JPH01291455A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01291455A JPH01291455A JP12237588A JP12237588A JPH01291455A JP H01291455 A JPH01291455 A JP H01291455A JP 12237588 A JP12237588 A JP 12237588A JP 12237588 A JP12237588 A JP 12237588A JP H01291455 A JPH01291455 A JP H01291455A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置、特に、トレンチキャパシタを
有する半導体装置の改良構造に関するものである。
有する半導体装置の改良構造に関するものである。
従来例によるこの種のトレンチキャパシタを有する半導
体装置について、その概要構成を製造工程順に第２図（
ａ）ないしくＣ）に示す。
体装置について、その概要構成を製造工程順に第２図（
ａ）ないしくＣ）に示す。
すなわち、この従来例によるトレンチキャパシタを有す
る半導体装置においては、まず、トレンチ溝２を形成し
たシリコン半導体基板１に対し、同トレンチ満２の内面
を含む表面にあって、不純物拡散層１１を拡散形成させ
て一方の電極とし、この一方の電極としての不純物拡散
層１１の表面に、絶縁膜１２を介して他方の電極となる
金属膜１３を形成させ、これらの不純物拡散層１１．絶
縁膜１２．および金属膜１３の組合せによりトレンチキ
ャパシタを構成させたものである。
る半導体装置においては、まず、トレンチ溝２を形成し
たシリコン半導体基板１に対し、同トレンチ満２の内面
を含む表面にあって、不純物拡散層１１を拡散形成させ
て一方の電極とし、この一方の電極としての不純物拡散
層１１の表面に、絶縁膜１２を介して他方の電極となる
金属膜１３を形成させ、これらの不純物拡散層１１．絶
縁膜１２．および金属膜１３の組合せによりトレンチキ
ャパシタを構成させたものである。
このように従来例でのトレンチキャパシタは、トレンチ
溝２を形成したシリコン半導体基板ｌにあって、そのト
レンチ溝２の内面を含む表面に、一方の電極となる不純
物拡散層１１を拡散形成させる必要があり、このために
製造工程が煩雑になると云う不利があった。
溝２を形成したシリコン半導体基板ｌにあって、そのト
レンチ溝２の内面を含む表面に、一方の電極となる不純
物拡散層１１を拡散形成させる必要があり、このために
製造工程が煩雑になると云う不利があった。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するだめに
なされたもので、その目的とするところは、不純物拡散
層を拡散形成させずに、所期のトレンチキャパシタを構
成させ得るようにした。この種の半導体装置を提供する
ことである。
なされたもので、その目的とするところは、不純物拡散
層を拡散形成させずに、所期のトレンチキャパシタを構
成させ得るようにした。この種の半導体装置を提供する
ことである。
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体装置
は、半導体基板に形成されたトレンチ溝の内面に直接、
またはトレンチ溝の内面を含む半導体基板の表面に直接
、第１の金属膜を形成させて一方の電極としたものであ
る。
は、半導体基板に形成されたトレンチ溝の内面に直接、
またはトレンチ溝の内面を含む半導体基板の表面に直接
、第１の金属膜を形成させて一方の電極としたものであ
る。
すなわち、この発明は、トレンチキャパシタを有する半
導体装置において、半導体基板に形成されたトレンチ溝
の内面に直接、またはトレンチ溝の内面を含む半導体基
板の表面に直接、第１の金属膜を形成させて一方の電極
とすると共に、この第１の金属膜の表面に絶縁膜を介し
第２の金属膜を形成させて他方の電極とし、これらの第
１の金属膜、絶縁膜、および第２の金属膜の組合せでト
レンチキャパシタを構成させたことを特徴とする半導体
装置である。
導体装置において、半導体基板に形成されたトレンチ溝
の内面に直接、またはトレンチ溝の内面を含む半導体基
板の表面に直接、第１の金属膜を形成させて一方の電極
とすると共に、この第１の金属膜の表面に絶縁膜を介し
第２の金属膜を形成させて他方の電極とし、これらの第
１の金属膜、絶縁膜、および第２の金属膜の組合せでト
レンチキャパシタを構成させたことを特徴とする半導体
装置である。
従って、この発明においては、半導体基板に形成された
トレンチ溝の内面に直接、またはトレンチ溝の内面を含
む半導体基板の表面に直接、第１の金属膜を形成させて
一方の電極とし、この第１の金属膜の表面に絶縁膜を介
し第２の金属膜を形成させて他方の電極としたものであ
るから、これらの第１の金属膜、絶縁膜、および第２の
金属膜の組合せで、所期のトレンチキャパシタを構成さ
せることができる。
トレンチ溝の内面に直接、またはトレンチ溝の内面を含
む半導体基板の表面に直接、第１の金属膜を形成させて
一方の電極とし、この第１の金属膜の表面に絶縁膜を介
し第２の金属膜を形成させて他方の電極としたものであ
るから、これらの第１の金属膜、絶縁膜、および第２の
金属膜の組合せで、所期のトレンチキャパシタを構成さ
せることができる。
以下、この発明に係る半導体装置の一実施例につき、第
１図（ａ）ないしくＣ）を参照して詳細に説明する。
１図（ａ）ないしくＣ）を参照して詳細に説明する。
これらの第１図（ａ）ないしくＣ）はこの実施例を適用
したトレンチキャパシタを有する半導体装置の概要構成
を製造工程順に示すそれぞれに断面図であり、同第１図
（ａ）ないしくＣ）に示す実施例装置において、前記し
た第２図（ａ）ないしくＣ）に示す従来例装置と同一符
号は同一または相当部分を示している。
したトレンチキャパシタを有する半導体装置の概要構成
を製造工程順に示すそれぞれに断面図であり、同第１図
（ａ）ないしくＣ）に示す実施例装置において、前記し
た第２図（ａ）ないしくＣ）に示す従来例装置と同一符
号は同一または相当部分を示している。
すなわち、これらの第１図（ａ）ないしくＣ）に示す実
施例装置においては、まず、トレンチ溝２を形成したシ
リコン半導体基板１に対して、同トレンチ溝２の内面を
含む表面に、直接、適当する金属材料を用いて第１の金
属膜３を形成させ（同図（ａ））、この第１の金属膜３
を一方の電極とし、ついで、同第１の金属膜３の表面に
、適当な絶縁材料による絶縁＠４を介しく同図（ｂ））
、同様に適当する金属材料を用いて第２の金属膜５を形
成させ（同図（Ｃ））、この第２の金属膜５を他方の電
極としたものである。
施例装置においては、まず、トレンチ溝２を形成したシ
リコン半導体基板１に対して、同トレンチ溝２の内面を
含む表面に、直接、適当する金属材料を用いて第１の金
属膜３を形成させ（同図（ａ））、この第１の金属膜３
を一方の電極とし、ついで、同第１の金属膜３の表面に
、適当な絶縁材料による絶縁＠４を介しく同図（ｂ））
、同様に適当する金属材料を用いて第２の金属膜５を形
成させ（同図（Ｃ））、この第２の金属膜５を他方の電
極としたものである。
従って、この実施例装置では、前記のようにして、トレ
ンチ溝２の内面を含む半導体基板ｌの表面に、相互に重
ね合せて形成される第１の金属膜３と、絶縁膜４と、そ
れに第２の金属膜５との組合せにより、所期通りのトレ
ンチキャパシタを構成させることができ、このトレンチ
キャパシタの構成に際しては、前記した従来例装置の場
合とは異なって、トレンチ溝２の内面を含む半導体基板
■の表面に対する不純物拡散層１１の拡散形成をなさず
に済み、このために製造工程を格段に簡略化し得るので
ある。
ンチ溝２の内面を含む半導体基板ｌの表面に、相互に重
ね合せて形成される第１の金属膜３と、絶縁膜４と、そ
れに第２の金属膜５との組合せにより、所期通りのトレ
ンチキャパシタを構成させることができ、このトレンチ
キャパシタの構成に際しては、前記した従来例装置の場
合とは異なって、トレンチ溝２の内面を含む半導体基板
■の表面に対する不純物拡散層１１の拡散形成をなさず
に済み、このために製造工程を格段に簡略化し得るので
ある。
なお、前記実施例構成においては、トレンチ溝の内面を
含む半導体基板の表面に対して、直接。
含む半導体基板の表面に対して、直接。
トレンチキャパシタを構成させる場合について述べたが
、トレンチ溝の内面にのみ直接、トレンチキャパシタを
構成させるようにしてよく、また、第１．および第２の
金属膜として、金属材料を用いているが、これを金属と
シリコンとの化合物。
、トレンチ溝の内面にのみ直接、トレンチキャパシタを
構成させるようにしてよく、また、第１．および第２の
金属膜として、金属材料を用いているが、これを金属と
シリコンとの化合物。
例えば、モリブデンとシリコン（Ｍｏ−５ｉ） 、チタ
ンとシリコン（Ｔｉ−５ｉ）、タンゲステレとシリコン
（Ｗ−５ｉ）の化合物などを用いても差し支えはなく、
それぞれに同様な作用、効果が得られる。
ンとシリコン（Ｔｉ−５ｉ）、タンゲステレとシリコン
（Ｗ−５ｉ）の化合物などを用いても差し支えはなく、
それぞれに同様な作用、効果が得られる。
以上詳述したように、この発明によれば、トレンチキャ
パシタを有する半導体装置において、半導体基板に形成
されたトレンチ溝の内面に直接。
パシタを有する半導体装置において、半導体基板に形成
されたトレンチ溝の内面に直接。
またはトレンチ溝の内面を含む半導体基板の表面に直接
、第１の金属膜を形成させて一方の電極とすると共に、
この第１の金属膜の表面に絶縁膜を介して、第２の金属
膜を形成させて他方の電極としたものであるから、これ
らの第１の金属膜、絶縁膜、および第２の金属膜の組合
せにより、所期通りのトレンチキャパシタを容易に構成
でき、併せて、従来例装置のように不純物拡散層を拡散
形成させる必要がないために、その製造工程を極めて簡
略化し得るなどの優れた特長を有するものである。
、第１の金属膜を形成させて一方の電極とすると共に、
この第１の金属膜の表面に絶縁膜を介して、第２の金属
膜を形成させて他方の電極としたものであるから、これ
らの第１の金属膜、絶縁膜、および第２の金属膜の組合
せにより、所期通りのトレンチキャパシタを容易に構成
でき、併せて、従来例装置のように不純物拡散層を拡散
形成させる必要がないために、その製造工程を極めて簡
略化し得るなどの優れた特長を有するものである。
第１図（ａ）ないしくＣ）はこの発明の一実施例を適用
したトレンチキャパシタを有する半導体装置の概要構成
を製造工程順に示すそれぞれに断面図であり、また、第
２図（ａ）ないしくＣ）は従来例による同上トレンチキ
ャパシタを有する半導体装置の概要構成を製造工程順に
示すそれぞれに断面図である。 ■・・・・シリコン半導体基板、２・・・・半導体基板
上のトレンチ溝、３・・・・第１の金属膜（一方の電極
）、４・・・・絶縁膜、５・・・・第２の金属膜（他方
の電極）。 代理人 大 岩 増 雄 コ ；某２の喧傷肱（付方の電Ｊ爛 第２図 つ
したトレンチキャパシタを有する半導体装置の概要構成
を製造工程順に示すそれぞれに断面図であり、また、第
２図（ａ）ないしくＣ）は従来例による同上トレンチキ
ャパシタを有する半導体装置の概要構成を製造工程順に
示すそれぞれに断面図である。 ■・・・・シリコン半導体基板、２・・・・半導体基板
上のトレンチ溝、３・・・・第１の金属膜（一方の電極
）、４・・・・絶縁膜、５・・・・第２の金属膜（他方
の電極）。 代理人 大 岩 増 雄 コ ；某２の喧傷肱（付方の電Ｊ爛 第２図 つ
Claims (1)
- トレンチキャパシタを有する半導体装置において、半
導体基板に形成されたトレンチ溝の内面に直接、または
トレンチ溝の内面を含む半導体基板の表面に直接、第１
の金属膜を形成させて一方の電極とすると共に、この第
１の金属膜の表面に絶縁膜を介し第２の金属膜を形成さ
せて他方の電極とし、これらの第１の金属膜、絶縁膜、
および第２の金属膜の組合せでトレンチキャパシタを構
成させたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12237588A JPH01291455A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12237588A JPH01291455A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01291455A true JPH01291455A (ja) | 1989-11-24 |
Family
ID=14834284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12237588A Pending JPH01291455A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01291455A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198771A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP12237588A patent/JPH01291455A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198771A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
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