JPH0476069B2 - - Google Patents
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- JPH0476069B2 JPH0476069B2 JP59073398A JP7339884A JPH0476069B2 JP H0476069 B2 JPH0476069 B2 JP H0476069B2 JP 59073398 A JP59073398 A JP 59073398A JP 7339884 A JP7339884 A JP 7339884A JP H0476069 B2 JPH0476069 B2 JP H0476069B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光変流器装置に関するものである。
従来例を第1図および第2図に示している。す
なわち、この光変流器装置は、三相一括形ガス絶
縁開閉装置内で導体の電流を計測するもので、1
は容器、2は絶縁スペーサ、3a〜3cは導体、
4a〜4cは光変流器、5は光フアイバ、6はそ
の気密コネクタ、7は発光器、8は受光器、9は
SF6ガスである。
なわち、この光変流器装置は、三相一括形ガス絶
縁開閉装置内で導体の電流を計測するもので、1
は容器、2は絶縁スペーサ、3a〜3cは導体、
4a〜4cは光変流器、5は光フアイバ、6はそ
の気密コネクタ、7は発光器、8は受光器、9は
SF6ガスである。
前記光変流器4a〜4cは導体3a〜3cの周
囲に設けた鉄心10と、この鉄心10の一対の空
隙部11,12に設けられた磁気光学効果の一種
であるフアラデー素子13とを有し、導体3a〜
3cに流れる電流によつて鉄心10および鉄心磁
路中の空隙部11,12に磁束が通り、その磁化
力によりフアラデー素子13の内部を通過する光
は旋光作用を受ける。そこで発光器7から発振さ
れた光と受光器8で受信される光とを比較するこ
とにより導体3a〜3cの電流を計測することが
できるものである。この光変流器4a〜4cは、
計測電流の大きさに応じて誤差を生じないよう
に、すなわち鉄心10の空隙部の磁化力(フアラ
デー素子の偏光磁化力)と導体3a〜3cの電流
の大きさと直線的な比例関係を保つように鉄心1
0の長さ(換言すれば磁気抵抗)を選び、また通
常10数mm程度の厚さしかないフアラデー素子13
の空隙部12を一定にして空隙部11の長さで最
大計測電流を設定している。またフアラデー素子
13を有する空隙部12の磁化の強さは、フアラ
デー素子13の旋光感度と光変流器4a〜4cの
過電流定数(定格電流の20倍〜40倍)と鉄心10
の飽和磁束密度とから、数百(Oe)程度に選別
されている。
囲に設けた鉄心10と、この鉄心10の一対の空
隙部11,12に設けられた磁気光学効果の一種
であるフアラデー素子13とを有し、導体3a〜
3cに流れる電流によつて鉄心10および鉄心磁
路中の空隙部11,12に磁束が通り、その磁化
力によりフアラデー素子13の内部を通過する光
は旋光作用を受ける。そこで発光器7から発振さ
れた光と受光器8で受信される光とを比較するこ
とにより導体3a〜3cの電流を計測することが
できるものである。この光変流器4a〜4cは、
計測電流の大きさに応じて誤差を生じないよう
に、すなわち鉄心10の空隙部の磁化力(フアラ
デー素子の偏光磁化力)と導体3a〜3cの電流
の大きさと直線的な比例関係を保つように鉄心1
0の長さ(換言すれば磁気抵抗)を選び、また通
常10数mm程度の厚さしかないフアラデー素子13
の空隙部12を一定にして空隙部11の長さで最
大計測電流を設定している。またフアラデー素子
13を有する空隙部12の磁化の強さは、フアラ
デー素子13の旋光感度と光変流器4a〜4cの
過電流定数(定格電流の20倍〜40倍)と鉄心10
の飽和磁束密度とから、数百(Oe)程度に選別
されている。
ところで、このような光変流器4a〜4cは、
隣接する導体3a〜3cの相互の磁界の影響が考
えられる。その場合、定格電流における隣接他相
の電流による磁界は、たとえば66/77KV級では
空隙部12において1%にも満たない極めて低い
ものであり、計測誤差は無視することできる。
隣接する導体3a〜3cの相互の磁界の影響が考
えられる。その場合、定格電流における隣接他相
の電流による磁界は、たとえば66/77KV級では
空隙部12において1%にも満たない極めて低い
ものであり、計測誤差は無視することできる。
しかしながら、隣接2相にたとえば1万A以上
もの短絡電流が流れた場合は計測誤差を無視する
ことができなくなり、たとえば保護電器用として
光変流器を適用する場合には保護継電器が誤動作
するおそれがあつた。
もの短絡電流が流れた場合は計測誤差を無視する
ことができなくなり、たとえば保護電器用として
光変流器を適用する場合には保護継電器が誤動作
するおそれがあつた。
したがつて、この発明の目的は、他相の電流に
よる誘電磁界の影響を回避し測定誤差を低減する
ことができる光変流器装置を提供することであ
る。
よる誘電磁界の影響を回避し測定誤差を低減する
ことができる光変流器装置を提供することであ
る。
この発明の一実施例を第3図および第4図に示
す。すなわち、この光変流器装置は、三相一括形
ガス絶縁開閉装置など複数の導体を同一管路内に
配設したものにおいて、導体3(他相の導体は図
示せず)に光変流器14を設け、この光変流器1
4を包囲するように電流遮蔽体15を設けてい
る。光変流器14の構成は、第1図および第2図
の場合と同様、導体3の周囲に設けられている磁
路を形成する鉄心16と、鉄心16の空隙部1
7,18の一方に設けられた磁気光学効果の一種
であるフアラデー素子19からなり、フアラデー
素子19に光フアイバ5および気密コネクタ6を
介して発光器7および受光器8が接続される。ま
た電磁遮蔽体15は、光変流器14を包囲するよ
うに珪素鋼板などの磁性体20を設けるとともに
その内側に電気良導体21を設けて構成したもの
で、必要に応じて、この組合せを2組(同一符号
にダツシユを付けて示す)とするなど、磁界の大
きさに応じて複数組積層状に設けたり、あるいは
磁性体20′のみを設けてもよいのは勿論である。
さらに、磁性体20,20′および電気良導体2
1,21′の積層構造体よりなる電磁遮蔽体15
は、導体3を流れる電流によつて生じる磁束に対
する閉磁路を開放するように周方向の一部に切除
部24を設け、切除部24を管路1の近接する内
壁面1aに向けるとともに、電磁遮蔽体15と導
体3との間に絶縁体23を設けて鉄心16を通過
する磁束に対して電磁遮蔽体15が鎖交する導電
部分が生じないようにしている。なお、前記光フ
アイバ5は前記切除部24の部分を利用して電磁
遮蔽体15の外部へ引出される。
す。すなわち、この光変流器装置は、三相一括形
ガス絶縁開閉装置など複数の導体を同一管路内に
配設したものにおいて、導体3(他相の導体は図
示せず)に光変流器14を設け、この光変流器1
4を包囲するように電流遮蔽体15を設けてい
る。光変流器14の構成は、第1図および第2図
の場合と同様、導体3の周囲に設けられている磁
路を形成する鉄心16と、鉄心16の空隙部1
7,18の一方に設けられた磁気光学効果の一種
であるフアラデー素子19からなり、フアラデー
素子19に光フアイバ5および気密コネクタ6を
介して発光器7および受光器8が接続される。ま
た電磁遮蔽体15は、光変流器14を包囲するよ
うに珪素鋼板などの磁性体20を設けるとともに
その内側に電気良導体21を設けて構成したもの
で、必要に応じて、この組合せを2組(同一符号
にダツシユを付けて示す)とするなど、磁界の大
きさに応じて複数組積層状に設けたり、あるいは
磁性体20′のみを設けてもよいのは勿論である。
さらに、磁性体20,20′および電気良導体2
1,21′の積層構造体よりなる電磁遮蔽体15
は、導体3を流れる電流によつて生じる磁束に対
する閉磁路を開放するように周方向の一部に切除
部24を設け、切除部24を管路1の近接する内
壁面1aに向けるとともに、電磁遮蔽体15と導
体3との間に絶縁体23を設けて鉄心16を通過
する磁束に対して電磁遮蔽体15が鎖交する導電
部分が生じないようにしている。なお、前記光フ
アイバ5は前記切除部24の部分を利用して電磁
遮蔽体15の外部へ引出される。
このように構成したため、他相電流による磁界
は第4図の1点鎖線にように磁性体20を通つて
開放端22に導かれ、容器1にバイパスされる。
また最外周の磁性体20をもれた磁束は(2点鎖
線で示す)その内側にある電気良導体21を貫通
するが、電気良導体21に渦電流を生じることに
より低減されてつぎの磁性体20′に入り、開放
端22から容器1に導かれる。その結果、他相磁
界による磁束はフアラデー素子19を設けた鉄心
16の空隙部18には加わらず、フアラデー素子
19は他相磁界によつて旋光されないことにな
る。したがつて、隣接相に通過する短絡電流など
大電流による誘導磁界があつてもその影響を受け
ず、計測誤差や保護継電器の誤動作などの障害の
発生を防止することができる。
は第4図の1点鎖線にように磁性体20を通つて
開放端22に導かれ、容器1にバイパスされる。
また最外周の磁性体20をもれた磁束は(2点鎖
線で示す)その内側にある電気良導体21を貫通
するが、電気良導体21に渦電流を生じることに
より低減されてつぎの磁性体20′に入り、開放
端22から容器1に導かれる。その結果、他相磁
界による磁束はフアラデー素子19を設けた鉄心
16の空隙部18には加わらず、フアラデー素子
19は他相磁界によつて旋光されないことにな
る。したがつて、隣接相に通過する短絡電流など
大電流による誘導磁界があつてもその影響を受け
ず、計測誤差や保護継電器の誤動作などの障害の
発生を防止することができる。
さらに、電磁遮蔽体15により、鉄心16から
の漏洩磁束を制御することができるため、鉄心1
6の磁束密度は電磁遮蔽体15を設けない場合に
比べて低減することができ、光変流器14を小形
化できることとなる。
の漏洩磁束を制御することができるため、鉄心1
6の磁束密度は電磁遮蔽体15を設けない場合に
比べて低減することができ、光変流器14を小形
化できることとなる。
また、電磁遮蔽体15の切除部24を管路1の
近接する内壁面1aに向けたことにより、他相の
磁界が電磁遮蔽体15を通つて管路1へ抜ける磁
路の磁気抵抗を最小にすることができ、電磁遮蔽
体15に切除部24を設けたことによる遮蔽機能
の低下を最小限に抑えることができる。
近接する内壁面1aに向けたことにより、他相の
磁界が電磁遮蔽体15を通つて管路1へ抜ける磁
路の磁気抵抗を最小にすることができ、電磁遮蔽
体15に切除部24を設けたことによる遮蔽機能
の低下を最小限に抑えることができる。
また、電磁遮蔽体15を磁性体の単層構造では
なく、磁性体20,20′および電気良導体21,
21′の積層構造としたため、電気良導体21,
21′を磁束が通ることによる過電流損によつて
も他相の磁界の影響を抑えることができ、磁気遮
蔽効果が一層高めることができる。
なく、磁性体20,20′および電気良導体21,
21′の積層構造としたため、電気良導体21,
21′を磁束が通ることによる過電流損によつて
も他相の磁界の影響を抑えることができ、磁気遮
蔽効果が一層高めることができる。
さらに、電磁遮蔽体15に切除部24を設けた
ことにより、この切除部24を通して光変流器1
4のフアラデー素子19から光フアイバ5を電磁
遮蔽体15の外部へ引き出すことができ、光フア
イバ引出しのために電磁遮蔽体15に特別な開口
を設けることは不要である。
ことにより、この切除部24を通して光変流器1
4のフアラデー素子19から光フアイバ5を電磁
遮蔽体15の外部へ引き出すことができ、光フア
イバ引出しのために電磁遮蔽体15に特別な開口
を設けることは不要である。
また、電磁遮蔽体15の切除部24を管路1の
近接する内壁面1aに向けたことにより、光変流
器14から管路1の内壁面1aまでの光フアイバ
5の引回し長さを最短にすることができる。
近接する内壁面1aに向けたことにより、光変流
器14から管路1の内壁面1aまでの光フアイバ
5の引回し長さを最短にすることができる。
以上のように、この発明の光変流器装置は、光
変流器を包囲する磁性体および電気良導体の積層
構造体からなる電磁遮蔽体に導体を流れる電流に
よつて生じる磁束に対する閉磁路を開放するよう
に周方向の一部に切除部を設けたことにより、導
体を流れる電流によつて生じる磁束が電磁遮蔽体
を通つて鉄心および磁気光学効果素子を通らない
という状態をなくし、光電流器による電流検出機
能を損なわないようにしつつ、他相の導体に流れ
る電流による磁界を電磁遮蔽体に通して鉄心およ
び磁気光学効果素子を通さないようにすることで
他相の磁界の影響を回避することができ、計測誤
差や保護継電器の誤動作を防止することができる
という効果がある。しかも、電磁遮蔽体を設けた
ことにより、鉄心の漏洩磁束を低減することがで
き、光変流器を小形化することができる。
変流器を包囲する磁性体および電気良導体の積層
構造体からなる電磁遮蔽体に導体を流れる電流に
よつて生じる磁束に対する閉磁路を開放するよう
に周方向の一部に切除部を設けたことにより、導
体を流れる電流によつて生じる磁束が電磁遮蔽体
を通つて鉄心および磁気光学効果素子を通らない
という状態をなくし、光電流器による電流検出機
能を損なわないようにしつつ、他相の導体に流れ
る電流による磁界を電磁遮蔽体に通して鉄心およ
び磁気光学効果素子を通さないようにすることで
他相の磁界の影響を回避することができ、計測誤
差や保護継電器の誤動作を防止することができる
という効果がある。しかも、電磁遮蔽体を設けた
ことにより、鉄心の漏洩磁束を低減することがで
き、光変流器を小形化することができる。
また、電磁遮蔽体の切除部を前記管路の近接す
る内壁面に向けたことにより、他相の磁界が電磁
遮蔽体を通つて管路へ抜ける磁路の磁気抵抗を最
小にすることができ、電磁遮蔽体に切除部を設け
たことによる遮蔽機能の低下を最小限に抑えるこ
とができる。
る内壁面に向けたことにより、他相の磁界が電磁
遮蔽体を通つて管路へ抜ける磁路の磁気抵抗を最
小にすることができ、電磁遮蔽体に切除部を設け
たことによる遮蔽機能の低下を最小限に抑えるこ
とができる。
また、電磁遮蔽体を磁性体の単層構造ではな
く、磁性体および電気良導体の積層構造としたた
め、電気良導体を磁束が通ることによる渦電流損
によつても他相の磁界の影響を抑えることがで
き、磁気遮蔽効果を一層高めることができる。
く、磁性体および電気良導体の積層構造としたた
め、電気良導体を磁束が通ることによる渦電流損
によつても他相の磁界の影響を抑えることがで
き、磁気遮蔽効果を一層高めることができる。
さらに、電磁遮蔽体に切除部を設けたことによ
り、この切除部を通して光変流器の磁気光学効果
素子から光フアイバを電磁遮蔽体の外部へ引き出
すことができ、光フアイバ引出しのために電磁遮
蔽体に特別な開口を設けることは不要である。
り、この切除部を通して光変流器の磁気光学効果
素子から光フアイバを電磁遮蔽体の外部へ引き出
すことができ、光フアイバ引出しのために電磁遮
蔽体に特別な開口を設けることは不要である。
また、電磁遮蔽体の切除部を管路の近接する内
壁面に向けたことにより、光変流器から管壁まで
の光フアイバの引回し流さを最短にすることがで
きる。
壁面に向けたことにより、光変流器から管壁まで
の光フアイバの引回し流さを最短にすることがで
きる。
第1図は三相一括形ガス絶縁開閉装置の一部断
面図、第2図はその−線断面図、第3図はこ
の発明の一実施例の要部断面図、第4図はその
−線断面図である。 1……容器(管路)、3……導体、14……光
変流器、15……電磁遮蔽体、16……鉄心(磁
路)、19……フアラデー素子(磁気光学効果素
子)、20,20′……磁性体、21,21′……
電気良導体、22……開放端、24……切除部。
面図、第2図はその−線断面図、第3図はこ
の発明の一実施例の要部断面図、第4図はその
−線断面図である。 1……容器(管路)、3……導体、14……光
変流器、15……電磁遮蔽体、16……鉄心(磁
路)、19……フアラデー素子(磁気光学効果素
子)、20,20′……磁性体、21,21′……
電気良導体、22……開放端、24……切除部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 管路の内部に並設された複数本の導体と、 前記複数本の導体の各々の周囲に磁路形成用の
空〓部付の鉄心を設け、この鉄心の空〓部に磁気
光学効果素子を配設してなる光変流器と、 前記光変流器を包囲する磁性体および電気良導
体の積層構造体からなり、前記導体を流れる電流
によつて生じる磁束に対する閉磁路を開放するよ
うに周方向の一部に切除部を設け、前記切除部を
前記管路の近接する内壁面に向けた電磁遮蔽体と
を備えた光変流器装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59073398A JPS60216268A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 光変流器装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59073398A JPS60216268A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 光変流器装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60216268A JPS60216268A (ja) | 1985-10-29 |
JPH0476069B2 true JPH0476069B2 (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=13517048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59073398A Granted JPS60216268A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 光変流器装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60216268A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4342778A1 (de) * | 1993-12-15 | 1995-06-22 | Siemens Ag | Kontaktlose Datenübertragungsvorrichtung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5316571U (ja) * | 1976-07-21 | 1978-02-13 |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59073398A patent/JPS60216268A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5316571U (ja) * | 1976-07-21 | 1978-02-13 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60216268A (ja) | 1985-10-29 |
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