JPH01300499A - 半導体不揮発性メモリー装置 - Google Patents
半導体不揮発性メモリー装置Info
- Publication number
- JPH01300499A JPH01300499A JP63131106A JP13110688A JPH01300499A JP H01300499 A JPH01300499 A JP H01300499A JP 63131106 A JP63131106 A JP 63131106A JP 13110688 A JP13110688 A JP 13110688A JP H01300499 A JPH01300499 A JP H01300499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sense amplifier
- memory cell
- current
- operating point
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体不揮発性メモリー装置に関し、特に電
気的に書き換え可能な半導体不揮発性メモリーに関する
。
気的に書き換え可能な半導体不揮発性メモリーに関する
。
［発明の概要］
本発明は、不揮発性メモリーセルの情報を読み出すセン
スアンプを有する半導体不揮発性メモリー装置において
、前記センスアンプの比較動作の規準動作点を外部より
任意に設定出来る手段を持たせる事により、半導体不揮
発性メモリー装置のスクリーニングを容易に行えるよう
にしたものである。
スアンプを有する半導体不揮発性メモリー装置において
、前記センスアンプの比較動作の規準動作点を外部より
任意に設定出来る手段を持たせる事により、半導体不揮
発性メモリー装置のスクリーニングを容易に行えるよう
にしたものである。
［従来の技術］
従来、第４図に示すように不揮発性メモリーセル１の情
報を読み出すセンスアンプ２の比較動作の規準動作点が
固定であり、メモリーセル１がデプレッション型である
場合に流れるＯＮｌ［流を外部より測定する事により、
ＯＮ電流の大きさにより一定の規準に達しないものを振
り分けるすなわちスクリーニングを行えるようにしであ
る半導体不揮発性メモリー装置が知られていた。第４図
は従来の実施例を示す構成図であり、３．４はＯＮ電流
を電圧に変換する為のＭＯＳ抵抗、１５はメモリーセル
１のＯＮ電流を外部より測定する為の配線ラインのスイ
ッチ、１９はダミーのメモリーセル、１８はメモリーセ
ル１９に流れるＯＮ電流を決める内部定電圧源である。
報を読み出すセンスアンプ２の比較動作の規準動作点が
固定であり、メモリーセル１がデプレッション型である
場合に流れるＯＮｌ［流を外部より測定する事により、
ＯＮ電流の大きさにより一定の規準に達しないものを振
り分けるすなわちスクリーニングを行えるようにしであ
る半導体不揮発性メモリー装置が知られていた。第４図
は従来の実施例を示す構成図であり、３．４はＯＮ電流
を電圧に変換する為のＭＯＳ抵抗、１５はメモリーセル
１のＯＮ電流を外部より測定する為の配線ラインのスイ
ッチ、１９はダミーのメモリーセル、１８はメモリーセ
ル１９に流れるＯＮ電流を決める内部定電圧源である。
【発明が解決しようとする課題１
しかし、従来、不揮発性メモリーセルの情報を読み出す
センスアンプの比較動作の規準動作点が固定であり、メ
モリーセルのＯＮ電流を外部より測定する事によりスク
リーニングを行う方法では測定する為の試験装置（ＩＣ
テスター）の測定時間が長いので、半導体の高集積化に
伴いメモリー容量が増大した半導体不揮発性メモリー装
置のスクリーニングに要する時間が著しく増大し、実用
的でないという欠点があった。本発明は、従来のこのよ
うな欠点を解決する為に、メモリーセルのＯＮ電流があ
る規準値以上か否かを論理信号の２値出力として得られ
、かつその際の規準値を外部より任意に設定出来る手段
を持つ半導体不揮発性メモリー装置を得る事を目的とし
ている。
センスアンプの比較動作の規準動作点が固定であり、メ
モリーセルのＯＮ電流を外部より測定する事によりスク
リーニングを行う方法では測定する為の試験装置（ＩＣ
テスター）の測定時間が長いので、半導体の高集積化に
伴いメモリー容量が増大した半導体不揮発性メモリー装
置のスクリーニングに要する時間が著しく増大し、実用
的でないという欠点があった。本発明は、従来のこのよ
うな欠点を解決する為に、メモリーセルのＯＮ電流があ
る規準値以上か否かを論理信号の２値出力として得られ
、かつその際の規準値を外部より任意に設定出来る手段
を持つ半導体不揮発性メモリー装置を得る事を目的とし
ている。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決する為に、本発明は、メモリーセルのＯ
Ｎ電流がある規準値以上か否かを論理信号の２値出力と
して得られ、かつその際の規準値を外部より任意に設定
出来る手段を持った構成とし、スクリーニングでの測定
速度をメモリーセルの読み出し速度と同一にする事によ
りスクリーニングに要する時間を実用的な範囲まで短か
く出来るようにした。
Ｎ電流がある規準値以上か否かを論理信号の２値出力と
して得られ、かつその際の規準値を外部より任意に設定
出来る手段を持った構成とし、スクリーニングでの測定
速度をメモリーセルの読み出し速度と同一にする事によ
りスクリーニングに要する時間を実用的な範囲まで短か
く出来るようにした。
［作用１
上記のように構成された半導体不揮発性メモリー装置に
おいて、センスアンプの比較動作の規準動作点をある一
定値に設定しメモリーセルの読み出しを行うと前記メモ
リーセルのＯＮ電流の大きさが一定の規準に達している
かどうかが前記センスアンプから論理信号の２値出力と
して検出する事が出来る。
おいて、センスアンプの比較動作の規準動作点をある一
定値に設定しメモリーセルの読み出しを行うと前記メモ
リーセルのＯＮ電流の大きさが一定の規準に達している
かどうかが前記センスアンプから論理信号の２値出力と
して検出する事が出来る。
［実施例］
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明の第１の実施例を示す読み出し回路の構成図
である。以下、第１の実施例を第１図に基づき説明する
。メモリーセル１．５．６及び’Ｍ ＯＳ抵抗３．４．
７はそれぞれ同一のものであり、ＭＯＳトランジスタ８
をＯＦＦ、ＭＯＳトランジスタ９をＯＮにして端子ｌＯ
から外部より電圧を与え、端子１１に電流計と定電圧源
を直列につなぎ、メモリーセル６に流れる電流がＯＮ電
流の比較規準値になるよう前記電流計でモニターしなが
ら端子１０より印加している電圧の大きさを調節する。
図は本発明の第１の実施例を示す読み出し回路の構成図
である。以下、第１の実施例を第１図に基づき説明する
。メモリーセル１．５．６及び’Ｍ ＯＳ抵抗３．４．
７はそれぞれ同一のものであり、ＭＯＳトランジスタ８
をＯＦＦ、ＭＯＳトランジスタ９をＯＮにして端子ｌＯ
から外部より電圧を与え、端子１１に電流計と定電圧源
を直列につなぎ、メモリーセル６に流れる電流がＯＮ電
流の比較規準値になるよう前記電流計でモニターしなが
ら端子１０より印加している電圧の大きさを調節する。
調節をした後、ＭＯ３Ｉ−ランジスタ８をＯＮ、ＭＯ３
ｌ−ランジスク９をＯＦＦにする。メモリーセル５と６
、ＭＯＳ抵抗４と７は同一のものなので、メモリーセル
５に流れる電流はＯＮ電流の比較規準値と同一となる。
ｌ−ランジスク９をＯＦＦにする。メモリーセル５と６
、ＭＯＳ抵抗４と７は同一のものなので、メモリーセル
５に流れる電流はＯＮ電流の比較規準値と同一となる。
前記比較規準によってセンスアンプ２の比較動作の規準
動作点が決まり、センスアンプ２よりメモリーセルｌの
ＯＮ電流の比較結果が論理信号の２値として出力される
。
動作点が決まり、センスアンプ２よりメモリーセルｌの
ＯＮ電流の比較結果が論理信号の２値として出力される
。
本発明の第２の実施例である第２図の読み出し回路にお
いて、端子１２に電流源１３を接続し、ＯＮ電流の比較
規準値をセンスアンプ２に供給する事によりセンスアン
プ２の比較動作の規準動作点が決まり、センスアンプ２
よりメモリーセルｌのＯＮ電流の比較結果が論理信号の
２値として出力される。３．４は電流を電圧に変換する
為のＭＯＳ抵抗である。
いて、端子１２に電流源１３を接続し、ＯＮ電流の比較
規準値をセンスアンプ２に供給する事によりセンスアン
プ２の比較動作の規準動作点が決まり、センスアンプ２
よりメモリーセルｌのＯＮ電流の比較結果が論理信号の
２値として出力される。３．４は電流を電圧に変換する
為のＭＯＳ抵抗である。
本発明の第３の実施例である第３図の読み出し回路にお
いて、メモリーセルｌ、５及びＭＯＳ抵抗３．４はそれ
ぞれ同一のものであり、今、ＭＯＳトランジスタ１５を
ＯＮにし端子１７に電流源１４を接続し、ＯＮ電流の比
較規準値をセンスアンプ２に供給し、その時のセンスア
ンプ２の出力が規準動作点での出力となるようメモリー
セル５のＯＮ電流を端子１６に外部から与える電圧によ
り調整する。調整した後、ＭＯ３Ｉ−ランジスタ１５を
ＯＦＦにする事によりメモリーセル１のＯＮ電流の比較
結果が論理信号の２値として出力される。
いて、メモリーセルｌ、５及びＭＯＳ抵抗３．４はそれ
ぞれ同一のものであり、今、ＭＯＳトランジスタ１５を
ＯＮにし端子１７に電流源１４を接続し、ＯＮ電流の比
較規準値をセンスアンプ２に供給し、その時のセンスア
ンプ２の出力が規準動作点での出力となるようメモリー
セル５のＯＮ電流を端子１６に外部から与える電圧によ
り調整する。調整した後、ＭＯ３Ｉ−ランジスタ１５を
ＯＦＦにする事によりメモリーセル１のＯＮ電流の比較
結果が論理信号の２値として出力される。
［発明の効果１
以上説明したように、本発明は、センスアンプの比較動
作の規準動作点を外部より任意に設定出来る事よりメモ
リーセルのＯＮ電流が一定の規準に達しているかどうか
が前記センスアンプから論理信号の２値出力としてデー
タの読み出しと同し速さで検出出来るので、スクリーニ
ングに要する時間が短縮され実用的になり、又、親格値
に対してマージンを与えた設定が出来るのでより信頼性
の高い半導体不揮発性メモリー装置を得る事が出来、こ
の半導体不揮発性メモリー装置を使用するシステムの信
頼度も向上する。
作の規準動作点を外部より任意に設定出来る事よりメモ
リーセルのＯＮ電流が一定の規準に達しているかどうか
が前記センスアンプから論理信号の２値出力としてデー
タの読み出しと同し速さで検出出来るので、スクリーニ
ングに要する時間が短縮され実用的になり、又、親格値
に対してマージンを与えた設定が出来るのでより信頼性
の高い半導体不揮発性メモリー装置を得る事が出来、こ
の半導体不揮発性メモリー装置を使用するシステムの信
頼度も向上する。
第１図は本発明の第１の実施例の読み出し回路図、第２
図は本発明の第２の実施例の読み出し回路図、第３図は
本発明の第３の実施例の読み出し回路図、第４図は従来
の読み出し回路図である。 １・・・メモリーセル ２・・・センスアンプ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
図は本発明の第２の実施例の読み出し回路図、第３図は
本発明の第３の実施例の読み出し回路図、第４図は従来
の読み出し回路図である。 １・・・メモリーセル ２・・・センスアンプ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- 不揮発性メモリーセルの情報を読み出すセンスアンプを
有する半導体不揮発性メモリー装置において、前記セン
スアンプの比較動作の規準動作点を外部より任意に設定
出来る手段を有することを特徴とする半導体不揮発性メ
モリー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63131106A JPH01300499A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 半導体不揮発性メモリー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63131106A JPH01300499A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 半導体不揮発性メモリー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01300499A true JPH01300499A (ja) | 1989-12-04 |
Family
ID=15050119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63131106A Pending JPH01300499A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 半導体不揮発性メモリー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01300499A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539689A (en) * | 1994-10-18 | 1996-07-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Nonvolatile semiconductor storage device and semiconductor device |
| US6249457B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-06-19 | Nec Corporation | Nonvolatile memory device and inspection method therefor |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP63131106A patent/JPH01300499A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539689A (en) * | 1994-10-18 | 1996-07-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Nonvolatile semiconductor storage device and semiconductor device |
| US6249457B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-06-19 | Nec Corporation | Nonvolatile memory device and inspection method therefor |
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