JPH01293512A - ガス絶縁装置の計器用変流装置 - Google Patents
ガス絶縁装置の計器用変流装置Info
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- JPH01293512A JPH01293512A JP63124450A JP12445088A JPH01293512A JP H01293512 A JPH01293512 A JP H01293512A JP 63124450 A JP63124450 A JP 63124450A JP 12445088 A JP12445088 A JP 12445088A JP H01293512 A JPH01293512 A JP H01293512A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
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- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は例えば三相−捨型ガス絶縁開閉装置に用いら
れるガス絶縁装置の計器用変流装置に関するものである
。
れるガス絶縁装置の計器用変流装置に関するものである
。
[従来の技術]
第6図は、例えば特開昭61−285011号公報に示
された従来のガス絶縁装置の計器用変流装置を示し、第
7図は第6図の要部拡大図であり、第8図は第7図の線
Vlll−Vll+における断面図を示す。
された従来のガス絶縁装置の計器用変流装置を示し、第
7図は第6図の要部拡大図であり、第8図は第7図の線
Vlll−Vll+における断面図を示す。
第6“図〜第8図において、中心導体である三相主回路
(2a)、 (2b)、 (2c)は三相の計器用変流
器(4a)。
(2a)、 (2b)、 (2c)は三相の計器用変流
器(4a)。
(4b)、 (4c)の中心中空部を貫通しており、三
相主回路(2a)、 (2b)、 (2c)のそれぞれ
に流れる電流によって発生する磁束の変化を、三相の計
器用変流器(4a)、 (4b)、 (4c)で検出し
て、電流値を検出する。
相主回路(2a)、 (2b)、 (2c)のそれぞれ
に流れる電流によって発生する磁束の変化を、三相の計
器用変流器(4a)、 (4b)、 (4c)で検出し
て、電流値を検出する。
[発明が解決しようとする課題]
従来の装置は以上のように構成され、三相主回路(2a
)、 (2b)、 (2c)が同一の容器(1)内に収
納されており、相互間距離が近接しているため、本来−
相ごとの主回路電流値を精度よく検出すべきものである
にもかかわらず、他相電流による磁束の影響や、自相電
流路のうち、電流検出に関与してはならない部分からの
磁束の影響を受けて、検出誤差が生じるという課題があ
った。
)、 (2b)、 (2c)が同一の容器(1)内に収
納されており、相互間距離が近接しているため、本来−
相ごとの主回路電流値を精度よく検出すべきものである
にもかかわらず、他相電流による磁束の影響や、自相電
流路のうち、電流検出に関与してはならない部分からの
磁束の影響を受けて、検出誤差が生じるという課題があ
った。
この発明は、上記のような従来のものの課題を解消する
ためになされたもので、電流検出に必要のない磁束の侵
入を緩和して、精度の高いガス絶縁装置の計器用変流装
置を提供することを目的とする。
ためになされたもので、電流検出に必要のない磁束の侵
入を緩和して、精度の高いガス絶縁装置の計器用変流装
置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
請求項<1)の発明に係るガス絶縁装置の計器用変流装
置は、絶縁ガスが封入され、三相主回路を収納する容器
と、三相主回路をそれぞれの中空部に貫通挿入する三相
の変流器と、三相の変流器を一括して包囲するように設
置され、高導電率材料からなる第1の磁気シールドと、
三相の変流器のそれぞれの相間に設置され、かつ、各相
の変流器を取り囲んで互いに隔離するように前記第1の
磁気シールドに接続され、高導電率材料からなる第2の
磁気シールドとを備えたものである。
置は、絶縁ガスが封入され、三相主回路を収納する容器
と、三相主回路をそれぞれの中空部に貫通挿入する三相
の変流器と、三相の変流器を一括して包囲するように設
置され、高導電率材料からなる第1の磁気シールドと、
三相の変流器のそれぞれの相間に設置され、かつ、各相
の変流器を取り囲んで互いに隔離するように前記第1の
磁気シールドに接続され、高導電率材料からなる第2の
磁気シールドとを備えたものである。
[作用]
請求項(1)の発明においては、高導電率材料からなる
第11第2の磁気シールドによって、互いに隔離して各
相の変流器を取り囲むことにより、これら磁気シールド
に入射する磁束によって、第11第2の磁気シールドに
過電流を生じさせ、この過電流によって磁気シールドに
入射する磁束を打ち消す磁束を発生させる。
第11第2の磁気シールドによって、互いに隔離して各
相の変流器を取り囲むことにより、これら磁気シールド
に入射する磁束によって、第11第2の磁気シールドに
過電流を生じさせ、この過電流によって磁気シールドに
入射する磁束を打ち消す磁束を発生させる。
[実施例コ
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は、この発明に係るガス絶縁装置の計器用変流装
置の一実施例の要部を示す側断面図、第2図は第1図の
線+1− I+の断面図を示し、図において、容器(1
)は、ガス絶縁装置の一部を構成する例えば円筒状の接
地金属容器であり、例えばSF6ガスが封入されている
。三相主回路(2a)、 (2b)、 (2C)は、高
電圧中心導体であり、容器(1)内に収納されて、例え
ば開閉装置に接続されている。取付板(3)は、例えば
強磁性体よりなる円盤状体であり、容器(1)の内径を
塞ぐように容器(1)に取り付けられ、その中心点に対
してそれぞれ略180度の中心角を有するように配置さ
れ、三相主回路(2a)。
置の一実施例の要部を示す側断面図、第2図は第1図の
線+1− I+の断面図を示し、図において、容器(1
)は、ガス絶縁装置の一部を構成する例えば円筒状の接
地金属容器であり、例えばSF6ガスが封入されている
。三相主回路(2a)、 (2b)、 (2C)は、高
電圧中心導体であり、容器(1)内に収納されて、例え
ば開閉装置に接続されている。取付板(3)は、例えば
強磁性体よりなる円盤状体であり、容器(1)の内径を
塞ぐように容器(1)に取り付けられ、その中心点に対
してそれぞれ略180度の中心角を有するように配置さ
れ、三相主回路(2a)。
(2b)、 (2c)をそれぞれ貫通挿入する三相の孔
(3a)。
(3a)。
(3b)、 (3c)を有する。三相変流器(4a)、
(4b)、 (4c)は、三相主回路(2a)、 (
2b)、 (2c)のそれぞれをその中心中空部に貫通
挿入し、取付板(3)によって容器(1)に取付けられ
ている。第1の磁気シールド(5)は、容器状の高導電
率材料からなり、三相変流器(4a)、 (4b)、
(4c)を−括して包囲するように筒状に設置され、取
付は板(3)に例えばボルトによって取付けられており
、三相主回路(2a)、 (2b)、 (2C)をそれ
ぞれ貫通挿入する三相の孔(5a)、 (5b)、 (
5C)を、底部に有している。第2の磁気シールド(6
a)、 (6b)、 (6c)は、平板状の高導電率材
料からなり、三相の変流器(4a)、 (4b)、 (
4c)のそれぞれの相間に設置され、かつ変流器(4a
)、 (4b)、 (4c)の各相を取り囲みつつ互い
に隔離するように配置され、各相相互間は高導電率材料
からなる支柱(7)を介して接続されている。第1の磁
気シールド(5)には、平板状の高導電率材料からなり
、磁気シールドの一部を構成する取付板(8a+)、
(fla2)、 (8b1>、 (8b2)。
(4b)、 (4c)は、三相主回路(2a)、 (
2b)、 (2c)のそれぞれをその中心中空部に貫通
挿入し、取付板(3)によって容器(1)に取付けられ
ている。第1の磁気シールド(5)は、容器状の高導電
率材料からなり、三相変流器(4a)、 (4b)、
(4c)を−括して包囲するように筒状に設置され、取
付は板(3)に例えばボルトによって取付けられており
、三相主回路(2a)、 (2b)、 (2C)をそれ
ぞれ貫通挿入する三相の孔(5a)、 (5b)、 (
5C)を、底部に有している。第2の磁気シールド(6
a)、 (6b)、 (6c)は、平板状の高導電率材
料からなり、三相の変流器(4a)、 (4b)、 (
4c)のそれぞれの相間に設置され、かつ変流器(4a
)、 (4b)、 (4c)の各相を取り囲みつつ互い
に隔離するように配置され、各相相互間は高導電率材料
からなる支柱(7)を介して接続されている。第1の磁
気シールド(5)には、平板状の高導電率材料からなり
、磁気シールドの一部を構成する取付板(8a+)、
(fla2)、 (8b1>、 (8b2)。
(8cl)、 (8c2)を介して、例えばボルト等に
よって取付けて接続されている。
よって取付けて接続されている。
次に、この動作を第3図、第4図及び第5図を用いて、
主回路(2b)に流れる主回路電流1bに対する磁気シ
ールドの効果について説明する。
主回路(2b)に流れる主回路電流1bに対する磁気シ
ールドの効果について説明する。
第3図は第1の磁気シールド(5)の効果の説明図で、
図において、主回路電流1bによって発生した磁束Fb
は、第1の磁気シールド(5)、並びに第1の磁気シー
ルド(5)に−括包囲されている変流器(4a)、 (
4b)、 (4c)に鎖交する。この磁束Fbは、主回
路(2b)のうち、変流器(4b)を貫通する部分とは
異なる部分より発生する磁束であり、もともと変流i1
(4b)に鎖交してはならない磁束である。
図において、主回路電流1bによって発生した磁束Fb
は、第1の磁気シールド(5)、並びに第1の磁気シー
ルド(5)に−括包囲されている変流器(4a)、 (
4b)、 (4c)に鎖交する。この磁束Fbは、主回
路(2b)のうち、変流器(4b)を貫通する部分とは
異なる部分より発生する磁束であり、もともと変流i1
(4b)に鎖交してはならない磁束である。
この磁束Fbの鎖交により、第1の磁気シールド(5)
には、過電流ibが誘導され、磁束Fbを打ち消すよう
な逆方向の磁束fbが生じる。このため、第1の磁気ン
ールド(5)の内部に設けられた各相の変流器(4a)
、 (4b)、 (4c)に対する、もともと電流検出
に関与してはならない部分からの磁束Fbの鎖交が、大
幅に低減する。
には、過電流ibが誘導され、磁束Fbを打ち消すよう
な逆方向の磁束fbが生じる。このため、第1の磁気ン
ールド(5)の内部に設けられた各相の変流器(4a)
、 (4b)、 (4c)に対する、もともと電流検出
に関与してはならない部分からの磁束Fbの鎖交が、大
幅に低減する。
第4図は第2の磁気シールド(6a)、 (6b)、
(6c)の効果の説明図である。図について、主回路(
2b)に流れる主回路電流1bを、変流器(4b)で検
出する場合の動作を説明する。主回路(2c)に流れる
主回路電流1cにより、第2の磁気シールド(6b)に
は磁束Fcが鎖交する。この磁束Pcの鎖交によって、
第2の磁気シールド(6b)には、過電流Icが誘導さ
れ、磁束Fcの鎖交を打ち消すような磁束fcが生じる
。
(6c)の効果の説明図である。図について、主回路(
2b)に流れる主回路電流1bを、変流器(4b)で検
出する場合の動作を説明する。主回路(2c)に流れる
主回路電流1cにより、第2の磁気シールド(6b)に
は磁束Fcが鎖交する。この磁束Pcの鎖交によって、
第2の磁気シールド(6b)には、過電流Icが誘導さ
れ、磁束Fcの鎖交を打ち消すような磁束fcが生じる
。
このため、変流! (4b)に対しては、主回路電流I
Cによる磁束Fcの鎖交は、大幅に低減する。
Cによる磁束Fcの鎖交は、大幅に低減する。
このように、第1の磁気シールド(5)によって、本来
電流検出に関与してはならない変流器の自相の電流によ
る磁束の鎖交を、大幅に低減することができ、また第2
の磁気シールド(6a)、 (6b)、 (6c)によ
って、他相電流による磁束の鎖交を大幅に低減できる。
電流検出に関与してはならない変流器の自相の電流によ
る磁束の鎖交を、大幅に低減することができ、また第2
の磁気シールド(6a)、 (6b)、 (6c)によ
って、他相電流による磁束の鎖交を大幅に低減できる。
次に、第5図により、第11第2の磁気シールド(5)
、 (6a)、 (6b)、 (6c)を接続すること
による効果を説明する。
、 (6a)、 (6b)、 (6c)を接続すること
による効果を説明する。
第2の磁気シールド(6b)、 (6c)は磁気シール
ドの一部を構成する取付板(8c+)、 (8c2)を
介して、第1の磁気シールド(5)に接続されている。
ドの一部を構成する取付板(8c+)、 (8c2)を
介して、第1の磁気シールド(5)に接続されている。
このため、例えば第2の磁気シールド(6b)、取付板
(δcl)、第1ノ磁気シールド(5)におよぶ広い範
囲に過電流1cが誘導され、この過電流icによって、
第4図に示すように、磁束Fcの鎖交磁束を打ち消す磁
束feの誘起も大きくなり、主回路電流1eによる磁束
Fcの鎖交は、より大幅に減少する。
(δcl)、第1ノ磁気シールド(5)におよぶ広い範
囲に過電流1cが誘導され、この過電流icによって、
第4図に示すように、磁束Fcの鎖交磁束を打ち消す磁
束feの誘起も大きくなり、主回路電流1eによる磁束
Fcの鎖交は、より大幅に減少する。
なお、上記実施例では、第1の磁気シールド(5)と、
第2の磁気シールド(6a)、 (6b)、 (6c)
とを、取付板(8al)、 (8az)、 (8bt)
、 (8b2)、 (8c+)、 (8c2)を介して
接続した場合を示したが、第1、第2の磁気シールド(
5)、 (6a)、 (6b)、 (6c)を直接取付
けてもよいO [発明の効果] 以上のように、本発明においては、高導電率材料からな
る第15第2の磁気シールドによって、各相の変流器を
取り囲み、これら磁気シールドに入射する磁束によって
第1、第2の磁気シールドに過電流を生じさせ、この過
電流によって第11第2の磁気シールドに入射する磁束
を、打ち消す磁束を発生させているため、各相の変流器
には検出しようとする検出電流による磁束のみが鎖交し
、計器用変流器の電流検出精度を高める効果がある。
第2の磁気シールド(6a)、 (6b)、 (6c)
とを、取付板(8al)、 (8az)、 (8bt)
、 (8b2)、 (8c+)、 (8c2)を介して
接続した場合を示したが、第1、第2の磁気シールド(
5)、 (6a)、 (6b)、 (6c)を直接取付
けてもよいO [発明の効果] 以上のように、本発明においては、高導電率材料からな
る第15第2の磁気シールドによって、各相の変流器を
取り囲み、これら磁気シールドに入射する磁束によって
第1、第2の磁気シールドに過電流を生じさせ、この過
電流によって第11第2の磁気シールドに入射する磁束
を、打ち消す磁束を発生させているため、各相の変流器
には検出しようとする検出電流による磁束のみが鎖交し
、計器用変流器の電流検出精度を高める効果がある。
第1図はこの発明に係るガス絶縁装置の計器用変流装置
の一実施例の要部を示す側断面図、第2図は第1図の線
11− I+の断面図、第3図、第4図及び第5図はこ
の発明の動作説明図、第6図は従来のガス絶縁装置の計
器用変流装置を示す側断面図、第7図は第6図の要部を
示す側断面図、第8図は第7図の線Vlll−Vll+
における断面図である。 図において、各図中同一符号は同一部分もしくは対応す
る部分を示し、(1)は容器、(2a) 、 (2b)
。 (2c)は三相主回路、(4a)、 (4b)、 (4
c)は三相変流器、(5)は第1の磁気シールド、(6
a)、 (6b)、 (6c)は第2の磁気シールドで
ある。
の一実施例の要部を示す側断面図、第2図は第1図の線
11− I+の断面図、第3図、第4図及び第5図はこ
の発明の動作説明図、第6図は従来のガス絶縁装置の計
器用変流装置を示す側断面図、第7図は第6図の要部を
示す側断面図、第8図は第7図の線Vlll−Vll+
における断面図である。 図において、各図中同一符号は同一部分もしくは対応す
る部分を示し、(1)は容器、(2a) 、 (2b)
。 (2c)は三相主回路、(4a)、 (4b)、 (4
c)は三相変流器、(5)は第1の磁気シールド、(6
a)、 (6b)、 (6c)は第2の磁気シールドで
ある。
Claims (1)
- (1)絶縁ガスが封入され、三相主回路を収納する容器
と、 前記容器内において、前記三相主回路をそれぞれの中空
部に貫通挿入する三相の変流器と、前記容器内において
、前記三相の変流器を一括して包囲するように設置され
、高導電率材料からなる第1の磁気シールドと、 前記三相の変流器のそれぞれの相間に設置され、かつ、
各相の変流器を取り囲んで互いに隔離するように前記第
1の磁気シールドに接続され、高導電率材料からなる第
2の磁気シールドとを 備えたことを特徴とするガス絶縁装置の計器用変流装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63124450A JPH0793218B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | ガス絶縁装置の計器用変流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63124450A JPH0793218B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | ガス絶縁装置の計器用変流装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01293512A true JPH01293512A (ja) | 1989-11-27 |
JPH0793218B2 JPH0793218B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=14885819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63124450A Expired - Fee Related JPH0793218B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | ガス絶縁装置の計器用変流装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0793218B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6680665B2 (en) * | 2001-03-06 | 2004-01-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Three-phase current transformer |
WO2018055664A1 (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 株式会社 東芝 | 三相貫通形変流器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5568604A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-23 | Siemens Ag | Electric energy supply device with through type current transformer |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63124450A patent/JPH0793218B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5568604A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-23 | Siemens Ag | Electric energy supply device with through type current transformer |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6680665B2 (en) * | 2001-03-06 | 2004-01-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Three-phase current transformer |
WO2018055664A1 (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 株式会社 東芝 | 三相貫通形変流器 |
JPWO2018055664A1 (ja) * | 2016-09-20 | 2019-06-24 | 株式会社東芝 | 三相貫通形変流器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0793218B2 (ja) | 1995-10-09 |
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