号の書き換えを可能にしたものである。

かかる光磁気ディスクに情報信号を記録するには、次の
２通りの方法がある。即ち、光磁気ディスクに直流磁界
を掛けておき、情報信号に応じて点滅するレーザビーム
を磁化膜に照射して、そのビームの照射された部分の磁
化を反転させることにより、情報信号を記録する光変調
方式や、一定のレーザビームを磁化膜に連続照射してお
き、磁化膜に掛ける外部磁界を、情報信号によって変調
して、その情報信号に応じて磁化の反転を行なうことに
よって、情報信号を記録する磁界変調方式次に、第８図
を参照して、従来の光学式ピックアップ装置について説
明する。ここで、紙面内にｘｙ平面を形成するＸ軸及び
ｙ軸並びに紙面と直角で、その上方に向かうＺ軸から成
る直交座標系を設定しておく。

第８図において、（１）は半導体レーザ光源（レーザダ
イオード）で、これよりの−ｙ軸方向に向かうレーザビ
ームが、コリメータレンズ（２）に供給されて平行ビー
ムに成された後、ビームスプリンタ（３）と−磁化され
たプリズム（３Ａ）の反射面で反射されて、その光路が
−Ｘ軸方向に偏向せしめられ、その後、ビームスプリッ
タ（３）の半透鏡面に入射する。そして、この半透鏡面
によって反射され、その光路が−ｙ軸方向に偏向された
Ｓ直線偏向のビームが、このビームスプリッタ（３）よ
り出射する。

このビームスプリンタ（３）は、断面が直角二等辺三角
形のガラスのプリズムと、プリズム（３Ａ）と一体の、
断面が平行四辺形（その頂角は夫々４５度及び１３５度
）のガラスのプリズムとが張り合わされて構成されたも
のである。

破線で囲まれた部分（４）は、紙面に垂直な方向に配さ
れた光学系を示し、描画の都合上、紙面、即ちｘｙ平面
内に描かれている。ビームスプリッタ（３）の半透鏡面
によって反射されて、−ｙ軸方向に進むＳ直線偏向のビ
ームは、光学系（４）のプリズム（５）の反射面で反射
されて、その光路が＋Ｚ軸方向に偏向せしめられた後、
対物レンズ（６）によって集束せしめられて、光磁気デ
ィスク（７）の垂直磁化Ｍｆ！（７ａ）に入射し、そこ
で反射する。この反射ビームは、その磁化膜（７ａ）の
磁化の状態に応じて、カー効果により、入射ビームに対
しその偏光面が僅か回転せしめられると共に、所定の楕
円率が発生して、楕円偏光のビームとなされる。

ディスク（７）の磁化膜で反射した一２軸方向に向かう
発散ビームは、対物レンズ（６）によって平行ビームに
された後、プリズム（５）の反射面で反射されて、その
光路が＋ｙｙ軸方向偏向せしめられた後、ビームスプリ
ッタ（３）に入射してその半透鏡面を通過した後、Ｓ／
Ｎ改善のための位相補償板（８）に入射して、直線偏光
になさしめられる。この位相補償板（９）を出射した直
線偏光は、Ｓ直線偏光の偏光面に対し、２２．５度の方
向で、面内に光学軸を有するλ／２板（９）に入射する
ことによって、Ｓ偏光成分及びｐ偏光成分から成るビー
ム（無信号のときは、その振幅が等しく成る）に変換さ
れ、しかる後、集光レンズ（１０）に入射して集束せし
められる。

集束レンズ（１０）からの集束ビームは、その光路に対
し４５度の角度を有する偏光ビームスプリッタ（検光子
）に入射して、夫々＋ｙ、−ｘ軸方向に光路を有するｐ
偏光成分及びＳ偏光成分のビームに分割され、夫々光検
出器（ピンダイオード）（１２Ａ）、（１２Ｂ）に入射
する。尚、光検出器（１２Ａ）は、半導体レーザ光源（
１）に対する共役点に配される。

そして、これら光検出器（１２Ａ）、（１２Ｂ）からの
検出出力の差から、再生情報信号が得られる。

Ｄ　発明が解決しようとする課題 ところで、かかる従来の光学式ピックアップ装置には、
次のような欠点がある。即ち、光学素子（１）、（２）
から成る光学系と、光学素子（８）、（９）、（１０）
、（１１）、（１２Ａ）からる光学系とが、同方向に平
行に配され、しかもその間にある程度の間隔を採る必要
があるため、ビームスプリンタ（３）が比較的大型と成
ってしまう。しかも、レーザ光源（１）からディスク（
７）に向かうビームが、プリズム（３Ａ）の反射面及び
ビームスプリッタ（３）の半透鏡面で夫々反射されるた
め、ビームスプリッタ（３）の反射面及び半透鏡面との
平行度を高精度に設定しないと、ディスク（７）の磁化
膜（７ａ）上でのビームスポットの結像性能が劣化して
しまうので、ビームスプリンタ（３）及びプリズム（３
Ａ）に対し、高い加工精度を要すると言う欠点がある。

ある。更に、同一面、即ちｘｙ面内に、互いに近接した
、光学素子（１）、（２）から成る光学系と、光学素子
（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２Ａ）から
成る光学系とが互いに平行と成るように配されているた
め、レーザ光源（１）のＸ軸及びｙ軸方向の位置調整並
びに光検出器（１２Ａ）、（１２Ｂ）のＸ軸、Ｘ軸及び
Ｚ軸方向の位置調整が互いに干渉するため、それらの組
立及び位置調整が困難である。

かかる点に鑑み、本発明は、全体として小型で、占有空
間が小さくて済み、構成部品が小型と成り、しかも調整
の容易なものを提案しようとするものある。

Ｅ　課題を解決するための手段 本発明は、対物レンズ（６）と光学的に結合され、ディ
スク（７）に対する入射ビーム及び反射ビームを分離す
るビームスプリンタ（１３）と、そのビームスプリッタ
（１３）の両側で、夫々互いに反対方向に延在する第１
及び第２の光学系とを設け、その第１の光学系はレーザ
光源（１）を含み、第２の光学系は光検出器（１５）を
含むものである。

Ｆ　作用 かかる本発明によれば、第１の光学系のレーザ光源（１
）からのレーザビームが、ビームスブリフタ（１３）を
通じて、ディスク（７）に入射され、その反射ビームが
ビームスプリンタ（１３）を通じて第２の光学系の光検
出器（１５）に入射して、この光検出器（１５）によっ
て、ディスク（７）に記録されている情報信号の再生信
号が得られる。

Ｇ　実施例 以下に、第１図〜第７図を参照して、本発明のいくつか
の実施例を説明するも、これら図において、第８図の従
来例と対応する部分には、同一符号を付して説明する。

尚、第１図、第４図及び第５図においても、第８図と同
様のｘ、ｙ、ｚ直交座標系を設定するものとする。

Ｇ、実施例（１） 先ず、第１図を参照して、実施例（１）の光学式ピック
アップ装置を説明する。第１図において、（１）は半導
体レーザ光源（レーザダイオード）で、これよりの＋ｙ
Ｘ軸方向向かうレーザビームが、コリメータレンズ（２
）に供給されて平行ビームに成された後、夫々断面が直
角二等辺三角形のガラスのプリズム（１３Ａ）と−磁化
された、断面が直角二等辺三角形の一対のガラスのプリ
ズムが張り合わされて構成されたビームスプリンタ（１
３）の半透鏡面に入射する。この半透鏡面によって反射
されて、〜Ｘ軸方向に向かうＳ直線偏光のビームが、ビ
ームスプリッタ（１３）から出射する。

破線で囲まれた部分（４）は、紙面に垂直な方向に位置
する光学系を示し、描画の都合上、紙面、即ちｘｙ平面
内に描かれている。ビームスブリ・２り（１３）の半透
鏡面によって反射されて、−Ｘ軸方向に進むＳ直線偏光
のビームは、光学系（４）の断面が直角三角形のガラス
のプリズム（５）の反射面で反射されて、＋２軸方向に
偏向せしめられた後、対物レンズ（６）によって集束せ
しめられて、光磁気ディスク（７）の垂直磁化膜（７ａ
）に入射し、そこで反射する。この反射ビームは、その
磁化膜の磁化の状態に応じて、入射ビームに対しその偏
光面が僅か回転せしめられると共に、所定の楕円率が発
生して、楕円偏光のビームに成る。

ディスク（７）の磁化膜（７ａ）で反射した一２軸方向
に向かう発散ビームは、対物レンズ（６）によって平行
ビームにされた後、プリズム（５）の反射面で反射され
て、その光路が＋Ｘ軸方向に偏向せしめられた後、ビー
ムスプリッタ（１３）に入射してその半透鏡面を通過し
た後、プリズム（１３Ａ）の反射面で反射して、その光
路が＋ｙ軸方向に偏向せしめられ、しかる後、Ｓ直線偏
光の偏光面に対し、２２．５度の方向で、面内に光学軸
を有するλ／２板（９）を通過することによてって、Ｓ
偏光成分及びｐ偏光成分から成るビーム（無信号のとき
は、両成分の振幅は等しく成る）に変換された後、集光
レンズ（１０）に入射して集束せしめられる。そして、
集束レンズ（１０）からの集束ビームは、光検出器（１
５）に入射する。

次に、この光検出器（１５）の構成及び動作を、第２図
及び第３図を参照して説明しよう。この光検出器（１５
）ｊよ、偏光ビームスプリッタ（Ｉ６）と、同一基板上
に形成された一対の光検出部（１７）、（１８）を備え
る光検出器（１９）とを一体に構成したものである。偏
光ビームスプリッタ（１６）は、断面が直角二等辺三角
形のガラスのプリズム（１６Ａ）と、断面が平行四辺形
（その角度は４５度及び１３５度である）のガラスのプ
リズム（１６Ｂ）とを張り合わせて構成したものである
。

そして、集光レンズ（１０）からの集束ビームが、プリ
ズム（１６Ｂ）の入射面（１６ａ）に直角に入射し、こ
の入射面（１６ａ）に対し４５度の角度を有する接合面
に、誘電多層膜（１６ｂ）が設けられている。この誘電
多層ＨＩＡ（１６ｂ）は、入射ビームのｐ偏光成分を通
過させると共に、Ｓ偏光成分を反射させる。

そして、プリズム（１６Ｂ）の誘電多層膜（１６ｂ）と
平行な平面（１６Ｃ）が、上述のＳ偏光成分に対する反
射面となっている。そして、偏光ビームスプリッタ（１
６）に入射し、誘電多層膜（１６ｂ）で反射分離された
Ｓ偏光成分が、反射面（１６Ｃ）で反射して出射する、
プリズム（１６Ｂ）の面（１６ｄ）と、誘電多層膜（１
６ｂ）で通過分離されたｐ偏光成分が出射するプリズム
（１６Ａ）の面（１６ｅ）　　とは同一平面とされる。

そして、偏光ビームスプリッタ（１６）の各出射面（１
６ｄ）、（１６ｅ）は、入射面（１６ａ）から入射する
集束ビームの集束点Ｐに対して、前後に等距離ずつずら
された位置にある。

次に、光検出器（１９）について説明する。この光検出
器（１９）は、同一基板上に形成された一対の光検出部
（１７）、（１８）から構成されており、夫々プリズム
（１６Ｂ）、（１６Ａ）の面（１６ｄ）、（１６ｅ）に
接している。これら光検出部（１７）、（１８）は、第
３図に示す如く、夫々帯状に３分割されており、その各
中央の検出部（１７Ｂ）、（１８Ｅ）の中心位置に、Ｓ
偏光成分及びｐ偏光成分のビームの光軸を一致させるよ
うにしている。

そして、第３図に示すように、光検出器（１９）の光検
出部（１７）、（１８）に照射されるＳ偏光成分及びｐ
偏光成分の各ビームのスポットＳＰｓ、ＳＰｐが、実線
にて示す如く同一径の状態のときに、ディスク（７）の
磁性膜に照射される集束ビームが、その磁性膜上で焦点
を結ぶように、予め光路調整を行って置くものとする。

かくすると、ディスク（７）の磁性膜に照射される集束
ビームの、その磁性膜（７ａ）上での集束がずれると、
光検出部（１７）、（１８）上のビームスポットの径が
、第２図で破線及−点鎖線で示すように相反的に変化し
、そのスポットＳＰｐ。

ＳＰｓの径の変化に応じた検出出力が、夫々光検出部（
１７）、（１８）から得られる。

次に、この光検出器（１９）の各光検出部（１７）、（
１日）から得られた光検出出力の処理回路について、第
３図を参照して説明する。光検出部（１７）の各光検出
部（１７Ａ）、（１７Ｂ）、（１７Ｃ）からの検出出力
を夫々Ａ、Ｂ、Ｃとし、光検出部（１８）の各光検出部
（１８Ｄ）、（１８Ｅ）、（１８Ｆ）からの検出出力を
夫々Ｄ、Ｅ、Ｆとする。

第３図において、（２１）〜（２４）は夫々加算器を示
し、（２５）〜（２８）は夫々演算増幅器を示す。そし
て、検出出力Ａ、Ｃが加算器（２１）で加算され、演算
増幅器（２５）で検出出力Ｂから加算器（２１）の加算
出力Ａ＋Ｃが減算されて、演算出力ＦＥ＋　＝Ｂ−（Ａ
＋Ｃ）が得られる。検出出力り、Ｆが加算器（２３）で
加算され、演算増幅器（２７）で検出出力Ｅから加算器
（２３）の加算出力Ｄ＋Ｆが減算されて、演算出力ＦＥ
２＝Ｅ−（Ｄ＋Ｆ）が得られる。加算器（２２）で、加
算器（２１）の加算出力Ａ＋Ｃと、検出出力Ｂが加算さ
れ、加算器（２４）で、加算器（２３）の加算出力Ｄ＋
Ｆと、検出出力Ｅが加算され、演算増幅器（２６）で、
加算器（２２）の加算出力ＲＦ、＝Ａ＋Ｂ＋Ｃから、加
算器（２４）の加算出力ＲＦ２＝Ｄ＋Ｅ＋Ｆが減算され
て、演算出力ＲＦ＝ＲＦ、−ＲＦ２が得られ、これがデ
ィスク（７）からの再生情報信号と成る。

演算増幅器（２８）’で、演算増幅器（２５）からの演
算出力ＦＢＩから、演算増幅器（２７）の演算出力ＦＥ
２が減算されて、演算出力Ｆ　Ｅ　＝　Ｆ　Ｅ　１−Ｆ
Ｅ２が得られ、これがフォー力誤差検出信号と成る。

この第１図の実施例（１）の光学式ピンクアンプ装置は
、次のような利点がある。プリズム（１３Ａ）をも含め
たビームスプリッタ（１３）が、従来例に比べて小型、
即ち従来例の２／３に成る。又、これと共に、光学素子
（１）、（２）から成る光学系と、光学素子（９）、（
１０）、（１５）から成る光学系とが、ビームスプリッ
タ（１３）の両側に配されているので、これら両光学系
を、ディスク（７ンのトランク方向、即ちその半径方向
と直角な方向に配することによって、光学系全体の占有
空間を小さくすることができると共に、両系列間のｘ、
ｙ、ｚ方向の位置調整の干渉が少なく成るので、光学素
子の位置調整が簡単と成ると共に、その組立も容易と成
る。プリズム（１３Ａ）の反射面で、レーザ光源（１）
からディスク（７）に向かうビームは反射せず、ディス
ク（７）から光検出器（１５）に向かうビームだけが反
射するので、このプリズム（１３Ａ）の直角度は、それ
程高精度にする必要はなく成り、プリズム（１３Ａ）を
含むビームスプリッタ（１３）の加工精度は低くて済む
。

Ｇ２実施例（ＩＩ） 次に、第４図を参照して、実施例（ＩＩ）の光学式ピン
クアンプ装置を説明する。この実施例の構成の大部分は
、第１図の実施例（１）と同様なので、その異なる部分
のみを説明する。上述の実施例（１）では、光検出器（
１５）に、偏光ビームスプリッタを組み込んだ場合では
あるが、この実施例（ｎ）では、λ／２板（９）と集光
レンズ（１０）との間に、検光子としてのウオーラスト
ンプリズム（３５）を配した場合である。従って、光検
出器（３６）は、第２図の光検出Ｄ　（１５）のプリズ
ム（１６Ａ）、（１６Ｂ）の代わりに、単なる保護用の
ガラスを、光検出器（１９）、即ち光検出部（１７）、
（１８）上に設けた構造のもので良い。

又、検光子としてのウオーラストンブリッジ（３５）は
、λ／２板（９）からのビームがこのウオーラストンブ
リッジ（３５）に入射することによって、常光線及び異
常光線分に分離され、これら各ビームが、集光レンズ（
１ｏ）によって集光されて、光検出器（３６）の一対の
光検出部に入射する。尚、この一対の光検出部の構成及
びそ各検出出力の処理回路は、上述の第３図と同様であ
る。

この実施例（■）の光学式ピンクアップ装置の効果も、
上述の実施例（１）の効果と略同様である。

Ｇ、３実施例（ＩＩＩ） 次に、第５図を参照して、実施例（Ｉ［［）の光学式ピ
ックアンプを説明する。この実施例の構成の大部分は、
第１図の実施例（ｉ）と同様なので、その異なる部分の
みを説明する。上述の実施例Ｎ）では、光検出器（１５
）に、偏光ビームスプリッタを組み込んだ場合ではある
が、この実施例（Ｉ［［）では、第１図のビームスプリ
ッタ（１３）に対応するビームスプリッタとして、λ／
２板及び検光子としての偏光ビームスプリッタの機能を
も合わせ持ったビームスプリッタ（１４）を設けた場合
である。尚、このビームスプリッタ（１４）には、第１
図のプリズム（１３Ａ）に対応する断面が直角二等辺三
角形のプリズム（１４Ａ）が合体されている。

次に、第６図及び第７図を参照して、このビームスプリ
ンタ（１４）の構造及び動作を説明する。

尚、これら第６図及び第７図では、ビームスプリッタ（
１４）と合体されるプリズム（１４Ａ）は図示を省略し
である。このビームスプリッタ（１４）は、夫々断面が
直角二等辺三角形のガラス（３２）及び水晶プリズム（
３３）を、その間に誘電多層膜（３１２”）を介在させ
ると共に、水晶プリズム（３３）の斜面に接着剤層（３
ｌ　ｂ）被着形成して、両プリズム（３２）、（３３）
の各斜面を接合して形成した複合プリズム素子である。

ガラスプリズム（３２）は、コリメータレンズ（２）か
らの平行ビームの光軸方向１ａに直交するビーム入射面
（３２ａ）と、誘電多層膜（３１ａ）によりその光路が
９０度偏向せしめられて出射するビーム及びプリズム（
５）からのビームの共通の光軸方向■に直交するビーム
出入射面（３２ｂ）とを有する。又、水晶プリズム（３
３）は、プリズム（５）からのビームの光軸方向Ｉに直
交する光ビーム出射面（３３ａ）を有している。

これらガラスプリズム（３２）及び水晶プリズム（３３
）は、コリメータレンズ（２）からの平行ビームの光軸
方向Ｉａ及びプリズム（５）からのビームの光軸方向■
に対して、４５度の傾斜角を持った境界面部を形成して
おり、その境界面部において、ガラスプリズム（３２）
側に誘電多層膜（３１ａ）が、例えば蒸着により被着形
成され、又、水晶プリズム（３３）側に接着剤層（３ｌ
　ｂ）が被着されて、ガラスプリズム（３２）と水晶プ
リズム（３３）とが、誘電多層膜（３１ａ）を介して、
接着剤層（３ｌ　ｂ）によって張り合わされる。かくし
て、水晶及び水晶の線膨張係数の違いによって生じる応
力のによる光学的歪の発生が回避される。

そして、水晶プリズム（３３）における光軸は、第６図
において、矢印０．で示される如く、プリズム（５）か
らのビームの光軸方向■に実質的に直交する面内におい
て、且つ、プリズム（５）から入射するビームのｐ偏光
面（Ｘ面に直交するＹ面内にある）に対して４５度だけ
傾いたものとされる。

この複合プリズムから成るビームスプリッタ（１４）に
おいては、第７図に示される如く、コリメータレンズ（
２）からのビームが、ガラスプリズム（３２）のビーム
スプリッタ入射面（３２ａ）から、光軸方向１ａに沿っ
て入射し、誘電多層膜（３１ａ）によって反射されて、
その光軸方向を９０度変化せしめらたＳ直線偏光のビー
ムが、ガラスプリズム（３２）のビーム出入射面（３２
ｂ）から、それに直交する光軸方向■に沿って出射する
。そして、このビーム出入射面（３２ｂ）から出射した
Ｓ直線偏光のビームは、プリズム（５）の反射面でその
光路が９０度偏向せしめられた後、ディスク（７）の磁
化膜（７ａ）に入射し、そして反射する。この反射ビー
ムは、その磁化膜（７ａ）の磁化の状態に応じて、カー
効果により、入射ビームに対しその偏光面が僅か回転せ
しめられると共に、所定の楕円率が発生して、楕円偏光
のビームとなされ、しかる後、プリズム（５）の反射面
で反射されて、その光路が９０度偏向せしめられた後、
ガラスプリズム（３２）の出入射面（３２ｂ）から、そ
れに直交する光軸方向Ｉに沿って入射する。このため、
ｐ偏光成分であるビームが境界面部における法線に対し
て７面内において、角度θｅを成す光軸方向Ｉｅを持っ
て得られ、又、Ｓ偏光成分であるビームが、境界面部に
おける法線に対してＹ面において角度θ０（θ０〉θｅ
）を成して、光軸方向Ｉｏを持って得れる。

そして、これら分離された２本のビームが、水晶プリズ
ム（３３）のビーム出射面（３３ａ）から出射される。

即ち、複合プリズム素子から成るビームスプリッタ（１
４）においては、プリズム（５）からビーム出入射面（
３２ｂ）に入射する楕円ビームが、ｐ偏光成分のビーム
と、Ｓ偏光成分のビーム（無信号時はそれらの振幅は互
いに等しく成る）とに分離される。

そして、このビームスプリッタ（１４）によって分離さ
れ、且つプリズム（１４Ａ）によって反射されてその光
路が９０度偏向せしめられたｐ及びＳ偏光成分のビーム
が、第４図の実施例（ｎ）と同様の光検出器（３６）の
一対の光検出部に各別に入射する。

尚、上述のビームスプリッタ（１４）において、ガラス
プリズム（３２）は、単なる平行平板ガラスであっても
良い。

又、これら光検出器（３６）の一対の光検出部からの検
出出力の処理回路は、第４図の実施例（ＩＩ）と同様で
ある。

この実施例（ＩＩＩ）の光学式ピックアップ装置の効果
も、上述の実施例（ｒ）及び（ＩＩ）の効果と略同様で
ある。

上述の各実施例では、光磁気ディスクを再生する光学式
ピックアップ装置に、本発明を適用した場合について述
べたが、光ディスクを再生する光学式ピックアップ装置
に、本発明を通用することもできる。

Ｈ発明の効果 上述せる本発明によれば、全体として小型で、占有空間
が小さくて済み、構成部品が小型と成り、しかも調整の
容易な光学式ピックアップを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例（１）を示す配置図、第２図は
実施例（１）の光検出器の構成を示す配置図、第３図は
実施例（１）の光検出器及び処理回路を示すブロック線
図、第４図は本発明の実施例（ｎ）を示す配置図、第５
図は本発明の実施例（Ｉ［［）を示す配置図、第６図及
び第７図は夫々実施例（ＩＩＩ）のビームスプリッタ（
複合プリズム素子）の入出射状態を示す説明図、第８図
は従来例を示す配置図である。 （１）は半導体レーザ光源、（２）はコリメータレンズ
、（５）はプリズム、（６）は対物レンズ、（７）は光
磁気ディスク、（７ａ）は垂直磁化膜、（９）はλ／２
板、（１０）は集光レンズ、（１３）、（１４）は夫々
ビームスプリンタ、（１５）は光検出器、（３５）はウ
オーラストンプリズム、（３６）は光検出器である。 ゛「１・ ｏ１１ に−ムスアＩル、り〔卆Ｉイシアリス゛ムー？ｌｌｌ二
；ｌ−１’Ｌ７る尤ヒーム丸す身↑１尺′！さ 第７図 尤検肥器 第２図 先第４＃ｔ　器碩υ桔号ス３Ｊ甲口　９に第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 対物レンズと光学的に結合され、ディスクに対する入射
   ビーム及び反射ビームを分離するビームスプリッタと、 該ビームスプリッタの両側で、夫々互いに反対方向に延
   在する第１及び第２の光学系とを設け、該第１の光学系
   はレーザ光源を含み、上記第２の光学系は光検出器を含
   むことを特徴とする光学式ピックアップ装置。