JPH01293519A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH01293519A JPH01293519A JP12441688A JP12441688A JPH01293519A JP H01293519 A JPH01293519 A JP H01293519A JP 12441688 A JP12441688 A JP 12441688A JP 12441688 A JP12441688 A JP 12441688A JP H01293519 A JPH01293519 A JP H01293519A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- light
- curing
- wafer
- cured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 12
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 1
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造工程の１つであるレジストパター
ンのキュア工程ま友は／Ｓ−ドニング工程の半導体装置
の製造装置に関するものである。
ンのキュア工程ま友は／Ｓ−ドニング工程の半導体装置
の製造装置に関するものである。
第４図は従来のＵＶ光を用いｔレジストパターンのキュ
アま之はハードニング装置ｔ’を示し、以下これ？用い
て従来の製造装置を説明する。
アま之はハードニング装置ｔ’を示し、以下これ？用い
て従来の製造装置を説明する。
図に示すように、ステージ（２］の上にクエ／１（１１
ｆ置き、光源（３）を侭燈し、背後のミラー（４）に反
射させて照射領域に２いて均一な光強度のＵＶ光をウェ
ハ（１）の上面工り照射させてい念。
ｆ置き、光源（３）を侭燈し、背後のミラー（４）に反
射させて照射領域に２いて均一な光強度のＵＶ光をウェ
ハ（１）の上面工り照射させてい念。
この従来の方法でＵＶキュアを行なりｔ場合、実際のレ
ジストパターンでキュアされた部分を断面観察してみる
（例えば、酢酸イソアミルを用いてキュアされていない
部分を溶解する）と、第５図に示す様にＵＶ光を垂直に
受けるパターン上部のキュア層（５）ｔｒｉ厚く、側壁
部分はわずかにしかキュアされない。
ジストパターンでキュアされた部分を断面観察してみる
（例えば、酢酸イソアミルを用いてキュアされていない
部分を溶解する）と、第５図に示す様にＵＶ光を垂直に
受けるパターン上部のキュア層（５）ｔｒｉ厚く、側壁
部分はわずかにしかキュアされない。
従来のレジストパターンのキュアマ几はハードニング装
置ｆｔｌ１以上の様に講成されてい念ので、レジストパ
ターン上部のキュア層が厚＜ 、＠１１１１のキュア層
が薄くなり、その為後工程ｖｃおいてレジストの耐熱性
に欠け、レジストパターンのエツジがシフトするという
課題があった。
置ｆｔｌ１以上の様に講成されてい念ので、レジストパ
ターン上部のキュア層が厚＜ 、＠１１１１のキュア層
が薄くなり、その為後工程ｖｃおいてレジストの耐熱性
に欠け、レジストパターンのエツジがシフトするという
課題があった。
この発明は上記の様な問題点を解消する為になされ化も
ので、レジストパターンの１壁部分も上部と同等の厚さ
のキュア層が得られる事を目的とする。
ので、レジストパターンの１壁部分も上部と同等の厚さ
のキュア層が得られる事を目的とする。
（ｉｌｔ題を解決する几めの手段〕
この発明に係るＶシストパターンキュア′！几はハード
ニング装置はキュア光をフェノ・に対して斜めに照射し
友ものである。
ニング装置はキュア光をフェノ・に対して斜めに照射し
友ものである。
この発明に２けるレジストパターンのキュアま九はハー
ドニング装置はキュア光をフェノ・に対して斜めに照射
する事により、Ｖジストノくターンの上部と同様に側壁
側も充分なキュア層が形成される０ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図Ｖこついて説明する。第
１図において、フェノ５ＩＬ）はキュア光に対し傾きを
もつ九ステージ（２）に装着され、光源（３）から発せ
られ次光はミラー（４）により均一な強度をもった光と
なってウェハ１１１に照射される。キュアをすべさレジ
ストパターンのどの方向からも均等に光が照射できる様
にステージ（２）は回転させる構造となっている。
ドニング装置はキュア光をフェノ・に対して斜めに照射
する事により、Ｖジストノくターンの上部と同様に側壁
側も充分なキュア層が形成される０ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図Ｖこついて説明する。第
１図において、フェノ５ＩＬ）はキュア光に対し傾きを
もつ九ステージ（２）に装着され、光源（３）から発せ
られ次光はミラー（４）により均一な強度をもった光と
なってウェハ１１１に照射される。キュアをすべさレジ
ストパターンのどの方向からも均等に光が照射できる様
にステージ（２）は回転させる構造となっている。
第２図はこの発明によるレジストパターンキュアま九は
ハードニング装置を用いてキュアを行なつｔレジストの
断面図を示す。これは前記従来の第５図と同一断面図を
示し、キュア層（５）は図示の如く、パターン上部・側
壁部にかかわらず均等な厚さに形成される。
ハードニング装置を用いてキュアを行なつｔレジストの
断面図を示す。これは前記従来の第５図と同一断面図を
示し、キュア層（５）は図示の如く、パターン上部・側
壁部にかかわらず均等な厚さに形成される。
な２、上記実施例ではウェハをキュア光に対して斜めに
配置し九構造を示し九が、光源＋３１ （［１１１ｋ移
動させる構造の装置としてもよく、上記実施例と同様の
効果を奏する。
配置し九構造を示し九が、光源＋３１ （［１１１ｋ移
動させる構造の装置としてもよく、上記実施例と同様の
効果を奏する。
その実施例を第３図を用いて説明する。
第３図１ａｌは断面図、第３図１ｂｌに上方からの平面
図金示す。光源（３）ヲミラー（４）の中心から外して
装着する事に工りキュア光はフェノ・Ｃ１）に対して斜
めに照射する。な２、フェノ＼＋１）の面内に２いて全
方向から均一に光が照射する様に光＠ ＋３）がミラー
（４）の中央を中心として第３図１ａｌの矢印の如く回
転する構造となっている。
図金示す。光源（３）ヲミラー（４）の中心から外して
装着する事に工りキュア光はフェノ・Ｃ１）に対して斜
めに照射する。な２、フェノ＼＋１）の面内に２いて全
方向から均一に光が照射する様に光＠ ＋３）がミラー
（４）の中央を中心として第３図１ａｌの矢印の如く回
転する構造となっている。
以上のようにこの発明によれば、Ｖジストノくターンの
（ＩＩｉａ部も上面と同様充分なキュア層が得られる為
、その後の工程に２いて必要となるパターンエツジ部の
耐熱性が向上する効果がある。
（ＩＩｉａ部も上面と同様充分なキュア層が得られる為
、その後の工程に２いて必要となるパターンエツジ部の
耐熱性が向上する効果がある。
第り図はこの発明の一実施例によるレジストパターンキ
ュアま九はハードニング装置金示す断面図、第２図は第
１図の装置を用いた場合のレジスト形成状ａｔ示す断面
図、第３図１ａｌ 、 ｌｂｌはこの発明の他の実施例
を示す断面図及び平面図、第４図は従来のレジストパタ
ーンキュアまたはハードニング装置の断面図、第５図は
第４図装置を用い念場合のレジスト形成状態を示す断面
図である。 図において、【１）はフェノ１、（２）はステージ、（
３）は光源、（４）はミラー、（５１はレジストのキュ
ア層である０ な２、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
ュアま九はハードニング装置金示す断面図、第２図は第
１図の装置を用いた場合のレジスト形成状ａｔ示す断面
図、第３図１ａｌ 、 ｌｂｌはこの発明の他の実施例
を示す断面図及び平面図、第４図は従来のレジストパタ
ーンキュアまたはハードニング装置の断面図、第５図は
第４図装置を用い念場合のレジスト形成状態を示す断面
図である。 図において、【１）はフェノ１、（２）はステージ、（
３）は光源、（４）はミラー、（５１はレジストのキュ
ア層である０ な２、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- パターニングされたレジストをキユア又はハードニン
グする工程において、レジストパターンの側壁部分のキ
ユア効果を高める為、ウェハに対してキユア光を斜めに
照射する事を特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12441688A JPH01293519A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12441688A JPH01293519A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293519A true JPH01293519A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14884937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12441688A Pending JPH01293519A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01293519A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011070102A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Fujifilm Corp | カラーフィルタ製造方法及びカラーフィルタ製造装置 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP12441688A patent/JPH01293519A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011070102A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Fujifilm Corp | カラーフィルタ製造方法及びカラーフィルタ製造装置 |
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