JPH01296672A - Ｈｅｍｔの製造方法 - Google Patents
Ｈｅｍｔの製造方法Info
- Publication number
- JPH01296672A JPH01296672A JP12590288A JP12590288A JPH01296672A JP H01296672 A JPH01296672 A JP H01296672A JP 12590288 A JP12590288 A JP 12590288A JP 12590288 A JP12590288 A JP 12590288A JP H01296672 A JPH01296672 A JP H01296672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate temperature
- alas
- irradiation
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 36
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ＧａＡｓのチャネル層とその上のＡｌＧａＡｓのキャリ
ア供給層との間に介在してチャネル層に接合するＡｌＡ
ｓのスペーサ層を有するＨＥＭＴの製造方法に関し、 二次元電子ガスの移動度及び濃度を高めるべく、チャネ
ル層のスペーサ層との界面の平坦化及びスペーサ層のＡ
ｌＡｓに混入する不純物の低減化を目的とし、 分子線エピタキシー法により、ＧａＡｓ基板上にＧａＡ
ｓのチャネル層をＧａとＡｓがほぼ等量蒸発する第１の
基板温度で成長し、第１の基板温度を保持したままＧａ
照射を止めてチャネル層の表面を平坦化し、引続き第１
の基板温度でＡｌＡｓ １原子層分のＡｌ照射を行った
後、Ａｓ照射を行いながら第１の基板温度より冑くてＡ
ｌＡｓの成長に対し不純物の混入を抑制する第２の基板
温度に昇温し、チャネル層に接合するＡｌＡｓのスペー
サ層を第２の基板温度で成長するように構成する。
ア供給層との間に介在してチャネル層に接合するＡｌＡ
ｓのスペーサ層を有するＨＥＭＴの製造方法に関し、 二次元電子ガスの移動度及び濃度を高めるべく、チャネ
ル層のスペーサ層との界面の平坦化及びスペーサ層のＡ
ｌＡｓに混入する不純物の低減化を目的とし、 分子線エピタキシー法により、ＧａＡｓ基板上にＧａＡ
ｓのチャネル層をＧａとＡｓがほぼ等量蒸発する第１の
基板温度で成長し、第１の基板温度を保持したままＧａ
照射を止めてチャネル層の表面を平坦化し、引続き第１
の基板温度でＡｌＡｓ １原子層分のＡｌ照射を行った
後、Ａｓ照射を行いながら第１の基板温度より冑くてＡ
ｌＡｓの成長に対し不純物の混入を抑制する第２の基板
温度に昇温し、チャネル層に接合するＡｌＡｓのスペー
サ層を第２の基板温度で成長するように構成する。
本発明は、ＧａＡｓのチャネル層とその上のＡｌＧａＡ
ｓのキャリア供給層との間に介在してチャネル層に接合
するＡｌＡｓのスペーサ層を有するＨＥＭＴの製造方法
に関する。
ｓのキャリア供給層との間に介在してチャネル層に接合
するＡｌＡｓのスペーサ層を有するＨＥＭＴの製造方法
に関する。
ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）は、アンドープ
半導体例えばアンドープＧａＡｓのチャネル層上に、バ
ンドギャップがより大きなｎ型半導体例えばｎ−ＡｌＧ
ａＡｓのキャリア供給層を接合させることにより、チャ
ネル層のキャリア供給層側なる界面領域に二次元電子ガ
スを生じさせ、その移動度μが極めて大きいことを利用
して高速動作させるトランジスタである。
半導体例えばアンドープＧａＡｓのチャネル層上に、バ
ンドギャップがより大きなｎ型半導体例えばｎ−ＡｌＧ
ａＡｓのキャリア供給層を接合させることにより、チャ
ネル層のキャリア供給層側なる界面領域に二次元電子ガ
スを生じさせ、その移動度μが極めて大きいことを利用
して高速動作させるトランジスタである。
そして、ＡｌＧａＡｓキャリア供給層のチャネル層と接
する適宜な厚さの領域をアンドープにしたスペーサ層と
なすことにより、上記μがより一層増大することが知ら
れている。更に、このＡｌＧａＡｓスペーサ層とチャネ
ル層との間に微小厚でＡｌＧａＡｓよりバンドギャップ
の大きなアンドープＡｌＡｓのスペーサ層を介在させる
ことにより、チャネル層との間のバンドギャップ不連続
がより太き（なり更に大きなμ及び二次元電子ガスの濃
度Ｎｓが期待されている。
する適宜な厚さの領域をアンドープにしたスペーサ層と
なすことにより、上記μがより一層増大することが知ら
れている。更に、このＡｌＧａＡｓスペーサ層とチャネ
ル層との間に微小厚でＡｌＧａＡｓよりバンドギャップ
の大きなアンドープＡｌＡｓのスペーサ層を介在させる
ことにより、チャネル層との間のバンドギャップ不連続
がより太き（なり更に大きなμ及び二次元電子ガスの濃
度Ｎｓが期待されている。
しかしながら、従来の製造方法、即ち、分子線エピタキ
シー法（ＭＢＥ法）によりＧａＡｓチャネル層からＡｌ
ＧａＡｓキャリア供給層に渡る各層をＧａＡｓ基板上に
成長する際に、基板温度を例えば５８０〜６８０℃程度
の成る一定温度にする方法では、旧＾Ｓスペーサ層を介
在させた場合にμ及びＮｓが期待より海かに低くなって
所望の特性が出てこない。
シー法（ＭＢＥ法）によりＧａＡｓチャネル層からＡｌ
ＧａＡｓキャリア供給層に渡る各層をＧａＡｓ基板上に
成長する際に、基板温度を例えば５８０〜６８０℃程度
の成る一定温度にする方法では、旧＾Ｓスペーサ層を介
在させた場合にμ及びＮｓが期待より海かに低くなって
所望の特性が出てこない。
これは、ＡｌＡｓスペーサ層の成長の際にＣＯやＣＨ４
などの残留不純物ガスなどからＣなどの不純物が混入し
てＡｌＡｓの結晶品質が悪化し、これが、チャネル層の
スペーサ層との界面の平坦性を劣化させてμを低下させ
、且つ、キャリア供給層とチャネル層間の直列抵抗を増
大させてＮｓを低下させるものと思われる。
などの残留不純物ガスなどからＣなどの不純物が混入し
てＡｌＡｓの結晶品質が悪化し、これが、チャネル層の
スペーサ層との界面の平坦性を劣化させてμを低下させ
、且つ、キャリア供給層とチャネル層間の直列抵抗を増
大させてＮｓを低下させるものと思われる。
そこで本発明は、ＧａＡｓのチャネル層とその上のＡｌ
ＧａＡｓのキャリア供給層との間に介在してチャネル層
に接合するＡｌＡｓのスペーサ層を有するＨＥＭＴに対
して、二次元電子ガスのμ及びＮｓを高めるべく、チャ
ネル層のスペーサ層との界面の平坦化及びスペーサ層の
へＩＡｓに混入する不純物の低減化を図る製造方法の提
供を目的とする。
ＧａＡｓのキャリア供給層との間に介在してチャネル層
に接合するＡｌＡｓのスペーサ層を有するＨＥＭＴに対
して、二次元電子ガスのμ及びＮｓを高めるべく、チャ
ネル層のスペーサ層との界面の平坦化及びスペーサ層の
へＩＡｓに混入する不純物の低減化を図る製造方法の提
供を目的とする。
上記目的は、ＭＢＥ法により、ＧａＡｓ基板上にＧａＡ
ｓのチャネル層をＧａとＡｓがほぼ等量蒸発する第１の
基板温度で成長し、第１の基板温度を保持したままＧａ
照射を止めてチャネル層の表面を平坦化し、引続き第１
の基板温度でＡ１＾ｓ１原子層分のＡｌ照射を行った後
、Ａｓ照射を行いながら第１の基板温度より高くてＡｌ
Ａｓの成長に対し不純物の混入を抑制する第２の基板温
度に昇温し、チャネル層とその上のＡｌＧａＡｓのキャ
リア供給層との間に介在してチャネル層に接合するＡＬ
Ａｓのスペーサ層を第２の基板温度で成長する本発明の
製造方法によって達成される。
ｓのチャネル層をＧａとＡｓがほぼ等量蒸発する第１の
基板温度で成長し、第１の基板温度を保持したままＧａ
照射を止めてチャネル層の表面を平坦化し、引続き第１
の基板温度でＡ１＾ｓ１原子層分のＡｌ照射を行った後
、Ａｓ照射を行いながら第１の基板温度より高くてＡｌ
Ａｓの成長に対し不純物の混入を抑制する第２の基板温
度に昇温し、チャネル層とその上のＡｌＧａＡｓのキャ
リア供給層との間に介在してチャネル層に接合するＡＬ
Ａｓのスペーサ層を第２の基板温度で成長する本発明の
製造方法によって達成される。
ＭＢＥ法により上記第１の基板温度（＃５８０℃）でＧ
ａＡｓ層を成長した後、Ａｓ照射のみを継続して基板温
度をそのまま保持すれば、ＧａＡｓ層は、成長が停止し
且つ蒸発し易いＡｓの蒸発が抑えられた状態でアニール
されて、表面が原子層レベルで平坦化する。
ａＡｓ層を成長した後、Ａｓ照射のみを継続して基板温
度をそのまま保持すれば、ＧａＡｓ層は、成長が停止し
且つ蒸発し易いＡｓの蒸発が抑えられた状態でアニール
されて、表面が原子層レベルで平坦化する。
一方、ＭＢＥ法によりＡｌＡｓ層を成長する場合、基板
温度を８００℃程度にすることにより、先に述べた不純
物の混入を抑制することができる。この基板温度が上記
第２の基板温度である。
温度を８００℃程度にすることにより、先に述べた不純
物の混入を抑制することができる。この基板温度が上記
第２の基板温度である。
本発明はこの両者を組合せようとしたものであるが、第
１の基板温度から第２の基板温度に弄温する際にＧａＡ
ｓ層からＡｓが蒸発するのを抑えて、ＧａＡｓ層の表面
の平坦性が失われないようにする必要がある。これは、
昇温中にＡｓ照射を行って基板をＡｓ雰囲気に置いても
上置に達成されない。
１の基板温度から第２の基板温度に弄温する際にＧａＡ
ｓ層からＡｓが蒸発するのを抑えて、ＧａＡｓ層の表面
の平坦性が失われないようにする必要がある。これは、
昇温中にＡｓ照射を行って基板をＡｓ雰囲気に置いても
上置に達成されない。
そこで本発明は上記ＡｌＡｓ １原子層分のＡｌ照射を
行っている。こうすることにより、昇温の初期にＧａＡ
ｓ層上に１原子層のＡｌＡｓ層が形成され、Ａｓ照射と
相俟って昇温途上におけるＡｓの蒸発が抑えられる。
行っている。こうすることにより、昇温の初期にＧａＡ
ｓ層上に１原子層のＡｌＡｓ層が形成され、Ａｓ照射と
相俟って昇温途上におけるＡｓの蒸発が抑えられる。
かくして、ＧａＡｓチャネル層のＡｌＡｓスペーサ層と
の界面の平坦化及びスペーサ層のＡｌＡｓに混入する不
純物の低減化が実現され、μ及びＮｓを高めることがで
きる。
の界面の平坦化及びスペーサ層のＡｌＡｓに混入する不
純物の低減化が実現され、μ及びＮｓを高めることがで
きる。
以下本発明による製造方法の実施例について第１図、第
２図用いて説明する。第１図は実施例の工程順側断面図
（ａ）〜（ｇｌ、第２図はＡｌＡｓスペーサ層成長後Ａ
ｌＣａＡｓスペーサ層成長のＲＨＥＥＤ振動図（ａｌ
（ｂｌ、である。
２図用いて説明する。第１図は実施例の工程順側断面図
（ａ）〜（ｇｌ、第２図はＡｌＡｓスペーサ層成長後Ａ
ｌＣａＡｓスペーサ層成長のＲＨＥＥＤ振動図（ａｌ
（ｂｌ、である。
第１図において、図（ａ）〜図ｍはＭ Ｂ Ｅ、法によ
りＧａＡｓ５板上に各半導体層を連続して成長する工程
を示し、図（ｇｌは製造されたＨＥＭＴ例を示す。
りＧａＡｓ５板上に各半導体層を連続して成長する工程
を示し、図（ｇｌは製造されたＨＥＭＴ例を示す。
即ち先ず〔図（ａｌ参照〕、基板温度を５８０℃にした
ＧａＡｓｊＪ板ｌ （厚さ＃０．５ｍｍ）上にＧａ及び
Ａｓを照射して、アンドープＧａＡｓのチャネル層２を
成長する。厚さ＃６００ｎＩ１１になったところで基板
温度を保持したままＧａ照射を止めて約１分間放置する
。基板温度の５８０℃はＧａとＡｓがほぼ等量蒸発する
温度（先の第１の温度）である。また、上記１分間の放
置により、チャネルＮ２は、成長が停止し且っＡｓの蒸
発が抑えられた状態で７ニールされて、表面が原子層レ
ベルで平坦化する。
ＧａＡｓｊＪ板ｌ （厚さ＃０．５ｍｍ）上にＧａ及び
Ａｓを照射して、アンドープＧａＡｓのチャネル層２を
成長する。厚さ＃６００ｎＩ１１になったところで基板
温度を保持したままＧａ照射を止めて約１分間放置する
。基板温度の５８０℃はＧａとＡｓがほぼ等量蒸発する
温度（先の第１の温度）である。また、上記１分間の放
置により、チャネルＮ２は、成長が停止し且っＡｓの蒸
発が抑えられた状態で７ニールされて、表面が原子層レ
ベルで平坦化する。
次いで〔図（ｂ）参照） 、Ａｓ照射を止めて基板温度
を５８０℃に保持したまま、ＡｌＡｓ １原子層分のＡ
ｌ照射を行う。このＡ１層を３８で示す。照射するＡｌ
の量は約６．７ＸＬＯ”／ｃｏ！である。この際、Ａｓ
照射を継続していてもよいが、この照射を止めることは
Δ１のマイクレージョン（拡散距離）を促進するのに有
効である。
を５８０℃に保持したまま、ＡｌＡｓ １原子層分のＡ
ｌ照射を行う。このＡ１層を３８で示す。照射するＡｌ
の量は約６．７ＸＬＯ”／ｃｏ！である。この際、Ａｓ
照射を継続していてもよいが、この照射を止めることは
Δ１のマイクレージョン（拡散距離）を促進するのに有
効である。
次いで〔図（Ｃ１参照） 、Ａｓを照射しながら基板温
度を５８０℃から７８０℃に上げる。Ａｓ照射によりＡ
ｌ層３ａは直ちに１原子層のＡｌＡｓ層３ｂに変化し、
ＡｌＡｓ層３ｂかへＳ照射と相俟ってチャネル層２から
のＡｓの蒸発を抑えて、チャネル層２の表面の平坦性を
保持する。
度を５８０℃から７８０℃に上げる。Ａｓ照射によりＡ
ｌ層３ａは直ちに１原子層のＡｌＡｓ層３ｂに変化し、
ＡｌＡｓ層３ｂかへＳ照射と相俟ってチャネル層２から
のＡｓの蒸発を抑えて、チャネル層２の表面の平坦性を
保持する。
次いで〔図（ｄｌ参照〕、基板温度が７８０℃になった
ところでへ１照射を加えて、ＡｌＡｓｊｉａｂ上に２原
子層のＡｌＡｓｌＡｓ全３ｃし、ＡｌＡｓ層３ｂ及び３
ｃからなるアンドープへＩＡｓのスペーサ層３ （厚さ
−０，８４ｎｍ）を形成する。基板温度の７８０℃は、
成長するＡｌＡｓ層に先に述べた不純物が混入するのを
抑制する温度（先の第２の温度）であり、７５０〜９０
０°Ｃの範囲ならば適宜でよい。また、上記２原子層の
成長は、ＭＢＥ装置から出力する信号のＲＨＥ Ｅ Ｄ
振動（成長中の電子線回折によるもので、成長の１原子
層毎に周期性を示す）をモニターすることにより可能で
ある。
ところでへ１照射を加えて、ＡｌＡｓｊｉａｂ上に２原
子層のＡｌＡｓｌＡｓ全３ｃし、ＡｌＡｓ層３ｂ及び３
ｃからなるアンドープへＩＡｓのスペーサ層３ （厚さ
−０，８４ｎｍ）を形成する。基板温度の７８０℃は、
成長するＡｌＡｓ層に先に述べた不純物が混入するのを
抑制する温度（先の第２の温度）であり、７５０〜９０
０°Ｃの範囲ならば適宜でよい。また、上記２原子層の
成長は、ＭＢＥ装置から出力する信号のＲＨＥ Ｅ Ｄ
振動（成長中の電子線回折によるもので、成長の１原子
層毎に周期性を示す）をモニターすることにより可能で
ある。
次いで〔図（ｅｌ参照〕、スペーサ層３が形成されたと
ころでＡｌ照射を止めＡｓ照射を継続したまま基板温度
を６８０°Ｃに下げ、Ａｌ及びＧａの照射を加えてアン
ドープへｌｘ Ｇａ１−ｘＡｓ （ｘ ＝ ０．３）の
スペーサ層４を厚さ６ｎｍに成長し、更にｎ型不純物で
あるＳｉの照射を加えてｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ （
ｘ ＝ ０．３）のキャリア供給層５を厚さ９０ｎｍに
成長する。キャリア供給層５のＳｉ濃度はｌ Ｘ １０
” ／ ａｄにする。基板温度の６８０℃は上記旧Ｇ
ａＡｓの成長に好ましい温度である。
ころでＡｌ照射を止めＡｓ照射を継続したまま基板温度
を６８０°Ｃに下げ、Ａｌ及びＧａの照射を加えてアン
ドープへｌｘ Ｇａ１−ｘＡｓ （ｘ ＝ ０．３）の
スペーサ層４を厚さ６ｎｍに成長し、更にｎ型不純物で
あるＳｉの照射を加えてｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ （
ｘ ＝ ０．３）のキャリア供給層５を厚さ９０ｎｍに
成長する。キャリア供給層５のＳｉ濃度はｌ Ｘ １０
” ／ ａｄにする。基板温度の６８０℃は上記旧Ｇ
ａＡｓの成長に好ましい温度である。
次いで０図（ｆ）参照〕、キャリア供給層５が形成され
たところでＡｌ照射を止め、Ｓｉ濃度が１．４×１０”
／ａｄであるＧａＡｓの電極層６を厚さ１０ｎｍに成長
して、基板１上の各半導体層の成長を終える。電極層６
成長時の基板温度は、６８０℃のままでも良（５８０℃
にしても良い。
たところでＡｌ照射を止め、Ｓｉ濃度が１．４×１０”
／ａｄであるＧａＡｓの電極層６を厚さ１０ｎｍに成長
して、基板１上の各半導体層の成長を終える。電極層６
成長時の基板温度は、６８０℃のままでも良（５８０℃
にしても良い。
この後は〔図（ｇ）参照〕、従来と同様にソース・ドレ
イン電極７及びゲート電極８などを形成してＨＥＭＴを
完成する。
イン電極７及びゲート電極８などを形成してＨＥＭＴを
完成する。
上述した半導体層の成長において、ＡｌＡｓスペーサ層
３上にＡｌＧａＡｓスペーサ層４を成長する際のＲｔＩ
Ｅ Ｅ Ｄ振動を観察したが、それは第２図［ａｌに
示すようである。第２図（ｂｌは、従来方法の場合即ち
各半導体層を成長する際の基板温度を５８０’ｃ一定に
した場合の図（ａｌに相当するＲＨＥＥＤ振動図である
。
３上にＡｌＧａＡｓスペーサ層４を成長する際のＲｔＩ
Ｅ Ｅ Ｄ振動を観察したが、それは第２図［ａｌに
示すようである。第２図（ｂｌは、従来方法の場合即ち
各半導体層を成長する際の基板温度を５８０’ｃ一定に
した場合の図（ａｌに相当するＲＨＥＥＤ振動図である
。
図ｆａ）においては、ＡｌＧａＡｓの最初の原子層から
振幅が大きくなっている。これは、ＡｌＡｓスペーサ層
３の表面が原子層レベルで平坦であることを示している
。これに対して図（ｂｌは初期の振幅が小さく成長面の
平坦性が悪いことを示す。このことから、実施例におい
ては、ＡｌＡｓスペーサ層３の結晶品質が良好であり、
且つ、ＧａＡｓチャネル層２のＡｌＡｓスペーサ層３と
の界面の平坦性が良いと判断される。
振幅が大きくなっている。これは、ＡｌＡｓスペーサ層
３の表面が原子層レベルで平坦であることを示している
。これに対して図（ｂｌは初期の振幅が小さく成長面の
平坦性が悪いことを示す。このことから、実施例におい
ては、ＡｌＡｓスペーサ層３の結晶品質が良好であり、
且つ、ＧａＡｓチャネル層２のＡｌＡｓスペーサ層３と
の界面の平坦性が良いと判断される。
かくして実施例により製造されたＨＥＭＴでは、１１
（７７Ｋ） ＝７５，５００ｃＪ／ Ｖ −ｓｅｃ
、 Ｎｓ＝ ５ ｘｌＱＩＩ／ ａシ、が得られた。
（７７Ｋ） ＝７５，５００ｃＪ／ Ｖ −ｓｅｃ
、 Ｎｓ＝ ５ ｘｌＱＩＩ／ ａシ、が得られた。
以上説明したように本発明の構成によれば、ＧａＡｓの
チャネル層とその上の＾ｌＧａＡｓのキャリア供給層と
の間に介在してチャネル層に接合するＡｌＡｓのスペー
サ層を有するＨ Ｅ Ｍ Ｔの製造方法において、チャ
ネル層のスペーサ層との界面の平坦化及びスペーサ層の
ＡｌＡｓに混入する不純物の低減化を図ることができて
、二次元電子ガスのμ及びＮｓを高めさせる効果がある
。
チャネル層とその上の＾ｌＧａＡｓのキャリア供給層と
の間に介在してチャネル層に接合するＡｌＡｓのスペー
サ層を有するＨ Ｅ Ｍ Ｔの製造方法において、チャ
ネル層のスペーサ層との界面の平坦化及びスペーサ層の
ＡｌＡｓに混入する不純物の低減化を図ることができて
、二次元電子ガスのμ及びＮｓを高めさせる効果がある
。
第１図は実施例の工程順側断面図、
第２図はＡｌＡｓスペーサ層成長後ＡｌＧａＡｓスペー
サ層成長のＲＴ（Ｅ Ｅ Ｄ振動図、 である。 図において、 ｌはＧａＡｓ基板、 ２はアント′−ブＧａＡｓチャネル層、３はアンドープ
＾ＩＡｓスペーサ層、 ３ａは＾ＩＡｓ １原子層分のＡ１層、３ｂはｌ原子層
のＡｌＡｓＪｉ。 ３ｃは２原子層のＡｌＡｓ層、 ４はアンドープＡｌＧａＡｓスペーサ層、５はｎ−へ１
ＧａＡｓキャリア供給層、６はｎ −ＧａＡｓ電極層、 ７はソース・ドレイン電極、 ８はゲート電極、 である。 特許出願人 工業技術院長 飯塚 幸三Ｃｄ’）
（υ １でｑベヨイグ′Ｊの工ｆＦ讐）り灸イ」Ｊ注ｆＴｉｌ
ｉｌ’ｌ［ｆｆｌハ牛 １ 口 像〕 実施イダ・］ ＜ｂ） イ芝東乃法
サ層成長のＲＴ（Ｅ Ｅ Ｄ振動図、 である。 図において、 ｌはＧａＡｓ基板、 ２はアント′−ブＧａＡｓチャネル層、３はアンドープ
＾ＩＡｓスペーサ層、 ３ａは＾ＩＡｓ １原子層分のＡ１層、３ｂはｌ原子層
のＡｌＡｓＪｉ。 ３ｃは２原子層のＡｌＡｓ層、 ４はアンドープＡｌＧａＡｓスペーサ層、５はｎ−へ１
ＧａＡｓキャリア供給層、６はｎ −ＧａＡｓ電極層、 ７はソース・ドレイン電極、 ８はゲート電極、 である。 特許出願人 工業技術院長 飯塚 幸三Ｃｄ’）
（υ １でｑベヨイグ′Ｊの工ｆＦ讐）り灸イ」Ｊ注ｆＴｉｌ
ｉｌ’ｌ［ｆｆｌハ牛 １ 口 像〕 実施イダ・］ ＜ｂ） イ芝東乃法
Claims (1)
- 分子線エピタキシー法により、ＧａＡｓ基板上にＧａ
Ａｓのチャネル層をＧａ、Ａｓがほぼ等量蒸発する第１
の基板温度で成長し、第１の基板温度を保持したままＧ
ａ照射を止めてチャネル層の表面を平坦化し、引続き第
１の基板温度でＡｌＡｓ１原子層分のＡｌ照射を行った
後、Ａｓ照射を行いながら第１の基板温度より高くてＡ
ｌＡｓの成長に対し不純物の混入を抑制する第２の基板
温度に昇温し、チャネル層とその上のＡｌＧａＡｓのキ
ャリア供給層との間に介在してチャネル層に接合するＡ
ｌＡｓのスペーサ層を第２の基板温度で成長することを
特徴とするＨＥＭＴの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12590288A JPH01296672A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | Ｈｅｍｔの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12590288A JPH01296672A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | Ｈｅｍｔの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296672A true JPH01296672A (ja) | 1989-11-30 |
| JPH0522381B2 JPH0522381B2 (ja) | 1993-03-29 |
Family
ID=14921736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12590288A Granted JPH01296672A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | Ｈｅｍｔの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01296672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5682045A (en) * | 1994-09-09 | 1997-10-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP12590288A patent/JPH01296672A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5682045A (en) * | 1994-09-09 | 1997-10-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0522381B2 (ja) | 1993-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0666274B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼−ｖ族化合物半導体の形成方法 | |
| JPH0794420A (ja) | 化合物半導体結晶基板の製造方法 | |
| US7625447B2 (en) | Method of growing semiconductor crystal | |
| JPH11162850A (ja) | 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子 | |
| JPH11243058A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH01296672A (ja) | Ｈｅｍｔの製造方法 | |
| JP3082719B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2706369B2 (ja) | 化合物半導体の成長方法及び半導体レーザの製造方法 | |
| JP2747823B2 (ja) | ガリウムヒ素層の製造方法及びガリウムヒ素・アルミニウムガリウムヒ素積層体の製造方法 | |
| JPH08335695A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2936878B2 (ja) | 半導体ショットキー接合の作製方法 | |
| JP2757364B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3461819B2 (ja) | 半導体結晶膜の製造方法 | |
| JP2920923B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04207020A (ja) | 半導体製造装置と半導体製造方法 | |
| JP3120436B2 (ja) | 半導体装置用のエピタキシャル結晶の製造方法 | |
| JPS63148616A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0774100A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2560740B2 (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JPS6211221A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH01199474A (ja) | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ | |
| JP2022178001A (ja) | ヘテロ構造およびその作製方法 | |
| JPH06283432A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPH0669143A (ja) | 化合物半導体積層体形成法 | |
| JPH0526760B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |