JPH01298043A - アルミニウムおよびリン含有シリカ系ガラスを含む物品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 品、例えばシリカを基材とする偏波面保ｑ光ファイバー
ｆｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ−ｍａｉｎｔａｉｎｉｎｇ
　ｏｐｔｉｃａｌｆｉｂｅｒ）に関するものである。

石英ガラスは，多くの応用分野において望ましい材料と
なり得る種々の性質を有している．これら性質のうち、
化学的不活性度が比較的大であること、屈折率が低いこ
とおよび熱膨張率が低いことがとくに挙げられる．しか
しながら石英ガラスは、約２．　０００℃以上という作
業温度を有する耐火材料であるため，石英ガラスを含む
物体を製造することは困難であり高価となる原因となっ
ている．従って、石英ガラスの望ましい特性を少なくと
もほとんど全部保有して、しかも作業温度が十分に低い
ガラス組成物を得ることが望ましい．本発明はこのよう
なガラス組成物ならびにかかるガラスを含む物品を開示
するものである．このような物品の例としては光ファイ
バーを挙げることができる。

シリカを基材とする光ファイバーはテレコミュニケーシ
ョンに広範囲の用途が見出されており、またセンサーや
光ジヤイロスコープのような他の応用分野についても考
えられている．公知のとおり、光ファイバーは，屈折率
が比較的高い軸方向に配列されている中央類＠（通常「
コア」と称せられる）と、これと密接して取り巻いてい
る屈折・トが比較的低い領域（通常「クラッド」と称せ
られる）とを含んでいる。

多くの化学元素が石英ガラスに添加した場合に、その屈
折率を上昇させることが知られている．このような元素
は、通常［アップードーバンｔ・ｔｕｐ−ｄｏｐａｎｔ
）　Ｊ　と称せられ、これにはＧｅ．Ａｒ１。

Ｐ，Ｔｉ．ＴａおよびＬａが含まれる。化学元素にあっ
て，これを石英ガラスに添加した場合に、その屈折率を
ほぼ変化させないか，低下しても小さいという元素の数
は極めて少ない．とくにＦとＢのみが，シリカを基材と
する光ファイバーに対して［ダウン−ドーパント（ｄｏ
ｗｎ−ｄｏｐａｎｔｌ　Ｊとして有効であることが知ら
れている．これらダウン−ドーパントのうち、Ｆは広く
使用されているが、Ｂについては、Ｂが光ファイバーの
コア中またはコアに近接して存在すると，約１．１μｍ
以上の波長において減衰を増加するという事実が、使用
を制限する少なくとも一部の原因となっており、Ｂの使
用は非常に限定されている．米国特許筒４、６１６．９
０１号では、シリカを基材とする光ファイバーのコア中
にＰと　Ａｌが同時に存在していると，コアを失透させ
ることなく比較的多量のＡｒ１（約５％以上）でドーピ
ングできることを開示している。

公知のように、いわゆる単一モード光ファイバーであっ
ても２実際上は直交状態にある基体モードについて、こ
の結合を消失させるために特別の配慮がない限り，直交
状態の基体モードが両方導光されることになる．これを
配慮したものが，いわゆる偏波面保ｒ４（ＰＭ）ファイ
バーである。２Ｍファイバーは、通常その断面は円形対
称となっていないが，直交状態のうち一つのみが比較的
低い損失で導光されるような条件が設定されている．例
えば、米国特許筒４．５１５．４３号および第４．５２
９．４２６号を参考のこと。現在ＰＭファイバーは主に
実験の目的に使用されているが，将来は、センサーや光
ジヤイロスコープ、およびコヒーレント光ファイバー伝
送システムへの使用の可能性など，より広範囲の用途が
見出されると思われる。

一般に２Ｍファイバーにおいては、非円形対称応力が、
コア領域に働いて、コア中で非円形対称屈折率となるよ
うに１個またはそれ以上の応力発生領域が設けられる．
この複屈折を生ずるのに効果が上がるように、応力領域
はファイバーのコアに密接していることが望ましい．コ
アに密接している材料が比較的高い屈折率を有している
と、ファイバーの導光性に悪影響を与えるため、応力発
生領域の屈折率はクラッドの屈折率以下であることが一
般に有利である．さらに応力発生領域中のガラスは，応
力発生体として効果的にするため、シリカの熱膨張率と
は実質的な差のあるものでなければならない。シリカの
屈折率を低下させ、熱膨張率を増大させる両方に有効な
ドーパントとじては、これまでホウ素しか知られていな
かった。従って従来のＰＭファイバーにおける応力発生
領域は、一般にＢをドーピングしたシリカからなってい
る。しかしながらＢでドーピングしたシリカは、約１．
１ｕｍ以上の波長を減衰するので、このような波長で操
作するように設計されたファイバーに対しては、応力を
コアに対し効果的に与えるため応力領域をコアに密接し
て置くということと、余分な減衰が起らないようにＢで
ドーピングしたシリカ領域をコアから遠去けて置くとい
う矛盾した要求の間に、少なくとも、約１．１ａｍ以上
の波長における使用を意図したファイバーについては妥
協が必要となる。公知のように、現在テレコミュニケー
ションの目的に対して好ましい波長は約１．３μｍであ
り、将来は約１．５５ｇ１ｌｌがより好ましい操作波長
となるように思われる。

シリカを基材とするＰＭ光ファイバーが今後重要になる
ことに鑑みると、シリカの屈折率より実質的に大きくな
い屈折率を有しかつ光通信やその他の関連用途に対して
対象となる波長範囲、−船釣には約０．５ｇｍないし約
１．７ｕｍの波長において放射吸収が実質上増加しない
ような、応力発生領域を形成する手段を（することか強
く要望されている。本発明はかかる手段とかかる手段を
含む光ファイバーとを開示するものである。

＋ｌおよびＰは個別的にはシリカのアップ−ドーパント
であることは公知であるが、＾ｅとＰとをほぼ等モル量
でコ・ドーピングした石英ガラスは、シリカの屈折率を
ほぼ不変のままとするか。

屈折率を低下さえさせることができることを見出した。

さらにこのようなドーピングにより、ガラスの作業温度
は、ドーピングしない石英ガラスに比較して十分下げる
ことができる。ＡＲＰＯ，を３０モル％という多量でド
ーピングしたシリカは結晶化を避けるためのクエンチン
グが不要であり、しかもこのような比較的多量のドーパ
ントを加えても、石英ガラスの望ましい多くの性質に大
きな変化を起さず、品質的に受は入れられなくなること
もない０例えば、本発明によりドーピングしたシリカは
、純粋の石英ガラスと比較して熱膨張率が高いが、通常
の多くのガラスの熱膨張率に比較すると依然率さいもの
である。Ａｌ１とＰをほぼ等モル量でドーピングしたシ
リカを、以下ｆ１．Ｐｌ　−ドープトシリカと称する。

ＡｌとＰとでドーピングした石英ガラスの作業温度を十
分低下させて実用上有意義なものとするため、材料はＡ
ｌ１およびＰをそれぞれ少なくとも約２原子％（ａｔｏ
ｍｉｃ％）含むことが望ましい、さらに本発明のガラス
はその屈折率が１石英ガラスの屈折率口。を超えてもせ
いぜい約０．００１である屈折率０を有し、そのＴｇは
、純粋石英ガラスのＴｇ（〜１．１７０℃）より十分（
一般に少なくとも１００℃）低いＴｇを有するものであ
る。公知のとおり。

Ｔｇはガラスの粘度が１０′！４ポアズとなる温度とし
て通常定義されているものである。

本発明のガラスは、光ファイバーを含めた各種の物品に
組み込むことができ、とくにガラスの屈折率が思いがけ
なく低いことにより有利に使用できる。このことにより
、例えばほぼ等モル量のＡｌ１とＰとを光ファイバーの
クラッド領域におけるダウン−ドーパントとして使用す
ることが可能になる１本発明による物品は、八２とＰと
でコ・ドーピングされたシリカを基材とするガラスを含
んでいる。コ・ドーピングしたガラス中のへ２対Ｓｉの
原子比は、約０．０２より大であり、Ａｊ２対Ｐの比は
、コ・ドーピングしたガラスの屈折率が、純粋の石英ガ
ラスの屈折率ｎ。を超えてもせいぜい約０．００１にな
るように選択されたものである。

本発明による現在好ましいとされている光ファイバーに
おいては、コ・ドーピングしたクラッド領域をＰＭファ
イバー中の応力発生領域としている。このようなＰＭフ
ァイバーにおいては、応力発生領域が、対象としている
波長の電磁放射を実質上吸収しないため、応力発生領域
をコアに密接して配置することができる。

本発明によるＰＭファイバーにおいて、（八β、　Ｐｌ
〜ドープトシリカ領域の屈折率は、純粋の石英ガラスの
屈折率と比較して実質的に高くなく　（一般に高くとも
せいぜい約０．００１１、好ましくは等しいかより低い
ものであり、その熱膨張率は純粋の石英ガラスと比較し
て（−数的に少なくとも約５ｏｚ）大きい。

本発明によるファイバーは、必ずしもＰＭファイバーで
ある必要はなく、偏波面の直交モード間の結合が実質上
越らないファイバーであってもよい。後者の場合は、コ
・ドーピングはシリカの屈折率に等しいかまたは小さい
屈折率のクラッド領域を作るか、および／またはプリフ
ォームのコラップス温度を低下させるために使用される
。さらにコ・ドーピングしたクラツデイング領域は、必
ずしもコアを取り巻く必要がなく、クラツデイングの隔
離部分、例えばいわゆるＰＡＮＤＡ　ＰＭファイバー中
の応力ロットから作られた材料であってもよい。

本発明によるガラスの用途は、光ファイバーにのみ限ら
れるものではない。別の用途としては、屈折率と熱膨張
が比較的低く、相対的に伏字的不活性な純粋なガラスを
必要とするあらゆる応用分野に本質的に使用できるもの
である。このような応用分野の具体例としては、半導体
加工、電子包！１ｉ；（ｅｌｅｃｌ、ｒｏｎｉｃ　ｐａ
ｃｋａｇｉｎｇｌおよび蒸気光線（ｖａｐｏｒｌｉｇｈ
ｔｌが挙げられる。本発明によるガラスは、例えば受動
光装置（ｐａｓｓｉｖｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｄｅｖｉｃ
ｅｌまたは集積化電子／光子装置用の平面導波路として
も有利に使用することができる。これら後者の用途にお
いても、本発明のガラスの作業温度が比較的低いことが
重要であると思われる。前記のように。

本発明によるガラスの作業温度は比較的低い、従って、
工業的に有用な物品を製作し加工する場合に、石英ガラ
スに比較して屡／Ｚ容易となり、安価となる。

本発明の重要な特徴は、Ａｌ２とＰとでコ・ドーピング
した石英ガラスの屈折率が、純粋の石英ガラスの屈折率
と比較して等しくできるか、低くできることを思いがけ
ず見い出したことである（２種類の材料の屈折率は同一
波長、例えば光ファイバーの設計または操作波長で比較
すべきことは理解されるであろう）。

本発明の別の特徴は、　（Ａｌ２．　Ｐｌ−ドープトシ
リカの熱膨張率は、他の多（のガラスと比較すると小さ
いが、純粋のシリカの熱膨張率とは明らかに差があり、
その差は（Ａｆｆ、Ｐ）−ドープトシリカを、シリカを
基材とするＰＭフ７才バーにおける応力発生材料として
有利に使用することができるような程度のものであるこ
とを見い出したことである。　　ｆＡｌ．　Ｐｉ−ドー
プトクラッド材料は、ＰＭファイバー以外にも使用でき
る［例えば整合 （ｍａｔｃｈｅｄｌ　クラツデイングまたは扁平（ｄｅ
ｐｒｅｓｓｅｄｌ　クラツデイング設計の単一モードの
光ファイバーに１か、主としてＰＭファイバーについて
以下記載する。

応力発生材料がＰＭファイバーに使用されている場合に
は、一般に従来の応力発生材料（例えばＢまたはＡｌ２
−ドープトシリカ）に代えて（１，Ｐｌ−ドープトシリ
カを使用することができる。例えば、ｆＡＲ，Ｐ）−ド
ープトシリカロッドは、従来使用されているＢ−ドープ
トシリカロッドに代えてＰＡＮＤＡプリフォームのクラ
ッド領域に挿入することができ（例えばＴ、　Ｈｏ５ａ
ｋａ等の、　ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒ、Ｖ
ｏｌ、２１．ｐ、９２０−９２１０９８５１　）　、あ
るいは他の従来技術のファイバーのアルミノケイ酸塩応
力ロットと置き換えることができるｆｕ、　Ｊ、　ｕａ
ｒｒｏ口等、　、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｌｉｇｈｔｗ
ａｖｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ、１．Ｔ−２、
ｐ、１５５参照のこと）。

第１図は、　５ｉｎ２ガラスなＡｌ２でドーピングした
もの（曲線１０）と同じくＰでドーピングしたもの（曲
線１１）とについて得た屈折率の既知の変化（△ｎ”ｎ
−ｎｏ、式中ｎ。は石英ガラスの屈折率）を。

ドーパントの酸化物の濃度の関数として表わしたもので
ある０両方の曲線ともドーパントの濃度増加とともに急
勾配で」１昇している。第ｔｇはまた本質的に等モル量
のＡｇ、とＰとで５ｔｅ２をドーピングして生じた八〇
の予備的な測定値を、同じくドーパントの酸化物濃度の
関数として表わした曲線１２も示しである。さらなる実
験の結果１曲線１２は若干修正される可能性はあるが、
ＡＲとＰでドーピングした５ｉＯｚは屈折率が低下する
という驚ろくべき結果が明らかとなっている。

本発明によるＰＭファイバーを形成するための具体的な
技術としては、ＭＣＶＤ法により円形対称ブリフ↑−ム
を作製し、米国特許第４．５２９．４２６号の教示にほ
ぼ従ってこのプリフォームを変形（偏平）し、この偏・
［ブリフ４−１いから断面を維持するようにして九ファ
イバーに線引する工程が含まれる。このファイバーは一
暇に既知の小合体により既知の方法で被覆される９ １↑１記の肛ＶＤに基づいた方法の代表的な実施態様ｉ
、＝おいては、Ａｆｆ２Ｇ［６ｊ３よびｐｏｃｇ、ノヨ
’＋な気体状のＡシ含イーＴ　＋ｉｉｉ駆ガスならびに
Ｐ含有前駆ガスを気体状５ｉＣｆ２４とともに反応帯に
供給し、約１．８００℃にＪｊいて０２と反応させて、
石英ガラス基体チューブの内面のような基体にに反応生
成物を堆積させるようにする。気体状Ａｇ、１．は、米
国特許第４．６１６．９０１　号に開示されているよう
に、加熱されたアルミニウム線にをＣ！２ガスを通過さ
せてＴＡ造することができる。

ト分な厚さのｉｌ、Ｐ）−ドープトシリカを堆積させた
後、ＡＱおよびＰ含有前駆体ガスの供給を停＋Ｊ＝　Ｌ
　、適当な屈折率に井ドーパントの前駆体（−射的には
ＧｅにＱ、１をガス？Ａ中に導入して、最終的に光ファ
イバーのコアとなるアップ−ドーピングされたシリカを
生成させ、これを（Ａｇ、Ｐｌ−ドープトガラス上に堆
積させる。内面に物質を堆積させたガラスチューブを次
いで既知方法でコラップスして、円形の断面を有するプ
リフォームを作る。

本発明による光ファイバーにおいては、ＡＱおよびＰの
各濃度は、コ・ドーピング領域において、得られたガラ
スの八〇がせいぜい約０．００１　となるようにそれぞ
れが選択される。−射的にいってこのことは八２および
Ｐがほぼ等モル濃度で存在していることを意味している
。そのためにはＡｌ１．、ＰおよびＳｉの塩化物から、
それぞれの酸化物ｆｌ□０３．ＰＪｓおよびＳｉＯ□）
が適当な速度で生成して、正しいドーパント濃度になる
必要がある。

１）？ｉ記の酸化物は同一の揮発度を有しておらず（酸
化リンは、アルミナおよびシリカのいずれよりも、極め
て容易に堆積物から揮発する）またそれらの１ｐ化物／
酸化物平衡は必ずしも当量的ではないために、このよう
な影響を相殺するための各前駆体の供給を調整すること
が一般的に必要である。例えは、発明者はガス流中のｐ
ｏｃｐ　、のＬｆＬＮは、ＡｌＣ９゜のｌｆｆ１　Ｎよ
り約ＩＯ％大きい（約１．８００℃の堆積温度について
、モル基準で）ことが望ましいことを見い出した。いわ
ゆる空乏ｔｄｅｐ　ｌ　ｅｔ　１ｏｎｌ効果は温度依存
・ｈのため、−射的に流ｉｉｔ条件は堆積温度により選
ばれ、全般的に妥当な限界を与えることができない、し
かしながら、−射的に少竜の実験を行えば、適当な条件
を十分決定することができる。具体的な流量（反応温度
的１．８Ｆ１０℃）を第１表に示す。

本発明による具体的な光ファイバープリフォームの関連
部分の屈折率の分布状態を第２図に示す１図中２０はコ
ア領域、２１は（Ａｌ１．Ｐｌでドープした堆積クラッ
ド領域、２２はチューブから得たＳｉＯ□クラッド領域
である。第２図から明らかなように領域２１の屈折率は
ｎ。より小さい。

第３図は、第２図のプリフォームを線引して得た光ファ
イバーの屈折率分布を示す。プリフォームの場合と同様
に、３０は光ファイバーのコア、　３１はｆｌ、Ｐｌド
ーピング堆積クラッド領域、３２はチューブからのシリ
カクラッドを示している。図で明らかなように、クラッ
ド領ｔｄ３１の屈折率は、ドーピングしていない５ｉｆ
２の屈折率と実質的に等しいが、プリフォームの場合は
、それに相当する領域２１の屈折率は、５１０２領域よ
り十分低くなっている。このような屈折率の変化はしば
しば観察されるところで、プリフォームから線引した光
ファイバーに関連するものと考えられる。とくに非円形
プリフォームの断面を保持する場合に一般に採用されて
いるような比較的高い引張り強さで線引した際に付随す
ると考えられる。

観察された（Ａｌ、Ｐ）−ドープトシリカの屈折率の変
化が、どのような機構で生じたかには関係なく、光フア
イバー中に望ましい屈折率分布が得られるように堆積条
件（前駆体流量を含め）を設定するのがよい。屈折率の
変化は、とくに線引温度および／または引張り強さに依
存するため、全般的に妥当な条件を特定することはでき
ない、しかしながら、少量の実験を行えば、適当な堆積
条件を一般には十分設定することができる。

第４図は、屈折率の５ｉｎ２中のへ２対Ｐ比への依存性
を予備的試験で具体的に示すものであって、図中曲線４
１は、Ａｆｆ／Ｓｉの原子比が７．２％であるようなＡ
Ｊ２ａ度を有するガラスの屈折率であり、曲線４２は前
記の比が１２％であるようなガラスの屈折率である。横
座標は、　Ｐ／Ｓｉの原子比を百分率で与えたものであ
る。この予備的試験結果でわかるように、　　ｆＡｇ、
、　Ｐｌ−ドープトシリカの最小屈折率は、ドーパント
が等モル濃度かそれに近いときに起る。

実」１江↓ Ｗ準の＋６Ｘ　１９ｍｍ石英ガラスチューブの内面に肛
ＶＤ法で（Ａｌ２．Ｐｌ−ドープトシリカを析出さゼた
。各前駆体ガスおよび希釈ガス（Ｈｅｌの流１は第１表
中、実施例１の欄に示したとおりであり、反応温度は約
１．８００℃であった。ＡＲ，１，は、米国特許第４．
６１６．９０１号に開示されたようにして、加熱Ａｊ２
ワイヤー上にＣｌ２２ガスを通過させて製造した。２０
回の堆積の後、ＡｆｆａＣｊ２ｓとｐｏｃｇ。

の流れを止め、その代りにガス流にＧｅＣＲ＜をＩｇ／
分導入した。堆積１回後チユーブを既知のような方法で
コラップスして、１ＡＪ２．Ｐｌ−ドープトクラッド領
域の屈折率が実質的にｎ。に等しい円形のプリフォーム
ロッドを得た。このプリフォームから既知の方式で線引
してｆＡｆｆ、Ｐｌ−ドープトクラッド領域の屈折率が
ｎ。よりわずかに大きい（約０、００１だけ）か、コア
の屈折率よりは小さい光ファイバーを得た。

１血廻ユ （Ａｌ１．Ｐ）−ドープトクラッド材享４を堆積するた
めの流量を第１表の実施例２の欄に示したようにし、２
２回の堆積を行った以外は実施例１に記載した方法とほ
ぼ同様にして光ファイバープリフォームを作製した。得
られたプリフォームの屈折率分布状態は第２図に示した
ものとほぼ同じである。

このプリフォームから既知の方法で線引して、第３図と
ほぼ同様の屈折率分布にある光ファイバーを得る。光フ
ァイバーのコア、堆積したクラッドおよび全体の直径は
、それぞれ約６．４０および１２５μｍであり、遮断波
長は約１．１５μＩＩＩ：波長１．５５μＩでの損失は
約０．５ｄＢ／Ｋｍである。

Ｘ胤炭Ｊ 実施例２とほぼ同様にしてプリフォームを作製した。こ
のプリフォームを、米国特許第４．５２９．４２６号に
記載された方法に従って、加熱し押しつぶして、縦横比
が約１・２であるほぼ長方形断面を有するプリフォーム
とした。このプリフォームを既知の方法で線引して（約
４０ｇの引張り強さで）、プリフォームと実質的に同一
の断面形状を有する光ファイバーを得た。この先ファイ
バーの長軸に沿ったファイバーの屈折率は第３図に示し
たものとほぼ同じであった。この光ファイバーは、１３
μｍの波長で、ｌＯｍの長さに対して４２．５ｄＢ、　
５００ｍにダ１して２２ｄ［ｌの消光比をイ］するＰＭ
ファイバーであり、相当するパラメータは１、：ｌ　Ｘ
　Ｉｎ−５／ｍ−’であった。　０．４８８　ａ　ｍに
おけるビート長は約９ｍｍで、モード複屈折５．３　Ｘ
ｌ０−’に相Ｙうする。　１６　μｔｏにおける減衰は
約０．５ｄＢ／Ｋｍ。

１．３ｇｎでは約１　、５ｄｌｌ／Ｋｍであった。　　
ｆｉｌ、　ＰＩ−ドープ］・クラッド領域の熱膨張率は
約 １．４　Ｘｌ０−’°ｃ−’で、これは純粋のシリカの
約３倍である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ドーパントの濃度を関数としてのＡＱドープ
シリカとＰ−ドープシリカの屈折率と。 （１，Ｐｌドープトシリカの屈折率についての予備的デ
ータを表わしたものであり。 第２図および第３図は、本発明を具体化したプリフォー
ムと、このプリフォームな線弓１したファイバーの関連
部分のそれぞれの屈折率を示すものであり、 第４図は、Ａ　ｇ／　Ｐ比の関数としての屈折率につい
ての予備的データを示すものである。 圧折呈差（Δｎ） ＦＩＧ、　４ Ｐ／Ｓｔ　（％） 手続ネ市正書（方式） 平成　１年　４月２７日 特許庁長官　吉　ｌｎ　　文　毅　　殿１、％件の表示 平成　１年特許願第　２７７４３号 ２、発明の名称 アルミニウムおよびリン含有シリカ系 ガラスを含む物品 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 デレクラフ　カムバニー ４、代理人 ５、補正命令の日付 ６、補正の対象　　　　「明　　細　　書」別紙の通り
浄書した明ｍ書を１４提出致します。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ＡｌとＰとでコ・ドーピングしたシリカを基材とす
   るガラスを含む物品であって、コ・ドーピングしたガラ
   ス中のＡｌ対Ｓｉの原子比が約０．０２より大である物
   品において、前記のコ・ドーピングしたガラスの屈折率
   が、純粋の石英ガラスの屈折率ｎ＿０を超えてもたかだ
   か約０．００１であるようにＡｌ対Ｐの比が選択されて
   いることを特徴とする物品。 ２　前記の物品が、コアと、コアを取り囲むクラッドと
   からなり、該クラッドがコ・ドーピングしたガラスから
   なる光ファイバーまたは光ファイバープリフオームであ
   る請求項１記載の物品。 ３、前記光ファイバーが、コ・ドーピングしたガラスか
   らなる少なくとも１つの応力発生領域を含む偏波面保存
   ファイバーである請求項２記載の物品。 ４、前記のコ・ドーピングしたガラスの屈折率がｎ＿０
   以下である請求項３記載の偏波面保存ファイバー。 ５、前記のコ・ドーピングしたガラスがほぼ等モル量の
   ＡｌとＰとを含んでいる請求項１ないし４のいずれかに
   記載の物品。 ６　前記のコ・ドーピングしたガラスが、Ａｌ含有前駆
   体ガス、Ｐ含有前駆体ガスおよびＳｉ含有前駆体ガスを
   反応帯に導入して、該前駆体ガスを酸素と反応させ、Ａ
   ｌとＰとでドーピングしたシリカを基材とする反応生成
   物を基体上に堆積させる工程を含む方法により製造され
   る請求項１ないし５のいずれかに記載の物品。 ７、前記の物品が、基体上に設けられた平板光導波路か
   らなり、該導波路がコ・ドーピングしたガラスからなる
   請求項１記載の物品。