JPH0793218B2 - ガス絶縁装置の計器用変流装置 - Google Patents

ガス絶縁装置の計器用変流装置

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JPH0793218B2
JPH0793218B2 JP63124450A JP12445088A JPH0793218B2 JP H0793218 B2 JPH0793218 B2 JP H0793218B2 JP 63124450 A JP63124450 A JP 63124450A JP 12445088 A JP12445088 A JP 12445088A JP H0793218 B2 JPH0793218 B2 JP H0793218B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は例えば三相一括型ガス絶縁開閉装置に用いら
れるガス絶縁装置の計器用変流装置に関するものであ
る。
[従来の技術] 第6図は、例えば特開昭61-285011号公報に示された従
来のガス絶縁装置の計器用変流装置を示し、第7図は第
6図の要部拡大図であり、第8図は第7図の線VIII-VII
Iにおける断面図を示す。
第6図〜第8図において、中心導体である三相主回路
(2a),(2b),(2c)は三相の計器用変流器(4a),
(4b),(4c)の中心中空部を貫通しており、三相主回
路(2a),(2b),(2c)のそれぞれに流れる電流によ
って発生する磁束の変化を、三相の計器用変流器(4
a),(4b),(4c)で検出して、電流値を検出する。
[発明が解決しようとする課題] 従来の装置は以上のように構成され、三相主回路(2
a),(2b),(2c)が同一の容器(1)内に収納され
ており、相互間距離が近接しているため、本来一相ごと
の主回路電流値を精度よく検出すべきものであるにもか
かわらず、他相電流による磁束の影響や、自相電流路の
うち、電流検出に関与してはならない部分からの磁束の
影響を受けて、検出誤差が生じるという課題があった。
この発明は、上記のような従来のものの課題を解消する
ためになされたもので、電流検出に必要のない磁束の侵
入を緩和して、精度の高いガス絶縁装置の計器用変流装
置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] この発明に係るガス絶縁装置の計器用変流装置は、絶縁
ガスが封入され、三相主回路を収納する容器と、 前記容器に固定され、前記三相主回路に貫通される三つ
の孔を有する強磁性体材料により形成された取付板と、 前記容器内において、前記取付板に固定され、前記取付
板の孔と連通するそれぞれの中空部に前記三相主回路を
貫通挿入する三相の変流器と、 前記三相主回路に貫通される孔を有して前記三相主回路
の配設方向に直交する面と、前記三相主回路の配設方向
と平行な母線を有する円筒面とを持ち、前記取付板に固
定された前記三相の変流器を一括して覆うように前記取
付板に固定され、高導電率材料からなる第1の磁気シー
ルドと、 前記三相の変流器のそれぞれの相間に設置されて各相の
変流器の相間を分離し、各相の変流器を取り囲んで互い
に隔離するように前記第1の磁気シールドに電気的に接
続され、高導電率材料により形成された第2の磁気シー
ルドとを備えている。
[作用] 請求項(1)の発明においては、高導電率材料からなる
第1、第2の磁気シールドによって、互いに隔離して各
相の変流器を取り囲むことにより、これら磁気シールド
に入射する磁束によって、第1、第2の磁気シールドに
うず電流を生じだせ、このうず電流によって磁気シール
ドに入射する磁束を打ち消す磁束を発生させる。
[実施例] 以下この発明の一実施例を図について説明する。第1図
は、この発明に係るガス絶縁装置の計器用変流装置の一
実施例の要部を示す側断面図、第2図は第1図の線II-I
Iの断面図を示し、図において、容器(1)は、ガス絶
縁装置の一部を構成する例えば円筒状の接地金属容器で
あり、例えばSF6ガスが封入されている。三相主回路(2
a),(2b),(2c)は、高電圧中心導体であり、容器
(1)内に収納されて、例えば開閉装置に接続されてい
る。取付板(3)は、例えば強磁性体よりなる円盤状体
であり、容器(1)の内径を塞ぐように容器(1)に取
り付けられ、その中心点に対してそれぞれ略120度の中
心角を有するように配置され、三相主回路(2a),(2
b),(2c)をそれぞれ貫通挿入する三相の孔(3a),
(3b),(3c)を有する。三相変流器(4a),(4b),
(4c)は、三相主回路(2a),(2b),(2c)のそれぞ
れをその中心中空部に貫通挿入し、取付板(3)によっ
て容器(1)に取付けられている。第1の磁気シールド
(5)は、容器状の高導電率材料からなり、三相変流器
(4a),(4b),(4c)を一括して包囲するように筒状
に設置され、取付け板(3)に例えばボルトによって取
付けられており、三相主回路(2a),(2b),(2c)を
それぞれ貫通挿入する三相の孔(5a),(5b),(5c)
を、底部に有している。第2の磁気シールド(6a),
(6b),(6c)は、平板状の高導電率材料からなり、三
相の変流器(4a),(4b),(4c)のそれぞれの相間に
設置され、かつ変流器(4a),(4b),(4c)の各相を
取り囲みつつ互いに隔離するように配置され、各相相互
間は高導電率材料からなる支柱(7)を介して接続され
ている。第1の磁気シールド(5)には、平板状の高導
電率材料からなり、磁気シールドの一部を構成する取付
板(8a1),(8a2),(8b1),(8b2),(8c1),(8
c2)を介して、例えばボルト等によって取付けて接続さ
れている。
次に、この動作を第3図、第4図及び第5図を用いて、
主回路(2b)に流れる主回路電流1bに対する磁気シール
ドの効果について説明する。
第3図は第1の磁気シールド(5)の効果の説明図で、
図において、主回路電流Ibによって発生した磁束Fbは、
第1の磁気シールド(5)、並びに第1の磁気シールド
(5)に一括包囲されている変流器(4a),(4b),
(4c)に鎖交する。この磁束Fbは、主回路(2b)のう
ち、変流器(4b)を貫通する部分とは異なる部分より発
生する磁束であり、もともと変流器(4b)に鎖交しては
ならない磁束である。
この磁束Fbの鎖交により、第1の磁気シールド(5)に
は、うず電流ibが誘導さで、磁束Fbを打ち消すような逆
方向の磁束fbが生じる。このため、第1の磁気シールド
(5)の内部に設けられた各相の変流器(4a),(4
b),(4c)に対する、もともと電流検出に関与しては
ならない部分からの磁束Fbの鎖交が、大幅に低減する。
第4図は第2の磁気シールド(6a),(6b),(6c)の
効果の説明図である。図について、主回路(2b)に流れ
る主回路電流Ibを、変流器(4b)で検出する場合の動作
を説明する。主回路(2c)に流れる主回路電流Icによ
り、第2の磁気シールド(6b)には磁束Fcが鎖交する。
この磁束Fcの鎖交によって、第2の磁気シールド(6b)
には、うず電流icが誘導され、磁束Fcの鎖交を打ち消す
ような磁束fcが生じる。このため、変流器(4b)に対し
ては、主回路電流Icによる磁束Fcの鎖交は、大幅に低減
する。
このように、第1の磁気シールド(5)によって、本来
電流検出に関与してはならない変流器の自相の電流によ
る磁束の鎖交を、大幅に低減することができ、また第2
の磁気シールド(6a),(6b),(6c)によって、他相
電流による磁束の鎖交を大幅に低減できる。
次に、第5図により、第1、第2の磁気シールド
(5),(6a),(6b),(6c)を接続することによる
効果を説明する。
第2の磁気シールド(6b),(6c)は磁気シールドの一
部を構成する取付板(8c1),(8c2)を介して、第1の
磁気シールド(5)に接続されている。このため、例え
ば第2の磁気シールド(6b)、取付板(8c1)、第1の
磁気シールド(5)におよぶ広い範囲にうず電流icが誘
導され、このうず電流icによって、第4図に示すよう
に、磁束Fcの鎖交磁束を打ち消す磁束fcの誘起も大きく
なり、主回路電流Icによる磁束Fcの鎖交は、より大幅に
減少する。
なお、上記実施例では、第1の磁気シールド(5)と、
第2の磁気シールド(6a),(6b),(6c)とを、取付
板(8a1),(8a2),(8b1),(8b2),(8c1),(8
c2)を介して接続した場合を示したが、第1、第2の磁
気シールド(5),(6a),(6b),(6c)を直接取付
けてもよい。
[発明の効果] 以上のように、本発明においては、高導電率材料からな
る第1、第2の磁気シールドによって、各相の変流器を
取り囲み、これら磁気シールドに入射する磁束によって
第1、第2の磁気シールドにうず電流を生じさせ、この
うず電流によって第1、第2の磁気シールドに入射する
磁束を、打ち消す磁束を発生させているため、各相の変
流器には検出しようとする検出電流による磁束のみが鎖
交し、計器用変流器の電流検出精度の高める効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係るガス絶縁装置の計器用変流装置
の一実施例の要部を示す側断面図、第2図は第1図の線
II-IIの断面図、第3図、第4図及び第5図はこの発明
の動作説明図、第6図は従来のガス絶縁装置の計器用変
流装置を示す側断面図、第7図は第6図の要部を示す側
断面図、第8図は第7図の線VIII-VIIIにおける断面図
である。 図において、各図中同一符号は同一部分もしくは対応す
る部分を示し、(1)は容器、(2a),(2b),(2c)
は三相主回路、(4a),(4b),(4c)は三相変流器、
(5)は第1の磁気シールド、(6a),(6b),(6c)
は第2の磁気シールドである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁ガスが封入され、三相主回路を収納す
    る容器と、 前記容器に固定され、前記三相主回路に貫通される三つ
    の孔を有する強磁性体材料により形成された取付板と、 前記容器内において、前記取付板に固定され、前記取付
    板の孔と連通するそれぞれの中空部に前記三相主回路を
    貫通挿入する三相の変流器と、 前記三相主回路に貫通される孔を有して前記三相主回路
    の配設方向に直交する面と、前記三相主回路の配設方向
    と平行な母線を有する円筒面とを持ち、前記取付板に固
    定された前記三相の変流器を一括して覆うように前記取
    付板に固定され、高導電率材料からなる第1の磁気シー
    ルドと、 前記三相の変流器のそれぞれの相間に設置されて各相の
    変流器の相間を分離し、各相の変流器を取り囲んで互い
    に隔離するように前記第1の磁気シールドに電気的に接
    続され、高導電率材料により形成された第2の磁気シー
    ルドと、 を備えたことを特徴とするガス絶縁装置の計器用変流装
    置。
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