JPH0130082B2 - - Google Patents
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- JPH0130082B2 JPH0130082B2 JP55030745A JP3074580A JPH0130082B2 JP H0130082 B2 JPH0130082 B2 JP H0130082B2 JP 55030745 A JP55030745 A JP 55030745A JP 3074580 A JP3074580 A JP 3074580A JP H0130082 B2 JPH0130082 B2 JP H0130082B2
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- Japan
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- electrons
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
- G01N2223/071—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission combination of measurements, at least 1 secondary emission
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/10—Different kinds of radiation or particles
- G01N2223/102—Different kinds of radiation or particles beta or electrons
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
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- G01N2223/646—Specific applications or type of materials flaws, defects
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
この発明はLSIマスク等のマスク、半導体ウエ
ハの少なくとも一方のパタン欠陥を検査する装置
に関するものである。 従来のマスクのパタン欠陥検査装置としては、
第１図に示すように、レーザ光スポツト３でマス
ク上を走査し、その反射光検出出力をマスク本体
１′上に形成された金属パタン１の有無に対応し
た１あるいは０のデータに離散化したのち、その
データと所定の設計データあるいは標準パタンと
のパタン対比を計算機によつて行なうようにした
ものがある。しかし、この装置にあつては、レー
ザ光を用いかつ単一の検出器を用いることに起因
する次のような問題がある。 (1) パタン欠陥の原因となるマスク上の付着物に
対する解像度が低い。たとえば、付着物２の反
射率が金属パタン１の反射率に較べて低い場合
には、検出器出力の離散化操作で見逃し易く、
また反射光量が同等の場合には、付着物２があ
るか否かの識別が困難である。このような問題
に対しては、反射光のみを捕える単一の検出系
にのみ依拠しかつ２値の離散化操作のみを行な
う装置では対処が不可能であるということがで
きる。 (2) 走査回数を減すことによる高速化が困難であ
る。たとえば、第１図において、フエーズ(A)と
フエーズ(B)とではデータのサンプリングタイミ
ングが異なるので、検出出力が異なり、フエー
ズ(A)では付着物２を見逃し、またフエーズ(B)で
は付着物２を過小評価をするおそれがある。そ
れ故、スポツト３のサイズを最小線幅よりかな
り小さくする必要がある。 (3) 処理の高速化の面で限界がある。すなわち、
レーザ光を用いる場合には、マスク上走査はレ
ンズ系またはステージの機械的移動に依拠せざ
るを得ず、それ故全電気的制御ができないの
で、走査と走調を合せたデータ収集に多大な時
間を要する。 また、従来のパタン欠陥検査装置には電子ビ
ームを用いたものがある。この装置において
は、電子ビームをマスク上に走査し、照射線か
ら発生する種々の信号を各々の検出器で捕え、
レーザ光の場合と同様に標準パタンと比較して
いる。 しかしながら、この装置においては、Ｘ線、オ
ージエ電子、電子励起ルミネセンス等が分離され
て検出されていたにも拘らず、信号成分の大部分
を占める二次電子、反射電子は分離されることな
く単一の検出器で検出されていたため、次のよう
な問題点がある。 (1) マスク上の付着物に対する解像度が低い。た
とえば、入射電子数に対する二次電子発生率
δS、入射電子数に対する反射電子発生率δBは表
面の物質により変化するが、付着物の上で一方
の発生率たとえば二次電子発生率δSが増大した
分だけ他方の発生率すなわち反射電子発生率δB
が減少すれば、発生率δS、δBに和は変化しない
から、検出器の出力は変化せず、その部分の付
着物を見逃すことになる。 (2) 二次電子と反射電子とを分離せずに単一の検
出器で検出し、しかも詳細に分析するには、Ｘ
線等の他の信号成分を利用することになるが、
Ｘ線等の信号量は小さいので、能率が悪い。 (3) 試料によつては識別できない場合があるか
ら、対象とする表面物質が変つたときに柔軟に
対応できない。 この発明は上述の問題点を解決するためになさ
れたもので、パタン欠陥検査の精度向上と高速化
を図ることのできるパタン欠陥検査装置を提供す
ることを目的とする。 この目的を達成するため、この発明において
は、走査型電子ビーム鏡筒の試料が載置されるス
テージの上方に設けた二次電子検出器と、上記ス
テージの上方に設けた反射電子検出器とを備え、
電子ビームの上記試料への照射によつて発生する
二次電子を上記二次電子検出器で検出するととも
に、上記照射によつて発生する反射電子を上記反
射電子検出器で検出して、マスク、半導体ウエハ
の少なくとも一方のパタン欠陥を検査する装置に
おいて、上記二次電子検出器および上記反射電子
検出器に接続されかつ上記両検出器の出力に線形
演算を行なう演算回路を設ける。 第２図はこの発明に係るマスクのパタン欠陥検
査装置の構成を示す概略図である。図において、
４は走査型電子ビーム鏡筒で、走査型電子ビーム
鏡筒４は電子銃７、アパーチヤ６、レンズ系５、
偏向系９、被検査マスク１６が載置されるステー
ジ１５、ステージ駆動系１４等によつて構成され
ている。１０はステージ１５の上方に設けた二次
電子検出器、１７は高圧バイアス、１１はステー
ジの上方に設けた反射電子検出器、１２は二次電
子検出器１０と反射電子検出器１１に接続したア
ナログ演算回路、１３は偏向系９に接続した走査
制御回路、２４は走査制御回路１３、アナログ演
算回路１２およびステージ駆動系１４に接続した
中央処理装置（CPU）である。 このパタン欠陥検査装置においては、電子銃７
を出発した電子ビーム８はレンズ系５および偏向
系９の作用を受けた後、ステージ１５に載置され
ている被検査マスク１６の表面に達する。このと
き、被検査マスク１６の表面状態に応じて、矢印
１８で示すように２次電子が発生し、また矢印１
９で示すように反射電子が発生する。そして、二
次電子発生率δSと反射電子発生率δBとの和をδと
すると、δのエネルギ分布は第３図のようにな
る。この第３図において、低エネルギ帯域にある
ピーク２０は二次電子が主成分であり、また高エ
ネルギ帯域にあるピーク２１は反射電子が主成分
である。このようなエネルギの違いがあるので、
二次電子と反射電子とを分離して取り出すことは
既存の分析方法で充分可能である。すなわち、被
検査マスク１６と二次電子検出器との間に高圧を
かけて、二次電子検出器１０では低エネルギの二
次電子だけを吸引するようになつており、二次電
子検出器１０からは二次電子発生率δSに比例した
出力が得られる。これに対して、低エネルギの電
子を追い返すフイルタを持つ反射電子検出器１１
にはエネルギの高い反射電子のみが到達し易く、
反射電子検出器１１からは反射電子発生率δBに比
例した出力が得られる。ここで、一般に二次電子
とは入射電子の非弾性的散乱により原子から発生
された電子のうち表面に達し、しかも物質の仕事
関数で決まるポテンシヤル壁を超えて試料表面か
ら放出される電子を言い、二次電子発生率δSは物
質表面の物理状態に大きく依存する。また、反射
電子とは弾性散乱により表面で発生する電子を言
い、反射電子発生率δBは表面物質の電子量により
決定される。したがつて、演算回路１２により検
出器１０，１１の出力に線形演算を施すと、被検
査マスク１６の表面状態に応じて線形演算の処理
結果が大きく相違するから被検査マスク１６の表
面の詳細な分析が可能になる。 表は被検査マスク１６の表面状態と検出器１
０，１１の出力δS、δB、演算回路１２の処理結果
δ1、従来の検出器の出力δ2との関係の例を示すも
ので、結果δ1＝δS−3.5δBであり、出力δ2＝δS＋δ
B
である。
ハの少なくとも一方のパタン欠陥を検査する装置
に関するものである。 従来のマスクのパタン欠陥検査装置としては、
第１図に示すように、レーザ光スポツト３でマス
ク上を走査し、その反射光検出出力をマスク本体
１′上に形成された金属パタン１の有無に対応し
た１あるいは０のデータに離散化したのち、その
データと所定の設計データあるいは標準パタンと
のパタン対比を計算機によつて行なうようにした
ものがある。しかし、この装置にあつては、レー
ザ光を用いかつ単一の検出器を用いることに起因
する次のような問題がある。 (1) パタン欠陥の原因となるマスク上の付着物に
対する解像度が低い。たとえば、付着物２の反
射率が金属パタン１の反射率に較べて低い場合
には、検出器出力の離散化操作で見逃し易く、
また反射光量が同等の場合には、付着物２があ
るか否かの識別が困難である。このような問題
に対しては、反射光のみを捕える単一の検出系
にのみ依拠しかつ２値の離散化操作のみを行な
う装置では対処が不可能であるということがで
きる。 (2) 走査回数を減すことによる高速化が困難であ
る。たとえば、第１図において、フエーズ(A)と
フエーズ(B)とではデータのサンプリングタイミ
ングが異なるので、検出出力が異なり、フエー
ズ(A)では付着物２を見逃し、またフエーズ(B)で
は付着物２を過小評価をするおそれがある。そ
れ故、スポツト３のサイズを最小線幅よりかな
り小さくする必要がある。 (3) 処理の高速化の面で限界がある。すなわち、
レーザ光を用いる場合には、マスク上走査はレ
ンズ系またはステージの機械的移動に依拠せざ
るを得ず、それ故全電気的制御ができないの
で、走査と走調を合せたデータ収集に多大な時
間を要する。 また、従来のパタン欠陥検査装置には電子ビ
ームを用いたものがある。この装置において
は、電子ビームをマスク上に走査し、照射線か
ら発生する種々の信号を各々の検出器で捕え、
レーザ光の場合と同様に標準パタンと比較して
いる。 しかしながら、この装置においては、Ｘ線、オ
ージエ電子、電子励起ルミネセンス等が分離され
て検出されていたにも拘らず、信号成分の大部分
を占める二次電子、反射電子は分離されることな
く単一の検出器で検出されていたため、次のよう
な問題点がある。 (1) マスク上の付着物に対する解像度が低い。た
とえば、入射電子数に対する二次電子発生率
δS、入射電子数に対する反射電子発生率δBは表
面の物質により変化するが、付着物の上で一方
の発生率たとえば二次電子発生率δSが増大した
分だけ他方の発生率すなわち反射電子発生率δB
が減少すれば、発生率δS、δBに和は変化しない
から、検出器の出力は変化せず、その部分の付
着物を見逃すことになる。 (2) 二次電子と反射電子とを分離せずに単一の検
出器で検出し、しかも詳細に分析するには、Ｘ
線等の他の信号成分を利用することになるが、
Ｘ線等の信号量は小さいので、能率が悪い。 (3) 試料によつては識別できない場合があるか
ら、対象とする表面物質が変つたときに柔軟に
対応できない。 この発明は上述の問題点を解決するためになさ
れたもので、パタン欠陥検査の精度向上と高速化
を図ることのできるパタン欠陥検査装置を提供す
ることを目的とする。 この目的を達成するため、この発明において
は、走査型電子ビーム鏡筒の試料が載置されるス
テージの上方に設けた二次電子検出器と、上記ス
テージの上方に設けた反射電子検出器とを備え、
電子ビームの上記試料への照射によつて発生する
二次電子を上記二次電子検出器で検出するととも
に、上記照射によつて発生する反射電子を上記反
射電子検出器で検出して、マスク、半導体ウエハ
の少なくとも一方のパタン欠陥を検査する装置に
おいて、上記二次電子検出器および上記反射電子
検出器に接続されかつ上記両検出器の出力に線形
演算を行なう演算回路を設ける。 第２図はこの発明に係るマスクのパタン欠陥検
査装置の構成を示す概略図である。図において、
４は走査型電子ビーム鏡筒で、走査型電子ビーム
鏡筒４は電子銃７、アパーチヤ６、レンズ系５、
偏向系９、被検査マスク１６が載置されるステー
ジ１５、ステージ駆動系１４等によつて構成され
ている。１０はステージ１５の上方に設けた二次
電子検出器、１７は高圧バイアス、１１はステー
ジの上方に設けた反射電子検出器、１２は二次電
子検出器１０と反射電子検出器１１に接続したア
ナログ演算回路、１３は偏向系９に接続した走査
制御回路、２４は走査制御回路１３、アナログ演
算回路１２およびステージ駆動系１４に接続した
中央処理装置（CPU）である。 このパタン欠陥検査装置においては、電子銃７
を出発した電子ビーム８はレンズ系５および偏向
系９の作用を受けた後、ステージ１５に載置され
ている被検査マスク１６の表面に達する。このと
き、被検査マスク１６の表面状態に応じて、矢印
１８で示すように２次電子が発生し、また矢印１
９で示すように反射電子が発生する。そして、二
次電子発生率δSと反射電子発生率δBとの和をδと
すると、δのエネルギ分布は第３図のようにな
る。この第３図において、低エネルギ帯域にある
ピーク２０は二次電子が主成分であり、また高エ
ネルギ帯域にあるピーク２１は反射電子が主成分
である。このようなエネルギの違いがあるので、
二次電子と反射電子とを分離して取り出すことは
既存の分析方法で充分可能である。すなわち、被
検査マスク１６と二次電子検出器との間に高圧を
かけて、二次電子検出器１０では低エネルギの二
次電子だけを吸引するようになつており、二次電
子検出器１０からは二次電子発生率δSに比例した
出力が得られる。これに対して、低エネルギの電
子を追い返すフイルタを持つ反射電子検出器１１
にはエネルギの高い反射電子のみが到達し易く、
反射電子検出器１１からは反射電子発生率δBに比
例した出力が得られる。ここで、一般に二次電子
とは入射電子の非弾性的散乱により原子から発生
された電子のうち表面に達し、しかも物質の仕事
関数で決まるポテンシヤル壁を超えて試料表面か
ら放出される電子を言い、二次電子発生率δSは物
質表面の物理状態に大きく依存する。また、反射
電子とは弾性散乱により表面で発生する電子を言
い、反射電子発生率δBは表面物質の電子量により
決定される。したがつて、演算回路１２により検
出器１０，１１の出力に線形演算を施すと、被検
査マスク１６の表面状態に応じて線形演算の処理
結果が大きく相違するから被検査マスク１６の表
面の詳細な分析が可能になる。 表は被検査マスク１６の表面状態と検出器１
０，１１の出力δS、δB、演算回路１２の処理結果
δ1、従来の検出器の出力δ2との関係の例を示すも
ので、結果δ1＝δS−3.5δBであり、出力δ2＝δS＋δ
B
である。
【表】
ここで、表面にパタンが載つている所と載つて
いない所のそれぞれの領域では、表面状態が一様
である限り、発生率δS、δBは一定であると考えら
れ、処理結果δ1もそれぞれの領域で一定の値を持
つ。すなわち、パタンのないケースではδ1＝０
であり、またパタン欠陥のあるケースではδ1＝
0.7である。したがつて、パタン欠陥のない理想
的なマスクパタン上の考えられる全ての種類の領
域についての処理結果δ1をデータとして具有して
いるならば、全く従来と同様のパタン欠陥の検査
ができることになる。さらに加えて、処理結果δ1
の対比によつて、パタン以外の付着物質について
も精度高く識別することができる。たとえば、ケ
ースの付着物Ａのように、従来検出器出力δ2が
1.6であつて、ケースのパタンありの場合と同
じ値を示しているときには、従来装置では判別が
不可能であるのに対して、パタン、付着物Ａの表
面の物理状態、原子量が相違していれば、発生率
δS、δBの相違として表われ（ケースではそれぞ
れ1.4、0.2、ケースではそれぞれ1.3、0.3）、処
理結果δ1が相違する（ケースでは0.7、ケース
では0.25）。また、ケースの付着物Ｂのよう
に、従来検出器出力δ2が1.8であつて、ケース
のパタンなしの場合と同じ値を示しているときに
も、従来装置では判別が不可能であるのに対し
て、マスク本体、付着物Ｂの表面の物理状態、原
子量が相違していれば、発生率δS、δBの相違とし
て表われ（ケースではそれぞれ1.4、0.4、ケー
スではそれぞれ1.6、0.2）、処理結果δ1が相違す
る（ケースでは０、ケースでは0.9）。さら
に、ケースの付着物Ｂのように、付着物質の原
子量がマスクパタン物質の原子量に近い場合に
は、反射電子発生率δBがケースと等しくなり
（ケース、ケースともに0.2）、反射電子検出
器１１のみでは検出できないが、表面の物理状態
の違いがあれば、二次電子発生率δSの相違として
表われ（ケースでは1.4、ケースでは1.6）、
処理結果δ1が相違する（ケースでは0.7、ケー
スでは0.9）。このように、二次電子検出器１０
および反射電子検出器１１を併用することによつ
て、パタン欠陥検査精度を向上させることができ
る。 また、上述実施例のように構成すれば、電子ビ
ーム８は電子的走査が可能なので、第２図に示す
ように、被検査マスク１６上の電子ビームプロー
ブ走査とデータ収集を中央処理装置２４によるデ
ータ処理系と結合した専用の走査制御回路１３を
用いて統一的に全電子的に制御することができ、
自動的に高速同期がとれることになり、パタン欠
陥検査処理能力の向上を図ることができる。 さらに、検査プローブとして最小線幅の半分程
度の大型成形ビームを用いた場合には、マスク面
上の走査回数を大幅に減らすことができ、検査を
さらに高速化することができる。たとえば、第４
図では1/5サイズのスポツト２２に較べ大型成形
ビームのスポツト２３では25倍の速度でマスク面
上を走査することができる。なお、これによつて
失われる分解能は、たとえば第５図に示すよう
に、ビームのスポツト２３のなかに占めるパタン
１の部分の面積の比率と、検出によつて演算され
た処理結果との対比値をデータとして具有し、基
準値の多値化を図ることにより計算機処理すれ
ば、補償が可能である。そして、第１図に示すよ
うな表面付着物２に対するフエーズの差も、検出
器１０，１１の出力の線形演算の処理結果の基準
値多値化によつて対処することができる。 なお、上述実施例においては、マスクのパタン
欠陥検査装置について説明したが、電子ビーム露
光装置を用いて直接露光された半導体ウエハや、
従来のマスク露光により製作された半導体ウエハ
のパタン欠陥の検査を行なう装置にもこの発明を
適用できることは当然である。 以上説明したように、この発明に係るパタン欠
陥検査装置においては、電子ビームを電気的に偏
向することが可能であるから、検出器の出力の処
理と同期したパタン欠陥検査の全電子的制御が可
能となり、検査の高速度化を実現することができ
る。また、表面状態を二種類の検出器で補い合う
ことによつて知ることができ、かつパタン物質と
表面付着物との区別が可能となるので、パタン検
査精度が向上する。このように、この発明の効果
は顕著である。
いない所のそれぞれの領域では、表面状態が一様
である限り、発生率δS、δBは一定であると考えら
れ、処理結果δ1もそれぞれの領域で一定の値を持
つ。すなわち、パタンのないケースではδ1＝０
であり、またパタン欠陥のあるケースではδ1＝
0.7である。したがつて、パタン欠陥のない理想
的なマスクパタン上の考えられる全ての種類の領
域についての処理結果δ1をデータとして具有して
いるならば、全く従来と同様のパタン欠陥の検査
ができることになる。さらに加えて、処理結果δ1
の対比によつて、パタン以外の付着物質について
も精度高く識別することができる。たとえば、ケ
ースの付着物Ａのように、従来検出器出力δ2が
1.6であつて、ケースのパタンありの場合と同
じ値を示しているときには、従来装置では判別が
不可能であるのに対して、パタン、付着物Ａの表
面の物理状態、原子量が相違していれば、発生率
δS、δBの相違として表われ（ケースではそれぞ
れ1.4、0.2、ケースではそれぞれ1.3、0.3）、処
理結果δ1が相違する（ケースでは0.7、ケース
では0.25）。また、ケースの付着物Ｂのよう
に、従来検出器出力δ2が1.8であつて、ケース
のパタンなしの場合と同じ値を示しているときに
も、従来装置では判別が不可能であるのに対し
て、マスク本体、付着物Ｂの表面の物理状態、原
子量が相違していれば、発生率δS、δBの相違とし
て表われ（ケースではそれぞれ1.4、0.4、ケー
スではそれぞれ1.6、0.2）、処理結果δ1が相違す
る（ケースでは０、ケースでは0.9）。さら
に、ケースの付着物Ｂのように、付着物質の原
子量がマスクパタン物質の原子量に近い場合に
は、反射電子発生率δBがケースと等しくなり
（ケース、ケースともに0.2）、反射電子検出
器１１のみでは検出できないが、表面の物理状態
の違いがあれば、二次電子発生率δSの相違として
表われ（ケースでは1.4、ケースでは1.6）、
処理結果δ1が相違する（ケースでは0.7、ケー
スでは0.9）。このように、二次電子検出器１０
および反射電子検出器１１を併用することによつ
て、パタン欠陥検査精度を向上させることができ
る。 また、上述実施例のように構成すれば、電子ビ
ーム８は電子的走査が可能なので、第２図に示す
ように、被検査マスク１６上の電子ビームプロー
ブ走査とデータ収集を中央処理装置２４によるデ
ータ処理系と結合した専用の走査制御回路１３を
用いて統一的に全電子的に制御することができ、
自動的に高速同期がとれることになり、パタン欠
陥検査処理能力の向上を図ることができる。 さらに、検査プローブとして最小線幅の半分程
度の大型成形ビームを用いた場合には、マスク面
上の走査回数を大幅に減らすことができ、検査を
さらに高速化することができる。たとえば、第４
図では1/5サイズのスポツト２２に較べ大型成形
ビームのスポツト２３では25倍の速度でマスク面
上を走査することができる。なお、これによつて
失われる分解能は、たとえば第５図に示すよう
に、ビームのスポツト２３のなかに占めるパタン
１の部分の面積の比率と、検出によつて演算され
た処理結果との対比値をデータとして具有し、基
準値の多値化を図ることにより計算機処理すれ
ば、補償が可能である。そして、第１図に示すよ
うな表面付着物２に対するフエーズの差も、検出
器１０，１１の出力の線形演算の処理結果の基準
値多値化によつて対処することができる。 なお、上述実施例においては、マスクのパタン
欠陥検査装置について説明したが、電子ビーム露
光装置を用いて直接露光された半導体ウエハや、
従来のマスク露光により製作された半導体ウエハ
のパタン欠陥の検査を行なう装置にもこの発明を
適用できることは当然である。 以上説明したように、この発明に係るパタン欠
陥検査装置においては、電子ビームを電気的に偏
向することが可能であるから、検出器の出力の処
理と同期したパタン欠陥検査の全電子的制御が可
能となり、検査の高速度化を実現することができ
る。また、表面状態を二種類の検出器で補い合う
ことによつて知ることができ、かつパタン物質と
表面付着物との区別が可能となるので、パタン検
査精度が向上する。このように、この発明の効果
は顕著である。
第１図はレーザ光スポツトのマスク面上走査を
示す説明図、第２図はこの発明に係るマスクのパ
タン欠陥検査装置の構成を示す概略図、第３図は
マスク面上の電子発生率のエネルギ分布を示すグ
ラフ、第４図は試験プローブのスポツトを大型矩
形にした場合を示す説明図、第５図はマスクパタ
ンにかかる大型矩形ビームの位相を示す説明図で
ある。 ４……走査型電子ビーム鏡筒、８……電子ビー
ム、１０……二次電子検出器、１１……反射電子
検出器、１２……アナログ演算回路、１３……走
査制御回路、１５……ステージ、１６……被検査
マスク、２４……中央処理装置。
示す説明図、第２図はこの発明に係るマスクのパ
タン欠陥検査装置の構成を示す概略図、第３図は
マスク面上の電子発生率のエネルギ分布を示すグ
ラフ、第４図は試験プローブのスポツトを大型矩
形にした場合を示す説明図、第５図はマスクパタ
ンにかかる大型矩形ビームの位相を示す説明図で
ある。 ４……走査型電子ビーム鏡筒、８……電子ビー
ム、１０……二次電子検出器、１１……反射電子
検出器、１２……アナログ演算回路、１３……走
査制御回路、１５……ステージ、１６……被検査
マスク、２４……中央処理装置。
Claims (1)
- １ 走査型電子ビーム鏡筒の試料が載置されるス
テージの上方に設けた二次電子検出器と、上記ス
テージの上方に設けた反射電子検出器とを備え、
電子ビームの上記試料への照射によつて発生する
二次電子を上記二次電子検出器で検出するととも
に、上記照射によつて発生する反射電子を上記反
射電子検出器で検出して、マスク、半導体ウエハ
の少なくとも一方のパタン欠陥を検査する装置に
おいて、上記二次電子検出器および上記反射電子
検出器に接続されかつ上記両検出器の出力に線形
演算を行なう演算回路を具備することを特徴とす
るパタン欠陥検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074580A JPS56126752A (en) | 1980-03-11 | 1980-03-11 | Inspecting device for defect of mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074580A JPS56126752A (en) | 1980-03-11 | 1980-03-11 | Inspecting device for defect of mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56126752A JPS56126752A (en) | 1981-10-05 |
| JPH0130082B2 true JPH0130082B2 (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=12312208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3074580A Granted JPS56126752A (en) | 1980-03-11 | 1980-03-11 | Inspecting device for defect of mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56126752A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652677U (ja) * | 1991-07-24 | 1994-07-19 | 弘 西中 | 洗面台および洗面台補助具 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05264464A (ja) * | 1992-12-04 | 1993-10-12 | Hitachi Ltd | 繰返しパターンの欠陥検査装置 |
| JP2807668B2 (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-08 | 株式会社日立製作所 | 電子ビーム欠陥検査方法および装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5056283A (ja) * | 1973-09-14 | 1975-05-16 | ||
| JPS5273788A (en) * | 1975-12-17 | 1977-06-21 | Hitachi Ltd | Silid analyzer capable of performing somultaneous counting |
-
1980
- 1980-03-11 JP JP3074580A patent/JPS56126752A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5056283A (ja) * | 1973-09-14 | 1975-05-16 | ||
| JPS5273788A (en) * | 1975-12-17 | 1977-06-21 | Hitachi Ltd | Silid analyzer capable of performing somultaneous counting |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652677U (ja) * | 1991-07-24 | 1994-07-19 | 弘 西中 | 洗面台および洗面台補助具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56126752A (en) | 1981-10-05 |
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